JPS58139081A - 磁気センサ− - Google Patents
磁気センサ−Info
- Publication number
- JPS58139081A JPS58139081A JP2315682A JP2315682A JPS58139081A JP S58139081 A JPS58139081 A JP S58139081A JP 2315682 A JP2315682 A JP 2315682A JP 2315682 A JP2315682 A JP 2315682A JP S58139081 A JPS58139081 A JP S58139081A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic sensor
- sensor element
- bias magnet
- terminal
- magnet
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01V—GEOPHYSICS; GRAVITATIONAL MEASUREMENTS; DETECTING MASSES OR OBJECTS; TAGS
- G01V3/00—Electric or magnetic prospecting or detecting; Measuring magnetic field characteristics of the earth, e.g. declination, deviation
- G01V3/08—Electric or magnetic prospecting or detecting; Measuring magnetic field characteristics of the earth, e.g. declination, deviation operating with magnetic or electric fields produced or modified by objects or geological structures or by detecting devices
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁界発生器などに磁気センサー素子を近接して
置く必要のめる磁気センサーに関するものである。
置く必要のめる磁気センサーに関するものである。
従来この種の磁気センサーにおいては、取付は板の一側
面に磁気センサー素子を他側面に／ぐイアス磁石を夫々
バンド等で固着してるるために組立てが面倒であり、ま
た磁気センサー素子は全体を樹脂モールド又は樹脂塗装
をしであるために、感知部を磁界発生器などに例えば０
．１ ｇの間隔で近接させることができず、更に磁気セ
ンサー素子の一端から端子が突出・している丸め取付け
にスペースを要した。本発明はこのような欠点を解消し
得る磁気センサーを提供しようとするものである。
面に磁気センサー素子を他側面に／ぐイアス磁石を夫々
バンド等で固着してるるために組立てが面倒であり、ま
た磁気センサー素子は全体を樹脂モールド又は樹脂塗装
をしであるために、感知部を磁界発生器などに例えば０
．１ ｇの間隔で近接させることができず、更に磁気セ
ンサー素子の一端から端子が突出・している丸め取付け
にスペースを要した。本発明はこのような欠点を解消し
得る磁気センサーを提供しようとするものである。
本発明の磁気センサーは、一端部に取付は部と一側面に
嵌合溝とを設けたバイアス磁石と、前記嵌合溝に嵌着し
た磁気センサー素子と、一端の折曲部で前記バイアス磁
石と磁気センサー素子とを挟持してｉＩｉ］記一端先端
、を前記硼気センサー素子廟子に接続するとと４Ｋ、他
端を曲げてバイアス磁石の他側向から導出させた端子と
を有するものであって、取付けが簡単で、感知部を磁界
発生器に近接でき、しかも磁気センサー素子の端子収出
しを容易にできる効果を有する。
嵌合溝とを設けたバイアス磁石と、前記嵌合溝に嵌着し
た磁気センサー素子と、一端の折曲部で前記バイアス磁
石と磁気センサー素子とを挟持してｉＩｉ］記一端先端
、を前記硼気センサー素子廟子に接続するとと４Ｋ、他
端を曲げてバイアス磁石の他側向から導出させた端子と
を有するものであって、取付けが簡単で、感知部を磁界
発生器に近接でき、しかも磁気センサー素子の端子収出
しを容易にできる効果を有する。
さらに、本発明の磁気センサーは、一端部に取付は部と
一側面に嵌合溝とを設けた絶縁体の取付共と、０■紀嵌
合溝に嵌着し九バイアス磁石および＊Ｘセンサー素子と
、一端の折曲部で前記磁気センサー素子およびバイアス
磁石ならびＫｊｌＸ付具とを挟持して前記一端先端を前
記磁気センサー素子端子に接続するとともに、他端を曲
げて取付共の他側面から導出させた端子とを有するもの
でろって、前述と同様効果を有する。
一側面に嵌合溝とを設けた絶縁体の取付共と、０■紀嵌
合溝に嵌着し九バイアス磁石および＊Ｘセンサー素子と
、一端の折曲部で前記磁気センサー素子およびバイアス
磁石ならびＫｊｌＸ付具とを挟持して前記一端先端を前
記磁気センサー素子端子に接続するとともに、他端を曲
げて取付共の他側面から導出させた端子とを有するもの
でろって、前述と同様効果を有する。
以下本発明の一実施例を第１図〜第５図に基づいて説明
する。第１図において、（υはＬ字形に折曲形成したバ
イアス磁石、（２）・・□はバイアス磁石（１）の折曲
した一端に設けた取付は孔、（３）はバイアス磁石（１
）の−１１１面に端側から切欠いて設けた嵌合溝でるる
。第２図、第３図において、（４）はバイアス磁石（１
）の嵌合溝（３）に嵌着せしめられる磁気センサー素子
である。この磁気センサー素子（４）は、ガラス、酸化
処理したシリコン等の基板（５）の表面にＮｉＦｅ合金
またはＮｉＣｏ合金等磁気により抵抗値の変化する薄膜
を設け、ホトエツチング等により巾の狭い並行する感知
部（６Ａ）（６Ｂ）、この感知部（６Ａ ）（６Ｂ ）
を合流した導体部（６Ｃ）および基板（５）の一端側で
前記感知部（６ＡＭ６Ｂ）の端部に位置する端子部（７
Ａ）（７Ｂ）、前記導体部（６Ｃ）の端部に位置する共
通端子部（７Ｃ）を形成し、感知部（６Ａ）（６Ｂ）お
よび導体部（６Ｃ）を形成した基板（５）上にｔｄ Ｓ
ｉＯ、５ｉｎ２． Ａ／２０．等の数ｐｍ乃至＆１０μ
ｍの薄い絶縁保護膜（８）を施したものでめム第４図に
おいて（９）’Ｆｉ１枚の金属板を打抜いてＬ字状に形
成し九端子であって、−＠にコ字状の折曲部ＱＱが形成
されている。この端子（９）は、第５図に示すように、
その折曲部器で、バイアス磁石（１）とバイアス磁石（
１）の−側面の嵌合溝（３）に給１縁−膜（８）を表面
にして鰭着した磁気センサー素子（４）とを挟持する。
する。第１図において、（υはＬ字形に折曲形成したバ
イアス磁石、（２）・・□はバイアス磁石（１）の折曲
した一端に設けた取付は孔、（３）はバイアス磁石（１
）の−１１１面に端側から切欠いて設けた嵌合溝でるる
。第２図、第３図において、（４）はバイアス磁石（１
）の嵌合溝（３）に嵌着せしめられる磁気センサー素子
である。この磁気センサー素子（４）は、ガラス、酸化
処理したシリコン等の基板（５）の表面にＮｉＦｅ合金
またはＮｉＣｏ合金等磁気により抵抗値の変化する薄膜
を設け、ホトエツチング等により巾の狭い並行する感知
部（６Ａ）（６Ｂ）、この感知部（６Ａ ）（６Ｂ ）
を合流した導体部（６Ｃ）および基板（５）の一端側で
前記感知部（６ＡＭ６Ｂ）の端部に位置する端子部（７
Ａ）（７Ｂ）、前記導体部（６Ｃ）の端部に位置する共
通端子部（７Ｃ）を形成し、感知部（６Ａ）（６Ｂ）お
よび導体部（６Ｃ）を形成した基板（５）上にｔｄ Ｓ
ｉＯ、５ｉｎ２． Ａ／２０．等の数ｐｍ乃至＆１０μ
ｍの薄い絶縁保護膜（８）を施したものでめム第４図に
おいて（９）’Ｆｉ１枚の金属板を打抜いてＬ字状に形
成し九端子であって、−＠にコ字状の折曲部ＱＱが形成
されている。この端子（９）は、第５図に示すように、
その折曲部器で、バイアス磁石（１）とバイアス磁石（
１）の−側面の嵌合溝（３）に給１縁−膜（８）を表面
にして鰭着した磁気センサー素子（４）とを挟持する。
この時、この端子（９）の他端はバイアス磁石（１）の
他側面から直角方向に突出している。この状物で端子（
す）の折曲部α０先銅と磁気センサー゛素子（４）の端
子部（７Ａ）（７Ｂ）（７Ｃ）とは接触し、それぞれ半
田付けにより接続する。そしてこの接続部分の表面に塗
装を施して、端子部（７Ａ）（７Ｂ）（７Ｃ）を保護す
るとともに、端子（９）の折曲部ＱＯ先端との接着強度
を増大させる。
他側面から直角方向に突出している。この状物で端子（
す）の折曲部α０先銅と磁気センサー゛素子（４）の端
子部（７Ａ）（７Ｂ）（７Ｃ）とは接触し、それぞれ半
田付けにより接続する。そしてこの接続部分の表面に塗
装を施して、端子部（７Ａ）（７Ｂ）（７Ｃ）を保護す
るとともに、端子（９）の折曲部ＱＯ先端との接着強度
を増大させる。
第６図は他の実施例を示し、ＵυはＬ字形に折曲形成し
た絶縁体の取付具、ｏ２は取付共αυの折曲した一端に
設けた取付孔、ｏ３は取付具すυの一側面に端側から切
欠して設けた嵌合溝である。この嵌合施例と同様にして
磁気センサーを作る。
た絶縁体の取付具、ｏ２は取付共αυの折曲した一端に
設けた取付孔、ｏ３は取付具すυの一側面に端側から切
欠して設けた嵌合溝である。この嵌合施例と同様にして
磁気センサーを作る。
以上本発明によれば、端子の一端折曲部で磁気センサー
素子とバイアス磁石、または磁気センサーとバイアス磁
石と絶縁体の取付具とを挟持するので、折曲部の巾をこ
れらの合計厚みより少し狭くしてスプリング性を持たせ
ることにより、取付は用の治具を必要とせず、これらを
固定することができ、−子と＠１９Ｌセンサー素子端子
部との接続も容易になるとともに接続強度の充分なもの
が得られ、さらに組立ても簡単でるる。また磁気センサ
ー素子は全体を厚い保１１！膜で被覆する必要がないの
で、磁界発生器などに充分近接して置くことができる。
素子とバイアス磁石、または磁気センサーとバイアス磁
石と絶縁体の取付具とを挟持するので、折曲部の巾をこ
れらの合計厚みより少し狭くしてスプリング性を持たせ
ることにより、取付は用の治具を必要とせず、これらを
固定することができ、−子と＠１９Ｌセンサー素子端子
部との接続も容易になるとともに接続強度の充分なもの
が得られ、さらに組立ても簡単でるる。また磁気センサ
ー素子は全体を厚い保１１！膜で被覆する必要がないの
で、磁界発生器などに充分近接して置くことができる。
また端子は折曲部の反対側の他端で曲げて導出している
ので、高さの低い磁気センサーが得られる。
ので、高さの低い磁気センサーが得られる。
第１図〜第５図は本発明の一実施例を示し、第１図はバ
イアス磁石の斜視図、第２図は磁気センサー素子の絶縁
保護膜を施す前の斜視図、第３図は絶縁保護膜を施した
状態の斜視図、第４図は端子の斜視図、第５１図は磁気
センサーの斜視図、第６図は他の実施例を示す一部省略
斜視図でるる。 （υＱ４・・・バイアス磁石、（２）（財）・・・取付
は孔、（３）−・・・嵌合溝、（４）・・・磁気センサ
ー素子、（６Ａ）（６Ｂ）・・・検知部、（７Ａ）（７
ＢＭ７Ｃ）・・・端子部、（９）・・・端子、四・・・
折曲部、Ｑト・・絶縁体の取付共 代理人 森 本 襞 弘 第１図 第２図 第３図 ５ 第４図 第５図 第ｉ図・・ 拝 ４３３− ｔ３ ｔｉ
イアス磁石の斜視図、第２図は磁気センサー素子の絶縁
保護膜を施す前の斜視図、第３図は絶縁保護膜を施した
状態の斜視図、第４図は端子の斜視図、第５１図は磁気
センサーの斜視図、第６図は他の実施例を示す一部省略
斜視図でるる。 （υＱ４・・・バイアス磁石、（２）（財）・・・取付
は孔、（３）−・・・嵌合溝、（４）・・・磁気センサ
ー素子、（６Ａ）（６Ｂ）・・・検知部、（７Ａ）（７
ＢＭ７Ｃ）・・・端子部、（９）・・・端子、四・・・
折曲部、Ｑト・・絶縁体の取付共 代理人 森 本 襞 弘 第１図 第２図 第３図 ５ 第４図 第５図 第ｉ図・・ 拝 ４３３− ｔ３ ｔｉ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、一端部に取付は部と一側向に嵌合溝とを設けたバイ
アス磁石と、前記嵌合溝に嵌着した磁気センサー素子と
、一端の折曲部で前記バイアス磁石と磁気センサー素子
とを挟持して前記一端先端を前記磁気センサー素子端子
部に接続するとともに１他端を曲げてバイアス磁石の他
側面から導出させた端子とを有する磁気センサー。゛ ２、一端部に取付は部と一側面に嵌合溝とを設は丸線縁
体の取付具と、前記嵌合溝に嵌着し九バイアス磁石およ
び磁気センサー素子と、一端の折曲部で前記磁気センサ
ー素子およびバイアス磁石ならびに取付共とを挟持して
前記一端先端を前記磁気センサー素子端子部に接続する
とともに、他端を曲げて取付共の他側面から導出させた
端子とを有する磁気センサー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2315682A JPS58139081A (ja) | 1982-02-15 | 1982-02-15 | 磁気センサ− |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2315682A JPS58139081A (ja) | 1982-02-15 | 1982-02-15 | 磁気センサ− |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58139081A true JPS58139081A (ja) | 1983-08-18 |
Family
ID=12102728
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2315682A Pending JPS58139081A (ja) | 1982-02-15 | 1982-02-15 | 磁気センサ− |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58139081A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02236182A (ja) * | 1989-03-09 | 1990-09-19 | Mitsubishi Electric Corp | ホール効果形センサ装置 |
| US7173420B2 (en) * | 2004-07-16 | 2007-02-06 | C & N Inc. | Magnetic detection device and method for manufacture |
| CN102645675A (zh) * | 2011-02-22 | 2012-08-22 | 宇能电科技股份有限公司 | 磁阻传感器及其制造方法 |
-
1982
- 1982-02-15 JP JP2315682A patent/JPS58139081A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02236182A (ja) * | 1989-03-09 | 1990-09-19 | Mitsubishi Electric Corp | ホール効果形センサ装置 |
| US7173420B2 (en) * | 2004-07-16 | 2007-02-06 | C & N Inc. | Magnetic detection device and method for manufacture |
| EP1770406A1 (en) * | 2004-07-16 | 2007-04-04 | C & N Inc. | Magnetic sensor assembly, geomagnetic sensor, element assembly and portable terminal |
| EP1770406A4 (en) * | 2004-07-16 | 2010-03-03 | Amosense Co Ltd | MAGNETIC SENSOR ASSEMBLY, GEOMAGNETIC SENSOR ASSEMBLY, AND PORTABLE TERMINAL |
| CN102645675A (zh) * | 2011-02-22 | 2012-08-22 | 宇能电科技股份有限公司 | 磁阻传感器及其制造方法 |
| US8988073B2 (en) | 2011-02-22 | 2015-03-24 | Voltafield Technology Corporation | Magnetoresistive sensor |
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