JPS58136775A - 蒸着方法及び装置 - Google Patents
蒸着方法及び装置Info
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- JPS58136775A JPS58136775A JP1751282A JP1751282A JPS58136775A JP S58136775 A JPS58136775 A JP S58136775A JP 1751282 A JP1751282 A JP 1751282A JP 1751282 A JP1751282 A JP 1751282A JP S58136775 A JPS58136775 A JP S58136775A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/32—Vacuum evaporation by explosion; by evaporation and subsequent ionisation of the vapours, e.g. ion-plating
- C23C14/325—Electric arc evaporation
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は１蒸着する金属に大電流を流してアークを発生
させて蒸気化し、蒸着を行う蒸着方法及び蒸着装置に関
する。
させて蒸気化し、蒸着を行う蒸着方法及び蒸着装置に関
する。
蒸着技術は、半導体工業やセラミック工業等において広
く利用されており、重要性を増している。
く利用されており、重要性を増している。
例えば、金属とセラミックとを接合する場合に。
セラミックに金Ｗｉ？ｆ＃着し、金属とセラミックとの
接合を容易にしている。そして、従来一般に用いられて
いる蒸着方法は、真空蒸着法である。
接合を容易にしている。そして、従来一般に用いられて
いる蒸着方法は、真空蒸着法である。
その概要を第１図に従って説明する。真空チャンバ１０
内は＋ １０−’ 〜Ｉ Ｑ−１ｌＴｏｒｒに減圧して
あり、蒸気化する金属である蒸着物質１２金入れたるつ
ぼ１４を内設している。そして、電子ビーム又は加熱ヒ
ータ１６等によシ蒸着物質１２は。
内は＋ １０−’ 〜Ｉ Ｑ−１ｌＴｏｒｒに減圧して
あり、蒸気化する金属である蒸着物質１２金入れたるつ
ぼ１４を内設している。そして、電子ビーム又は加熱ヒ
ータ１６等によシ蒸着物質１２は。
加熱されて金属蒸気１８となり、金＠蒸気１８が試料２
０に凝着する、。
０に凝着する、。
しかし、このに仝蒸着法は、蒸着物質の融点が商いと高
温に加熱されたるっぽ１４から蒸着物質１２中に不純物
が溶出する等のため、蒸着物質１２が比較的低融点のも
のに限られている。′また。
温に加熱されたるっぽ１４から蒸着物質１２中に不純物
が溶出する等のため、蒸着物質１２が比較的低融点のも
のに限られている。′また。
真空チャンバ１０内は高真空に保持する必要があるため
、蒸着に適した真空度にするためにかなりの時間がかか
つて能率的でなく、装置も非常に冒価なものとなってい
る。
、蒸着に適した真空度にするためにかなりの時間がかか
つて能率的でなく、装置も非常に冒価なものとなってい
る。
他方、被溶接物と溶加材との間にアークを発生させて溶
加材を溶かして溶接する。いわゆるＭＩＧ溶接方法にお
いては、溶接電流密度が大きくなると、溶加材の溶滴が
微釧化する現象が知られている。即ち、ＭＩＧ溶接方法
においては１溶接醒流が小さいときは、第２図（→に示
すように溶加材であるワイヤ２２からの溶滴２４は非常
に大きく。
加材を溶かして溶接する。いわゆるＭＩＧ溶接方法にお
いては、溶接電流密度が大きくなると、溶加材の溶滴が
微釧化する現象が知られている。即ち、ＭＩＧ溶接方法
においては１溶接醒流が小さいときは、第２図（→に示
すように溶加材であるワイヤ２２からの溶滴２４は非常
に大きく。
わずかの全開微粒子２６を伴って被溶接物２８上に溶着
する。そして、ワイヤ２２が直径１．２ ｔｒａｒの鋼
である場合に、溶接電流が２７０Ａ前後において第２図
（ｂ）に示すように溶滴２４の直径がワイヤ溶接に適し
た状態ｙ□なる。また、さらに溶接電流が大きくなると
、第２図（Ｃ）に示すようにｆ＃滴は一層微細化するが
、被溶接物２８への溶着−″が増大して制で卸が困難と
なるため、溶接用として実用化されていない。
する。そして、ワイヤ２２が直径１．２ ｔｒａｒの鋼
である場合に、溶接電流が２７０Ａ前後において第２図
（ｂ）に示すように溶滴２４の直径がワイヤ溶接に適し
た状態ｙ□なる。また、さらに溶接電流が大きくなると
、第２図（Ｃ）に示すようにｆ＃滴は一層微細化するが
、被溶接物２８への溶着−″が増大して制で卸が困難と
なるため、溶接用として実用化されていない。
本発明は、前記従来技術の欠点を解消するためになされ
たもので、安価に蒸着することができる蒸着方法及び蒸
着装置１．ケ提供すること全目的とする。
たもので、安価に蒸着することができる蒸着方法及び蒸
着装置１．ケ提供すること全目的とする。
本発明は、前記したアーク１１Ｌ流の゛直流密度を高め
ると、溶滴が微細化する現象に着目してなされたもので
、本発明の第１は、蒸着金属に大きなアーク電流を流し
て前記蒸着金属を蒸気化するようにしたものであり、さ
らに、本発明の第２は、大電流アークにより蒸着金属を
蒸気化し、この金属蒸気をプラズマ気流によって被蒸着
物に吹き付けるように構成したものである。
ると、溶滴が微細化する現象に着目してなされたもので
、本発明の第１は、蒸着金属に大きなアーク電流を流し
て前記蒸着金属を蒸気化するようにしたものであり、さ
らに、本発明の第２は、大電流アークにより蒸着金属を
蒸気化し、この金属蒸気をプラズマ気流によって被蒸着
物に吹き付けるように構成したものである。
さらに１本発明の第３は、蒸着金属により構成した一対
の電極を有し、制御装置によりアーク電流が制御されて
いるアーク発生装置により、前記電極間に大電流による
アークを発生させて前記蒸着金属を蒸気化し、この金嬬
蒸気を前記制偶ｌ装置によりプラズマ″ｌｔｔ流が制御
されているプラズマ発生装置により発生させたプラズマ
にょっ−Ｃ被蒸着金金属吹き付け、安価に被蒸着物の蒸
着ができるように構成し／ヒものである。
の電極を有し、制御装置によりアーク電流が制御されて
いるアーク発生装置により、前記電極間に大電流による
アークを発生させて前記蒸着金属を蒸気化し、この金嬬
蒸気を前記制偶ｌ装置によりプラズマ″ｌｔｔ流が制御
されているプラズマ発生装置により発生させたプラズマ
にょっ−Ｃ被蒸着金金属吹き付け、安価に被蒸着物の蒸
着ができるように構成し／ヒものである。
本発明に係る蒸着方法及び蒸着装置の好ましい実施例を
添付図面に従って詳説する、 第３図は１本発明に係る蒸着方法及び蒸着装置の一実施
例の説明図であり、第４図は本実施例におけるアークパ
ルス電流及びプラズマ電流？Ｃ模式的に示した図である
。
添付図面に従って詳説する、 第３図は１本発明に係る蒸着方法及び蒸着装置の一実施
例の説明図であり、第４図は本実施例におけるアークパ
ルス電流及びプラズマ電流？Ｃ模式的に示した図である
。
第３図において、略漏斗状に形成されたノベル３０は、
下端が開口し、仕切部３２によって中央部ガス流路３４
と周縁部ガス流路３６が形成された略二重管構造をなす
。そして、ガス流路３４゜３６の上端には、それぞれ入
口ノズル３８．４０が取り付けられている。ま／こ、ノ
ズル３０１ｄ、中央上端部に挿入したタングステン等の
非消耗性の′Ｉｔ極４２を絶縁物４４を介して保持して
いる。さらに１周縁部ガス流路３６には、一対の接触子
４６．４８が挿入され、これら接触子４６．４８はそれ
ぞれ絶縁物４４によりノズル３ｏと絶縁されていると共
に、アーク発生用の電極となる蒸着金属である溶加棒５
０，５２を挿通させている。
下端が開口し、仕切部３２によって中央部ガス流路３４
と周縁部ガス流路３６が形成された略二重管構造をなす
。そして、ガス流路３４゜３６の上端には、それぞれ入
口ノズル３８．４０が取り付けられている。ま／こ、ノ
ズル３０１ｄ、中央上端部に挿入したタングステン等の
非消耗性の′Ｉｔ極４２を絶縁物４４を介して保持して
いる。さらに１周縁部ガス流路３６には、一対の接触子
４６．４８が挿入され、これら接触子４６．４８はそれ
ぞれ絶縁物４４によりノズル３ｏと絶縁されていると共
に、アーク発生用の電極となる蒸着金属である溶加棒５
０，５２を挿通させている。
そして、溶加棒５０．５２とはアーク用電源に接続され
、溶加棒５０．５２間に発生するアークにより蒸気化す
る。また、電極４２とノズル３０とはプラズマ用［極で
あって、プラズマ用電源に接続されてプラズマを発生し
、前記溶加棒５０゜５２が蒸気化して生じた全開蒸気を
被蒸着物である母材５４に吹き付ける。
、溶加棒５０．５２間に発生するアークにより蒸気化す
る。また、電極４２とノズル３０とはプラズマ用［極で
あって、プラズマ用電源に接続されてプラズマを発生し
、前記溶加棒５０゜５２が蒸気化して生じた全開蒸気を
被蒸着物である母材５４に吹き付ける。
即ち、母材５４全所定の位置にセットし、入口ノズル３
８゜４０よりガス流路３４．３６にアルゴンガス等の不
活性ガスを導き、制御装置５６に蒸着指令を与えると、
制御装置５６は、所定の初期プラズマ電流を供給するよ
うに設定しである初期プラズマ用ボデンシオメータ５８
のアナログスイッチ６０をＯＮにすると共に、ＴＩＧ溶
接等に用いられている一般的構造を有するスタータ用高
周波発振器６２のスイッチ６４ｅＯＮにし、初期プラズ
マ電流を発生させる。アナログスイッチ６０がＯＮする
と、ポテンシオメータ５８からの電流は、プラズマ電流
を検出する第２の検出器である′邂流検出ＣＴ６６を介
してノズル３０に達し。
８゜４０よりガス流路３４．３６にアルゴンガス等の不
活性ガスを導き、制御装置５６に蒸着指令を与えると、
制御装置５６は、所定の初期プラズマ電流を供給するよ
うに設定しである初期プラズマ用ボデンシオメータ５８
のアナログスイッチ６０をＯＮにすると共に、ＴＩＧ溶
接等に用いられている一般的構造を有するスタータ用高
周波発振器６２のスイッチ６４ｅＯＮにし、初期プラズ
マ電流を発生させる。アナログスイッチ６０がＯＮする
と、ポテンシオメータ５８からの電流は、プラズマ電流
を検出する第２の検出器である′邂流検出ＣＴ６６を介
してノズル３０に達し。
また、差動増幅器６８を介してトランジスタ７０を作動
し１図示しない′電源からの整流された電流を電極４２
とノズル３０との間に供給しプラズマガス７２を発生さ
せる、そして、プラズマ電流ｅよ。
し１図示しない′電源からの整流された電流を電極４２
とノズル３０との間に供給しプラズマガス７２を発生さ
せる、そして、プラズマ電流ｅよ。
電流検出ＣＴ６６により検出され、差動増幅器６８にお
いて設定値と比較増幅され、その偏差信号により制御装
置５６がアナログスイッチ６０會介してトランジスタ７
０を所定のプラズマ電流を供給するように制御する。
いて設定値と比較増幅され、その偏差信号により制御装
置５６がアナログスイッチ６０會介してトランジスタ７
０を所定のプラズマ電流を供給するように制御する。
制御装置５６は、第４図に示すように所定の初期プラズ
マ電流によりプラズマガス７２が発生したことを確認す
ると、モータ７４．７６を介して溶加棒５０．５２間の
放電距離りを所定の値に制御する。即ち、電極４２と接
触子４６とは、定電圧′電源７８．電流検出ＣＴ８０及
び抵抗８２を介して電気的に接続されているので、モー
タ７４によって溶加棒５０が送り出され、先端がプラズ
マガス７２に近つくに従い抵抗８２に電流がながれる。
マ電流によりプラズマガス７２が発生したことを確認す
ると、モータ７４．７６を介して溶加棒５０．５２間の
放電距離りを所定の値に制御する。即ち、電極４２と接
触子４６とは、定電圧′電源７８．電流検出ＣＴ８０及
び抵抗８２を介して電気的に接続されているので、モー
タ７４によって溶加棒５０が送り出され、先端がプラズ
マガス７２に近つくに従い抵抗８２に電流がながれる。
この抵抗８２け、ＩＡ以下の微弱な電流を流すための制
限抵抗であって、この抵抗８２を流れる′ｉｌＩ流が電
流検出ＣＴ８０により検出され、制御装置ｔ５６に入力
される。そして、制御装置５６は。
限抵抗であって、この抵抗８２を流れる′ｉｌＩ流が電
流検出ＣＴ８０により検出され、制御装置ｔ５６に入力
される。そして、制御装置５６は。
抵抗８２を流れる電流が予め定めた所定の値となるよう
にモータ７４により溶加棒５０を送給し。
にモータ７４により溶加棒５０を送給し。
溶加棒５０の先端が一定位置になるようにする。
溶加棒５２は、定峨圧電源８４から抵抗８６に流れる電
流を電流検出ＣＴ ８８において検出し、制御装置１１
５６に入力することにより、前記と同様に制御される。
流を電流検出ＣＴ ８８において検出し、制御装置１１
５６に入力することにより、前記と同様に制御される。
上記の如くして蒸着膜を安定して得るのに重要な因子と
なる溶加棒５０．５２間のアーク放電距゛ 離りが所定
の値に設定されると、制御装置５６は。
なる溶加棒５０．５２間のアーク放電距゛ 離りが所定
の値に設定されると、制御装置５６は。
パルスプラズマ電流設定用ポテンシオメータ９０のアナ
ログスイッチ９２をＯＮにし、第４図に示すように初期
プラズマ電流にパルスプラズマ電流を加算する。それと
同時に、制御装置５６は、第４図に示すように溶加棒５
０．５２間にパルスアーク電流を供給する。このアーク
電流は１図示しく９） ない電源から変圧器９４の二次側に誘導され、ゲート信
号発生器９６の信号により、１７１ｆ、器９８において
常時周ル」的に整流されており、 ｔｌｉｌｌ呻榛１−
５６がＧＴＯｌｏｏをＯＮにすることにより重力１１棒
５０．５２間に供給され、また、第１の検出器である電
流検出ＣＴｌＯ２により検出されて制斜装］ｔ５６に入
力され、電流密度が制御される。溶加棒５０，５２間に
アーク電流が供給されると、溶加棒５０．５２間にプラ
ズマガス７２が存在しているため自動的にアーク放電が
発生し、溶加棒５０．５２は蒸気化する。溶加棒５０．
５２が蒸気化した全極蒸気は、ガス通路３４．３６を流
れる不活性ガスの流れに乗ったプラズマガス７２により
母材５４上に吹き付けられ凝着する。ぞしで、開側１装
置５６は、予め設定した所定時間溶加棒５０．５２間に
１パルスのアーク電流を供給（、て放電を行うと、ＧＴ
Ｏｌｏｏ及びアナログスイッチ９２をＯＦＦ’にし、蒸
着を終了する。
ログスイッチ９２をＯＮにし、第４図に示すように初期
プラズマ電流にパルスプラズマ電流を加算する。それと
同時に、制御装置５６は、第４図に示すように溶加棒５
０．５２間にパルスアーク電流を供給する。このアーク
電流は１図示しく９） ない電源から変圧器９４の二次側に誘導され、ゲート信
号発生器９６の信号により、１７１ｆ、器９８において
常時周ル」的に整流されており、 ｔｌｉｌｌ呻榛１−
５６がＧＴＯｌｏｏをＯＮにすることにより重力１１棒
５０．５２間に供給され、また、第１の検出器である電
流検出ＣＴｌＯ２により検出されて制斜装］ｔ５６に入
力され、電流密度が制御される。溶加棒５０，５２間に
アーク電流が供給されると、溶加棒５０．５２間にプラ
ズマガス７２が存在しているため自動的にアーク放電が
発生し、溶加棒５０．５２は蒸気化する。溶加棒５０．
５２が蒸気化した全極蒸気は、ガス通路３４．３６を流
れる不活性ガスの流れに乗ったプラズマガス７２により
母材５４上に吹き付けられ凝着する。ぞしで、開側１装
置５６は、予め設定した所定時間溶加棒５０．５２間に
１パルスのアーク電流を供給（、て放電を行うと、ＧＴ
Ｏｌｏｏ及びアナログスイッチ９２をＯＦＦ’にし、蒸
着を終了する。
上記のように不活性ガスの雰囲気中において蒸ａを行う
ことにより、Ａ空装ｍ？に必砦とぜず安価（１０） に蒸着をすることができる。塘だ、アーク電流がパルス
であるため、このパルス幅を変えることにより蒸着前を
適正な餉に自由に制御することができる。さらに、プラ
ズマガス７２は、プラズマ電流のパルス幅を任意にとる
ことにより、母材５４の予熱あるいは後熱作用をし、よ
り強固な蒸着膜を得ることが１丁能となる。
ことにより、Ａ空装ｍ？に必砦とぜず安価（１０） に蒸着をすることができる。塘だ、アーク電流がパルス
であるため、このパルス幅を変えることにより蒸着前を
適正な餉に自由に制御することができる。さらに、プラ
ズマガス７２は、プラズマ電流のパルス幅を任意にとる
ことにより、母材５４の予熱あるいは後熱作用をし、よ
り強固な蒸着膜を得ることが１丁能となる。
次に１上記実施例により実施した蒸着の一例を示ず。母
材は、Ａ４０．系セラミックを用い、溶加棒には直径１
簡のＭＯケ使用した。蒸着条件は。
材は、Ａ４０．系セラミックを用い、溶加棒には直径１
簡のＭＯケ使用した。蒸着条件は。
パルスアーク′を流がピーク値１５０００ Ａ、パルス
幅０．５ｍ就、パルスプラズマ電流がピーク１１ｉ３０
０Ａ、パルスｌ１ｍ ２０ ｍ ｓｅｃ 、アルゴンガ
スの流量力１０００ ｔ ／ ｗである。これらの蒸着
条件において、１ ／＜ルスのアーク放電において蒸着
した結果。
幅０．５ｍ就、パルスプラズマ電流がピーク１１ｉ３０
０Ａ、パルスｌ１ｍ ２０ ｍ ｓｅｃ 、アルゴンガ
スの流量力１０００ ｔ ／ ｗである。これらの蒸着
条件において、１ ／＜ルスのアーク放電において蒸着
した結果。
１６００ ｒｔｍ ”の被蒸着物に２０μｍの蒸着膜を
得ることができた。しかも、顕微鏡観察の結果、蒸着膜
は緻密であって、非常に強固に母材に活着していること
が明らかになった。これは、アークまたはプラズマガス
により、母材が加熱されるため、（１１） Ａ４Ｕ３の酸素とＭＯの金Ｔｈ＆気との化合全促訪させ
ることができるためである。
得ることができた。しかも、顕微鏡観察の結果、蒸着膜
は緻密であって、非常に強固に母材に活着していること
が明らかになった。これは、アークまたはプラズマガス
により、母材が加熱されるため、（１１） Ａ４Ｕ３の酸素とＭＯの金Ｔｈ＆気との化合全促訪させ
ることができるためである。
第５図は２本発明に係る他の実施例を示すものである。
本実施例は、母材が全域である場合に適しており、母材
５４自体がプラズマ用′醒極となっていて、プラズマガ
ス７２が電極４２と１σ材５４との間において発生する
。そのため、溶加棒５０゜５２の全域蒸気は、一部が母
材と合金化して強固な蒸着膜を得ることができる。なお
、母材５４を負極にして電極４２を正極にすると、アル
ゴンイオンが母材の酸化膜を破壊し、クリーニングする
ためより効果的である。
５４自体がプラズマ用′醒極となっていて、プラズマガ
ス７２が電極４２と１σ材５４との間において発生する
。そのため、溶加棒５０゜５２の全域蒸気は、一部が母
材と合金化して強固な蒸着膜を得ることができる。なお
、母材５４を負極にして電極４２を正極にすると、アル
ゴンイオンが母材の酸化膜を破壊し、クリーニングする
ためより効果的である。
以上説明したように本発明によれば、蒸着金属を大電流
アーク放電によって蒸気化することにより、安価に蒸着
全行うことができる。
アーク放電によって蒸気化することにより、安価に蒸着
全行うことができる。
第１図は真空蒸着法の概要の説明図、第２図（ａ）。
（ｂ） 、 （Ｃ）はＭ Ｉ Ｇｉ＠接におけるアーク
電流と溶加材の浴温との関係を示す説明図、第３図は本
発明に係る蒸着方法及び＃宥装置の実施例の説明図、第
（１２） ４図は哨３図の実施例におけるアーク直流とプラズマ１
１ｆ、流の一実施例全模式的に示した図、第５図は本発
明に係る他の実施例の説明図である。 ３０・・・ノズル、４２・・・電極、５０．５２・・・
溶加棒。 ５４・・・母材、５６・・・制御装置、５８．９０・・
・ポテンシオメータ、６２・・・スタータ用高周波発振
器、６６．８０．８８．１０２・・・電流検出ＣＴ、７
２・・・プラズマガス、７４．７６・・・モータ、９４
・・・変（１３） Ｚ ｌ 図 （１） ｔ？ノ
（１）冨４ 図 χ ５ 図 ３７９−
電流と溶加材の浴温との関係を示す説明図、第３図は本
発明に係る蒸着方法及び＃宥装置の実施例の説明図、第
（１２） ４図は哨３図の実施例におけるアーク直流とプラズマ１
１ｆ、流の一実施例全模式的に示した図、第５図は本発
明に係る他の実施例の説明図である。 ３０・・・ノズル、４２・・・電極、５０．５２・・・
溶加棒。 ５４・・・母材、５６・・・制御装置、５８．９０・・
・ポテンシオメータ、６２・・・スタータ用高周波発振
器、６６．８０．８８．１０２・・・電流検出ＣＴ、７
２・・・プラズマガス、７４．７６・・・モータ、９４
・・・変（１３） Ｚ ｌ 図 （１） ｔ？ノ
（１）冨４ 図 χ ５ 図 ３７９−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １６ 金属を蒸気化して被蒸Ｎ？ｌに凝着させる蒸着
方法において、前記金属に大電流を流してアークを発生
させ、前記金属を蒸気化することを特徴とする蒸着方法
。 λ 前記金属に流す大電流が１ピークパルス電流である
ことを特徴とする特許 項記載の蒸着方法。 ３、 釡礪を蒸気化して被蒸着物に・凝着させる蒸着方
法において、前記金属に犬芝流で流してアークを発生さ
せて前記金属を蒸気化し．この発生した金属蒸気をプラ
ズマ気流により前記被蒸着物に吹き付けることを特徴と
する蒸着方法。 ４、前記金属に流す大電流が１ピークパルス醒流であり
、前記被蒸着物がプラズマの発生電極であることを特徴
とする前記特許請求の範囲第３項記載の蒸着方法。 ５、金属を蒸気化して被蒸着物に凝着させる蒸着装置に
おいて、前記金属により構成した一対の′電極を有し、
この電極間に大電流を流してアークを発生させることに
より前ｉ己金Ｊｌｌｆ．蒸気化するアーク発生装置と，
前記金属の＃気を前ｍｌ破蒸刹物に吹き付けるプラズマ
を発生させるプラズマ発生装（綻と，前記アーク発生装
置のアーク′邂流ケ慣出する第１の検出器と，前記プラ
ズマ発生装置のプラズマ電流を検出する第２の検出器と
．前６己第１の検出器と前記第２の検出器との検出信号
により前記アーク電流と前ｄピプラズマｔ＆１流とを制
御する制ｎ装置とからなること全特徴とする蒸荷伎ＩＬ
６、 前記アーク発生装置が前記成極と前ｉ己プラズマ
発生装置のプラズマ電極とに電気的に接続した定電圧゛
成源と，前記電極と前記プラズマ電極との間に流れる′
直流を検出する電流検出器と，この直流検出器の検出信
号を介して前記制呻装１ｄにより制御され、前記一対の
電極間隔金一定にするよう前記金属を送る駆動装ｉｔを
有し，前記アーク電流が１ピークパルスー流であること
を特徴とする前記特許請求の範囲第５項記載の蒸着装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1751282A JPS58136775A (ja) | 1982-02-08 | 1982-02-08 | 蒸着方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1751282A JPS58136775A (ja) | 1982-02-08 | 1982-02-08 | 蒸着方法及び装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58136775A true JPS58136775A (ja) | 1983-08-13 |
| JPS6160913B2 JPS6160913B2 (ja) | 1986-12-23 |
Family
ID=11946014
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1751282A Granted JPS58136775A (ja) | 1982-02-08 | 1982-02-08 | 蒸着方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58136775A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1987002072A1 (en) * | 1985-09-30 | 1987-04-09 | Union Carbide Corporation | Apparatus and process for arc vapor depositing a coating in an evacuated chamber |
| JPH03158478A (ja) * | 1984-05-25 | 1991-07-08 | Vapor Technol Inc | 基体をコーテイングする方法および装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56509A (en) * | 1979-06-12 | 1981-01-07 | Nippon Soken Inc | Purifier for carbon fine particle |
| JPS5635768A (en) * | 1979-08-30 | 1981-04-08 | Inoue Japax Res Inc | Vapor depositing apparatus |
-
1982
- 1982-02-08 JP JP1751282A patent/JPS58136775A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56509A (en) * | 1979-06-12 | 1981-01-07 | Nippon Soken Inc | Purifier for carbon fine particle |
| JPS5635768A (en) * | 1979-08-30 | 1981-04-08 | Inoue Japax Res Inc | Vapor depositing apparatus |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03158478A (ja) * | 1984-05-25 | 1991-07-08 | Vapor Technol Inc | 基体をコーテイングする方法および装置 |
| WO1987002072A1 (en) * | 1985-09-30 | 1987-04-09 | Union Carbide Corporation | Apparatus and process for arc vapor depositing a coating in an evacuated chamber |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6160913B2 (ja) | 1986-12-23 |
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