JPS58135657A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS58135657A JPS58135657A JP1696282A JP1696282A JPS58135657A JP S58135657 A JPS58135657 A JP S58135657A JP 1696282 A JP1696282 A JP 1696282A JP 1696282 A JP1696282 A JP 1696282A JP S58135657 A JPS58135657 A JP S58135657A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor
- cooling fin
- semiconductor element
- manner
- cooling
- Prior art date
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- Granted
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/42—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
- H01L23/427—Cooling by change of state, e.g. use of heat pipes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は車両用制御装置等を構成する半導体装：ｔＫ係
り、ことに冷却フィンの配置に特徴を有する半導体袈碕
に関する。
り、ことに冷却フィンの配置に特徴を有する半導体袈碕
に関する。
従来の半導体装置は、冷却すべき半導体素子力を平形半
導体素子である場合には、当該半導体素子の両側に冷却
フィンを接触させ、これらの組立体を一体に締付ける摘
峻になつズいる１、。例えＧ′！この半導体袈嘩がフロ
ンなどの冷媒を用０た沸祷冷却ｌｄＪのものである場合
には、半導体素子の数の２倍の数の冷却フィンが必要と
なっている。したがってこの従来の半導体装置にあって
は、半導体素子と冷却フィンからなる半導体スタックの
長さ寸法が大きく、また冷却フィンと凝縮器とを接続す
る管の数も多くなっている。なおこの管の途中には、冷
却フィンと凝縮器との間を電気的に、絶縁するための非
金属からなる接続部を介設する必要がある。このような
ことから従来の半導体装置は構造が複雑になるとともに
、装置が大型になる不具合があった。
導体素子である場合には、当該半導体素子の両側に冷却
フィンを接触させ、これらの組立体を一体に締付ける摘
峻になつズいる１、。例えＧ′！この半導体袈嘩がフロ
ンなどの冷媒を用０た沸祷冷却ｌｄＪのものである場合
には、半導体素子の数の２倍の数の冷却フィンが必要と
なっている。したがってこの従来の半導体装置にあって
は、半導体素子と冷却フィンからなる半導体スタックの
長さ寸法が大きく、また冷却フィンと凝縮器とを接続す
る管の数も多くなっている。なおこの管の途中には、冷
却フィンと凝縮器との間を電気的に、絶縁するための非
金属からなる接続部を介設する必要がある。このような
ことから従来の半導体装置は構造が複雑になるとともに
、装置が大型になる不具合があった。
本発明はこのような従来技術における実状Ｋｍみてなさ
れたもので、その目的は、平形半導体素子に接触させる
冷却フィンの個数を減らすことのできる半導体装置を提
供することにある。
れたもので、その目的は、平形半導体素子に接触させる
冷却フィンの個数を減らすことのできる半導体装置を提
供することにある。
この目的を達成するために本発明は、冷却フィンを平形
半導体素子の片側のみに接触するように配置した構成に
しである。
半導体素子の片側のみに接触するように配置した構成に
しである。
以下、本発明の半導体装置を図に基づいて説明する。第
１図は本発明の半導体装置の第１の実施例を示す側面図
、第２図及び第３図は本発明の第２の実施例を示す説明
図で、第２図は側面図、第３図は第２図のＡ−Ａ断面拡
大図である。
１図は本発明の半導体装置の第１の実施例を示す側面図
、第２図及び第３図は本発明の第２の実施例を示す説明
図で、第２図は側面図、第３図は第２図のＡ−Ａ断面拡
大図である。
第１の実施例を示す第１図において、ｌａは半導体素子
、例えばゲートタンオフサイリスタのような平形半導体
素子である。１ｂも半導体素子で、例えばダイオードの
ような平形半導体素子である。２は冷却フィンで、内部
には沸騰する冷媒液が充満されている。上記した半導体
素子１ａ％ｌｂはそれぞれこの冷却フィン２０片側の面
に冷却可能に取付けられている。２１は半導体素子１ａ
。
、例えばゲートタンオフサイリスタのような平形半導体
素子である。１ｂも半導体素子で、例えばダイオードの
ような平形半導体素子である。２は冷却フィンで、内部
には沸騰する冷媒液が充満されている。上記した半導体
素子１ａ％ｌｂはそれぞれこの冷却フィン２０片側の面
に冷却可能に取付けられている。２１は半導体素子１ａ
。
１ｂに通電するための電源端子、３は絶縁碍子である。
４は締付板、５はこの締付板４の四隅に取付けられる締
付ボルトである。そして上記した半導体素子１ａ、ｌｂ
、冷却フィン２．絶縁碍子３を積層に組立て、その両端
部に締付板４を配置し、締付ボルト５で締付力をかける
ようにして半導体スタックを形成しである。
付ボルトである。そして上記した半導体素子１ａ、ｌｂ
、冷却フィン２．絶縁碍子３を積層に組立て、その両端
部に締付板４を配置し、締付ボルト５で締付力をかける
ようにして半導体スタックを形成しである。
また６は冷却フィン２の内部で蒸発した冷媒蒸気を誘導
し、あるいは逆圧冷却液を冷却フィン２の内部に誘導す
る管、７は管６に接続され、冷却フィン２の内部から管
６を経て導かれた冷媒蒸気を凝縮させる凝縮管宅ある。
し、あるいは逆圧冷却液を冷却フィン２の内部に誘導す
る管、７は管６に接続され、冷却フィン２の内部から管
６を経て導かれた冷媒蒸気を凝縮させる凝縮管宅ある。
従って電源端子２ａからの通電によって半導体素子１ｍ
、１ｂＫ発生した熱損失は、冷却フィン２に熱伝導され
、この熱によって冷却フィン２の内部の冷媒が蒸発して
蒸気となり、この蒸気は管６によって凝縮器７に導かれ
、凝縮器７で凝縮される。
、１ｂＫ発生した熱損失は、冷却フィン２に熱伝導され
、この熱によって冷却フィン２の内部の冷媒が蒸発して
蒸気となり、この蒸気は管６によって凝縮器７に導かれ
、凝縮器７で凝縮される。
このよ５に構成しである半導体装置にあっては、１個の
冷却フィン２で２個の半導体素子１畠、１ｂを冷却する
ことができ、半導体素子１ａ％ｌｂと冷却フィン２から
なる半導体スタックの長さ寸法を著しく短かくすること
ができる。
冷却フィン２で２個の半導体素子１畠、１ｂを冷却する
ことができ、半導体素子１ａ％ｌｂと冷却フィン２から
なる半導体スタックの長さ寸法を著しく短かくすること
ができる。
また第２の実施例を示す第２図及び第３図におい【、Ｉ
Ｃは半導体素子例えば電気的なスナツパ−回路用スタッ
ド形ダイオードである。この半導体素子ＩＣは第３図に
示すように、冷却フィン２の突出部にねじ等を用いて取
付けである。その他の構成は前述した第１の実施例と同
じである。 ［この第２の実施例のように構成し
である半導体装置にあっては、第１の実施例におけると
同様に、電源端子２ａを介して半導体素子１ａ、ｌｂ、
１ｃに通電され、その結果としてこれらの素子１ａ、ｌ
ｂ、Ｉｃに発生した熱損失は、冷却フィン２に熱伝導さ
れ、この冷却フィン２の内部で沸騰した冷媒蒸気は管６
によって誘導され、凝縮器７で凝縮される。この第２６
実施例に、あっては、１個の冷却フィンで３個の半導体
素子１ ａ、１ ｂ ｓ １ ｃを冷却でき、装置全体
をさらに小型にすることができる。また付属用半導体素
子としての半導体素子１ｃを半導体素子１ａ、ｌｂの近
傍に置くことが可能であることから、配線長をきわめて
短くすることができ、耐ノイズ性や制御性能が向上する
。
Ｃは半導体素子例えば電気的なスナツパ−回路用スタッ
ド形ダイオードである。この半導体素子ＩＣは第３図に
示すように、冷却フィン２の突出部にねじ等を用いて取
付けである。その他の構成は前述した第１の実施例と同
じである。 ［この第２の実施例のように構成し
である半導体装置にあっては、第１の実施例におけると
同様に、電源端子２ａを介して半導体素子１ａ、ｌｂ、
１ｃに通電され、その結果としてこれらの素子１ａ、ｌ
ｂ、Ｉｃに発生した熱損失は、冷却フィン２に熱伝導さ
れ、この冷却フィン２の内部で沸騰した冷媒蒸気は管６
によって誘導され、凝縮器７で凝縮される。この第２６
実施例に、あっては、１個の冷却フィンで３個の半導体
素子１ ａ、１ ｂ ｓ １ ｃを冷却でき、装置全体
をさらに小型にすることができる。また付属用半導体素
子としての半導体素子１ｃを半導体素子１ａ、ｌｂの近
傍に置くことが可能であることから、配線長をきわめて
短くすることができ、耐ノイズ性や制御性能が向上する
。
なお上記第１、第２の実施例にあっては、冷却フィン２
として沸騰冷却型のものを示しであるが、本発明はこれ
に限られず、水冷型や風冷型の冷却フィンについても適
用可能である。
として沸騰冷却型のものを示しであるが、本発明はこれ
に限られず、水冷型や風冷型の冷却フィンについても適
用可能である。
本発明の半導体装置は上記したよ５に、冷−フィンを、
平形半導体素子の片側のみに接触するように配置した構
成にしであることから、従来に比べて冷却フィンの数を
減らすことができ、それ放生導体スタックの長さ寸法を
短かくでき、装置の小型化及び軽量化を実現できる効果
がある。
平形半導体素子の片側のみに接触するように配置した構
成にしであることから、従来に比べて冷却フィンの数を
減らすことができ、それ放生導体スタックの長さ寸法を
短かくでき、装置の小型化及び軽量化を実現できる効果
がある。
第１図は本発明の半導体装置の第１の実施例を示す側面
図、第２図及び第３図は本発明の第２の実施例を゛示す
説明図で、第２図は側面図、第３図は第２図のＡ−Ａ断
面図である。 Ｉａ、ｌｂ％ｌ（＊・・半導体素子、２・・・冷却フィ
ン、３・・・絶縁碍子、４＠＠１１締付板、５・・・締
付ボルト、６１１１１１１管、７・・・凝縮器。
図、第２図及び第３図は本発明の第２の実施例を゛示す
説明図で、第２図は側面図、第３図は第２図のＡ−Ａ断
面図である。 Ｉａ、ｌｂ％ｌ（＊・・半導体素子、２・・・冷却フィ
ン、３・・・絶縁碍子、４＠＠１１締付板、５・・・締
付ボルト、６１１１１１１管、７・・・凝縮器。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、冷却フィンと平形半導体素子とを有する半導体装［
において、上記冷却フィンを、上記平形半導体素子の片
側のみに接触するように配置したことを特徴とする半導
体装置。 ２、冷却フィンに榎数個の他の半導体素子を取付けたこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装イ
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1696282A JPS58135657A (ja) | 1982-02-06 | 1982-02-06 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1696282A JPS58135657A (ja) | 1982-02-06 | 1982-02-06 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58135657A true JPS58135657A (ja) | 1983-08-12 |
| JPH0340504B2 JPH0340504B2 (ja) | 1991-06-19 |
Family
ID=11930726
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1696282A Granted JPS58135657A (ja) | 1982-02-06 | 1982-02-06 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58135657A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4864385A (en) * | 1987-12-29 | 1989-09-05 | Hitachi, Ltd. | Power semiconductors connected antiparallel via heatsinks |
| JP2013093343A (ja) * | 2011-10-24 | 2013-05-16 | Toyota Motor Corp | 半導体装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5349767U (ja) * | 1976-09-30 | 1978-04-26 | ||
| JPS55134783U (ja) * | 1979-03-16 | 1980-09-25 |
-
1982
- 1982-02-06 JP JP1696282A patent/JPS58135657A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5349767U (ja) * | 1976-09-30 | 1978-04-26 | ||
| JPS55134783U (ja) * | 1979-03-16 | 1980-09-25 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4864385A (en) * | 1987-12-29 | 1989-09-05 | Hitachi, Ltd. | Power semiconductors connected antiparallel via heatsinks |
| JP2013093343A (ja) * | 2011-10-24 | 2013-05-16 | Toyota Motor Corp | 半導体装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0340504B2 (ja) | 1991-06-19 |
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