JPS58132925A - パタ−ン投影によるデバイス製作法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は相異る波長帯域をもつ複数個の光ビームを用い
、各ビーム自体に二次元的なパターン情報を特大せ、基
板上に投影する投影光学系によシ、複数のビームを混合
し良状態で基板上に結像させ、もって同一時点乃至同一
索工程で複数の反応を合理的におζ表わせる光パターン
投影デバイス製作法に関する。例えばレーザ・アニール
技術で拡パルスレーずビームｔ−７二−ルのためのエネ
ルギー源としているが、従来紘このビーム自体Ｋ　パタ
ーン情報等の光の局在性を持たせる考えがなく、同一時
刻において平面方向におけるビーム！！Ｆ度を自由に選
択する手段がなかったために、選択的、局部的アニール
を、行表おうとする場合、アニールすべきウェーハ乃至
基板上に所要のイ（ターンに応じたＳｉｎ、膜とかＡＩ
膜で形成されたマスクを施さねばならなかつえ。

またその結果は必ずし４ｊｌＬ好とは言えなかった。

本発明は、上述のように基板上でＳ　ｉ　Ｏ！等の保護
のマスクをするようなことを行わないで、レーザービー
ム（〕ζルス冗ビーム、逐枕阪ビームを含む）岬の光ビ
ーム自体にパターン情報を持たせ、基板上での化学反応
又は光化学反応又はアニール等による物質の変化を選択
した場所　−にのみ生じさせ、光の照射のない部分には
そうした変化を起こさせないという発想に基づき、更に
これを一歩進めて、同一時点乃至同一素工程で、複数種
の物質の所要の変化を起こさせる処理が可能なようにし
たものである。

そしてこの主目的を達成した結果から見ると後述のごと
く本装置はレーザアニールのパターン化に有用なことは
もちろん光ビームによる化学蒸気沈着によって形成され
る金属膜、半導体膜およびＳｔｅｗ　、８１１Ｎ４等の
絶縁膜のパターン化等にも有効である。従って、１物質
の変化ｌとは、結晶構造、形態郷の態様の変化や気相無
形から同相有形への変化等を含む抱括語である。

また、こうし喪物質の変化を生ずる気反応Ｉとは、後述
の各実施例からも顕らかなように、光ビームが直接にこ
れに関与する光化学反応や熱エネルギ源としての溶融反
応を始め、光増感作用等、一種の媒質として光が作用す
る反応も含む。

従来の実験によれば、光化学反応は各種薄膜のエツチン
グにも有効である。たとえばシリコン膜はＣＩ量又は１
３ｒ、のガスを用いて光化学反応を行なうことが出来、
０．５４＠変のシリコン膜は波長４８８０Ｘｏｈｒ　レ
ーザ又は波長２５７ｏＸのＡｒ＋Ｖ−ｆの第２高調波に
よってエツ、チングカ可能である。又化合物半導体では
、ＧａＡｓは１００Ｗ／−の２５７０Ｘのレーザ光でＣ
）ｈＢｒ　７５０　Ｔｏｒｒ　４度の蒸気圧で５〜１０
ルーのエツチングが可能である。同様にＩｎＰも１００
Ｖ−の２５７０Ｘのレーザ光で〜Ｂｒ　７５０　Ｔｏｒ
ｒ程度で５〜１０ルーのエツチングが可能である。

また金属膜についても化学蒸気沈着に可能である。たと
えはＣ’　（ＣＨａ）＊やＡＩ　（ＣＨａ）ｔは２ｑｏ
ｏ〜５０００Ｘにかけて遠紫外の吸収が起る。従来のデ
ータから検討するとＣｄ　（ＣＨａ）＊はほぼ２５ｏｏ
Ｘにおいて光化学反応による吸収が起る。一方Ａ　Ｉ　
（Ｃ）Ｑａは従来のデータを検討するとｚｔｏｏＸ付近
で光イし“学反応による吸収がおこっている。このよう
に則じ金属でもＣｄを沈着させる場合とＡＩを沈着させ
る場合では、光化学反応で要求される光の波長がちがっ
てくる。したがってこの例からもわかるように、はとん
どのガス状の蒸気分子は光化学反応においてその吸収特
性に４Ｉ性波長があることがわかる。

また、この光化学反応を用いた局所パターン形成法によ
って半導体中に不純物を拡散することやオーム性接触を
形成することができる。たとえばシリコンに関しては、
ＢＣｌ３又ｔｌＢＢｒ、を用いて遠紫外光を照射すると
Ｂがシリコン中に拡散し、Ｐ領域を作ることが知られて
いる。したがって基板がＮｕの時は良好なＰＮ接合がき
わ２０〜３０μ程度の実験例がある。この時の光束書度
は数脇シーである。しかし、この実験例では５１４５又
の第２高調波である２５７２Ｘの光束は５．５講Ｗであ
シ、きわめて少ない。っまシこの場合は２５７２Ｘの光
で化学蒸気沈着を行い、５１’４５Ｘの光で、局部的加
熱を行っている、即ち、光化学反応と同時に溶融反応と
してのレーザアニールを行なっているが、二つの波長の
各エネルギ量はこのように極めてアンバランスであシ、
個別に制御することが難しく、シかも、その波長関係線
整数倍乃至整数分の−の関係に固定されていて融通がき
かない。勿論、この実験例には光ビーム自体にパターン
情報を載せる考えは危い。

こうし九実情に即し、本発明の有効性を示すため、以下
、各実施例に就き詳記する。

第１図は本発明の多波長の照射が可能なパターン投影デ
バイス製作法に用いる装置の一声で、反応室を持ってい
る。図示の装置では、光源は波長が相異る／Ａ、／Ｂ、
／Ｃの例えば、５つから成っている。しかしこの例にか
ぎらずさらに光源を増すこと紘本図の構成が開示された
以上、設。

１的な問題となる。

光源の次にディフューザλＡ、λＢ、コＣがある。

このディフューザはレーザ光の光源の％黴であるコヒー
レンシーを除去するためのものであシ、既存のものを使
うことができる。具体的にはその波長に適した光ファイ
バを用いて光ファイバの束（光フアイババンドル）を作
）、大口径のレーザ光をその一方の庵にあてる。その一
方の端を図中で１面とし、１面のファイバの束は空間的
に固定し、残シのもう一方の端面に面において各ファイ
バの配置及びその長さを調整できるようにしておく。こ
のような調整によってウェーハ基板上にあたる光の照射
密度の均一化をはかることができると同時にコヒーレン
シーが除去されるので光の回折等による不必要な光の二
次元濃淡パターンを除くことができる。ディフューザｕ
Ａ　、　、２Ｂ　、　２Ｃの次にはコリメータ光学系Ｊ
Ａ、　ＪＢ　、　ｊＣをおく。このコリメータ光学系の
次にはミラー≠Ａ、φＢ、弘Ｃを置く。このミラーは光
源／に、／Ｂ、ＩＣの混合に用いるものである。

このミラーのうち参Ｂ、ＶＣは誘電体多層膜を上下部に
もつ。例えば参Ｂのミラーは上部より／Ａ光源の光を透
過させると同時にｌＢ光源の発した横方向からの光を直
角に反射させ、これにより／Ａ光源とｌＢ光源の光を混
合させるのに使われる。

次に、望ましくは円弧状のスリン）ｊによって、円弧状
の光ビームを形成する。円弧状に形成され九光束は、マ
スク基に照射される。このマスク４は所定のデバイス又
は回路パターンの情報を含んでいる。このマスク６上の
パターンは、照射されるレーザ光が強力な場合は、Ｃ【
などの金属膜では破壊されるので、その場合には、レー
ザ光を吸収しない誘電体多層膜からなるパターン管使用
すればよい。このマスク６上に円弧状の光束が照射され
ると、すでに知られている反射量投影露光装置と同じ原
理によって、１対１０円弧状の投影像（マスクパターン
情報を持つ）がウェーハ７に形成される。この円弧状の
部分は、円弧の幅が通常の設計条件では１ｇｍから１０
−程度であるので、全マスク７を照射する。

ことができない。したがって、この方式で全マスクパタ
ーンをウェーハに投影するためには、マスクとウェーハ
を公知装置によシ常時一定の速度で平行移動させれば良
い。但し、本発明により、光照射と同時に化学反応を起
こす場合に、反応中にウェーハの移動を起させない方が
良ければ、別の方式も考えられる。すなわち一種の逐次
移動方式であって、円弧の投影像を一定の時間静止して
照射した後、円弧の中一つ分だけマスクとウェーハを動
かせばよい。本装置の投影光学系をさらに詳細に説明す
ると、第１図に示すように１はとんど反射ミラー系から
できている。マスクの直下には台形のミラーｔがあシ、
ｌのミラーを出た光束は、凹面鏡りに当る。凹ｔｈｉ鏡
りより出た光束は、小凸面鏡ｉｏに幽ｐ、ｔＯよシ反射
された光束は、再度、凹面鏡りに当る。

凹面鏡りにより反射された光束は、再度台形ミラーｔ゛
に当シ、この台形ミラーによシ反射された光束は、ウェ
ーハ上に円弧状の投影パターンを結偉させる。

ウェーハと投影光学系とを分離させるために、試料室／
／がある。試料＊／／の上部には、透明な薄い石英板な
どでできている窓ｌコがある、試料室／／には、必要に
応じてガス雰囲気での反応が行なえるようにガス導入口
／Ｊとガス排出口重がある。試料室の内にウェー７・支
持台／ｊかあり、ｉｊの上にウエーノＳ７が置かれてい
る。

ウェーハ支持台／ｊはＸＹｚに移動可能な公知の位置合
せ機構１６に保持されている。

位置合せ機構／４は一方向の回転も可能なものが良い。

このような位置合せ機構／乙によってウェーハとマスク
との位置合せを可能にする３、これらはさらに移動台ｌ
＋上にのっておシ、移動台ｔ７ｄ公知のマスク・ウェー
Ｉ・同時移動機構／ｌによってマスク６と動的に一体と
なって平行移動できる。

これによって先に述べたようにマスクとウェーハの同時
勢速移動ま九はマスクとウェー・・の逐次移動が可能に
なる。を九、／？Ａ、／９Ｂ、／りＣは光強度を調節す
る丸めのニュートラルデンシテイフィルタである。

以上の装置構成によって行える複合プロセスの本発明一
実施例として、Ｓｉ薄膜をデポジットしつつ、同時にＢ
をドープする方法を以下に説明する。試料室乃至反応室
／／にＳｉのアルキルまたはカルボニル蒸気とＢＣＣＨ
ｓ”）ｓ　を導入する。光源／Ａとして、ルビーレーザ
（λ＝　６９０ＯＡ）　、光源／Ｂとして遠紫外領域（
２０００〜２５００Ｘ　）のレーザ、光源ＩＣとしてＦ
ｉＡｒＦエキシマ−レーザ（λζ２０００Ｘ）を用いる
。光源／ＢによジアルキルＳｉが分解し、Ｓｉ薄膜が形
成され、同時に光源／Ａによって加熱アニールされると
共に１光源／ＣによってＢ（ＣＨｍ）ｉが分解し、Ｂが
Ｓｉ薄膜中にドープされる。

以上述べた反応のほかにも２０００Ｘ〜２５００Ｘの遠
紫外レーザ光源を用いれば、ＳｉＬとＮＨｉからなるガ
ス蒸気系から光化学反応によｆｉｓｉ、Ｎ、膜が形成で
きることが知られている。この場合反応系に微量の珈蒸
気があれば　ｐｈｏｔｏｓ−髪ｊｔｓｇ＊ｄｄｍｃｏｍ
ｐｏａｉｔｉｔｙｎ　　（光増感分解反応）となシ、通
常の光化学反応より１０〜１００倍反応が加速されるこ
とが知られている。しかし珈蒸気を用いることはかなら
ずしも望ましくない場合も多いのでその場合は照射レー
ザ光を強くすれば充分な反応速度が得られる。５ＩＩＮ
４膜以外にも５ＬＨ４と０重を用いれば同様の波長領域
で５１０ｍ１ｌが形成できる。この場合遠紫外光源のみ
を用いた場合は基板温度は、１００℃以下であ夛、きわ
めて低温で絶縁膜が形成できることがわかる。この絶縁
膜の特性が低温形成のためにリーク電流や耐圧などのＩ
Ｃ構成要素として特性が不充分の場合は、前記の加熱用
光源／ＡＫよるレーザアニールを同一のマスクパターン
を用いて同時に行なえばよい。

また波長領域５０００〜６０００Ｘ＠度の光源にしてＣ
Ｉ、又はＢｒ、などのハロゲン蒸気を用いれば、ポリシ
リコン層又は単結晶シリコンを回路パターンに応じてエ
ツチングすることができる。この場合も基板表面の加熱
が必要な時は加熱用光源／Ａを同一マスクを通して照射
することによって可能になる。

また遠紫外光を用いてＡＩ　（Ｃ迅）ｉ蒸気に光化学反
応をおこさせれば所要のパターンのアルミ配線が可能と
なる。以上のべたように、各種の光源を用意すればシリ
コン膜の沈着、絶縁膜の形成、シリコン膜のエツチング
、不純物の拡散、アルミニウム勢金属膜の沈着等の複数
の物質の変化を任意に組合せて任意の回路パターンをマ
スク基のパターン情報によって形成することができる。

なお上記の例は一枚のマスクを各ビームに共通に用いる
ものであったが、第２図に示すように光源／Ａ、　／Ｂ
に対してそれぞれ異なる専用のマスク４Ａ、　ｌを用い
ることもできる。この場合は、例えばマスク６Ａによっ
て形成された金属配線ノくターンの一部を、マスク６Ｂ
を通して光源２Ｂによって加熱し、下地と合金させるこ
とを単一のプロセス、で同時に行うことができる。尚、
第２図中、他の構成子は第１図示のそれと符号の対応を
採ったもの同志、同一で良いので、説明を省略する。

次に、半導体デバイス、ＩＣ等の製作上の要素プロセス
の一例を第５図に示し、本発明をそうしたプロセス中に
どのように採用できるかを説明する。

第５図の（１）の工程では、Ｓｉ、１ｌｌｉ板α、上ｔ
ｉｃｓＩＣｈ等の絶縁膜町を１Ｐｓ１１度付着させ、さ
らにアモルファスシリコン（綿ｏｒｐｉｕｐｕ−５４：
α−８ｉ）をＬＰ（至）（減圧化学気相沈着）で約０．
５〜０．４μ雷デポジツトする。同図（２）の工程では
、たとえばエキシマレーザ、ルビーレーザのような大口
径レーザ（λ冨２５００Ｘ〜６０００Ｘ　）を光源とし
、Ｃ１ｔ又はＨＣＩ又はＢｒ、をガス源としてパターン
エツチングを行なう。

この時、在来は一波長てのパターンエツチングを行なっ
ていたが、ここに本発明を用いて、Ｄｅｅｐ　ＵＶ　（
遠紫外）領域のエキシマレーザを第１図示装置の光源／
Ａとして、長波長のルビーレーザ又はＮｄ　−Ｙａｇレ
ーザを光源ｌＢとして使用すると、長波長の局部加熱に
よる効果とＤｅｅｐＵＶによる化学反応の効果とを分離
して、但し同時に作用させることができるので、良好な
エツチングが行える。

このようにして、同図（３）に示すように８４のアイラ
ンドを形成することができる。

しかし、Ｓｉのエツチングに替えて、Ｓｉの７オトデボ
ジシヨ／もＳｉのアルキル化合物等を用いて可能である
から、このパターンフォトデポジションを行なえば直接
に同図（３）の構造ｉ具現できる。

この方法による時も、在来は一波長のレーザにのみよっ
ていたが、ここに本発明の方法を用いて、例えば第１図
示装置の光源／ＡとしてＤｅｅｐＵＶ領域のエキシマレ
ーザ、光源ｔＢとして長波長のルビーレーザ又ｔｉＮｄ
−Ｙａｇレーザを用いれば、長波長の局部加熱効果と］
）ｅｅｐ　ＵＶによる化学反応の効果とを分離的に同時
に作用させることができ、良好に制御されたＳｉのアイ
ランドのデポジット条件を得ることができる。

以上のようにして形成されたＳｉのアイランドを酸化す
れば、工５（４）の５ｌｏｔのアイラッドα１が形成さ
れる。工程（４）の状態にα−８ｉを全面に付着させ、
同図（５）のようにパターン化された光束によゐエツチ
ングを行なえば、工程（６）の８１アイランドぼッが形
成される。このｓ１アイランドαマは、５ｌｏｔの側壁
との間に若干の隙をあけておくものとする。そこで公知
のＣＷ（連続波）Ａｒし〜ザ装置で、同図（７）に示す
ようにウェーハ全面を走査する。レーザービームのスポ
ット径は、ｓｏＰ鍋程度で、走査速度は約１０卿−、ス
ポットライン間のだぶ’）　ｕ、２０ｐ−１１１Ｆとす
る。必要に応じては基板を数１０ｏ′ｃＫ加熱しながら
、アニールを行うことが有効である。仁の程度の条件で
ＣＷレーザの出力４〜６ｗで７ニールすると、ナでに知
られているように１高移動度の結晶層ａ虐が得られる。

この工１ｉにおいて、ｃｗし７ザーアエールを行ったが
、とのｃｗレーザ光源ハ、第１図の装置の光源とせず、
ウェーハを別チャンバに移行させて、別の６ｗ光源の走
査による全面アニールとしても良い。もちろん、この　
゛ＣＷアニールも投影光学系の破損がないようにできれ
ば、パターンアニールも不可能ではない。

第４各図はデバイス構造としては５ＯＩ（Ｓｓｏｎｉ議
１ａｔｏｒ　）型ＭＯ８）ランジスタを作る工程を示し
ており、こうした工程に沿って本発明の利用の仕方を述
べる。第４図（１）の工程まで紘第５図で説明した要素
プロセスのＬＯＣＯ８状構造でＡ／はＳｉ基板、υはＢ
ｌへＩＩ（０，５Ｐ以上）　、ＡＪはＳｉへの側壁、Ａ
事はＣＷレーザーアニールされた高移動度結晶層である
。さて第４図（２）の工程においてＬＯＣＯ８構造のＳ
ｉのアイランドをドライ酸化し、５００〜１０００Ｘの
ゲート酸化膜ＡＩを形成する。同図（３）の工程では、
さらに全面にポリシリコン膜Ａｔをデポジットする。次
にポリシリコンゲートになるべき部分Ａ７をパターン光
束による光化学エツチングで工程（４）に示すように、
パターンエッチして工程（５）のポリシリコンゲートＡ
７を形成する。

この時も、在来は一波長でのパターンエツチングを行な
っていたが、よシ良好なエッチ制御を得る九めに本発明
方法を援用することができる。即ち、第１図示装置の光
源／Ａとして既述のエキシミレーザ、光源／Ｂとして既
述のルビーレーザ又はＮｄ−Ｙａｇレーザを用いれば、
長波長局部加熱効果と遠紫外化学反応効果とを分離的且
つ同時に作用させることができ、良好なエツチングを行
うことができる。

次にゲー）Ａ７をマスクとして、Ｓｉｎ、膜をドライエ
ッチし、工程（７）　、　（８）で示すように、ゲート
部の酸化膜Ａ１１ポリシリコンＡ７をマスクとして、た
とえばｎ＠不純物をイオン注入しＣＷＡｒレーザで出力
を調整して同相エピタキシの範囲でレーザーアニールを
全面に行う。ＣＷレーザーアニールの同相エピタキシの
場合、イオン注入不純物は再分布をほとんど起さないで
、結晶性を回復する。これによってイオン注入によ委自
己整合された微細寸法のソース部ＡｊｃドレインＡりＣ
の形成が可能となる。同図（９）の工程においては、フ
ィールド酸化膜（ＣＶＤ　５ｉｎｓ　展）　Ａ１０を全
面にデポジットする。同図（７）の工程では、全面α−
８ｉＮＡ／／が形成されているが、以下ではとのα−３
ｓ膜をパターンエツチング（ロ）を行うと、同図（ロ）
の工程に示すようにＳｉ層Ａ／／Ｃを残すことができる
。ついで工程（６）、（至）Ｋよって、ａ−３４層Ａ／
／Ｃをｆｆスクとして、ＣＶＰ　ＳｉＯｍＡ／７　ｆ：
　）”ライエッチしてソース、ゲート、ドレイン用の各
コンタクト孔を形成することができる。この工程の後で
レジスト的使い方をしたａ−８＜層Ａ／／Ｃは、別のパ
ターン光束によるシリコン層エッチで除去することがで
きる。これＫよって、工程（至）のデバイス断面の構造
を得る。以上の説明においては、Ｓｉｎ、のパターンデ
ポジションのプロセスを利用しなかったが、パターンデ
ポジションによシ高性能のＳｔｏｗ膜Ａ／λができる場
合は工程（８）から直接工程（２）にプロセスステップ
を短縮することができ、能率的なプロセスとなる。

同図α◆〜（ロ）の工程は電極コンタクト形成工程であ
って、高ドープ（ｆＬ′！ｊＩｌ）ポリシリコン膜Ａ１
３を全面付着させ同図（ロ）に示すようにパターンヤα
ｐｏｒエッチ管行えば、同図（ロ）のようにコンタクト
用高ドープポリシリコン層Ａ／ＩＩ、ＡＩ！ｒ、Ａｌ１
を形成する。同図（ロ）の工程以後ＡＩの電極は、ＡＩ
　（ＣＨＩ）ｌのパターンデポジションによって可能で
ある。

この時のＡＩの局部デポジションも、本発明の方法を用
いて、第１図示装置光源／Ａとしてエキシマレーザ、光
源／ｆ３としてルビーレーザ又ハＮｄ−Ｙａｇレーザを
用いる等すれば、先に述べ大同時に分離的に作用する各
効果によシ良好な条件でＡｔのパターンデポジションを
行うことができる。

尚、Ａ１＊ＭｏｅＰｔ等の金属電極は、工＠（１０乃至
（２）の方法と類似の方法でエツチングすること４でき
る。

上記した第５，４図の各工程で、−波長の光のみを用い
る場合も、第１，２図装置は押用することができるから
、パターニングをすべてレジストレスプロセスとするこ
ともでき、以後の工程を低温連続プロセスとすることが
できる外、パターン化しえポリシリコン層等はそのまま
デ。

バイス構成要素として残すことができる。

ともかくも、本発明によれば、独立に選択できる複数の
波長によす、同一時点乃至同一素工程で、複数の光の介
在した効果として複数の物質の変化を起こすことができ
、各種集積回路等の製造の能率向上、性能向上に寄与す
ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明方法に用いる装置の一例の概略構成図、
第２図はもう一つの例の装置の概略構成図、第３図は本
発明を要所に用い得る半導体装置要素プロセスの工程に
即した説明図、第４図は同じく本発明を要所に用い得る
半導体装置の製作工程に即した説明図、である。 図中、／Ａ、／Ｂ、／Ｃは光源、参Ａ、参Ｂ、≠Ｃは光
混合用ミラー、ｊ　、　ｊＡ　、　ｊＢはマスク、７は
ウェーハ、ｊは台形ミラー、りは凹面鏡、ＩＯは凸面鏡
、／／は試料室乃至反応室、ｌｌはマスク、ウエーノ・
同時移動機構、である。 第３ｒＩＩＪ ＋１１１ＮＩ１ １１４図 第４ 図 第１頁の続き ０発　明　者　佐藤卓藏 茨城県新治郡桜村梅園１丁目１ 番４号電子技術総合研究所内 ０発　明　者　宮崎健創 茨城県新治郡桜村梅園１丁目１ 番４号電子技術総合研究所内 図工■１ 手続補正　書（自発） １事件の表示 昭和５７年特許願第１５５４９　　号 ２発明の名称 パターン投影によるデバイス製作法 ３　補正をする者 事件と９関係　特許出願人 東京都千代田区霞か関１丁目３番１号 １１４　工　　業　　技　　術　　院　　長　　石　　
坂　　誠　　−４指定代理人 （特願昭５７−１５５４９号） 内　　　　　容 ／、　発明の詳細な説明中を次のよ−うに訂正。 （１）　　第１４！頁１行の「略する。」を次のように
訂正。 「管路する。また、第１．２図示いづｎｏ場合でも、投
影系は反射臘に代えて、設計条件の遭遇によシ、既存の
屈折光学系（レンズ光学系）１用いることもできる。」 （２）第Ｊ／頁１行の「残すことができる。」を次のよ
うに訂正。 「残すことができる。尚また、応用の如何によっては、
各ビー＾に関する各ニュートラルデンシティフィルタの
前後に、公知の高速シャッタ機構乃至高速光スイッチを
導入して、各ビームを選択的に遮断できるようにす、る
等、必要に応じてこのような光技術の常套手段會採用し
ても勿論良い。」 手続補正書Ｃ自発） １事件の表示 昭和５７年特許願第１５５４９号 東京都千代田区霞が関１丁目３番１号 ＋１４工業技術院長石板誠− ４指定代理人 ６　補正の内容 別紙の通り 内　　容 発明の詳細な説明中、第２０頁１４行の「できる。」を
次のように訂正。 「できる。 上記４）ｌ！論例では、各種ビームと各種反応性ガスの
みによる様々１に／（ターニング例を挙げたが、公知の
装置として、イオンビーム発生装置やイオンビーム輸送
偏向装置かお勤、を九、プラズマ発生装置で発生したプ
ラズマを成る１１度以下の距離ならば輸送できる装置等
もあるので、第１，２図示の本発明方法用の装置とこれ
等を組み合わせて、反応室側部に適選して設ける勢した
導入６からイオンビームを導入して基板に向は偏向させ
たり、或いはプツズｗｔ導入する等して、これ勢の雰囲
気の下に本発明方法を適用することＮ可能で、局所的イ
オン注入、プラズマエッチ、プラズマデポジシ璽ン等が
本発明の複数ビームによる作用、効果を伴い乍ら行える
。 同様に、反応室を８４系の常圧、減圧ＣＶＤ法または化
合物半導体系の常圧、減圧ＭＯ−ＣＶＤ（金属有機物−
〇ＶＤ　）に適するようにすれば、これらのプロ、セス
はレーザパター７ｔＲ影によって制御でき、選択的薄膜
形成、エピタキシャル成長、ドープドオキサイドからの
拡散などの各種パターン形成プルセスに本発明の作用、
効果を加味ｊることができる。」 以上

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）夫々所望の波長の複数の光ビームにパターン情報
   を与え、投影光学系を介して基板上に投影することによ
   シ、同一時点で複数の物質の変化を該基板上にて生起さ
   せることを特徴とするパターン投影によるデバイス製作
   法。
2. （２）　　パターン情報は複数のビームに共通に同一の
   ものとして与えられることを特徴とする特許請求の範８
   （１）に記載のデバイス製作法。
3. （３）　　パターン情報は、複数のビームの各々に、夫
   々専用の個別的なものとして与えられることを特徴とす
   る特許請求の範８（１）に記載のデバイス製作法。