JPS58135146A - 光フアイバ母材の製造方法 - Google Patents
光フアイバ母材の製造方法Info
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- JPS58135146A JPS58135146A JP1683882A JP1683882A JPS58135146A JP S58135146 A JPS58135146 A JP S58135146A JP 1683882 A JP1683882 A JP 1683882A JP 1683882 A JP1683882 A JP 1683882A JP S58135146 A JPS58135146 A JP S58135146A
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- JP
- Japan
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- raw material
- material gas
- preform
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- porous
- Prior art date
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/01413—Reactant delivery systems
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2201/00—Type of glass produced
- C03B2201/06—Doped silica-based glasses
- C03B2201/30—Doped silica-based glasses doped with metals, e.g. Ga, Sn, Sb, Pb or Bi
- C03B2201/31—Doped silica-based glasses doped with metals, e.g. Ga, Sn, Sb, Pb or Bi doped with germanium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2203/00—Fibre product details, e.g. structure, shape
- C03B2203/10—Internal structure or shape details
- C03B2203/22—Radial profile of refractive index, composition or softening point
- C03B2203/26—Parabolic or graded index [GRIN] core profile
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2207/00—Glass deposition burners
- C03B2207/70—Control measures
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- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacture, Treatment Of Glass Fibers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明もＷＡＤ法（気相軸付法）による光！ファイバ
母材の製造方法Ｋｒ１ｌｌする。
母材の製造方法Ｋｒ１ｌｌする。
ＷＡＤ法は、よく知られているように、５ｚｃｔ４やＧ
ｅＣＡ４ ＆どのハロゲン化物の原料ガスを酸水素炎や
で加水分解して、屈折＄１１１１１用ドーノやントであ
るＧｅＯ２を含むガラス（８ｉ０ｚ）の微粉末を作シ、
このガラス微粉末を種棒の下端に付着させ、種棒を徐ｋ
ｌｃ上、方Ｋｌｌ動させるこ走によシガラス焼結体の多
孔質プリフォームを軸方向に成長させて光フアイバ母材
を製造する吃のである・。
ｅＣＡ４ ＆どのハロゲン化物の原料ガスを酸水素炎や
で加水分解して、屈折＄１１１１１用ドーノやントであ
るＧｅＯ２を含むガラス（８ｉ０ｚ）の微粉末を作シ、
このガラス微粉末を種棒の下端に付着させ、種棒を徐ｋ
ｌｃ上、方Ｋｌｌ動させるこ走によシガラス焼結体の多
孔質プリフォームを軸方向に成長させて光フアイバ母材
を製造する吃のである・。
とζろでこのＶＡＤ法では屈折率分布の制御が難しく、
特に、屈折率分布を正確にコントロールする必要のある
°グレーデツト型光ファイバ用の母材を作ること社相当
困難である。というのは従来で祉、上記のようにハロゲ
ン化物Ｉ＃ａが反応して酸化物になルガラス微粉末とな
って付着して多孔質プリフォームを形成する際、屈折率
分布を形成するドー／ナントｏ＠度変化を観側すること
ができないので、製作された母材から光ファイバを作っ
た後、この光ファイバにより屈折率分布の測定を行うほ
かないからである。
特に、屈折率分布を正確にコントロールする必要のある
°グレーデツト型光ファイバ用の母材を作ること社相当
困難である。というのは従来で祉、上記のようにハロゲ
ン化物Ｉ＃ａが反応して酸化物になルガラス微粉末とな
って付着して多孔質プリフォームを形成する際、屈折率
分布を形成するドー／ナントｏ＠度変化を観側すること
ができないので、製作された母材から光ファイバを作っ
た後、この光ファイバにより屈折率分布の測定を行うほ
かないからである。
本発明は上記ＫＩｌｌみ、ＶＡＤ法による多孔質プリフ
ォーム形成中にドーノダントの濃度を直接観測しながら
濃度分布を調整することを可能にする光フアイバ母材の
製造方法を提供することを目的とする。
ォーム形成中にドーノダントの濃度を直接観測しながら
濃度分布を調整することを可能にする光フアイバ母材の
製造方法を提供することを目的とする。
本発明によれば、ドール４ントであるたとえばＧｅＯ２
を組成している６５（３ｅの放射性同位元素６８（３ｅ
のハロダン化物を含むＷＩ原料ガス、６５Ｇ・の〕・〕
ロｒン化を含む原料ガスと別箇に用意し、この”Ｇｅの
ハロダン化物を含む原料ガスを用いて通常のＶＡＤ法に
よル酸水素火炎中で反応させて多孔質プリフォームを形
成する。そしてこの多孔質プリフォーム中に含着れる”
Ｇｅから放射される放射線をシンチレーシ璽ンスキャナ
などの放射線検出装置によシ検出して多孔質プリフォー
ム中に含まれる６８Ｇ、の濃度分布を求める。この濃度
分布はＣＲＴ（陰極線管）などの表示装置に表示できる
ので、これを見ながら排気量やバーナ位置あるいはガス
流□ 量尋の条件を調整し、所望の濃度分布が祷られる
ような条件設定を行なう。こうして条件設定が終了した
後原料ガスを切シ換え、放射性同位元素＠Ｊｌ（３，の
含まれていがい６５Ｇｃの原料ガスを用いて多孔質プリ
フォームを形成すれば、Ｇ・０２が所望の濃度分布とな
った、つ壕り所望の屈折率分布を持つ、光フアイバ母材
を製造することができる。
を組成している６５（３ｅの放射性同位元素６８（３ｅ
のハロダン化物を含むＷＩ原料ガス、６５Ｇ・の〕・〕
ロｒン化を含む原料ガスと別箇に用意し、この”Ｇｅの
ハロダン化物を含む原料ガスを用いて通常のＶＡＤ法に
よル酸水素火炎中で反応させて多孔質プリフォームを形
成する。そしてこの多孔質プリフォーム中に含着れる”
Ｇｅから放射される放射線をシンチレーシ璽ンスキャナ
などの放射線検出装置によシ検出して多孔質プリフォー
ム中に含まれる６８Ｇ、の濃度分布を求める。この濃度
分布はＣＲＴ（陰極線管）などの表示装置に表示できる
ので、これを見ながら排気量やバーナ位置あるいはガス
流□ 量尋の条件を調整し、所望の濃度分布が祷られる
ような条件設定を行なう。こうして条件設定が終了した
後原料ガスを切シ換え、放射性同位元素＠Ｊｌ（３，の
含まれていがい６５Ｇｃの原料ガスを用いて多孔質プリ
フォームを形成すれば、Ｇ・０２が所望の濃度分布とな
った、つ壕り所望の屈折率分布を持つ、光フアイバ母材
を製造することができる。
次に一実施例について図面を参照しながら説ｌＪする。
図に示ｔ！うｌｃ、 ５ＩＣｚ、と６５ＧｅＣｔ４と
がそれぞれ入れられたバブラ１．２のほかに、”ＧａＣ
ｌ２が入れられた・々ブチ３を用意する。そしてこれら
のバブラ１．２．３を弁１１〜１３゜２１〜２３．３１
〜３３で制御する。まず８１ｃｔ４と６８（３，Ｃｔ、
とをバーナ４に送る。・クーチ４にはほかに０２とＨ字
とが送られてきておシ、酸水素火炎中で５ｔｃｔ４と
６８０６Ｃｔ４とが高温加水分解反応を起し、それぞれ
８ｉ０２（ガラス）と６８Ｇ・０２とが生成される。こ
うして６８Ｇｅ０２を含んだガラス徽粉末が生成され、
これが種棒６の下端に付着され、との種棒６を回転しな
がら上方に徐々に引き上げていくと、ガラス焼結体の多
孔質プリ７オーム７が軸方向に生長する。
がそれぞれ入れられたバブラ１．２のほかに、”ＧａＣ
ｌ２が入れられた・々ブチ３を用意する。そしてこれら
のバブラ１．２．３を弁１１〜１３゜２１〜２３．３１
〜３３で制御する。まず８１ｃｔ４と６８（３，Ｃｔ、
とをバーナ４に送る。・クーチ４にはほかに０２とＨ字
とが送られてきておシ、酸水素火炎中で５ｔｃｔ４と
６８０６Ｃｔ４とが高温加水分解反応を起し、それぞれ
８ｉ０２（ガラス）と６８Ｇ・０２とが生成される。こ
うして６８Ｇｅ０２を含んだガラス徽粉末が生成され、
これが種棒６の下端に付着され、との種棒６を回転しな
がら上方に徐々に引き上げていくと、ガラス焼結体の多
孔質プリ７オーム７が軸方向に生長する。
なおこの多孔質プリ７オーム７の近傍に火炎の排気ガス
を吸引するための排気管５が設けられる。
を吸引するための排気管５が設けられる。
こうして形成される多孔質プリ７オーム７にはある濃度
分布で’８Ｇｅｏ２が含まれている。ところで６８Ｇｅ
は半減期２１５日で軌道電子捕獲によシβ崩壊し、γ線
の放射は少々いので、この実施例では放射される特性Ｘ
１Ｉｉｌによシ濃変分布を御１定することとする。その
ため、たとえば図に示すように、チューブ状のコリメー
タ８１と、シンチレータ８２と、光電子増倍管８３と、
プリアンプ８４とからなる放射線検出器を準備し、これ
を走査機構８５によ〕ｘ（横）方向及びＹ（縦）方向に
、走査制御装置８６の制御の下に所定の走査順序にした
がって走査する。プリアンプ８４から出力される検出信
号はメインアンプ８７を経てメータ糾のアナログ表示器
８８に送られるとともに、サンプリング回路８９に送ら
れ、走査位置に応じた検出信号がサンプリングされると
ともＫＡＤｌ’換されてデジタル信号が得られる。この
デジタル信号ｉｔ画像構成用の信号処ｍ回路９０に送ら
れ、位置信号とともに演算されるととＫよつて濃度分布
を表わすｉｉ１体信号が得られ、このｓｉ像信号はＣＲ
Ｔ９１に送られてそのｉｉｉｒｍ士に＃に度分布像耐表
示される。
分布で’８Ｇｅｏ２が含まれている。ところで６８Ｇｅ
は半減期２１５日で軌道電子捕獲によシβ崩壊し、γ線
の放射は少々いので、この実施例では放射される特性Ｘ
１Ｉｉｌによシ濃変分布を御１定することとする。その
ため、たとえば図に示すように、チューブ状のコリメー
タ８１と、シンチレータ８２と、光電子増倍管８３と、
プリアンプ８４とからなる放射線検出器を準備し、これ
を走査機構８５によ〕ｘ（横）方向及びＹ（縦）方向に
、走査制御装置８６の制御の下に所定の走査順序にした
がって走査する。プリアンプ８４から出力される検出信
号はメインアンプ８７を経てメータ糾のアナログ表示器
８８に送られるとともに、サンプリング回路８９に送ら
れ、走査位置に応じた検出信号がサンプリングされると
ともＫＡＤｌ’換されてデジタル信号が得られる。この
デジタル信号ｉｔ画像構成用の信号処ｍ回路９０に送ら
れ、位置信号とともに演算されるととＫよつて濃度分布
を表わすｉｉ１体信号が得られ、このｓｉ像信号はＣＲ
Ｔ９１に送られてそのｉｉｉｒｍ士に＃に度分布像耐表
示される。
したがうてＣＲＴ９１のＩＩ＆上に表示された―縦分布
會を見ながら、各ガスの流量１、バーナ４の位置、排気
管５０位鯉、排気量尋のｗＩｊ！１を行なって所望の濃
度分布になるよう各条件を設定することが容よに行表え
る。こうしてすべてのｐ＊を終了し、各条件のセットが
終ったならば、”Ｑ＠ＣＬ４ （Ｄ ｊＦｔ 料ｎ ｘ
ヲ”Ｇ＊Ｃ４（０７１科ｔｊｘＫＩＩＩり換゛えて、
４５（３・Ｃｔ４の原料ガスを用いた通常のＶＡＤ法に
よる多孔質プリフォームチ０作製を行なう。
會を見ながら、各ガスの流量１、バーナ４の位置、排気
管５０位鯉、排気量尋のｗＩｊ！１を行なって所望の濃
度分布になるよう各条件を設定することが容よに行表え
る。こうしてすべてのｐ＊を終了し、各条件のセットが
終ったならば、”Ｑ＠ＣＬ４ （Ｄ ｊＦｔ 料ｎ ｘ
ヲ”Ｇ＊Ｃ４（０７１科ｔｊｘＫＩＩＩり換゛えて、
４５（３・Ｃｔ４の原料ガスを用いた通常のＶＡＤ法に
よる多孔質プリフォームチ０作製を行なう。
以上述べたように、本発明によれはきわめて簡単な方法
で簡易迅速にドーノ４ント濃度分布の設定を行なうこと
ができる。すなわち、数１０分間程度のＩｌｌ整で所望
の屈折率分布を持つ多孔質プリフォームを得ることがで
きる。ちなみに従来方法によると母材を作製した螢光フ
ァイバ化し、この光ファイ・ぐを用いて屈折本分布のｉ
ｌｌ定を行なうためデータを得るために速くとも２日程
かかってしまう。なお、上記の実施例では６５Ｇ、をド
ー・ぐントとして用いて母材作製するのに先立って６８
Ｇｅを用いた母材作製を行ない各条件の設定を行なうよ
うにしたが、逆Ｋ ６８Ｇｅを昔で使用して濃度分布の
再現性の確認に用いてもよいことは勿論である。
で簡易迅速にドーノ４ント濃度分布の設定を行なうこと
ができる。すなわち、数１０分間程度のＩｌｌ整で所望
の屈折率分布を持つ多孔質プリフォームを得ることがで
きる。ちなみに従来方法によると母材を作製した螢光フ
ァイバ化し、この光ファイ・ぐを用いて屈折本分布のｉ
ｌｌ定を行なうためデータを得るために速くとも２日程
かかってしまう。なお、上記の実施例では６５Ｇ、をド
ー・ぐントとして用いて母材作製するのに先立って６８
Ｇｅを用いた母材作製を行ない各条件の設定を行なうよ
うにしたが、逆Ｋ ６８Ｇｅを昔で使用して濃度分布の
再現性の確認に用いてもよいことは勿論である。
図は本発明の一実施例のプロ、り図である。
１．２．３・・・バブラ ４・・・バーナ５・・・排
気管 ６・・・種棒７・・・多孔質プリフォー
ム ８１・・・コリメータ８２・・・シンチレータ ８
３・・・光電子増倍管８４・・・プリアンプ ８５・
・・走査機構８６・・・走査制御装置 ８７・・・メイ
ンアンプ８８・・・アナログ表示器 ８９・・・サンプリング回路 ９０・・・信・号処理回路 ９１・・・ＣＲＴ出願人
藤倉電線株式会社
気管 ６・・・種棒７・・・多孔質プリフォー
ム ８１・・・コリメータ８２・・・シンチレータ ８
３・・・光電子増倍管８４・・・プリアンプ ８５・
・・走査機構８６・・・走査制御装置 ８７・・・メイ
ンアンプ８８・・・アナログ表示器 ８９・・・サンプリング回路 ９０・・・信・号処理回路 ９１・・・ＣＲＴ出願人
藤倉電線株式会社
Claims (1)
- （１）ガラスの原料ガスと屈折率制御用ドーノナントの
原料ガスとを酸水素火炎中で反応させて前記ドー・ナン
ドの含まれたガラス微粉末を昼成し、このガラス微粉末
を種棒の下端に付着−させ、該種棒を徐々に上方に移動
させることによシガラス焼結体の多孔質プリフォームを
軸方向に成長させて゛膏ファイバ母材を製造する方法に
おいて、前記）”−： ／ナンドの原料ガスのほかに前
記、ドーノクントの放射性同位元素が含まれる原料ガス
を用意して、この放射性同位・元素の含まれる原料ガス
を用いて多孔質プリフォームを成長させ、前記放射性同
位元素から放射される放射線を検出して前記多孔負プリ
フォーム中の放射性同位元素の濃度分布を求めることに
よシ、ドーΔント濃度分布を１１ＩｌＩＩ［ｌするよう
にしたことを特徴とする光ファイ／量母材の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1683882A JPS58135146A (ja) | 1982-02-03 | 1982-02-03 | 光フアイバ母材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1683882A JPS58135146A (ja) | 1982-02-03 | 1982-02-03 | 光フアイバ母材の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58135146A true JPS58135146A (ja) | 1983-08-11 |
| JPS649250B2 JPS649250B2 (ja) | 1989-02-16 |
Family
ID=11927338
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1683882A Granted JPS58135146A (ja) | 1982-02-03 | 1982-02-03 | 光フアイバ母材の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58135146A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61205629A (ja) * | 1985-03-08 | 1986-09-11 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 原料供給装置 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10093460B2 (en) | 2015-08-14 | 2018-10-09 | Yeti Coolers, Llc | Container with magnetic cap |
| USD787893S1 (en) | 2015-11-20 | 2017-05-30 | Yeti Coolers, Llc | Jug |
| JP7038128B2 (ja) | 2016-10-17 | 2022-03-17 | イエティ クーラーズ、エルエルシー | 容器および容器を形成する方法 |
| US10959553B2 (en) | 2016-10-17 | 2021-03-30 | Yeti Coolers, Llc | Container and method of forming a container |
| USD896572S1 (en) | 2018-08-20 | 2020-09-22 | Yeti Coolers, Llc | Container lid |
| US11647862B2 (en) * | 2020-08-19 | 2023-05-16 | Ningbo Careline Electric Appliance Co., Ltd. | Steam-type air fryer |
-
1982
- 1982-02-03 JP JP1683882A patent/JPS58135146A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61205629A (ja) * | 1985-03-08 | 1986-09-11 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 原料供給装置 |
| JPH0251852B2 (ja) * | 1985-03-08 | 1990-11-08 | Sumitomo Electric Industries |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS649250B2 (ja) | 1989-02-16 |
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