JPS58133717A - 接触素子およびその製法 - Google Patents
接触素子およびその製法Info
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- JPS58133717A JPS58133717A JP58010030A JP1003083A JPS58133717A JP S58133717 A JPS58133717 A JP S58133717A JP 58010030 A JP58010030 A JP 58010030A JP 1003083 A JP1003083 A JP 1003083A JP S58133717 A JPS58133717 A JP S58133717A
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- JP
- Japan
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- layer
- rhodium
- contact element
- contact
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- Pending
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H1/00—Contacts
- H01H1/02—Contacts characterised by the material thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H11/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of electric switches
- H01H11/04—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of electric switches of switch contacts
- H01H11/041—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of electric switches of switch contacts by bonding of a contact marking face to a contact body portion
- H01H2011/046—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of electric switches of switch contacts by bonding of a contact marking face to a contact body portion by plating
Landscapes
- Contacts (AREA)
- Manufacture Of Switches (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はとくに強磁性担体材料上に少なくとも２つの互
いに重なる電気メッキした接触層を４４し、その外層が
ロジウム、その下にある第２１−が貴金属からなる接触
素子およびその製法に関する。
いに重なる電気メッキした接触層を４４し、その外層が
ロジウム、その下にある第２１−が貴金属からなる接触
素子およびその製法に関する。
リレー等に使用する多層接触素子の場合、本来の接触層
を金または金合金から製造し、次にこの層を低温溶着を
避けるため薄いロジウム層で被覆することは公知である
（ Ｅｌ’ｅｋｔｒｏｔｅｃｈＨ１に−１５、１９８１
年５８〜５９ページ参照）３、ロジウム層による接触抵
抗をあまり大きく上昇しないように、この保護層の厚さ
は１μｍ より小さく、多くは０．１μｍ程度に選択さ
れる。
を金または金合金から製造し、次にこの層を低温溶着を
避けるため薄いロジウム層で被覆することは公知である
（ Ｅｌ’ｅｋｔｒｏｔｅｃｈＨ１に−１５、１９８１
年５８〜５９ページ参照）３、ロジウム層による接触抵
抗をあまり大きく上昇しないように、この保護層の厚さ
は１μｍ より小さく、多くは０．１μｍ程度に選択さ
れる。
公知のロジウム被覆した金または金合金層は多くの用途
で接触抵抗および低温浴着の点で満足な結果を示すけれ
ど、費用の点で改善が望まれる。
で接触抵抗および低温浴着の点で満足な結果を示すけれ
ど、費用の点で改善が望まれる。
それゆえ本発明の目的はスイッチ数が大きい場合にも低
い接触抵抗を維持し、低温溶着の傾向を示さない貴金属
接触層およびロジウム被覆を有する接触素子を得ること
である。
い接触抵抗を維持し、低温溶着の傾向を示さない貴金属
接触層およびロジウム被覆を有する接触素子を得ること
である。
この目的は本発明により貴金属層が銀からなり、ロジウ
ム層が０．２〜２μｍの厚さを有することによって解決
される。
ム層が０．２〜２μｍの厚さを有することによって解決
される。
銀被覆および薄いロジウム被覆を有する本発明の接触素
子は長期間使用した後も冷間溶着または接着の傾向を示
さず、はぼ一定の低い接触抵抗を維持する。接触抵抗が
同様に薄くロジウム被覆した金または金合金の接触層の
場合よシ一定であることは意外である。さらに本発明に
よる接触素子は接触材料に銀を使用することから生ずる
付加的利点を有する。銀は金よりはるかに安く、接触材
料として金より高負荷に耐える。
子は長期間使用した後も冷間溶着または接着の傾向を示
さず、はぼ一定の低い接触抵抗を維持する。接触抵抗が
同様に薄くロジウム被覆した金または金合金の接触層の
場合よシ一定であることは意外である。さらに本発明に
よる接触素子は接触材料に銀を使用することから生ずる
付加的利点を有する。銀は金よりはるかに安く、接触材
料として金より高負荷に耐える。
ロジウム約２μｍ の層厚までロジウム被覆した銀接触
素子は純ロジウム接触素子より抵抗が低い。ロジウム層
厚０．３〜１ μｍでとくに良好な結果が得られる。銀
層の厚さは１〜１０μｍとくに２〜５μｍが有利である
。銀層の下に有利に厚さ約２〜４μｍのニッケル層、そ
の下に場合によりさらに厚さ２〜１０μｍ の銅層を設
けることによシ、とくに強磁性担体材料と銀接触層の間
の拡散障壁が得られる。
素子は純ロジウム接触素子より抵抗が低い。ロジウム層
厚０．３〜１ μｍでとくに良好な結果が得られる。銀
層の厚さは１〜１０μｍとくに２〜５μｍが有利である
。銀層の下に有利に厚さ約２〜４μｍのニッケル層、そ
の下に場合によりさらに厚さ２〜１０μｍ の銅層を設
けることによシ、とくに強磁性担体材料と銀接触層の間
の拡散障壁が得られる。
次に表１および表２によりリレー接点の本発明によりロ
ジウム被覆した銀層と同様−にロジウム被覆した金コ・
々ルト層の比較実験結果を接触抵抗および接着傾向にょ
シ説明する。
ジウム被覆した銀層と同様−にロジウム被覆した金コ・
々ルト層の比較実験結果を接触抵抗および接着傾向にょ
シ説明する。
表１には種々の接触層における接触抵抗の変化が示され
る： 表１（各２５リレーによる３つの試験）新しい状態です
べての層すなわちロジウム被覆した銀層およびロジウム
被覆した金−コバルト層の接触抵抗は４０ｍΩより低か
った。ロジウム被覆した銀層は１０８スイツチ数の測定
終了までその接触抵抗はつねに５０ｍΩに達しなかった
けれど、金−コバルト層の場合、スイッチ数１０５ か
ら散発的にこの値を超えた。
る： 表１（各２５リレーによる３つの試験）新しい状態です
べての層すなわちロジウム被覆した銀層およびロジウム
被覆した金−コバルト層の接触抵抗は４０ｍΩより低か
った。ロジウム被覆した銀層は１０８スイツチ数の測定
終了までその接触抵抗はつねに５０ｍΩに達しなかった
けれど、金−コバルト層の場合、スイッチ数１０５ か
ら散発的にこの値を超えた。
表２
接着傾向（冷間溶着傾向）を試験するため表１と同じチ
ャージを使用した。表１の第２欄にはそれぞり、使用し
た接触材料、第３欄には新しい状態で接着した接触素子
の数が示される。測定のために最初の応答の際のリレー
の応答値が標準動作に比して１５％以上高いものは接着
素子と定義した。
ャージを使用した。表１の第２欄にはそれぞり、使用し
た接触材料、第３欄には新しい状態で接着した接触素子
の数が示される。測定のために最初の応答の際のリレー
の応答値が標準動作に比して１５％以上高いものは接着
素子と定義した。
表２から新規状態の薄くロジウム被覆した銀層は１回の
接触で接着したものがないけれど、薄くロジウム被覆し
た金−コバルト層では１つのリレーに接着が生じたこと
が明らかである。
接触で接着したものがないけれど、薄くロジウム被覆し
た金−コバルト層では１つのリレーに接着が生じたこと
が明らかである。
薄くロジウム被覆した銀層の場合、１０スイツチ数の試
験終了まで接着素子が現れなかつたけわど、薄くロジウ
ム被覆した金−コ・マルト層ではとくにロジウム層厚が
薄い場合２．５・１０’スイツチ数を超えると著しく接
着素子が発生した。
験終了まで接着素子が現れなかつたけわど、薄くロジウ
ム被覆した金−コ・マルト層ではとくにロジウム層厚が
薄い場合２．５・１０’スイツチ数を超えると著しく接
着素子が発生した。
全体的に試験結果から本発明による薄くロジウム被覆し
た銀接触層はスイッチ数が大きい場合も、試験した金−
コ・マルト層に比して一定の低い接触抵抗およびきわめ
て低い接着傾向を示すことが明らかである。
た銀接触層はスイッチ数が大きい場合も、試験した金−
コ・マルト層に比して一定の低い接触抵抗およびきわめ
て低い接着傾向を示すことが明らかである。
銀接触層を被覆する場合、有利に光沢剤および湿潤剤を
ほとんど含まない電解液を使用し、ウェーブ電気メツキ
法（Ｓｃｈｗａｌｌｇａｌｖａｎｉｋｔｅ−ｃｈｎｉｋ
）でメッキするのが有利である。有利に４〜７重量％
のイオウを含むロジウム層はこれに反しスプレー電気メ
ツキ法（ジェットブレーティング）でメッキするのが有
利である。それによって保護層のとくに正確な層厚が達
成される。さらに接触素子を接触層の被覆後熱処理する
のが有利である。
ほとんど含まない電解液を使用し、ウェーブ電気メツキ
法（Ｓｃｈｗａｌｌｇａｌｖａｎｉｋｔｅ−ｃｈｎｉｋ
）でメッキするのが有利である。有利に４〜７重量％
のイオウを含むロジウム層はこれに反しスプレー電気メ
ツキ法（ジェットブレーティング）でメッキするのが有
利である。それによって保護層のとくに正確な層厚が達
成される。さらに接触素子を接触層の被覆後熱処理する
のが有利である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 強磁性担体材料上に少なくとも２つの互いに重な
る電気メッキした接触層を有し、その外層がロジウム、
その下にある第２層が貴金稿からなる接触素子において
、ロジウム層が０、２〜２μｍの厚さを有し、その下に
ある貴金属層が銀からなることを特徴とする接触素子。 ２、 ロジウム層が０．３〜１μｍの厚さを有する特許
請求の範囲第１項記載の接触素子。 ３、 ロジウム層が４〜７重量％のイオウを含む特許請
求の範囲第１項または第２項記載の接触素子。 ４、銀層が１〜１０μｍの厚さを有する特許請求の範囲
第１項〜第３項の１つに記載の接触素子。 ５ 銀層の下に厚さ２〜４μｍのニッケル層がある特許
請求の範囲第１項〜第Φ項の１つに記載の接触素子。 ６、担体材料と貴金属層の間に厚さ２〜１０μｍの付加
的銅層が配置されている特許請求の範囲第１項〜第５項
の１つに記載の接触素子。 ７、強磁性担体材料上に少なくとも２つの互いに重なる
電気メッキした接触層を有し、その外層がロジウム、そ
の下にある第２層が貴金属からなる接触素子の製法にお
いて、担体材料上で順次に銀層を浴またはウェーブ電気
メツキ法で、次にロジウム層をスプレー電気メツキ法で
被覆することを特徴とする接触素子の製法。 ８、銀層を被覆するため光沢剤および湿潤剤を含まない
とくに純粋な電解液を使用する特許請求の範囲第７項記
載の製法。 ９ 接触層を被覆した後、接触素子を特徴とする特許請
求の範囲第７項または第８項記載の製法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE32030371 | 1982-01-29 | ||
| DE3203037A DE3203037C2 (de) | 1982-01-29 | 1982-01-29 | Kontaktelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58133717A true JPS58133717A (ja) | 1983-08-09 |
Family
ID=6154317
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58010030A Pending JPS58133717A (ja) | 1982-01-29 | 1983-01-26 | 接触素子およびその製法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0088220B1 (ja) |
| JP (1) | JPS58133717A (ja) |
| DE (2) | DE3203037C2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0227972B1 (de) * | 1985-12-06 | 1989-08-02 | Siemens Aktiengesellschaft | Kontaktelement für elektrische Schaltkontakte |
| DE3813142A1 (de) * | 1988-04-20 | 1989-11-09 | Duerrwaechter E Dr Doduco | Bandfoermiges oder plattenfoermiges halbzeug fuer elektrische kontakte |
| DE19530512C1 (de) * | 1995-08-18 | 1996-10-17 | Siemens Ag | Elektrisches Schichtkontaktelement, Halbzeug für Schichtkontaktelemente und Verfahren zu seiner Herstellung |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5363584A (en) * | 1976-11-18 | 1978-06-07 | Fujitsu Ltd | Method of manufacturing switch moving body |
| JPS54129359A (en) * | 1978-03-30 | 1979-10-06 | Nippon Electric Co | Lead switch |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1802932B2 (de) * | 1968-10-14 | 1974-11-14 | W.C. Heraeus Gmbh, 6450 Hanau | Verfahren zur Herstellung eines elektrischen Schaltkontaktes |
| DE2038929B2 (de) * | 1969-08-29 | 1978-03-16 | N.V. Philips' Gloeilampenfabrieken, Eindhoven (Niederlande) | Kontakt für eine Schaltvorrichtung der Nachrichtentechnik |
| DE2442212A1 (de) * | 1974-09-04 | 1976-03-25 | Licentia Gmbh | Verfahren zur haftfesten galvanischen beschichtung von kontaktwerkstoffen mit rhodium |
| GB1517702A (en) * | 1974-09-19 | 1978-07-12 | Fujitsu Ltd | Electrical contact |
-
1982
- 1982-01-29 DE DE3203037A patent/DE3203037C2/de not_active Expired
-
1983
- 1983-01-26 EP EP83100717A patent/EP0088220B1/de not_active Expired
- 1983-01-26 JP JP58010030A patent/JPS58133717A/ja active Pending
- 1983-01-26 DE DE8383100717T patent/DE3371958D1/de not_active Expired
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5363584A (en) * | 1976-11-18 | 1978-06-07 | Fujitsu Ltd | Method of manufacturing switch moving body |
| JPS54129359A (en) * | 1978-03-30 | 1979-10-06 | Nippon Electric Co | Lead switch |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3371958D1 (en) | 1987-07-09 |
| DE3203037C2 (de) | 1984-03-08 |
| EP0088220A2 (de) | 1983-09-14 |
| EP0088220A3 (en) | 1985-05-15 |
| EP0088220B1 (de) | 1987-06-03 |
| DE3203037A1 (de) | 1983-08-18 |
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