JPS58130190A - 単結晶育成用ルツボ - Google Patents
単結晶育成用ルツボInfo
- Publication number
- JPS58130190A JPS58130190A JP1029382A JP1029382A JPS58130190A JP S58130190 A JPS58130190 A JP S58130190A JP 1029382 A JP1029382 A JP 1029382A JP 1029382 A JP1029382 A JP 1029382A JP S58130190 A JPS58130190 A JP S58130190A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- single crystal
- diameter
- crucible
- ratio
- hot water
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
- C30B11/002—Crucibles or containers for supporting the melt
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
零発−はルツボ上方に８段あるいはそれ以上の段数の湯
溜め含有する縦置ブリッジマフ法単曽晶冑威用ルツボＫ
ｌｌす為。
溜め含有する縦置ブリッジマフ法単曽晶冑威用ルツボＫ
ｌｌす為。
従来よ）縦属ブリッジ！ン法単結晶冑威用にツボのｊ！
＃状収は種々の工夫がｔｉｉｎ特に蒸気圧の大亀な金属
単艙晶會育戚す為鳩舎に拡ルツボの封入法、湯溜め構造
には４１に注意が払われてＩＩｉた。しかしながら従来
の湯溜め構造ではルツボ上方に湯溜めが１段あるだけで
あ）蒸気圧の大勤亀金属の単結晶を育成する鳩舎は前置
金属単結晶の尾１１にすが入る鳩舎が多（＃１）の低下
はまめがｆ′Ｌをか０光。
＃状収は種々の工夫がｔｉｉｎ特に蒸気圧の大亀な金属
単艙晶會育戚す為鳩舎に拡ルツボの封入法、湯溜め構造
には４１に注意が払われてＩＩｉた。しかしながら従来
の湯溜め構造ではルツボ上方に湯溜めが１段あるだけで
あ）蒸気圧の大勤亀金属の単結晶を育成する鳩舎は前置
金属単結晶の尾１１にすが入る鳩舎が多（＃１）の低下
はまめがｆ′Ｌをか０光。
本ａ−による縦臘ブ１ツジマン法単結晶冑威法用にツボ
は＃！ＩＩＦダ上方に冨ｌＩ！あるいはそれ以上のＲＪ
Ｉの湯−めｔ設けることにより育成する単結晶尾ｉＩＫ
すが入るの１防ぐの４ならず単結晶冑ｇＩＩへの気泡の
浪人ｔｖＪぐことを可能ならしめたものでｈ為。
は＃！ＩＩＦダ上方に冨ｌＩ！あるいはそれ以上のＲＪ
Ｉの湯−めｔ設けることにより育成する単結晶尾ｉＩＫ
すが入るの１防ぐの４ならず単結晶冑ｇＩＩへの気泡の
浪人ｔｖＪぐことを可能ならしめたものでｈ為。
以下本発−の＋ｙ〆上方に８段あ為いはそｆ′Ｌ以上の
段数の湯溜め含有する縦盟ブリッジマン諺単結晶前底用
ルツボを用いてＧｄＯ＠Ｉ単結晶を育成したときの実施
例を図面を用いて説明する。Ｇｔｏｏ＠単結晶は六方晶
系の強磁性体でブリッジマン法によシ比較的容易に育成
できるが、Ｇｄの蒸気圧が高く育成単結晶尾部にすが入
つｘ５単結晶内部に気泡が混入する場合が多い、そこで
第１図に示すような２段の湯溜めを有するカーメンルツ
ボを作製してＧｄＯ，、単結晶を試みた。第１図におい
て１は第１段目の湯溜め、２はＭ２段目の湯溜め、３は
単結晶育成部である。このルツボを用いてアルゴン雰囲
気中でＧｄ０ｏ、単結晶を縦型ブリッジラン法で育成し
たところ、すは第２段目の湯溜めで完全におさえること
ができた。しかしすが原因によるＧ ｄ Ｏｏ＠’単結
晶へのタラツタは防ぐことができず、ＧｄＯ，、単結晶
中の気ｍ ハ２０〜５０ 個／ ５Ｉ” テロ ’：）
ｆｌ−＊第２図は第１図にシけるルツボを改良したもの
で本発明によるルツボであｊｊ）、１１．１３は湯溜め
、１２は湯溜めの接合壁、１４は単結晶育成部である。
段数の湯溜め含有する縦盟ブリッジマン諺単結晶前底用
ルツボを用いてＧｄＯ＠Ｉ単結晶を育成したときの実施
例を図面を用いて説明する。Ｇｔｏｏ＠単結晶は六方晶
系の強磁性体でブリッジマン法によシ比較的容易に育成
できるが、Ｇｄの蒸気圧が高く育成単結晶尾部にすが入
つｘ５単結晶内部に気泡が混入する場合が多い、そこで
第１図に示すような２段の湯溜めを有するカーメンルツ
ボを作製してＧｄＯ，、単結晶を試みた。第１図におい
て１は第１段目の湯溜め、２はＭ２段目の湯溜め、３は
単結晶育成部である。このルツボを用いてアルゴン雰囲
気中でＧｄ０ｏ、単結晶を縦型ブリッジラン法で育成し
たところ、すは第２段目の湯溜めで完全におさえること
ができた。しかしすが原因によるＧ ｄ Ｏｏ＠’単結
晶へのタラツタは防ぐことができず、ＧｄＯ，、単結晶
中の気ｍ ハ２０〜５０ 個／ ５Ｉ” テロ ’：）
ｆｌ−＊第２図は第１図にシけるルツボを改良したもの
で本発明によるルツボであｊｊ）、１１．１３は湯溜め
、１２は湯溜めの接合壁、１４は単結晶育成部である。
第２図におけるルツボ食用いて第１図で説明したのと同
じ条件′ｃＧ ｄ Ｏ・１単結晶を育成した。ζζで、
湯溜１１と１３の直径の比は２以下であｐ、単結晶育成
部４の１径と湯溜め３の直径の比は２／３以下であ〕、
湯溜め１３０直径と接合部２０［徽の比は３／２〜５で
ある。湯溜め１１と１３の［１１の比が２を越えると湯
溜め１３１ですが侵入するが２以下である場金子は湯溜
め３に侵入することはほとんどない、また湯溜め１１と
１３の直径の比が２以下であっても単結晶部１！ Ｉｔ
１４の直径と湯溜１３の直径の比が２／３以上になる
と子から伸びたクツツタが単結晶部に侵入する場合が生
じた。さらに単結晶部の気泡も１０−δ個／３” と多
い、そこで、湯溜め１１と１３の直径の比ｔ−２以下に
し、単結晶育成ＷＡ１４の直径と湯溜め１３０璽径の比
を２／３以下におさえたところ、すがらのクツツタは湯
溜め口の内部のみにとどｔ９９単結晶内への侵入はしな
かった。さらに単結晶内の気泡は２〜５偏／ｕｓ”とな
った、′Ｍら゛に湯溜め１３の直径と接合部戊の直径の
比ｔ３７２〜５としたとき単結晶部内の気泡の数は０．
１個／ ｃｓ ”以下となった。しかし湯溜め１３の直
径と接合部臣の直径の比が３／２以下あるいは５以上で
あると育成単結晶内の気泡は増加し０．１〜５個／ Ｄ
ＩＥ ”となった、第３図は３段の湯溜めｔ持つ本発明
による縦型ブリッジマン法単結晶育成用ルツボでＴｏ夛
、２１ ＃ ２３ａ ２５は湯溜めであり、２２．２４
は湯溜めの接合部で′ｈ９、％は単結晶育成部ｔ部であ
る。湯溜め２１．乙の直径の比および湯溜め乙、２５の
直径の比ｔ２以下にし、単結晶育成部％の直径と湯溜め
５０厘径の比ｔ２／３以下にし、湯溜め４の直径と接合
部ｎの直径の比および湯溜め５０直径と接合部スの直径
の比を３／２〜５にしてＧｄ０ｏ、単結晶を育成したと
ころ、士は湯溜め４の部分までしか侵入せず十からのク
ツツタは湯溜め田の部分で留シ、単結晶部分への気泡は
ｏ、ｏｏｓ個／ａｍ−以下となった。
じ条件′ｃＧ ｄ Ｏ・１単結晶を育成した。ζζで、
湯溜１１と１３の直径の比は２以下であｐ、単結晶育成
部４の１径と湯溜め３の直径の比は２／３以下であ〕、
湯溜め１３０直径と接合部２０［徽の比は３／２〜５で
ある。湯溜め１１と１３の［１１の比が２を越えると湯
溜め１３１ですが侵入するが２以下である場金子は湯溜
め３に侵入することはほとんどない、また湯溜め１１と
１３の直径の比が２以下であっても単結晶部１！ Ｉｔ
１４の直径と湯溜１３の直径の比が２／３以上になる
と子から伸びたクツツタが単結晶部に侵入する場合が生
じた。さらに単結晶部の気泡も１０−δ個／３” と多
い、そこで、湯溜め１１と１３の直径の比ｔ−２以下に
し、単結晶育成ＷＡ１４の直径と湯溜め１３０璽径の比
を２／３以下におさえたところ、すがらのクツツタは湯
溜め口の内部のみにとどｔ９９単結晶内への侵入はしな
かった。さらに単結晶内の気泡は２〜５偏／ｕｓ”とな
った、′Ｍら゛に湯溜め１３の直径と接合部戊の直径の
比ｔ３７２〜５としたとき単結晶部内の気泡の数は０．
１個／ ｃｓ ”以下となった。しかし湯溜め１３の直
径と接合部臣の直径の比が３／２以下あるいは５以上で
あると育成単結晶内の気泡は増加し０．１〜５個／ Ｄ
ＩＥ ”となった、第３図は３段の湯溜めｔ持つ本発明
による縦型ブリッジマン法単結晶育成用ルツボでＴｏ夛
、２１ ＃ ２３ａ ２５は湯溜めであり、２２．２４
は湯溜めの接合部で′ｈ９、％は単結晶育成部ｔ部であ
る。湯溜め２１．乙の直径の比および湯溜め乙、２５の
直径の比ｔ２以下にし、単結晶育成部％の直径と湯溜め
５０厘径の比ｔ２／３以下にし、湯溜め４の直径と接合
部ｎの直径の比および湯溜め５０直径と接合部スの直径
の比を３／２〜５にしてＧｄ０ｏ、単結晶を育成したと
ころ、士は湯溜め４の部分までしか侵入せず十からのク
ツツタは湯溜め田の部分で留シ、単結晶部分への気泡は
ｏ、ｏｏｓ個／ａｍ−以下となった。
以上述べたように本発明による縦型ブリッジマン法単結
晶育成用ルツボは、ルツボ上方に２段あるいはそｎ以上
の段数の湯溜めを設け、Ｍｔ自然数とするとき第夏＋１
段目の湯溜めの直径と第菖＋２段目の湯溜めの直径の地
金２以下ＫＬ、単結晶育成部の直径と最下段の湯溜めの
直径の比ｔ−３／３以下にし、相隣９金５２つの湯溜め
の直径の小さな方の直径とその接合壁の直径の比が３／
３〜５とすることによ）、単結晶育成部への子りるいは
タラ・ツタあるいは気泡の侵入を防ぐことを可能とする
ものであｐ、＊に本発明による縦型ブリッジマン法単結
晶育成用ルツｌは蒸気圧の高い成分な含む単結晶材料を
育成する場合に効果かあ）蒸気圧が低い単結晶材料を育
成するに′）ｒＬ、特許請求の範囲第４項、第３項、第
２項の順でその束縛条件はゆるくなる。
晶育成用ルツボは、ルツボ上方に２段あるいはそｎ以上
の段数の湯溜めを設け、Ｍｔ自然数とするとき第夏＋１
段目の湯溜めの直径と第菖＋２段目の湯溜めの直径の地
金２以下ＫＬ、単結晶育成部の直径と最下段の湯溜めの
直径の比ｔ−３／３以下にし、相隣９金５２つの湯溜め
の直径の小さな方の直径とその接合壁の直径の比が３／
３〜５とすることによ）、単結晶育成部への子りるいは
タラ・ツタあるいは気泡の侵入を防ぐことを可能とする
ものであｐ、＊に本発明による縦型ブリッジマン法単結
晶育成用ルツｌは蒸気圧の高い成分な含む単結晶材料を
育成する場合に効果かあ）蒸気圧が低い単結晶材料を育
成するに′）ｒＬ、特許請求の範囲第４項、第３項、第
２項の順でその束縛条件はゆるくなる。
【図面の簡単な説明】
第１図は特許請求の範囲第１項および第２項の条件下で
ｅｄａｏ、単結晶【育成したときの本発明によるＷ１ｆ
Ｊｉブリッジｉン法単結晶育威用ルツボの断面図で１．
２は湯溜めで３＃′ｉ単結晶単結晶島る。 第２図は湯溜めを２段有する本発＃４による縦属ブリッ
ジマン性単結晶育成用ルツボ断面図で１１ 。 １３は湯溜めでＴｏり、１２は湯溜めの接合壁、１４は
単結晶育成部でおる。 第３図は湯溜め［−３段有す石本発明による縦型ブリッ
ジオン法単結晶育底用ルツボ断面図で４゜田、２５は湯
溜め、２２．２４は湯溜めの接金壁、あけ単結晶育成部
である。 以上 出願人 株式会社第二精工舎 代理人 弁理士最上 務
ｅｄａｏ、単結晶【育成したときの本発明によるＷ１ｆ
Ｊｉブリッジｉン法単結晶育威用ルツボの断面図で１．
２は湯溜めで３＃′ｉ単結晶単結晶島る。 第２図は湯溜めを２段有する本発＃４による縦属ブリッ
ジマン性単結晶育成用ルツボ断面図で１１ 。 １３は湯溜めでＴｏり、１２は湯溜めの接合壁、１４は
単結晶育成部でおる。 第３図は湯溜め［−３段有す石本発明による縦型ブリッ
ジオン法単結晶育底用ルツボ断面図で４゜田、２５は湯
溜め、２２．２４は湯溜めの接金壁、あけ単結晶育成部
である。 以上 出願人 株式会社第二精工舎 代理人 弁理士最上 務
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ■、ルツボ上方に２段あるいはそれ以上の段数の湯溜め
を有することｔ４９黴とする縦属ブリッジマン性単結晶
育成用ルツボ。 （２）、Ｉを自然数とす為と龜第夏＋ＩＲ目の湯溜めの
［＠と第夏＋２段目の湯溜めの［徽の比が２以下である
ことを特徴とする特許請求の範Ｉｔ纂１項記載のルツボ
。 （１、単結晶育成部の直径と最下段の湯溜めの直径の比
が２７３以下であること１＊黴とする特許請求の範囲第
１項もしくは第２項記載のルツボ。 （荀、相隣り合う２つの湯溜めの直径の小さな方の直径
とその接合壁の直径の比が３／２〜Ｓであること１＊黴
とする特許請求の範囲第１項、第２項もしくは第３項記
載のルツボ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1029382A JPS58130190A (ja) | 1982-01-26 | 1982-01-26 | 単結晶育成用ルツボ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1029382A JPS58130190A (ja) | 1982-01-26 | 1982-01-26 | 単結晶育成用ルツボ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58130190A true JPS58130190A (ja) | 1983-08-03 |
Family
ID=11746236
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1029382A Pending JPS58130190A (ja) | 1982-01-26 | 1982-01-26 | 単結晶育成用ルツボ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58130190A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6437486A (en) * | 1987-08-03 | 1989-02-08 | Nippon Telegraph & Telephone | Crucible for crystal growth |
| JPH02188486A (ja) * | 1988-12-05 | 1990-07-24 | American Teleph & Telegr Co <Att> | 結晶の成長法 |
| EP0570610A1 (en) * | 1991-03-06 | 1993-11-24 | Bestal Corporation | Crucible for crystal growth and process employing this crucible |
-
1982
- 1982-01-26 JP JP1029382A patent/JPS58130190A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6437486A (en) * | 1987-08-03 | 1989-02-08 | Nippon Telegraph & Telephone | Crucible for crystal growth |
| JPH02188486A (ja) * | 1988-12-05 | 1990-07-24 | American Teleph & Telegr Co <Att> | 結晶の成長法 |
| EP0570610A1 (en) * | 1991-03-06 | 1993-11-24 | Bestal Corporation | Crucible for crystal growth and process employing this crucible |
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