JPS58137723A - 温度測定装置 - Google Patents
温度測定装置Info
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- JPS58137723A JPS58137723A JP2005882A JP2005882A JPS58137723A JP S58137723 A JPS58137723 A JP S58137723A JP 2005882 A JP2005882 A JP 2005882A JP 2005882 A JP2005882 A JP 2005882A JP S58137723 A JPS58137723 A JP S58137723A
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- Japan
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- afterglow
- phosphor
- time
- temperature
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01K11/00—Measuring temperature based upon physical or chemical changes not covered by groups G01K3/00, G01K5/00, G01K7/00 or G01K9/00
- G01K11/32—Measuring temperature based upon physical or chemical changes not covered by groups G01K3/00, G01K5/00, G01K7/00 or G01K9/00 using changes in transmittance, scattering or luminescence in optical fibres
- G01K11/3206—Measuring temperature based upon physical or chemical changes not covered by groups G01K3/00, G01K5/00, G01K7/00 or G01K9/00 using changes in transmittance, scattering or luminescence in optical fibres at discrete locations in the fibre, e.g. using Bragg scattering
- G01K11/3213—Measuring temperature based upon physical or chemical changes not covered by groups G01K3/00, G01K5/00, G01K7/00 or G01K9/00 using changes in transmittance, scattering or luminescence in optical fibres at discrete locations in the fibre, e.g. using Bragg scattering using changes in luminescence, e.g. at the distal end of the fibres
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Radiation Pyrometers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、螢光体を応用した光温度測定装置に関する
。
。
光応用温度測定は、電気信号を用いないので、電磁界に
よるノズルの影響を全く受けないという特徴をもち、光
フアイバ技術を使った種々の装置が開発されている。な
かでも、螢光体からの発光を利用した光温度測定は、螢
光体の励起−発光過程で光の波長が変換されるために、
計測系の入力光と出力光すなわち励起光と螢光体からの
螢光および残光とを分離できるという利点がある。この
ため、単線の光ファイバを用いて入、出力光を伝達する
ことができ、光の伝達系がコンパクトになる。
よるノズルの影響を全く受けないという特徴をもち、光
フアイバ技術を使った種々の装置が開発されている。な
かでも、螢光体からの発光を利用した光温度測定は、螢
光体の励起−発光過程で光の波長が変換されるために、
計測系の入力光と出力光すなわち励起光と螢光体からの
螢光および残光とを分離できるという利点がある。この
ため、単線の光ファイバを用いて入、出力光を伝達する
ことができ、光の伝達系がコンパクトになる。
螢光体応用温度測定技術には大別して、螢光の発光強度
の温度変化を利用するものと、励起後の残光時間の温度
変化を利用するものとがある。螢光の発光強度の温度変
化を利用した温度測定においては、強度の大きな励起光
と強度の小さな螢光とが同時番ご存在するために、これ
らを分光その他の方法で波長分離しなければならず、そ
のための光学系が必要であるとともに、Ｓ／Ｎ比の高い
計測が困難であるという欠点かを検知するから原理的に
は一励起光が残光測定に影響を与えることがなく光学的
な計測が容易となるという利点をもっている。しかしな
がら、残光の減衰過程の残光強度の測定であるから、低
い残光強度の測定が困難で、残光強度が零になった時点
の判定に誤差が生じゃすく残光時間を正確に測定できな
いという問題がある。
の温度変化を利用するものと、励起後の残光時間の温度
変化を利用するものとがある。螢光の発光強度の温度変
化を利用した温度測定においては、強度の大きな励起光
と強度の小さな螢光とが同時番ご存在するために、これ
らを分光その他の方法で波長分離しなければならず、そ
のための光学系が必要であるとともに、Ｓ／Ｎ比の高い
計測が困難であるという欠点かを検知するから原理的に
は一励起光が残光測定に影響を与えることがなく光学的
な計測が容易となるという利点をもっている。しかしな
がら、残光の減衰過程の残光強度の測定であるから、低
い残光強度の測定が困難で、残光強度が零になった時点
の判定に誤差が生じゃすく残光時間を正確に測定できな
いという問題がある。
この発明は、残光の温度変化を利用する測定であること
により励起光による悪影響を排除することができ、しか
も残光時間を正確に計測するこ点のできる、螢光体応用
光温度測定装置を提供することを目的とする。
により励起光による悪影響を排除することができ、しか
も残光時間を正確に計測するこ点のできる、螢光体応用
光温度測定装置を提供することを目的とする。
この発明による温度測定装置は、温度を測定すべき雰囲
気または物体に配置され、残光特性が温度依存性をもつ
螢光体、螢光体を励起する励起手段、励起された螢光体
から発光される光のうち少なくとも残光を検知する受光
器、受光器の出力を増巾するものであって、測定温度範
囲内において発光される残光のうちの最も低いピーク輝
度によって出力が飽和するように調整された増巾器、増
巾器の出力をその飽和レベルよりも低い所定のしきい値
によって弁別し、増巾器の出力がしきい値以下になった
ことを検出する弁別手段および螢光体の励起停止時点か
ら弁別手段の検出時点までの時間を測定し、この測定時
間を、螢光体に応じてあらかじめ設定された残光時間の
温度特性と比較することにより温度を演算する演算手段
、からなることを特徴とする。
気または物体に配置され、残光特性が温度依存性をもつ
螢光体、螢光体を励起する励起手段、励起された螢光体
から発光される光のうち少なくとも残光を検知する受光
器、受光器の出力を増巾するものであって、測定温度範
囲内において発光される残光のうちの最も低いピーク輝
度によって出力が飽和するように調整された増巾器、増
巾器の出力をその飽和レベルよりも低い所定のしきい値
によって弁別し、増巾器の出力がしきい値以下になった
ことを検出する弁別手段および螢光体の励起停止時点か
ら弁別手段の検出時点までの時間を測定し、この測定時
間を、螢光体に応じてあらかじめ設定された残光時間の
温度特性と比較することにより温度を演算する演算手段
、からなることを特徴とする。
螢光体からの残光は受光器によって検知され、受光器の
出力は増巾器によって増巾される。そしてこの増巾器は
、測定温度範囲内において発光される残光のうちの最も
低いピーク輝度によってその出力が飽和するように調整
されている。
出力は増巾器によって増巾される。そしてこの増巾器は
、測定温度範囲内において発光される残光のうちの最も
低いピーク輝度によってその出力が飽和するように調整
されている。
したがって、測定の対象となるいかなる温度に詔いても
、残光の初期においては増巾器の出力は飽和レベルにあ
り、その後、温度に応じた時点で急激−に立下る。そし
てこの立下りが、飽和レベルよりも若干低いレベルのし
きい値によって弁別され、励起停止の時点すなわち残光
の開始の時点から、増巾器の出力がしきい値以下になっ
た時点までの時間が計測され、この計測された時間にも
とづいて温度が測定される。増巾器の急峻な立下りにも
とづいて残光時間を測定しているから、その測定を正確
に行なうことができる。また残光を測定しているから、
励起光と分離する必要がなく、励起光による悪影響を受
けることな（高いＳ／Ｎ比の測定が可能であるとともに
、分光装置なども不要である。
、残光の初期においては増巾器の出力は飽和レベルにあ
り、その後、温度に応じた時点で急激−に立下る。そし
てこの立下りが、飽和レベルよりも若干低いレベルのし
きい値によって弁別され、励起停止の時点すなわち残光
の開始の時点から、増巾器の出力がしきい値以下になっ
た時点までの時間が計測され、この計測された時間にも
とづいて温度が測定される。増巾器の急峻な立下りにも
とづいて残光時間を測定しているから、その測定を正確
に行なうことができる。また残光を測定しているから、
励起光と分離する必要がなく、励起光による悪影響を受
けることな（高いＳ／Ｎ比の測定が可能であるとともに
、分光装置なども不要である。
この発明では、残光特性が温度依存性をもち螢
かつ測定可能な残光時間の赤光体であれば、その種類を
限定されず種々のものを用いることができる。好ましく
は、残光時間が１０−’ ｓｅｅ〜１０−３ｓｅｅ程度
の螢光体がよい。たとえば、Ｙ２Ｏ２Ｓ ｉ ：Ｅｕな
どの希土類金属オキシサルファイド、ＺｎＳ ： Ｌｎ
、 ＳｒＳ ： Ｌｎなどの硫化物螢光体、ＬａＦ３
： （Ｙｂ ５Ｅｒ）などが使用される。
限定されず種々のものを用いることができる。好ましく
は、残光時間が１０−’ ｓｅｅ〜１０−３ｓｅｅ程度
の螢光体がよい。たとえば、Ｙ２Ｏ２Ｓ ｉ ：Ｅｕな
どの希土類金属オキシサルファイド、ＺｎＳ ： Ｌｎ
、 ＳｒＳ ： Ｌｎなどの硫化物螢光体、ＬａＦ３
： （Ｙｂ ５Ｅｒ）などが使用される。
以下、図面を参照してこの発明をさらに詳細に説明する
。
。
算１図は、パルス状ないし方形波状の励起光およびこの
励起光によって励起された螢光体から発光される光の波
形を示している。励起されている間に発光される光が、
、螢光で、励起が停止した時点（ｔＱで示す）以降に発
光され、時間とともに減衰する光が残光である。螢光体
によって異なるが、残光は指数関数的にまたは双曲線関
数的に減衰する。
励起光によって励起された螢光体から発光される光の波
形を示している。励起されている間に発光される光が、
、螢光で、励起が停止した時点（ｔＱで示す）以降に発
光され、時間とともに減衰する光が残光である。螢光体
によって異なるが、残光は指数関数的にまたは双曲線関
数的に減衰する。
第２図の左側のグラフは、螢光体の残光を検知する受光
器の出力の時間にともなう変化を示している。残光が減
衰する時間（残光の時間特性）は、螢光体の温度によっ
て異なる。Ｔｌ〜Ｔ３はそれぞれ異なる温度を示し、Ｔ
Ｉ＜Ｔ２＜Ｔ３の関係にある。一般には、残光時間は温
度が低いほど長くなる傾向にある。受光器の出力信号が
入力する増巾器は、測定温度範囲内において発光される
残光のうち最も低いピーク輝度によって、その増巾器の
出力が飽和するように、その増中度等があらかじめ調整
されている。
器の出力の時間にともなう変化を示している。残光が減
衰する時間（残光の時間特性）は、螢光体の温度によっ
て異なる。Ｔｌ〜Ｔ３はそれぞれ異なる温度を示し、Ｔ
Ｉ＜Ｔ２＜Ｔ３の関係にある。一般には、残光時間は温
度が低いほど長くなる傾向にある。受光器の出力信号が
入力する増巾器は、測定温度範囲内において発光される
残光のうち最も低いピーク輝度によって、その増巾器の
出力が飽和するように、その増中度等があらかじめ調整
されている。
測定可能な温度範囲内で最も高い温度をたとえばＴ３と
すると、この温度Ｔ３における受光器の出力の時点も０
における値が、上述の最も低いピーク輝度である。温度
Ｔ３における時点ｔ。
すると、この温度Ｔ３における受光器の出力の時点も０
における値が、上述の最も低いピーク輝度である。温度
Ｔ３における時点ｔ。
での受光器の出力レベルよりも若干低いレベルＳＯを仮
想し、このレベルＳＯの入力信号によって増巾器が飽和
するようにする。すると増巾器の出力は、第２図の右側
のグラフに示されているように、時点も０からしばら（
の間飽和レベルにあり、温度Ｔ１〜Ｔ３に応じた時間τ
１が′ 〜τ３＠経過した時点で急激に立下る。時点ＩＱから増
巾器の出力の立下り開始までの時間τ１〜τ３を便宜的
に残光時間と呼ぶ。これらの残光時間τ１〜τ３は、飽
和レベルよりも若干低いしきい値Ｓによって増巾器の出
力を弁別し、励起の停止した時点ｔｏから増巾器の出力
がしきい値Ｓ以下になる時点までを計測することにより
容易に求めることができる。
想し、このレベルＳＯの入力信号によって増巾器が飽和
するようにする。すると増巾器の出力は、第２図の右側
のグラフに示されているように、時点も０からしばら（
の間飽和レベルにあり、温度Ｔ１〜Ｔ３に応じた時間τ
１が′ 〜τ３＠経過した時点で急激に立下る。時点ＩＱから増
巾器の出力の立下り開始までの時間τ１〜τ３を便宜的
に残光時間と呼ぶ。これらの残光時間τ１〜τ３は、飽
和レベルよりも若干低いしきい値Ｓによって増巾器の出
力を弁別し、励起の停止した時点ｔｏから増巾器の出力
がしきい値Ｓ以下になる時点までを計測することにより
容易に求めることができる。
これは、受光器の出力をレベルＳＯで弁別し、時点ｔｏ
から受光器の出力がレベルＳＯ以下になるまでの時間を
計測することと等価である。
から受光器の出力がレベルＳＯ以下になるまでの時間を
計測することと等価である。
しかしながら、増巾器の飽和レベルをＳＱに設定してい
ることにより、単調に減少しているＩ受光器出力を、時
間的変化のない飽和状態から急峻に変化する信号に変換
しているので、レベル弁別が容易となりかつ正確となる
。また、この発明においては比較的高い輝度レベルで弁
別しているので、時間的な変化の緩慢な輝度が零に近い
レベルを検出する従来例に比べて、残光時間の測定が正
確になりかつ高い８７Ｎ比が得られる。
ることにより、単調に減少しているＩ受光器出力を、時
間的変化のない飽和状態から急峻に変化する信号に変換
しているので、レベル弁別が容易となりかつ正確となる
。また、この発明においては比較的高い輝度レベルで弁
別しているので、時間的な変化の緩慢な輝度が零に近い
レベルを検出する従来例に比べて、残光時間の測定が正
確になりかつ高い８７Ｎ比が得られる。
第３図は残光時間の温度特性を示している。
温度測定装置の増巾器に設定された飽和レベルに詔いて
、使用される螢光体について、種々の温度Ｔに対してそ
の残光時間でか測定され、既知関数として第３図に示す
ような残光時間の温度特性があらかじめ設定されている
。測定された残光時間（たとえばτ２）がこの温度特性
と比較されることにより、温度（たとえばＴ２）が求め
られる。
、使用される螢光体について、種々の温度Ｔに対してそ
の残光時間でか測定され、既知関数として第３図に示す
ような残光時間の温度特性があらかじめ設定されている
。測定された残光時間（たとえばτ２）がこの温度特性
と比較されることにより、温度（たとえばＴ２）が求め
られる。
第４図は温度測定装置の構成を示しでいる。
光ファイバｆｉ＋の先端に所定の蒙光体（２）が取付け
られ、温度プローブが構成されている。この温度プロー
ブは、その先端が温度測定すべき雰囲気中にまたは物体
に接触した状態で配置される。
られ、温度プローブが構成されている。この温度プロー
ブは、その先端が温度測定すべき雰囲気中にまたは物体
に接触した状態で配置される。
ＣＰＵＱＱによって制御されるタイミング発生回路（４
）からは２種類のタイミング・パルス信号Ｐ１、Ｐ２が
出力される。パルスｐ１は、発光器（３）を１動させる
ためのもの゛であって、第６図に示すように、一定周期
Ｔａで出力される。この周期Ｔａは、測定範囲内のすべ
ての温度において、螢光体（２）から発光された残光が
完全に消失するのに充分な時間に設定されている。パル
スＰｌが入力すると発光器（３）から励起光が出方され
、光ファイバ（１）を通って螢光体（２）に照射される
。この励起によって螢光体（２）から発光された螢光右
よび残光は光ファイバ（１）を伝搬し、ビームＯスプリ
ッタ（９）を介して取出され、受光Ｎ（５１の検知信号
は前置増巾器（６）で増巾されたのち、サンプル・ホー
ルド回路（７）に入力する。
）からは２種類のタイミング・パルス信号Ｐ１、Ｐ２が
出力される。パルスｐ１は、発光器（３）を１動させる
ためのもの゛であって、第６図に示すように、一定周期
Ｔａで出力される。この周期Ｔａは、測定範囲内のすべ
ての温度において、螢光体（２）から発光された残光が
完全に消失するのに充分な時間に設定されている。パル
スＰｌが入力すると発光器（３）から励起光が出方され
、光ファイバ（１）を通って螢光体（２）に照射される
。この励起によって螢光体（２）から発光された螢光右
よび残光は光ファイバ（１）を伝搬し、ビームＯスプリ
ッタ（９）を介して取出され、受光Ｎ（５１の検知信号
は前置増巾器（６）で増巾されたのち、サンプル・ホー
ルド回路（７）に入力する。
タイミング発生回路！４１から出力されるタイミング・
パルスＰ２は、第７図に示すように、パルスＰｌの立下
りの時点ｔＱから次のパルスＰｌが出力される時点まで
出力される。各パルスＰ２の出力される時点を□”＊
Ｏ１＄ １、ｔ ２、・・・ｔｎとする。またパルスＰ
２の周期をΔｔとする。この周期Δｔはアナログ・デジ
タル（ＡＤ）変換器０■のＡＤ変換動作時間より若干長
く設定されている。タイミング・パルスＰ２は、サンプ
ル・ホールド回路（７）およびＡＤ変換器（２）に送ら
れる。受光器（５）によって検知された光のうち残光の
信号のみがサンプル・ホールド回路（７）でそのレベル
がパルスＰ２ごとにホールドされる。
パルスＰ２は、第７図に示すように、パルスＰｌの立下
りの時点ｔＱから次のパルスＰｌが出力される時点まで
出力される。各パルスＰ２の出力される時点を□”＊
Ｏ１＄ １、ｔ ２、・・・ｔｎとする。またパルスＰ
２の周期をΔｔとする。この周期Δｔはアナログ・デジ
タル（ＡＤ）変換器０■のＡＤ変換動作時間より若干長
く設定されている。タイミング・パルスＰ２は、サンプ
ル・ホールド回路（７）およびＡＤ変換器（２）に送ら
れる。受光器（５）によって検知された光のうち残光の
信号のみがサンプル・ホールド回路（７）でそのレベル
がパルスＰ２ごとにホールドされる。
この回路（７）の出力は増巾回路（８）で増巾されたの
ちＡＤ変換器（２）に送られ、時間Δｔの間にデジタル
信号に変換されて、ＲＡＭＱＩＩにストアされる。、増
巾回路（８）が上述した増巾器であって、レベル８０以
上の入力は飽和レベルにまで増巾されて、飽和レベルの
出力となる。
ちＡＤ変換器（２）に送られ、時間Δｔの間にデジタル
信号に変換されて、ＲＡＭＱＩＩにストアされる。、増
巾回路（８）が上述した増巾器であって、レベル８０以
上の入力は飽和レベルにまで増巾されて、飽和レベルの
出力となる。
ＲＡＭＱＩＩには、第５図に示すように、ＡＤ変換され
たサンプリング・データを記憶するエリヤ、パルスＰ１
の繰返し＠′＃ｍを記憶するエリヤ、上述のしきい値Ｓ
を記憶するエリヤ、および第３図に示す残光時間Ｔの温
度特性を記憶するエリヤが設けられている。この実施例
においては、螢光体（２）の励起が篤回繰返えされ、サ
ンプリング・データの積算平均にもとづいて残光時間が
求められる。サンプリング・データ・エリヤには、各サ
ンプリング時点ｔ ＯＮ＠ Ｈごとに、第１回目の励起
から第ｍ回目の励起におけるサンプリング・データ、そ
れらのｉ回の積算値および平均値を記憶する場所が設け
られている。
たサンプリング・データを記憶するエリヤ、パルスＰ１
の繰返し＠′＃ｍを記憶するエリヤ、上述のしきい値Ｓ
を記憶するエリヤ、および第３図に示す残光時間Ｔの温
度特性を記憶するエリヤが設けられている。この実施例
においては、螢光体（２）の励起が篤回繰返えされ、サ
ンプリング・データの積算平均にもとづいて残光時間が
求められる。サンプリング・データ・エリヤには、各サ
ンプリング時点ｔ ＯＮ＠ Ｈごとに、第１回目の励起
から第ｍ回目の励起におけるサンプリング・データ、そ
れらのｉ回の積算値および平均値を記憶する場所が設け
られている。
第４図に示す温度測定装置はＣＰＵＱＧによって制御さ
れる。このＣＰＵＱＱの制御および温度演算処理手順が
第９図に示されている。まずＣＰ ＵＱＧカラパルスＰ
１の出方指令がタイミング発注回路１′４）に出力さ
れ、かつＣＰＵ（ＩｔＩ内のタイマによって周期Ｔａの
計時が開始される（ステ（２Ｉ） ツブ＃Ｉり。これにより、回路（４）からパルスＰ１が
出力され、かつパルスＰ１の立下りの時点からパルスＰ
２が出力される。ＣＰＵＱＱでは、時間Ｔａが経過する
まで待つ（ステップ＠）。
れる。このＣＰＵＱＱの制御および温度演算処理手順が
第９図に示されている。まずＣＰ ＵＱＧカラパルスＰ
１の出方指令がタイミング発注回路１′４）に出力さ
れ、かつＣＰＵ（ＩｔＩ内のタイマによって周期Ｔａの
計時が開始される（ステ（２Ｉ） ツブ＃Ｉり。これにより、回路（４）からパルスＰ１が
出力され、かつパルスＰ１の立下りの時点からパルスＰ
２が出力される。ＣＰＵＱＱでは、時間Ｔａが経過する
まで待つ（ステップ＠）。
この間に上述したように、螢光体（２）が励起され、そ
の後螢光体（２）から発光された残光がパルスＰ２ごと
にサンプリングされ、かつＡＤ変換されたのち、このデ
ータが各サンプリング時点ごとにＲＡＭＱＩｌ内のその
繰返し回数に応じた記憶場所にストアされる。Ｔａを計
時しているタイマがタイム・アップすると、ＲＡ Ｍ
Ｑｌｌ内の繰返し回数筒が−１され（ステップ（２１）
、この結果が０になったかどうかが検査される（ステッ
プｃ！４１）。ｒｎ ＝ Ｏでなければ、再びステップ
（社）に戻り、同様に螢光体（２）の励起と残光信号の
サンプリングが繰・返えされる。
の後螢光体（２）から発光された残光がパルスＰ２ごと
にサンプリングされ、かつＡＤ変換されたのち、このデ
ータが各サンプリング時点ごとにＲＡＭＱＩｌ内のその
繰返し回数に応じた記憶場所にストアされる。Ｔａを計
時しているタイマがタイム・アップすると、ＲＡ Ｍ
Ｑｌｌ内の繰返し回数筒が−１され（ステップ（２１）
、この結果が０になったかどうかが検査される（ステッ
プｃ！４１）。ｒｎ ＝ Ｏでなければ、再びステップ
（社）に戻り、同様に螢光体（２）の励起と残光信号の
サンプリングが繰・返えされる。
乳回の残光の測定が終了すると、ＲＡＭＣＩｎ内の鶏回
分のサンプリング・データが、各サンプリング時点ごと
に積、算され（ステップ＠）、そのｍ回の平均が算出さ
れる（ステップ（２６１）。そして、平均値が各サンプ
リング時点ごとに読出され（ステップａｌｌ））、Ｌき
い値Ｓと比較される（ステップ＠）。この比較がサンプ
リング時点’Ｏｘ’ｌｓ’２ｘ・・・というように順次
行なわれていき、しきい値Ｓよりも小さな平均値が見付
かると、残少時間τの算出に進む（ステップ■）。しき
い値Ｓ以下の最初の平均値が時点Ｌｉのものである場合
には、残光時間はτ丑△ｔｒｉで求められる。最後に、
算出された残光時間τが残光時間の温度関数と比較され
、混度埜が算出される。（ステップａｌ）。
分のサンプリング・データが、各サンプリング時点ごと
に積、算され（ステップ＠）、そのｍ回の平均が算出さ
れる（ステップ（２６１）。そして、平均値が各サンプ
リング時点ごとに読出され（ステップａｌｌ））、Ｌき
い値Ｓと比較される（ステップ＠）。この比較がサンプ
リング時点’Ｏｘ’ｌｓ’２ｘ・・・というように順次
行なわれていき、しきい値Ｓよりも小さな平均値が見付
かると、残少時間τの算出に進む（ステップ■）。しき
い値Ｓ以下の最初の平均値が時点Ｌｉのものである場合
には、残光時間はτ丑△ｔｒｉで求められる。最後に、
算出された残光時間τが残光時間の温度関数と比較され
、混度埜が算出される。（ステップａｌ）。
サンプリング・データの積算回数溝が不足していたり、
何らかの異常により〜積算データまたはその平均値が、
第８図にＶで示すように、飽和レベルであるべき箇所で
やや小さな値となっているようなときまたはそのおそれ
があるときには、しきい値Ｓをやや低目に設定しておく
とよい。この場合には、残光時間の温度特性（第３図）
も低目に設定されたしきい値Ｓで修正しておくことが好
ましい。
何らかの異常により〜積算データまたはその平均値が、
第８図にＶで示すように、飽和レベルであるべき箇所で
やや小さな値となっているようなときまたはそのおそれ
があるときには、しきい値Ｓをやや低目に設定しておく
とよい。この場合には、残光時間の温度特性（第３図）
も低目に設定されたしきい値Ｓで修正しておくことが好
ましい。
第１図は励起光と、螢光体から発光した螢光および残光
とを示す波形図、第２図はこの発明の基本的な考え方を
示すための残光信号を示すグラフ、第３図は残光時間の
温度特性を示すグラフ、第４図はこの発明の実施例を示
すブロック図、第５図はＲＡＭの内容を示す図、１ｇ６
図および第７図は、第５図に示す回路の動作を示すため
のタイム・チャート、第８図は他のしきい値レベルを示
すための波形図、第９図はＣＰＵの動作を示すフロー〇
チャートである。 （１）・・・光ファイバ、（２）・・・螢光体、（３）
・・・発光器、（４）・・・タイミング発生回路、（５
）・・・受光器、（７）・・・サンプル・ホールド回路
、（８）・・・増巾回路、ＱＱ ｓｅｅ ＣＰ Ｕ、
、Ｑｌｌ ＩＩ＠ＩＩ ＲＡＭ、 Ｑ３１１＠＠ＡＤ変
換器。 以上 特許出願人 立石電機株式会社 υ） １Ｆ−ト一も−一一 第９図 手続補正書ｍ ｓｗ Ｉ’ｌｌ ｗ」 昭和５７年４月７２日 特許庁長官 島 １）春 樹 殿 １、事件の表示 昭和５７年特許願 ”２００５
８ 号２、Ｍ明（Ｄ名称 温度測定装置 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 １ 所 京都市右京区花園土堂町１０番地氏名−名
称（２９４）立石電機株式会社４、代 理 人 ５、補正命令の日付 昭和 年 月 日６
、補正により増加する発明の数
とを示す波形図、第２図はこの発明の基本的な考え方を
示すための残光信号を示すグラフ、第３図は残光時間の
温度特性を示すグラフ、第４図はこの発明の実施例を示
すブロック図、第５図はＲＡＭの内容を示す図、１ｇ６
図および第７図は、第５図に示す回路の動作を示すため
のタイム・チャート、第８図は他のしきい値レベルを示
すための波形図、第９図はＣＰＵの動作を示すフロー〇
チャートである。 （１）・・・光ファイバ、（２）・・・螢光体、（３）
・・・発光器、（４）・・・タイミング発生回路、（５
）・・・受光器、（７）・・・サンプル・ホールド回路
、（８）・・・増巾回路、ＱＱ ｓｅｅ ＣＰ Ｕ、
、Ｑｌｌ ＩＩ＠ＩＩ ＲＡＭ、 Ｑ３１１＠＠ＡＤ変
換器。 以上 特許出願人 立石電機株式会社 υ） １Ｆ−ト一も−一一 第９図 手続補正書ｍ ｓｗ Ｉ’ｌｌ ｗ」 昭和５７年４月７２日 特許庁長官 島 １）春 樹 殿 １、事件の表示 昭和５７年特許願 ”２００５
８ 号２、Ｍ明（Ｄ名称 温度測定装置 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 １ 所 京都市右京区花園土堂町１０番地氏名−名
称（２９４）立石電機株式会社４、代 理 人 ５、補正命令の日付 昭和 年 月 日６
、補正により増加する発明の数
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 残光特性が温度依存性をもつ螢光体、 螢光体を励起する励起手段、 励起された螢光体から発光される光のうち少なくとも残
光を検知する受光器１ 受光器の出力を増巾するものであって、測定温度範囲内
において発光される残光のうちの最も低いピーク輝度に
よって出力が飽和するように調整された増巾器、 増巾器の出力をその飽和レベルよりも低い所定のしきい
値によって弁別し、増巾器の出力がしきい値以下になっ
たことを検出する弁別手段および 螢光体の励起停止時点から弁別手段の検出時点までの時
間を測定し、この測定時間を、螢光体に応じてあらかじ
め設定された残光時間の温度特性と比較することにより
温度を演算する演算手段、 からなる温度測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005882A JPS58137723A (ja) | 1982-02-10 | 1982-02-10 | 温度測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005882A JPS58137723A (ja) | 1982-02-10 | 1982-02-10 | 温度測定装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58137723A true JPS58137723A (ja) | 1983-08-16 |
| JPH033170B2 JPH033170B2 (ja) | 1991-01-17 |
Family
ID=12016474
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005882A Granted JPS58137723A (ja) | 1982-02-10 | 1982-02-10 | 温度測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58137723A (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1982
- 1982-02-10 JP JP2005882A patent/JPS58137723A/ja active Granted
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH033170B2 (ja) | 1991-01-17 |
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