JPS58139048A - 材料試験機 - Google Patents

材料試験機

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JPS58139048A
JPS58139048A JP2314782A JP2314782A JPS58139048A JP S58139048 A JPS58139048 A JP S58139048A JP 2314782 A JP2314782 A JP 2314782A JP 2314782 A JP2314782 A JP 2314782A JP S58139048 A JPS58139048 A JP S58139048A
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JP
Japan
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displacement
sample
low temperature
test piece
testing
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JP2314782A
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English (en)
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JPH0316616B2 (ja
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Hidefumi Saito
英文 斎藤
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Shimadzu Corp
Shimazu Seisakusho KK
Original Assignee
Shimadzu Corp
Shimazu Seisakusho KK
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Publication date
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    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N3/00Investigating strength properties of solid materials by application of mechanical stress
    • G01N3/02Details
    • G01N3/06Special adaptations of indicating or recording means
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2203/00Investigating strength properties of solid materials by application of mechanical stress
    • G01N2203/02Details not specific for a particular testing method
    • G01N2203/022Environment of the test
    • G01N2203/0222Temperature
    • G01N2203/0228Low temperature; Cooling means

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
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  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
  • Investigating Strength Of Materials By Application Of Mechanical Stress (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、例えば、液体ヘリウム温度の下で材料試験を
行なう場合等に適用される極低温材料試験における変位
測定方法に関するものである。
材料試−を行なう際には、標点間における試験片の伸び
等、神々の微小変位置を精密−こしかも連続的−こ測定
することが要求される。従来、このような微小変位の測
定には、ひずみケージや差動トランスが部用されている
が、かかる従来の測定器は液体ヘリウム温PKtζ相当
するような極低温のふん囲気中では使用できないのが現
状である。そのため、前記のような極低温の下で行なう
材料試験においては、試験片に生じる変位をM密醗こ測
定することができないという間鴫がある。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、試
験片層ζ変位が生じた場合に自然にまたは人為的に惹起
される微小な磁場変化を、ジーセフソン効果を利用した
高感度磁気センサたる超伝導量子干渉計(以下[8QU
IDJと略称する)を用いて検出し、その検出値曇こ篭
いて前記試験片の変位量を察知するという画期的な手法
を材料試験に導入することによって、前述した問題を容
易に解消することができるようにした極低温材料試験に
おける変位測定方法を提供するものである。
以下、本発明の一実施例を図面を参照して説明する。
試験片lを液体ヘリウム2を満した極低温のふん囲気8
中に配電し、この試験片lに負萄を加えて材料試験を行
なうようにしている。具体的には、試験機の負荷ロッド
4と固定ロッド5・・・とを前記ふん囲気8内にまで延
出させ、前負荷ロッド4の先端に設けたつかみ具6に前
記試験片1の上端を固定するとともに前記固定ロッド5
・・・の先端Mr−設けたつかみ具7に前記試験片lの
下端を固定している。そして、前記負荷ロッド4を前記
固定ロッド5・・・に対して矢印X方向に移動させるこ
とによって、前記試験片lに引張方向の負荷を加えるよ
う醗こしている。
このようにして、極低温下で材料試験を行なう場合に、
前記ふん囲気8中に8QUIDBを配設しておき、前記
試験片1に変位が生じた場合に惹起される磁場変化を前
記8QUIDgによって検出し、その検出値に基いて前
記試験片1の変位量を察知するようにしている。具体的
には、前記試験片1の各標点l&、1bに変位引出部材
11.12をそれぞれ固着し、−万の変位引出部材11
の先端−こ自ら磁気を有する、または、外部からの磁場
の磁束を変化させる磁性体13を設けるととも薯こ、他
方の変位引出部材12の先端に前記8QUIDgを設け
、さらに前記磁性物体18から前記8QUID8に至る
空間の外周囲には磁気シールド14を設けておく。その
状態で、前述した材料試験を開始する。つまり、前記試
験片lに引張方向の負荷をかけ、その負荷を漸次増大さ
せてゆく。そうすると、前記試験片lが徐々に伸長して
その標点111b間の距離が変動し、それに伴って前記
磁性体13と、III記8QUIDgとの間の距離が変
わる。
その結果、前記8QUID8を通過する磁束が前記標点
間距離の変動に対応して微妙に変化するため、その磁束
変化を前記8QUIDgによって検出し、その検出結果
を電気信号1として取り出す。
そして、この電気信号aによる検出値を校正値と比較す
ることによって前記試験片lの標点la。
lb間の変位量を割り出すようにしている。
なお、本発明は引張試験における変位測定に限らず、磁
性体と8′QUIDとの相対位置や磁気シールドの有無
等を適宜選択することによって、圧縮、曲げ、せん断、
疲労あるいは(ひれ等、―低温下での多種多様な材料試
験における変位測定に適用が可能である。例えば、散体
ヘリウム温度の下で、ム8TME999に準じた破壊し
ん性試験を行なうこともできる。
また、前記実施例では、磁場変化を与えるために格別な
磁性体を使用したが、試験片自体が磁性材料により作ら
れたものである場合には、前記磁性体を一切使用せず、
前記試験片の変位によって生じる磁界変化を直接8QU
IDにより検出してその変位量を知ることも可能である
。例えば、曲げ試験においては、試験片の負荷作用位置
に8Q U I I)を対向配置しておけば、11記試
験片の厚み方向の変位(たわみ)を測定することができ
る。
また、試験片を通過する磁束の変化を検出し得る位at
こ8Q[] I Dを配置しておけば、前記試験片の直
径方向の変位(くびれ)を測定することが可能である。
さらに、試験片を通過する磁束の変化を8QUIl)に
よって検出するようにすれば、試験片のき裂伝ば鰍の測
定も可能となる。
また、8QUIDの使用個数は1個に限らないのは勿論
であり、例えば8QUIDを複数個設置して2次元ある
いは8次元の変位を測定できるようにしてもよい。
本発明は、以上のような構成を有する変位測定方法であ
るから、簡単な装置を用いて極低温材料試験りおける試
験片の変位を尚い精度で測定することができるものであ
る。すなわち、8QUIDは、10 M″程度磯臭測定
が可能な高4fIuの磁気セッサであり、しかも、その
測定機能は超電導現象を発現させ得る極低温下で発揮さ
れるものであるため、かかる8QUIDを用いて行なう
本発明の変位測定方法1こよれば、従来、不可能でめっ
た極低温材料試験iこおける試験片の変位を伺らの不都
合もなく精密かつ連続的に測定することができる。その
上、本発明の構成藪こよれば、材料試験を行なうための
ふん囲気温度の下に5QUIDを配置できるので、この
8QUIDを冷却するための格別な冷却平膜が全く軍装
となり、簡単な装置によって変位の測定が可能−こなる
という効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
図面は、本発明の一実施例を示す説明図であl・・・試
験片 8・・・超電導鰍子干渉計(SQUID)代理人 弁理
士 赤澤−博 :::

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 極低温下で試験片に負萄を加え、試験片の変位に応じて
    磁場変化を惹起させるとともに、この磁場変化を前記試
    験片の配置されているふん囲気下に配設した超伝導量子
    干渉計により検出するようにし、その検出値醗こ基いて
    前記試験片の変位量を測定することを特徴とする極低温
    材料試験における変位測定方法。
JP2314782A 1982-02-15 1982-02-15 材料試験機 Granted JPS58139048A (ja)

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JP2314782A JPS58139048A (ja) 1982-02-15 1982-02-15 材料試験機

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JP2314782A JPS58139048A (ja) 1982-02-15 1982-02-15 材料試験機

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JPS58139048A true JPS58139048A (ja) 1983-08-18
JPH0316616B2 JPH0316616B2 (ja) 1991-03-06

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JPH0316616B2 (ja) 1991-03-06

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