JPS58135969A - レベル検出回路 - Google Patents
レベル検出回路Info
- Publication number
- JPS58135969A JPS58135969A JP1849782A JP1849782A JPS58135969A JP S58135969 A JPS58135969 A JP S58135969A JP 1849782 A JP1849782 A JP 1849782A JP 1849782 A JP1849782 A JP 1849782A JP S58135969 A JPS58135969 A JP S58135969A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- voltage
- output
- voltage comparison
- gate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R19/00—Arrangements for measuring currents or voltages or for indicating presence or sign thereof
- G01R19/165—Indicating that current or voltage is either above or below a predetermined value or within or outside a predetermined range of values
- G01R19/16566—Circuits and arrangements for comparing voltage or current with one or several thresholds and for indicating the result not covered by subgroups G01R19/16504, G01R19/16528, G01R19/16533
- G01R19/1659—Circuits and arrangements for comparing voltage or current with one or several thresholds and for indicating the result not covered by subgroups G01R19/16504, G01R19/16528, G01R19/16533 to indicate that the value is within or outside a predetermined range of values (window)
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Measurement Of Current Or Voltage (AREA)
- Emergency Protection Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、MO8型半導体による集積回路化を可能とし
たレベル検出回路に関するものである。
たレベル検出回路に関するものである。
アナログ信号を扱う回路では信号のレベルな検出する機
能が必要となることがよくある。このような場合には信
号の振幅を、ある基準電圧と比較するレベル検出回路が
使われる。
能が必要となることがよくある。このような場合には信
号の振幅を、ある基準電圧と比較するレベル検出回路が
使われる。
従来使われていた検出回路の例として第1図(alに示
す回路がある。この検出回路は全波整流回路1と電圧比
較回路2とからなっており、全波整流回路1は、公知の
回路で抵抗器4. 5. ダイオード6および演算増
幅器3より構成されている。
す回路がある。この検出回路は全波整流回路1と電圧比
較回路2とからなっており、全波整流回路1は、公知の
回路で抵抗器4. 5. ダイオード6および演算増
幅器3より構成されている。
第1図(a)の回路は次のように動作する。まず両極性
の入力信号■!は全波整流回路IK大入力れ、正極性の
信号VAに変換される。次に全波整流回路1の出力VA
は電圧比較回路2によって基準電圧VRと比較され、I
VII>VRのとき電圧比較回路2の出力VDK“H1
信号が出力される。すなわち第1図(a)の回路は入力
信号V!の振幅が大きくなりVI>+VRまたはVr<
−VRとなったときに′Hi”を出力するレベル検出の
動作を行う。第1図1bJにVl、VAおよびVoの波
形を示す。
の入力信号■!は全波整流回路IK大入力れ、正極性の
信号VAに変換される。次に全波整流回路1の出力VA
は電圧比較回路2によって基準電圧VRと比較され、I
VII>VRのとき電圧比較回路2の出力VDK“H1
信号が出力される。すなわち第1図(a)の回路は入力
信号V!の振幅が大きくなりVI>+VRまたはVr<
−VRとなったときに′Hi”を出力するレベル検出の
動作を行う。第1図1bJにVl、VAおよびVoの波
形を示す。
しかしながら第1図[a)の回路構成ではMO8型半導
体で集積回路化できないという欠点がある。
体で集積回路化できないという欠点がある。
その理由は上記の構成では全波整流回路1にダイオード
6が必要となるが、通常のMO8型半導体はダイオード
素子を形成できないからである。
6が必要となるが、通常のMO8型半導体はダイオード
素子を形成できないからである。
一方MO8型半導体は集積度が非常に高いという利点を
有するため、現在の大規模集積回路に広く使われており
、したがって、MO8型半導体の特長を利用してレベル
検出回路が構成できれば好都合である。
有するため、現在の大規模集積回路に広く使われており
、したがって、MO8型半導体の特長を利用してレベル
検出回路が構成できれば好都合である。
本発明の目的は、ダイオードを用いることなく、レベル
検出回路を構成し、MO8型半導体による集積回路化を
可能ならしめたレベル検出回路を提供することにある。
検出回路を構成し、MO8型半導体による集積回路化を
可能ならしめたレベル検出回路を提供することにある。
すなわち、本発明のレベル検出回路は、2つの電圧比較
回路と、その出力に接続する論理ゲートと、クロックに
よって制御される2つのサンプリング・スイッチと、サ
ンプリング・コンデンサおよびホールド・コンデンサと
で構成したこ速を特徴とするものである。
回路と、その出力に接続する論理ゲートと、クロックに
よって制御される2つのサンプリング・スイッチと、サ
ンプリング・コンデンサおよびホールド・コンデンサと
で構成したこ速を特徴とするものである。
以下に本発明の実施例について図面を参照して詳細に説
明する。第2図において、本発明のレベル検出回路は入
力信号Vrと、基準電圧VRとを比較する第1の電圧比
較器2と、一端を接地したホールドコンデンサ4と、ク
ロックと同期して交互に接地点とホールドコンデンサ4
の非接地端子とを選択する第1のスイッチ1と、前記基
準電圧VRと接地点とを交互に選択する第2のスイッチ
2と、一端を第1のスイッチ1へ他端を第2のスイッチ
2に接地したサンプリングコンデンサ5と、前記入力信
号Vtと、ホールドコンデンサ4の電圧とを比較する第
2の電圧比較器6と、第1および第2の電圧比較器5.
6の出力端子に接続された論理ゲート(ORゲート)7
とからなるものである。
明する。第2図において、本発明のレベル検出回路は入
力信号Vrと、基準電圧VRとを比較する第1の電圧比
較器2と、一端を接地したホールドコンデンサ4と、ク
ロックと同期して交互に接地点とホールドコンデンサ4
の非接地端子とを選択する第1のスイッチ1と、前記基
準電圧VRと接地点とを交互に選択する第2のスイッチ
2と、一端を第1のスイッチ1へ他端を第2のスイッチ
2に接地したサンプリングコンデンサ5と、前記入力信
号Vtと、ホールドコンデンサ4の電圧とを比較する第
2の電圧比較器6と、第1および第2の電圧比較器5.
6の出力端子に接続された論理ゲート(ORゲート)7
とからなるものである。
第2図の回路によれば、Vl>VRおび■(−VRのと
き論理ゲート7の出力Voが′陶”となる。
き論理ゲート7の出力Voが′陶”となる。
スイッチ1,2はクロックによ多制御され、同時に左右
の方向に切り替えられる。スイッチ1.2が破線で示す
図の左側に接続されると、サンプリング・コンデンサ5
の上側電極にはVrの電圧が加わシ、下側電極は接地さ
れるのでサンプリング・サンデンサ3には基準電圧−の
電圧が充電される。
の方向に切り替えられる。スイッチ1.2が破線で示す
図の左側に接続されると、サンプリング・コンデンサ5
の上側電極にはVrの電圧が加わシ、下側電極は接地さ
れるのでサンプリング・サンデンサ3には基準電圧−の
電圧が充電される。
次にスイッチ1.2が右側に接続されると、サンプリン
グコンデンサ3の上側電極が接地され、下側電極がホー
ルド・コンデンサ4に接続されるのでサンプリング・コ
ンデンサ3の電荷はホールド・コンデンサ4に移るが接
地される電極が入れ替り、極性が反転する。この動作が
クロックにより連続して行われるとホールド・コンデン
サ4は最終的に−Vaの電圧まで充電される。
グコンデンサ3の上側電極が接地され、下側電極がホー
ルド・コンデンサ4に接続されるのでサンプリング・コ
ンデンサ3の電荷はホールド・コンデンサ4に移るが接
地される電極が入れ替り、極性が反転する。この動作が
クロックにより連続して行われるとホールド・コンデン
サ4は最終的に−Vaの電圧まで充電される。
上記実施例では、2つの電圧比較回路5,6を含み電圧
比較回路5の非反転入力には入力信号■!、反転入力に
はホールド・コンデンサ電圧−VRが加わるように接続
されており、電圧比較回路6の非反転入力には一職、反
転入力にはVIの電圧が加わるようになっている。また
電圧比較回路5.6の出力a、 bはORゲート7に
よって論理和がとられるようになっている。従ってVl
>VRのとき電圧比較回路5の出力aは@H(、電圧比
較回路4の出力bは1LO″となるのでORゲート7出
力■は”1”となり、VI(−Vmのとき電圧比較回路
5の出力aは@ l、O#であるが電圧比較回路6の出
力すはHi”となるのでORゲート出カVoは1Hi”
となる。一方−Va(Vr(VRのとき電圧比較回路5
の出力は”LO”、電圧比較回路6の出力bも′Lo#
となるので出力VOは’Lo”となる。
比較回路5の非反転入力には入力信号■!、反転入力に
はホールド・コンデンサ電圧−VRが加わるように接続
されており、電圧比較回路6の非反転入力には一職、反
転入力にはVIの電圧が加わるようになっている。また
電圧比較回路5.6の出力a、 bはORゲート7に
よって論理和がとられるようになっている。従ってVl
>VRのとき電圧比較回路5の出力aは@H(、電圧比
較回路4の出力bは1LO″となるのでORゲート7出
力■は”1”となり、VI(−Vmのとき電圧比較回路
5の出力aは@ l、O#であるが電圧比較回路6の出
力すはHi”となるのでORゲート出カVoは1Hi”
となる。一方−Va(Vr(VRのとき電圧比較回路5
の出力は”LO”、電圧比較回路6の出力bも′Lo#
となるので出力VOは’Lo”となる。
すなわちVI>VRおよびVr (−VRのとき出方は
@Hi”となるレベル検出回路として働く。この関係を
第1表に示す。
@Hi”となるレベル検出回路として働く。この関係を
第1表に示す。
I!1表
以上説明したように本発明によれば、ダイオードを使用
せず、スイッチ、コンデンサ、電圧比較回路、論理回路
のみで構成されているため、レベル検出回路をMO8型
半導体で構成することができ、したがりてレベル検出回
路を集積回路化できる効果を有するものである。
せず、スイッチ、コンデンサ、電圧比較回路、論理回路
のみで構成されているため、レベル検出回路をMO8型
半導体で構成することができ、したがりてレベル検出回
路を集積回路化できる効果を有するものである。
第1図(a)は従来のレベル検出回路の一例を示す回路
図、 第1図(blは上記回路における入力信号、全波整流回
路および電圧比較回路の波形図、第2図は本発明の一実
施例を示す回路図である。 1.2・・・スイッチ 5・・・サンプリン
グコンデンサ4・・・ホールドコンデンサー6°゛°電
圧比較器7・・・論理ゲート (ORゲート) 特許出願人 日本電気株式会社
図、 第1図(blは上記回路における入力信号、全波整流回
路および電圧比較回路の波形図、第2図は本発明の一実
施例を示す回路図である。 1.2・・・スイッチ 5・・・サンプリン
グコンデンサ4・・・ホールドコンデンサー6°゛°電
圧比較器7・・・論理ゲート (ORゲート) 特許出願人 日本電気株式会社
Claims (1)
- (1)入力信号と基準電圧とを比較する第1の電圧比較
器と、一端子を接地したホールド・コンデンサと、クロ
ックと同期して交互に接地点とホールド・コンデンサの
非接地端子とを選択する第1のスイッチと、前記基準電
圧と接地点とを交互に選択する第2のスイッチと、一端
子を第1のスイッチへ他端子を第2のスイッチに接続し
たサンプリング・コンデンサと、前記入力信号とホール
ド・コンデンサ電圧とを比較する第2の電圧比較器と、
第1および第2の電圧比較器の出力端子に接続された論
理ゲートを有することを特徴とするレベル検出回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1849782A JPS58135969A (ja) | 1982-02-08 | 1982-02-08 | レベル検出回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1849782A JPS58135969A (ja) | 1982-02-08 | 1982-02-08 | レベル検出回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58135969A true JPS58135969A (ja) | 1983-08-12 |
Family
ID=11973253
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1849782A Pending JPS58135969A (ja) | 1982-02-08 | 1982-02-08 | レベル検出回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58135969A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0410255A2 (de) * | 1989-07-25 | 1991-01-30 | Siemens Aktiengesellschaft | Schaltung zur signaltechnisch sicheren Bewertung einer Gleichspannung |
EP1494034A2 (en) * | 2003-07-03 | 2005-01-05 | NEC Electronics Corporation | Power-supply voltage detection circuit and integrated circuit device |
GB2409119A (en) * | 2003-12-03 | 2005-06-15 | Texas Instruments Deutschland | A charge-sharing window comparator |
US7157945B2 (en) | 2004-12-06 | 2007-01-02 | Texas Instruments Incorporated | Window comparator and method of providing a window comparator function |
-
1982
- 1982-02-08 JP JP1849782A patent/JPS58135969A/ja active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0410255A2 (de) * | 1989-07-25 | 1991-01-30 | Siemens Aktiengesellschaft | Schaltung zur signaltechnisch sicheren Bewertung einer Gleichspannung |
EP1494034A2 (en) * | 2003-07-03 | 2005-01-05 | NEC Electronics Corporation | Power-supply voltage detection circuit and integrated circuit device |
EP1494034A3 (en) * | 2003-07-03 | 2005-04-27 | NEC Electronics Corporation | Power-supply voltage detection circuit and integrated circuit device |
US7102395B2 (en) | 2003-07-03 | 2006-09-05 | Nec Electronics Corporation | Power-supply voltage detection circuit and integrated circuit device |
GB2409119A (en) * | 2003-12-03 | 2005-06-15 | Texas Instruments Deutschland | A charge-sharing window comparator |
GB2409119B (en) * | 2003-12-03 | 2007-08-08 | Texas Instruments Deutschland | Window comparator and method of providing a window comparator function |
US7157945B2 (en) | 2004-12-06 | 2007-01-02 | Texas Instruments Incorporated | Window comparator and method of providing a window comparator function |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4188586A (en) | Demodulator circuit for chopper amplifier | |
JPS58135969A (ja) | レベル検出回路 | |
JPH01226204A (ja) | 非対称差動増幅器 | |
JPH0155762B2 (ja) | ||
US4429239A (en) | Combined phase detector and low pass filter | |
JPS6258879A (ja) | 整流回路 | |
US4042834A (en) | Frequency doubler circuit | |
US3212012A (en) | Phase sensitive circuit employing a y electrical circuit interconnected with a deltaelectrical circuit | |
US5103389A (en) | Frequency range of analog converter by means of external rectifier | |
JPH01300606A (ja) | 半波整流回路 | |
JP2692506B2 (ja) | 振幅ピーク値検出器 | |
US6480060B2 (en) | FSK signal demodulating integration-discharge circuit | |
JPH10332748A (ja) | 全波ピーク検出器 | |
JPS636687Y2 (ja) | ||
SU1182687A1 (ru) | Преобразователь напр жени в код Гре | |
JPH02119314A (ja) | ゼロクロス電圧検出装置 | |
JPH0237135B2 (ja) | ||
JP2826187B2 (ja) | 二値化信号変換回路 | |
JPS63309025A (ja) | アナログ/ディジタル変換器 | |
JPS61212120A (ja) | Adコンバ−タ | |
KR910009846B1 (ko) | 드롭아웃 펄스 발생회로 | |
SU1192140A1 (ru) | Функциональный преобразователь напр жени в частоту | |
JPH03225605A (ja) | ピークホールド回路 | |
JPH01273408A (ja) | 整流回路 | |
JPS58209218A (ja) | 比較装置 |