JPS58131993A - ビニルホスフィン酸誘導体の製造法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、〔（３−アき〕−３−カルボキシ）−プロビ
ルー１〕ホスフィ／酸誘導体の新規な製造法に関し、更
に詳しくは、その彷導体自体が除草剤、抗かび剤として
有用であるか、あるいけ、除草剤、抗かび剤の製造原料
として有用である【（３−アイノー３−カルボキシ）−
プロピル−１〕ホスフィン酸誘導体の製造法に関するも
のである。

（（３−アミノ−３−カルボキシ）−プロピル−１）ホ
スフィン酸饅導体の製造法に関しては、以下に示す合成
法が知られている。

０（：、ＨＩ （Ｈｅｌマ・ｔｉｃｓ　Ｃｈｌｍｉｃａ　Ａｃｔｍ　、
　５５　、２２４〜２３９（１９７２）　） ｕ （２）Ｐ＋ＣＨ１Ｃｊ−ＣＨ，Ｐｅ７．→ＣＨｓ−ＰＣ
ＯＣ＊Ｈｉ）ｔ（Ｊｏｕｒｎａｌ　　ｆ、ｐｒａｋｔ、
Ｃｈｅｍｉｅ、Ｂａｎｄ、、３１８　。

Ｒ＠ｆｔ　１　、　１５７〜１６０　（１９７６））こ
のように１　これらの製造法は、いずれもメチルジクロ
ロホスフィン（ＣＨａ　Ｐ　Ｃ１＊　）を合成中間体と
している。このことは、特開昭５４−８４５２９号、特
開昭５４−１５４７１５号、特開昭５５−２０７１４号
、特開１１８！＄５−６４２）９６号等の公報にみちれ
る製造法に、おいても同様である。

以上列記した従来の製造法の最大の欠点は、メチルジク
ロロホスフィンの製造工１ｉ　Ｋ　；ｈ　’）　、具体
的には次のような欠点があった。

（ａ）　　メチルジクロロホスフィンを工業的に大量生
産することが困難である。

（ｂ）　　メチルジクロロホスフィンは、水に接触する
と発火し易く、また、腐食性が強いため織扱いが非常に
困難である。さらに、反応装置も横線化される。

（Ｃ）　　前記した製造法（ａ）のなかで、メチルジク
ロロホスフィンを製造する工程は、多量の塩化アルミニ
ウムと塩化カリウム及び１１０〜１２０℃の高温を必要
とし、ｔ＊、生成物を単一することが困難で、目的物の
収率が低い。

−）前記した製造法伽）のなかで、メチルジクロロホス
フィンを製造する工程は、約６００℃の高温を必要とし
、また、副生成物が生成し鳥く、目的物の収率が極めて
低い。

そこで、本発明者らは、メチルジクロロホスフィン以外
の化合物を出発物質とすることによシ、上記した問題点
を解決するべく鋭意検討を行なった。

その結果、次の反応式： （１） （式中、Ｒ１及びＸは、前記と同じ意味を有する。）で
示されるように、アルブゾフ　（Ａｒｂｕｓｏｗ）反応
を利用して、容易に、安全に、収率良く製造できルアル
キルアルキルホスホニルノ１ライド（１）（Ｐｅｌｃｈ
ｏｗｉｃｇ　　：　Ｏｒｇａｎｉｃ　　Ｐｈｏｓｐｈｏ
ｒｕｓ　　Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ　。

Ｐａｒｔ　１　、２３８　）　　が出発物質として安価
に使用できることを見出した。

アルキルアルキルホスホニルハライドを使用した例は、
本発明の目的化合物の製造についてはもちろんなく、他
ＯＩＪン含有化合物の製造についても殆んどない。

さらに、本発明者らは、（（３−アミノ−３−カルボキ
シ）−プロピル−１）ホスフィン酸誘導体（Ｖ）を、短
かい工程数で安全に１安価に、Ｌかも大量に製造できる
方法を検討した結果、非常に安価なグリシン又はグリシ
ンのエステル体を、例えば塩基の存在下で、アルデヒド
体又はケトン体と反応させて容易に製造できるシップ塩
基とし、これを中間・原料とする優れた製造法を見出し
本発明を完成するに到った。

本発明の目的は、製造容易なアルキルアルキルホスホニ
ルノ・ライドを出発物質として使用する〔（３−アミノ
−３−カルボキシ）−プロピル−１〕ホスフィン酸誘導
体（Ｖ）の工業的に優れた製造法を提供す２ことである
。

本発明は、すなわち、次式（Ｉ）： Ｉ Ｒ’−Ｐ−Ｘ（１） 謁 （式中、Ｒ１及びＲｌｔｊ、同一で４異なっていて４よ
く、それぞれ、炭素数１〜５の直鎖状あるいは分校状の
アルキル基、アリール基又はアラルキル基を表わし；Ｘ
は、塩素原子又は臭素原子を表わす。） で示される化合物と、 次式（璽）： ＣＨ，＝：ＣＨＭｇＸ’　　　　（１）（式中、ｘ′は
、塩素原子又は臭素原子を表わす。）で示される化合物
とを反応させて、 次式（Ｉ）： Ｋｌ−Ｐ−ＣＨ＝ＣＨ，（１） ＲＩ （式中、Ｒ１及びＲ８は、前記と同じ意味を有する。）
で示されゐ化合物を生成せしめ、 つぎに、上記式（鳳）で示される化合物と次式（■）： （式中、Ｒ１及びＲ４は、同一でも異なっていてもよく
、Ｒ１、Ｒ４及びＲＩは、それぞれ、水素原子、炭素数
１〜５の直鎖状あるいは分校状のアルキル基、アリール
基又はアラルキル基を表わす。

但し、Ｒ３及びＲ４が、共に水素原子である場合を除く
。） で示される化合物とを、アルカリの存在下で反応させ、
生成した化合物を加水分解すＺことを％値とする υＫｌｌ　　　　　　　　へｔ− （式中、Ｒ１は、前記と同じ意味を有し：　ｆ％＠　Ｆ
ｉ、水素原子、炭素数１〜５０直鎖状あるいけ分校状の
アルキル基、了り−ル基又はアラルキル基を表わす。） で示される〔（３−ア建ノー３−カルボキシ）−プロピ
ル−１〕ホスフィン酸誘導体の製造法である。

本発明の製造法につき、工程順にさらに詳しく説明する
。

第−工場　：　（夏）＋（璽）　→　（厘）式（１）中
　）１１及びＢｔの炭素数１〜Ｓの直鎖状あるいは分校
状のアルキル基としては、例えば、メチル、エチル、プ
ロピル、イソ７″ｒビル、ブチル、ｔ−ブチルが挙けら
れ、アリール基としては、例工ば、フェニル、クロルフ
ェニル、ニトロフェニル、メトキシフェニルが挙げられ
、アラルキル基としては、例えば、ベンジンが挙げらね
る。

式（１）によって示されるアルキルアルキルホスホニル
ハライドの具体例とし、ては、例えば、メチルメチルホ
スホニルクロライド、エチルエチルホスホニルクロライ
ド、フェニルフェニルホスホニルクロライドが挙げられ
る。

式（曹）によって示されるビニルマグネシウムノ・ライ
ドとは、ビニルマグネシウムクロライド、ビニルマグネ
シウムブロマイドである 本工程においては、化合物（１）をテトラヒドロフラン
、ジオキサン、ジメトキシエタン等の通常の有機溶媒に
溶解し、この溶液を冷却する。冷却温度は、低温、好ま
しくは一１θ〜−７０℃である。

ついで、この溶液に１化合物（厘）の溶液（テトラヒド
ロフラン、ジメトキシエタン、ジオキサン等の有機溶媒
）を加えた後、反応液を一１５〜２０℃の温度範囲に戻
して、反応を完結させる。

反応時間は、原料、試薬の種類、反応温度及び使用モル
数によシ広い範囲で変えることができるが、通常は０．
５〜４８時間、好ましくけ３〜１２時間である。

化合物（１）の使用モル数は、化合物（１）　Ｋ対して
、１〜５モルの範囲、好ましくＦｉｔ〜２モルである。

溶媒は、通常用いられる範囲内で使用する。

反応終了後は、反応液に少量の木本しくけアルカリ水溶
液を加えて、未反応物質を分解するか、又は、水等を加
えずに溶媒を留去する。ついで、水−有機溶剤系（有機
溶剤としては、塩化メチレン、クロロホルム、酢酸エチ
ル、トルエン、エーテル等が挙げられる。）で有様層を
抽出し、さらに抽出液を水洗し、脱水する。第二工程で
は、化合物（１）を含んだ溶液の１壕用いるか、又は溶
媒を留去後、蒸溜等により化合物（１）を精製して用い
ることができる。

式（厘）によって示されるビニルホスフィン酸誘導体の
具体例としては、例えば、メチルビニルホスフィン酸メ
チルエステル、エチルビニルホスフィン酸エチルエステ
ル、フェニルビニルホスフィン酸フェニルエステルが挙
ケラレる。

第二工ＩＩ：　　（１）＋　　（ｆｆ）　　→（Ｖ）式
（１）　Ｋよって示されるビニルホスフィン酸誘導体は
、第一工程の生成物質である。

式（ＩＶ）中、Ｒ１及びＲ′の炭素数１〜５の直鎖状あ
るいは分校状のアルキル基としては、例えば、メチル、
エチル、プロピル、ブチル、イノブチルが挙げられ、ア
リール基としては、例えは、フェニル、クロロフェニル
、ニトロフェニル、メトキシフェニルが挙けられ、アラ
ルキル基としては、例えば、ベンジルが挙げられ；Ｒ１
の炭素数１〜５のアルキル基としては、例えば、メチル
、エチル、プロピル、ブチル、ｔ−ブチルが挙けられ、
アリール基としては、例えば、７エ二ル、クロルフェニ
ル、ニトロフェニル、メトキシ７　ｘ　＝ルカ挙ケられ
、アラルキル基としては、例えば、ベンジルが皐げられ
る。

式（４ｖ）によって示されるシッフ塩基の具体例として
は、例えば、２−（フェニルメチレン）アミノ酢酸エチ
ルエステルが挙げられる。

本工程においては、まず両化合物（璽χ（１ｖ）をアル
カリの存在下で反応させる。

アルカリとしては、例えば、ナトリウムエチラート、ナ
トリウムエチラートが用いらｉＩる。

反応は、通常、有機溶媒中で行なうが、その場合、有機
溶媒としては、例えば、メタノール、エタノール、トル
エン、ジメトキシエタン、テトラヒドロ７９ンが挙げら
れる。

反応温度は、−５０〜５０℃の範囲、好ましくは一１０
〜１０℃；反応時間け、０．５〜２４時間；化合物（ｆ
ｆ）の使用モル数は、化合物（Ｉ）に対して、１〜３モ
ル、アルカリは、化合物（厘）の１当量に対して、０．
０１〜３．０当量、好ましくは帆１〜１．０当量である
。溶媒量は、通常用いられる範囲内で使用する。

かくして、次式（Ｖ’）　： 曾 （式中、Ｒ１、Ｂ−Ｂｍ、Ｒ４及びＲ１は、前記と同じ
意味を有すｉｏ） で示される中間体が生成するが、これを単離することな
く、通常の脱保護化手法（加水分解など）によシ化合物
（Ｖ）　Ｋ導く。

すなわち、化合物（Ｖ′）を含む反応液に、塩酸、硫酸
等の鉱酸を加えて加熱するか、又は、反応液の溶媒を留
去後、水−有機溶剤系（有機溶剤としては、塩化メチレ
ン、クロロホルム、酢酸エチル、トルエン、エーテル等
が挙げられる。）で有機１−を抽出し、さらに抽出液あ
るいは抽出液の濃縮液に鉱酸を加えて加熱すると、化合
物（Ｖ）が生成する。

鉱酸の使用モル数け、化合物（Ｖ’）Ｋ対し、大過剰、
例えば、３０倍モル；反応温度は２０〜１５０℃；反応
時間は０．５〜２４時間である。

加水分解反応は、アルカリ加水分解及び／又は酸加水分
解の組合わせによっても行なわれる。

反応終了後、通常の中和、精製により化合物（Ｖ）を単
離することができる。生成物をさらに精製する場合は、
例えば、強酸性イオン交換樹脂クロマトグラフィを用い
る。また、化合物（Ｖ）を、所望によジナトリウム塩、
カリウム塩、アンモニア塩等の塩とすることができ、さ
らに、酸付加塩とすることもできる。

式（Ｖ）中、Ｒ６の炭素数１〜５のアルキル基としては
、例えば、メチル、エチル、プロピル、イングロビル、
ブチル、ｔ−ブチルが挙げられ、了り−ル基としては、
例えに１フエニル、クロルフェール、ニトロフェニル、
メトキシフェニルカ挙ケられ、アラルキル基としては、
例えば、ベンジルが挙げられる。

式（Ｖ）によって示される（（３−アイノー３−カルボ
キシ）−プロピル−１）ホスフィン酸鱈導体の具体例と
しては、例えば、３−アミノ−３−カルボキシプロピル
−メチルホスフィン１１．３−アミノ−３−カルボキシ
プロピル−エチルホスフィン酸、３−アミノ−３−カル
ボキシプロピル−フェニルホスフィン酸が挙ケラレる。

本発明によシ製造される〔（３−アミノ−３−カルボキ
シ）−プロピル−１〕ホスフィン酸誘導体（Ｖ）　Ｆｉ
Ｄ　Ｌ体であ如、必要に応じて光学分割され、利用に％
せられる。化合物（Ｖ）の一つである（（３−アｉ〕−
３−カルボキシ）−プロピル−１）−メチルホスフイン
酸は、除草剤として有用である。

また、化合物（Ｖ）Ｆｉ、除草剤として有用な５Ｆ−１
２９３物質を製造する際、培養の務加物として有用であ
る（特公昭５１−６３９号公＠）。

本発明は、アルキルアルキルホスホニルハシイド（１）
とビニルマグネシウムハシイド（鳳）とを反応させて、
ビニルホスフィン酸誘導体（１）を生成せしめ、ついで
、化合物（厘）とシッフ塩基（ＩＶ）とを、アルカリの
存在下で反応させ、生成した化合物（Ｖ′）を加水分解
することによシ【（３−アミノ−３−カルボキシ）−プ
ロピル−１〕ホスフィン酸誘導体（Ｖ）を合成するもの
であって、従来の化合物（Ｖ）の製造法と比べると短か
い工程数で、安全に、安価に、しか龜大量に生産できる
工業的製造法として極めて優れている。

以下実施例を掲けて、本発明をさらに詳細に説明するが
、本発明はとわらの実施例に限定されるものではない。

実施例１ （ム）　メチルビニルホスフィン酸メチルエステルの合
成 メチルメチルホスホニルクロライド１０．０ＰＫテトラ
ヒドロフラン（ＴＨＦ）２０−を加え溶解せしめえ。こ
の溶液を一５０℃に冷却し、ξの中に、ビニルマグネシ
ウムブロマイド１０．２　Ｆ　Ｃ）　ＴＨＦ２５ｓｇ＃
液を滴下した。滴下後、反応液を０℃まで昇温し、この
中に飽和塩化アンモニウム水溶液２０−を加えた。この
溶液を濃縮し、ジクロルメタンで抽出後、抽出液を無水
硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧蒸留するとす、９．７
４〜ｂの留分として目的化合物が５．６１ｆ（収率６Ｇ
、０１Ｇ）得られた。

（Ｂ）　　３−７オノー３−カルボキシプロピル−メチ
ルホスフィン酸の合成 エタノール５０１Ｉ１１／に金属ナトリウム１９．２１
９を加え、溶解した後、この溶液を一１０℃に冷却した
。

この中に、２−（フェニルメチレン）アミノ酢酸エチル
エステル６３７ｑを加え、さらにメチルビニルホスフィ
ン酸エチル乎ステル４００ｍ９を加エタ。

反応液を一１０℃にて５時間攪拌した後、この中にＩＮ
＃Ｉｉ＃５−を加え、濃縮した。得られた残渣に製塩＃
１０−を加え、還流下で６時間攪拌した。

反応液を濃縮し、プロピレンオキサイド５ｗｔを加え、
さらに１時間攪拌した。攪拌終了後、反応液を濃縮し、
得られた粗生成物をイオン交換樹脂ＤＯＷ＠Ｘ　５０Ｗ
Ｘ１　（商品名）を用いて精製すると、目的化合物の結
晶性粉末が３０２■（収率５０．１１Ｇ）得られた。こ
の化合物の融点（ｍ、鷹）は２２７〜２２９℃　であっ
た。

実施例２ （Ａ）　　エチルビニルホスフィン酸エチルエステルの
合成 エチルエチルホスホニルクロライド’１．７５ｔＫＴＨ
Ｆ１５−を加え溶解せしめた。得られた溶液を一５０℃
に冷却し、この中に、ビニルマグネシウムブロマイド７
．１４ｆＯＴＨＦ２０−溶液を滴下した。

滴下後、反応液を０℃まで昇温した。以下、実施例１（
Ａ）と同様に処理すると、ｂ、　ｐ、　８６．５℃／１
４■Ｈｇの留分として目的化合物が４．２３ｇ（収率５
８０％）得られた。

（Ｂ）　　３−アミノ−３−カルボキシプロビルーエチ
ルホスフィン酸の合成 エタノール５．０−に金属ナトリウム４３．６１１ｆを
加え、溶解した後、この溶液を０℃に冷却した。

こｏ＋４［，２−（フェニルメチレン）アミノ酢酸エチ
ルエステル３６３りを加え、さらにエチルビニルホスフ
ィン酸エチルエステル２５５岬を加、ｔ　＊。

反応液を０℃にて６時間攪拌した。以下、実施例１（Ｂ
）と同様に処理すると、目的化合物が１１３ｑ（収率３
０．５１１）　　得られた。この化合物は、ｒｎ　ｅ　
Ｉｌｌ。

１８３〜１８６℃を示した。

実施例３ （Ａ）　　フェニルビニルホスフィン酸フェニルエステ
ルの合成 フェニルフェールホスホニルクロ：ｌ＞４）’９．７４
ｒＫＴＨＦ２０ｗＩｔ加え溶解せしめた。得られた溶液
を一５０℃に冷却し、この中に１ビニルｉグネシウムブ
Ｏｆｆイド６．７１ｆＯＴＨＦ２５ｗｔ＠液を滴下し友
。滴下後、反応液を０℃まで昇温した。以下、実施例１
　（Ａ）と同様に２処理すｚと、ｂ、９．１３０〜ｂ （Ｂ）　　３−アミノ−３−カルボキシプロピル−フェ
ニルホスフィン酸の合成 エタノール５．０−に金属ナトリウム４１．４１９を加
え、溶解した後、この溶液を０℃に冷却した。

この中に、２−　（フェニルメチレン）アミノ酢酸エチ
ルエステル３４５岬を加え、さらにフェニルビニルホス
フィン酸フェニルエステル３２ｇｑｌＪｏ＆＊。

反応液を０℃にて６時間攪拌した。以下、実施例１　（
Ｂ）と同様に処理すると、目的化合物が１４２１１９（
収率３２．４％）得られた。この化合物（Ｖ）は、ｍ、
ｐ、２３３〜２３６℃を示した。

手続補正書 昭和ｓ８年４月８１日 特許庁長官　若　杉　和　夫　　殿 １、事件の表示 昭和８７年　特許　願第　１３９１１５　　号事件との
関係　特許出願人 名　称　（６ｏｅ）明治製茶株式会社 （氏　名） ５、補正命令の日付　自発 ６、補正により増加する発明の数　なし■、明細書の発
明の詳細な説明の欄を以ドの通り補正する。

（１）明細中第９頁末行に記載の反応式におｌ、％てｒ
ＰＸ、ＪをｒＰＸ、Ｊと補正する。

（２）同＃１１６頁下か８２２行目記載の［ナトリウム
エチラート」の次に「、水酸化ナトリウム、水酸化カリ
ウム、及びジアザビシクロウンデセン（Ｄ。

Ｂ、Ｕ、）　、ジアザビシクロノネン（Ｄ、Ｂ、Ｎ、）
等の有機アミン類」を挿入するΦ （３）同第２１頁目行目に記載の［エタノール５０１］
を「エタノール５．０層ｌ」と補正する。

（４）同＃Ｉ２１頁下か５３３行目記載の［・・・酸エ
チルエステル」を「・・・酸メチルエステル」と補正す
る。

（５）同第２２頁８行目と８行目との間に、次の文章を
挿入する。

［（Ｂ’）エタノール５．０１に２−（フェニＪレメチ
レン）アミン酢酸エチルエステル７８５鵬ｇを加えて溶
解した後、この中に水酸化カリウム４７層ｇを加え、更
にメチルビニルホスフィン酸メチルエステル５００ｍｇ
を加えた０反応液を室温で２時間攪拌した後、濃縮した
。得られた残渣に６Ｎ塩酸１０１を加え、還流Ｆで３０
時間攪拌した０反応液を濃縮し、プロピレンオキサイド
５１を加え、更に１時間攪拌した。攪拌終了後、反応液
を濃縮し、得られた粗生成物をイオン交換樹脂Ｄｏｗｅ
ｘ　５，０ＷＸ２（商品名）を用いて精製すると、目的
化合物の結晶性粉末が４８０ｍｇ　（収率Ｂ５．０％）
得られた。この化合物の融点は２２７〜２２８℃であっ
た。」

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 ０）　次式（１）： ％式％（１） （式中、Ｒ１及びＶは、同一でも異なっていてもよく、
   それぞれ、炭素数１〜５の直鎖状あるいは分校状のアル
   キル基、アリール基又はアラルキル基を表わし；Ｘは、
   塩素原子又は臭素原子を表わす。） で示される化合物と、 次式（１）： ％式％（） （式中、Ｘ′は、塩素原子又は臭素原子を表わす。）で
   示される化合物とを反応させて、 次式（わ： Ｉ Ｒ１−Ｐ−ＣＨ＝ＣＨ，（璽） 暑 ＯＲ鵞 （式中、Ｒ１及びＲ８は、前記と同じ意味を有する。）
   で示される化合物を生成せしめ、 つぎに１上記式（１）で示される化合物と次式（■）： （式中、Ｒ１及びＲ４Ｆｉ、同一でも異なっていて奄ｊ
   　＜　、Ｒ’、　Ｒ’　Ｊ［Ｒ’Ｆｉ、ツレツレ、水素
   原子、炭素数１〜５０直鎖状あるい＃−１ｔ分枝状のア
   ルキル基、アリール基又はアラルキル基を表わす。 但し、Ｒ１及びＲ４が、共に水素原子である場合を除く
   。） で示される化合物とを、アルカリの存在下で反応させ、
   生成した化合物を加水分解することを％書とする 次式（Ｖ）： （式中、）Ｌｌけ、前記と同じ意味を有し；ＲＩは、水
   素原子、炭素数１〜５０直鎖状あるいは分校状のアルキ
   ル基、アリール基又はアラルキル基を表わす。） で示される〔（３−アミノ−３−カルボキシ）−プロピ
   ル−１〕ホスフィン酸舖導体の製造法。 ｅ）次式（■）： １ Ｒ’　　Ｐ　　ＣＨ−ＣＨｔ　　　（１）ＲＩ （式中、Ｒ１及びＲ８は、同一でも異なっていてもよく
   、それぞれ、炭素数ト４の直鎖状あるいは分校状のアル
   キル基、アリール基又はアラルキル基を表わす。） で示される化合物と、 （式中、Ｒｓ及びＲ４は、同一でも異なっていて本よく
   、Ｒ８、Ｒ４及びＲＩは、それぞれ、水素原子、炭素数
   １〜５の直鎖状あるいけ分校状のアルキル基、アリール
   基又はアラルキル基を表わす。 但し、Ｒ′及びＲ′が、共に水素原子である場合を除く
   。） で示される化合物とを、アルカリの存在下で反応させ、
   生成した化合物を加水分解することを％徽とする 次式（Ｖ）： ！１ （式中、Ｒ′は、炭素数１〜５の直鎖状あＺいけ分枝状
   のアルキル基、アリール基又はアラルキル基を表わし：
   Ｒ＠は、水素原子、炭素数１−５の直鎖状あるいは分校
   状のアルキル基、アリール基又はアラ・ルキル基を表わ
   す。） で示される【（３−アミノ−３−カルボキシ）−プロピ
   ル−１〕ホスフィン酸誘導体の製造法。 （３）次式（Ｉ）： Ｉ Ｒ１−Ｐ−Ｘ（１） ＯＲ口 （式中、Ｒ１及びνは、同一でも異なっていてもよく、
   それぞれ、炭素数１〜５の直鎖状あるいは分枝状のアル
   キル基、アリール基又はアラルキル基を表わし；ｘＨ塩
   素原子又は臭素原子を表わす。） で示される化合物と、 次式（量）： ＣＨ，−ＣＨＭｇ　Ｘ’　　　　　　　　　　（１）（
   式中、Ｘ′は、塩素原子又は臭素原子を表わす。）で示
   される化合物とを反応させることを特徴とする 次式（厘）： １ 凡１　　ｐ　−ＣＨ＝ＣＨ，（１） ＲＩ （式中、Ｗ及び８８は、前記と同じ意味を有する。）で
   示されるビニルホスフィン醗酵導体の製造法。