JPS649250B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS649250B2 JPS649250B2 JP1683882A JP1683882A JPS649250B2 JP S649250 B2 JPS649250 B2 JP S649250B2 JP 1683882 A JP1683882 A JP 1683882A JP 1683882 A JP1683882 A JP 1683882A JP S649250 B2 JPS649250 B2 JP S649250B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- raw material
- dopant
- material gas
- porous preform
- concentration distribution
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 22
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 12
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 11
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 11
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 claims description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 10
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 4
- 230000002285 radioactive effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 229910005793 GeO 2 Inorganic materials 0.000 description 6
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 5
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005264 electron capture Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/01413—Reactant delivery systems
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2201/00—Type of glass produced
- C03B2201/06—Doped silica-based glasses
- C03B2201/30—Doped silica-based glasses doped with metals, e.g. Ga, Sn, Sb, Pb or Bi
- C03B2201/31—Doped silica-based glasses doped with metals, e.g. Ga, Sn, Sb, Pb or Bi doped with germanium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2203/00—Fibre product details, e.g. structure, shape
- C03B2203/10—Internal structure or shape details
- C03B2203/22—Radial profile of refractive index, composition or softening point
- C03B2203/26—Parabolic or graded index [GRIN] core profile
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2207/00—Glass deposition burners
- C03B2207/70—Control measures
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacture, Treatment Of Glass Fibers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はVAD法(気相軸付法)による光フ
アイバ母材の製造方法に関する。
アイバ母材の製造方法に関する。
VAD法は、よく知られているように、SiCl4や
GeCl4などのハロゲン化物の原料ガスを酸水素炎
中で加水分解して、屈折率制御用ドーパントであ
るGeO2を含むガラス(SiO2)の微粉末を作り、
このガラス微粉末を種棒の下端に付着させ、種棒
を徐々に上方に移動させることによりガラス焼結
体の多孔質プリフオームを軸方向に成長させて光
フアイバ母材を製造するものである。
GeCl4などのハロゲン化物の原料ガスを酸水素炎
中で加水分解して、屈折率制御用ドーパントであ
るGeO2を含むガラス(SiO2)の微粉末を作り、
このガラス微粉末を種棒の下端に付着させ、種棒
を徐々に上方に移動させることによりガラス焼結
体の多孔質プリフオームを軸方向に成長させて光
フアイバ母材を製造するものである。
ところでこのVAD法では屈折率分布の制御が
難しく、特に、屈折率分布を正確にコントロール
する必要のあるグレーデツト型光フアイバ用の母
材を作ることは相当困難である。というのは従来
では、上記のようにハロゲン化物原料が反応して
酸化物になりガラス微粉末となつて付着して多孔
質プリフオームを形成する際、屈折率分布を形成
するドーパントの濃度変化を観測することができ
ないので、製作された母材から光フアイバを作つ
た後、この光フアイバにより屈折率分布の測定を
行うほかないからである。
難しく、特に、屈折率分布を正確にコントロール
する必要のあるグレーデツト型光フアイバ用の母
材を作ることは相当困難である。というのは従来
では、上記のようにハロゲン化物原料が反応して
酸化物になりガラス微粉末となつて付着して多孔
質プリフオームを形成する際、屈折率分布を形成
するドーパントの濃度変化を観測することができ
ないので、製作された母材から光フアイバを作つ
た後、この光フアイバにより屈折率分布の測定を
行うほかないからである。
本発明は上記に鑑み、VAD法による多孔質プ
リフオーム形成中にドーパントの濃度を直接観測
しながら濃度分布を調整することを可能にする光
フアイバ母材の製造方法を提供することを目的と
する。
リフオーム形成中にドーパントの濃度を直接観測
しながら濃度分布を調整することを可能にする光
フアイバ母材の製造方法を提供することを目的と
する。
本発明によれば、ドーパントであるたとえば
GeO2を組成している 65Geの放射性同位元素
68Geのハロゲン化物を含む原料ガスを、 65Geの
ハロゲン化物を含む原料ガスを別箇に用意し、こ
の 68Geのハロゲン化物を含む原料ガスを用いて
通常のVAD法により酸水素火炎中で反応させて
多孔質プリフオームを形成する。そしてこの多孔
質プリフオーム中に含まれる 68Geから放射され
る放射線をシンチレーシヨンスキヤナなどの放射
線検出装置により検出して多孔質プリフオーム中
に含まれる 68Geの濃度分布を求める。この濃度
分布はCRT(陰極線管)などの表示装置に表示で
きるので、これを見ながら排気量やバーナ位置あ
るいはガス流量等の条件を調整し、所望の濃度分
布が得られるような条件設定を行なう。こうして
条件設定が終了した後原料ガスを切り換え、放射
性同位元素 68Geの含まれていない 65Geの原料
ガスを用いて多孔質プリフオームを形成すれば、
GeO2が所望の濃度分布となつた、つまり所望の
屈折率分布を持つ、光フアイバ母材を製造するこ
とができる。
GeO2を組成している 65Geの放射性同位元素
68Geのハロゲン化物を含む原料ガスを、 65Geの
ハロゲン化物を含む原料ガスを別箇に用意し、こ
の 68Geのハロゲン化物を含む原料ガスを用いて
通常のVAD法により酸水素火炎中で反応させて
多孔質プリフオームを形成する。そしてこの多孔
質プリフオーム中に含まれる 68Geから放射され
る放射線をシンチレーシヨンスキヤナなどの放射
線検出装置により検出して多孔質プリフオーム中
に含まれる 68Geの濃度分布を求める。この濃度
分布はCRT(陰極線管)などの表示装置に表示で
きるので、これを見ながら排気量やバーナ位置あ
るいはガス流量等の条件を調整し、所望の濃度分
布が得られるような条件設定を行なう。こうして
条件設定が終了した後原料ガスを切り換え、放射
性同位元素 68Geの含まれていない 65Geの原料
ガスを用いて多孔質プリフオームを形成すれば、
GeO2が所望の濃度分布となつた、つまり所望の
屈折率分布を持つ、光フアイバ母材を製造するこ
とができる。
次に一実施例について図面を参照しながら説明
する。図に示すように、SiCl4と 65GeCl4とがそ
れぞれ入れられたバブラ1,2のほかに、
68GeCl4が入れられたバブラ3を用意する。そし
てこれらのバブラ1,2,3を弁11〜13,2
1〜23,31〜33で制御する。まずSiCl4と
68GeCl4とをバーナ4に送る。バーナ4にはほか
にO2とH2とが送られてきており、酸水素火炎中
でSiCl4と 68GeCl4とが高温加水分解反応を起し、
それぞれSiO2(ガラス)と 68GeO2とが生成され
る。こうして 68GeO2を含んだガラス微粉末が生
成され、これが種棒6の下端に付着され、この種
棒6を回転しながら上方に徐々に引き上げていく
と、ガラス焼結体の多孔質プリフオーム7が軸方
向に生長する。なおこの多孔質プリフオーム7の
近傍に火炎の排気ガスを吸引するための排気管5
が設けられる。
する。図に示すように、SiCl4と 65GeCl4とがそ
れぞれ入れられたバブラ1,2のほかに、
68GeCl4が入れられたバブラ3を用意する。そし
てこれらのバブラ1,2,3を弁11〜13,2
1〜23,31〜33で制御する。まずSiCl4と
68GeCl4とをバーナ4に送る。バーナ4にはほか
にO2とH2とが送られてきており、酸水素火炎中
でSiCl4と 68GeCl4とが高温加水分解反応を起し、
それぞれSiO2(ガラス)と 68GeO2とが生成され
る。こうして 68GeO2を含んだガラス微粉末が生
成され、これが種棒6の下端に付着され、この種
棒6を回転しながら上方に徐々に引き上げていく
と、ガラス焼結体の多孔質プリフオーム7が軸方
向に生長する。なおこの多孔質プリフオーム7の
近傍に火炎の排気ガスを吸引するための排気管5
が設けられる。
こうして形成される多孔質プリフオーム7には
ある濃度分布で 68GeO2が含まれている。ところ
で 68Geは半減期275日で軌道電子捕獲によりβ
崩壊し、γ線の放射は少ないので、この実施例で
は放射される特性X線により濃度分布を測定する
こととする。そのため、たとえば図に示すよう
に、チユーブ状のコリメータ81と、シンチレー
タ82と、光電子増倍管83と、プリアンプ84
とからなる放射線検出器を準備し、これを走査機
構85によりX(横)方向及びY(縦)方向に、走
査制御装置86の制御の下に所定の走査順序にし
たがつて走査する。プリアンプ84から出力され
る検出信号はメインアンプ87を経てメータ等の
アナログ表示器88に送られるとともに、サンプ
リング回路89に送られ、走査位置に応じた検出
信号がサンプリングされるとともにAD変換され
てデジタル信号が得られる。このデジタル信号は
画像構成用の信号処理回路90に送られ、位置信
号とともに演算されることによつて濃度分布を表
わす画像信号が得られ、この画像信号はCRT9
1に送られてその画面上に濃度分布像が表示され
る。
ある濃度分布で 68GeO2が含まれている。ところ
で 68Geは半減期275日で軌道電子捕獲によりβ
崩壊し、γ線の放射は少ないので、この実施例で
は放射される特性X線により濃度分布を測定する
こととする。そのため、たとえば図に示すよう
に、チユーブ状のコリメータ81と、シンチレー
タ82と、光電子増倍管83と、プリアンプ84
とからなる放射線検出器を準備し、これを走査機
構85によりX(横)方向及びY(縦)方向に、走
査制御装置86の制御の下に所定の走査順序にし
たがつて走査する。プリアンプ84から出力され
る検出信号はメインアンプ87を経てメータ等の
アナログ表示器88に送られるとともに、サンプ
リング回路89に送られ、走査位置に応じた検出
信号がサンプリングされるとともにAD変換され
てデジタル信号が得られる。このデジタル信号は
画像構成用の信号処理回路90に送られ、位置信
号とともに演算されることによつて濃度分布を表
わす画像信号が得られ、この画像信号はCRT9
1に送られてその画面上に濃度分布像が表示され
る。
したがつてCRT91の画面上に表示された濃
度分布像を見ながら、各ガスの流量、バーナ4の
位置、排気管5の位置、排気量等の調整を行なつ
て所望の濃度分布になるよう各条件を設定するこ
とが容易に行なえる。こうしてすべての調整を終
了し、各条件のセツトが終つたならば、 68GeCl4
の原料ガスを 65GeCl4の原料ガスに切り換えて、
65GeCl4の原料ガスを用いた通常のVAD法によ
る多孔質プリフオーム7の作製を行なう。
度分布像を見ながら、各ガスの流量、バーナ4の
位置、排気管5の位置、排気量等の調整を行なつ
て所望の濃度分布になるよう各条件を設定するこ
とが容易に行なえる。こうしてすべての調整を終
了し、各条件のセツトが終つたならば、 68GeCl4
の原料ガスを 65GeCl4の原料ガスに切り換えて、
65GeCl4の原料ガスを用いた通常のVAD法によ
る多孔質プリフオーム7の作製を行なう。
以上述べたように、本発明によればきわめて簡
単な方法で簡易迅速にドーパント濃度分布の設定
を行なうことができる。すなわち、数10分間程度
の調整で所望の屈折率分布を持つ多孔質プリフオ
ームを得ることができる。ちなみに従来方法によ
ると母材を作製した後光フアイバ化し、この光フ
アイバを用いて屈折率分布の測定を行なうためデ
ータを得るために速くとも2日程かかつてしま
う。なお、上記の実施例では 65Geをドーパント
として用いて用材作製するのに先立つて 68Geを
用いた母材作製を行ない各条件の設定を行なうよ
うにしたが、逆に 68Geを後で使用して濃度分布
の再現性の確認に用いてもよいことは勿論であ
る。
単な方法で簡易迅速にドーパント濃度分布の設定
を行なうことができる。すなわち、数10分間程度
の調整で所望の屈折率分布を持つ多孔質プリフオ
ームを得ることができる。ちなみに従来方法によ
ると母材を作製した後光フアイバ化し、この光フ
アイバを用いて屈折率分布の測定を行なうためデ
ータを得るために速くとも2日程かかつてしま
う。なお、上記の実施例では 65Geをドーパント
として用いて用材作製するのに先立つて 68Geを
用いた母材作製を行ない各条件の設定を行なうよ
うにしたが、逆に 68Geを後で使用して濃度分布
の再現性の確認に用いてもよいことは勿論であ
る。
図は本発明の一実施例のブロツク図である。
1,2,3……バブラ、4……バーナ、5……
排気管、6……種棒、7……多孔質プリフオー
ム、81……コリメータ、82……シンチレー
タ、83……光電子増倍管、84……プリアン
プ、85……走査機構、86……走査制御装置、
87……メインアンプ、88……アナログ表示
器、89……サンプリング回路、90……信号処
理回路、91……CRT。
排気管、6……種棒、7……多孔質プリフオー
ム、81……コリメータ、82……シンチレー
タ、83……光電子増倍管、84……プリアン
プ、85……走査機構、86……走査制御装置、
87……メインアンプ、88……アナログ表示
器、89……サンプリング回路、90……信号処
理回路、91……CRT。
Claims (1)
- 1 ガラスの原料ガスと屈折率制御用ドーパント
の原料ガスとを酸水素火炎中で反応させて前記ド
ーパントの含まれたガラス微粉末を生成し、この
ガラス微粉末を種棒の下端に付着させ、該種棒を
徐々に上方に移動させることによりガラス焼結体
の多孔質プリフオームを軸方向に成長させて光フ
アイバ母材を製造する方法において、前記ドーパ
ントの原料ガスのほかに前記ドーパントの放射性
同位元素が含まれる原料ガスを用意して、この放
射性同位元素の含まれる原料ガスを用いて多孔質
プリフオームを成長させ、前記放射性同位元素か
ら放射される放射線を検出して前記多孔質プリフ
オーム中の放射性同位元素の濃度分布を求めるこ
とにより、ドーパント濃度分布を制御するように
したことを特徴とする光フアイバ母材の製造方
法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1683882A JPS58135146A (ja) | 1982-02-03 | 1982-02-03 | 光フアイバ母材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1683882A JPS58135146A (ja) | 1982-02-03 | 1982-02-03 | 光フアイバ母材の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58135146A JPS58135146A (ja) | 1983-08-11 |
JPS649250B2 true JPS649250B2 (ja) | 1989-02-16 |
Family
ID=11927338
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1683882A Granted JPS58135146A (ja) | 1982-02-03 | 1982-02-03 | 光フアイバ母材の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58135146A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
USD960660S1 (en) | 2015-11-20 | 2022-08-16 | Yeti Coolers, Llc | Jug |
US11503932B2 (en) | 2016-10-17 | 2022-11-22 | Yeti Coolers, Llc | Container and method of forming a container |
US11524833B2 (en) | 2016-10-17 | 2022-12-13 | Yeti Coolers, Llc | Container and method of forming a container |
US11647862B2 (en) * | 2020-08-19 | 2023-05-16 | Ningbo Careline Electric Appliance Co., Ltd. | Steam-type air fryer |
USD988789S1 (en) | 2018-08-20 | 2023-06-13 | Yeti Coolers, Llc | Container lid |
US11794960B2 (en) | 2015-08-14 | 2023-10-24 | Yeti Coolers, Llc | Container with magnetic cap |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61205629A (ja) * | 1985-03-08 | 1986-09-11 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 原料供給装置 |
-
1982
- 1982-02-03 JP JP1683882A patent/JPS58135146A/ja active Granted
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11794960B2 (en) | 2015-08-14 | 2023-10-24 | Yeti Coolers, Llc | Container with magnetic cap |
USD960660S1 (en) | 2015-11-20 | 2022-08-16 | Yeti Coolers, Llc | Jug |
US11503932B2 (en) | 2016-10-17 | 2022-11-22 | Yeti Coolers, Llc | Container and method of forming a container |
US11524833B2 (en) | 2016-10-17 | 2022-12-13 | Yeti Coolers, Llc | Container and method of forming a container |
USD988789S1 (en) | 2018-08-20 | 2023-06-13 | Yeti Coolers, Llc | Container lid |
US11647862B2 (en) * | 2020-08-19 | 2023-05-16 | Ningbo Careline Electric Appliance Co., Ltd. | Steam-type air fryer |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS58135146A (ja) | 1983-08-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5264154A (en) | Single crystal scintillator | |
JPS649250B2 (ja) | ||
Cox et al. | The petrology of the Karroo basalts of Basutoland | |
Connally et al. | Analysis of radionuclide mixtures | |
Mogensen et al. | An experimental study of the distribution of retained xenon in transient-tested UO2 fuel | |
US3296448A (en) | Scintillation detector comprising a transparent tin-activated calcium iodide scintillator | |
Thomas | A high‐altitude rocket measurement of nitric oxide | |
Grandi et al. | Sol-gel GeO2-doped SiO2 glasses for optical applications | |
Abdul Sani et al. | Low-cost commercial borosilicate glass slides for passive radiation dosimetry | |
Short | Gamma-camera systems | |
Ramchandran et al. | Spins and Widths of Energy Levels in the 5-9-MeV Region | |
De Juren et al. | Absolute Calibration of the National Bureau of Standards Photoneutron Standard: I | |
JPS6325243A (ja) | 光フアイバ母材の製造方法 | |
Johnson et al. | Beta Decay of Cd 1 1 5 m | |
Kono | Scintillation spectrometer studies on the beta-activity of K40 | |
Evans et al. | Intercalibration and comparison in two laboratories of measurements incident to the determination of the geological ages of rocks | |
US6148059A (en) | Methods and apparatus using fluorescent emissions to determine concentration of material in object | |
EP0456002B1 (en) | Single crystal scintillator and apparatus for prospecting underground strata using same | |
Paul | Gamma-Ray Absorption Coefficients at 6.13 Mev | |
Theodórsson | A simple, extremely stable single-tube liquid scintillation system for radiocarbon dating | |
Brady et al. | The X‐Ray Diffraction Pattern of Tricalcium Aluminate | |
Bunker et al. | Disintegration of Y 91 | |
Glantschnig et al. | Non-Destructive Characterization of Porous Soot Boules | |
Bergeson et al. | CMOS-coupled NaI scintillation detector for gamma decay measurements | |
JPS58223631A (ja) | 光フアイバ母材の製造方法 |