JPS58134640A - 露光装置目合わせ機構 - Google Patents
露光装置目合わせ機構Info
- Publication number
- JPS58134640A JPS58134640A JP57017725A JP1772582A JPS58134640A JP S58134640 A JPS58134640 A JP S58134640A JP 57017725 A JP57017725 A JP 57017725A JP 1772582 A JP1772582 A JP 1772582A JP S58134640 A JPS58134640 A JP S58134640A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- substrate
- alignment
- exposed
- matching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は露光装置の目合わせ機構に関する。
従来、露光装置の目合ｉせ機構は、半導体装置の製作に
用いる場合を代表例にとると、例えば８ｉウエーハ上の
７θ〜１００ｕ間隔で設けられ九目合わせマークとマス
ク上の７０〜１００闘間隔で１− 設けられた目合わせ÷−りとの位置関係を光学的に検出
し、パルス・モーターによるウェーハ・ホルダー及びマ
スクを、ｚ、ｙ、θ方向に駆動させて、目合わせする機
構が採用されている。目合わせマーク位置が７０〜１０
０藺間隔に限定されている理由は双眼顕微鏡の対物レン
ズの可動範囲が７０〜１００Ｎ程度であシ、該双眼顕微
鏡によシス形の肉眼観察も可能にするためである。
用いる場合を代表例にとると、例えば８ｉウエーハ上の
７θ〜１００ｕ間隔で設けられ九目合わせマークとマス
ク上の７０〜１００闘間隔で１− 設けられた目合わせ÷−りとの位置関係を光学的に検出
し、パルス・モーターによるウェーハ・ホルダー及びマ
スクを、ｚ、ｙ、θ方向に駆動させて、目合わせする機
構が採用されている。目合わせマーク位置が７０〜１０
０藺間隔に限定されている理由は双眼顕微鏡の対物レン
ズの可動範囲が７０〜１００Ｎ程度であシ、該双眼顕微
鏡によシス形の肉眼観察も可能にするためである。
しかし、上記従来技術では、目合わせ後の露光時に観察
用顕微鏡の対物レンズを被露光物上部から機械的に移動
除去してから、露光光源からの露光をマスクを通して露
光基板表面に照射する必要があ夛、この対物レンズの除
去時に機械的振動が発生し、−担目合わせしたマスク図
形と基板図形とが目合わせずれを起したシ、対物レンズ
の除去に時間を要し、除去時間内にマスクとウエーノＡ
の温度差による膨張、収縮により、又目合わせずれを起
こす欠点があった。
用顕微鏡の対物レンズを被露光物上部から機械的に移動
除去してから、露光光源からの露光をマスクを通して露
光基板表面に照射する必要があ夛、この対物レンズの除
去時に機械的振動が発生し、−担目合わせしたマスク図
形と基板図形とが目合わせずれを起したシ、対物レンズ
の除去に時間を要し、除去時間内にマスクとウエーノＡ
の温度差による膨張、収縮により、又目合わせずれを起
こす欠点があった。
本発明は上記従来技術の欠点をなくシ、目合わせずれの
ない露光装置目合わせ機構を提供すると２− とを目的とする。
ない露光装置目合わせ機構を提供すると２− とを目的とする。
上記目的を達成するだめの本発明の基本的な構成は、被
露光基板上の図形とマスク図形とを目合わせし、露光す
る露光装置に於て、被露光基板面の少なくとも２端部に
於て目合わせマークを有し、且つ該基板面上の目合わせ
マーク位置とそれに伴って形成されているマスク上の目
合わせマークとに合致した光学的マーク検出部位を前記
基板端部の目合わせマーク上に設置するととを特徴とす
る。
露光基板上の図形とマスク図形とを目合わせし、露光す
る露光装置に於て、被露光基板面の少なくとも２端部に
於て目合わせマークを有し、且つ該基板面上の目合わせ
マーク位置とそれに伴って形成されているマスク上の目
合わせマークとに合致した光学的マーク検出部位を前記
基板端部の目合わせマーク上に設置するととを特徴とす
る。
以下、実施例を用いて本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明の基本構成を示す一例としてＸ線露光の
目合わせ機構を模式的に示したものであシ、第２図は本
発明を適用した半導体ウェーハ上の目合わせマーク位置
と非露光部位の例を示したものである。
目合わせ機構を模式的に示したものであシ、第２図は本
発明を適用した半導体ウェーハ上の目合わせマーク位置
と非露光部位の例を示したものである。
１は被露光基板であシ、２は被露光基板表面にあらかじ
め刻印された目合わ、＋マーク位置を示す。
め刻印された目合わ、＋マーク位置を示す。
３はメングレン・図形マスクであシ、４はマスク表面に
刻印された目合わせマークを示し、その他の図形はマス
ク３の表面に形成されているものと３− する。５け反射鏡であシ、光学レンズ系６を通して光線
７をマスク３を通して基板２上に照射、反射させ、マス
ク３と基板２上の目合わせマーク５と２と相対位置関係
を検出し、制御するために用いる。８はＸ線源からのＸ
線である。
刻印された目合わせマークを示し、その他の図形はマス
ク３の表面に形成されているものと３− する。５け反射鏡であシ、光学レンズ系６を通して光線
７をマスク３を通して基板２上に照射、反射させ、マス
ク３と基板２上の目合わせマーク５と２と相対位置関係
を検出し、制御するために用いる。８はＸ線源からのＸ
線である。
第２図では１１は例えばＳＺウェーハを示し、その端部
の少なくとも２個所に目合わせマーク１３が刻印され、
第１図の反射鏡５の影になる目合わせマーク１３を含む
領域１２はＸ線露光に対しては非露光領域となることを
示す。
の少なくとも２個所に目合わせマーク１３が刻印され、
第１図の反射鏡５の影になる目合わせマーク１３を含む
領域１２はＸ線露光に対しては非露光領域となることを
示す。
上記の如く、被露光基板端部に目合わせする機構と、マ
ークを設置することによシ、マーク検出機構の露光時の
移動は不要となシ、かつパルス状の光源からの露光によ
シ目合わせ後直ちに短時間内に短時間露光を非露光部が
最小面積で行なえることとなシ、機械的振動や温度の時
間変化による目合せ精度の低：下を防止できる効果があ
る。
ークを設置することによシ、マーク検出機構の露光時の
移動は不要となシ、かつパルス状の光源からの露光によ
シ目合わせ後直ちに短時間内に短時間露光を非露光部が
最小面積で行なえることとなシ、機械的振動や温度の時
間変化による目合せ精度の低：下を防止できる効果があ
る。
り：、。
第１図は本発明の基本構成を示す一例としての４−
Ｘ＠露光の目合わせ機構を模式的に示したものであシ、
第２図は本発明を適用した半導体ウェーハ上の目合わせ
マーク位置と非露光部位の例を示したものである。 １．１１・・被露光基板 ２，１３・・被露光基板表面
目金わせマーク位置 ３・・マスク基板 ４・・マスク
基板表面目金せマーク位置 ５・・反射鏡 ６・・レン
ズ光学系 ７・・光線 ８・φＸ線 １２・・被露光基
板表面の非露光部位。 以 上 出願人 株式会社諏訪精工舎 代理人 弁理士最 上 務 ５− 第１図
第２図は本発明を適用した半導体ウェーハ上の目合わせ
マーク位置と非露光部位の例を示したものである。 １．１１・・被露光基板 ２，１３・・被露光基板表面
目金わせマーク位置 ３・・マスク基板 ４・・マスク
基板表面目金せマーク位置 ５・・反射鏡 ６・・レン
ズ光学系 ７・・光線 ８・φＸ線 １２・・被露光基
板表面の非露光部位。 以 上 出願人 株式会社諏訪精工舎 代理人 弁理士最 上 務 ５− 第１図
Claims (1)
- 被露光基板上の図形とマスク図形とを目合わせし、露光
する露光装置に於て、被露光基板面の少なくとも２端部
に於て目合せマークを有し、且つ該基板面上の目合わせ
マーク位置とそれに伴って形成されているマスク上の目
合せマークとに合致した光学的マーク検出部位を前記基
板端部の目合わせマーク上に設置することを特徴とする
露光装置目合わせ機構。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57017725A JPS58134640A (ja) | 1982-02-05 | 1982-02-05 | 露光装置目合わせ機構 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57017725A JPS58134640A (ja) | 1982-02-05 | 1982-02-05 | 露光装置目合わせ機構 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58134640A true JPS58134640A (ja) | 1983-08-10 |
Family
ID=11951716
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57017725A Pending JPS58134640A (ja) | 1982-02-05 | 1982-02-05 | 露光装置目合わせ機構 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58134640A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0721560B2 (ja) * | 1990-10-01 | 1995-03-08 | ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ | Ｘ線作像配列を形成する方法と配列 |
-
1982
- 1982-02-05 JP JP57017725A patent/JPS58134640A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0721560B2 (ja) * | 1990-10-01 | 1995-03-08 | ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ | Ｘ線作像配列を形成する方法と配列 |
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