JPS5813011A - 弾性表面波素子用基板 - Google Patents
弾性表面波素子用基板Info
- Publication number
- JPS5813011A JPS5813011A JP11188981A JP11188981A JPS5813011A JP S5813011 A JPS5813011 A JP S5813011A JP 11188981 A JP11188981 A JP 11188981A JP 11188981 A JP11188981 A JP 11188981A JP S5813011 A JPS5813011 A JP S5813011A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- acoustic wave
- surface acoustic
- thickness
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/08—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
- H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
- H01L2223/54493—Peripheral marks on wafers, e.g. orientation flats, notches, lot number
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は弾性表面波フィルタ等の弾性表面a素子を得る
ためのウェハー状基板に関するものである・ この種基板は結晶成長技術により引上げ形成された単結
鵡のニオブ酸すチームやタンタル酸すチーム等からなる
ポール状結晶に分離処理を施して圧・電性を与え、これ
をスライシング加工して所定長さにカットし、しかる後
、その表面をラップ加工して必要厚さに形成すると共に
その表(iit−−1研磨することにより複数枚のウェ
ハー状弾性表面波素子用基板(以下ウェハー基板と称す
)を得る・この各基板からは弾性表面波素子例えば弾性
表面波フィルタが多数個取りされるが、これは概略ウェ
ハー基板の全1!!面にニッケル等からなる金属膜と蒸
着形成した後、ホトソリグラフィ技術を用いて弾性表m
tittを送信し、かつ受信するトランスジ^−す電極
対を複l5ffiパターン形成し、しかる後、各組のト
ランスジ、−?電極対毎に基板を分割することに1す矩
形状の素子基板表面にトランスジ為−サ電極対を有す弾
性ls!面波フィルタが製造される。
ためのウェハー状基板に関するものである・ この種基板は結晶成長技術により引上げ形成された単結
鵡のニオブ酸すチームやタンタル酸すチーム等からなる
ポール状結晶に分離処理を施して圧・電性を与え、これ
をスライシング加工して所定長さにカットし、しかる後
、その表面をラップ加工して必要厚さに形成すると共に
その表(iit−−1研磨することにより複数枚のウェ
ハー状弾性表面波素子用基板(以下ウェハー基板と称す
)を得る・この各基板からは弾性表面波素子例えば弾性
表面波フィルタが多数個取りされるが、これは概略ウェ
ハー基板の全1!!面にニッケル等からなる金属膜と蒸
着形成した後、ホトソリグラフィ技術を用いて弾性表m
tittを送信し、かつ受信するトランスジ^−す電極
対を複l5ffiパターン形成し、しかる後、各組のト
ランスジ、−?電極対毎に基板を分割することに1す矩
形状の素子基板表面にトランスジ為−サ電極対を有す弾
性ls!面波フィルタが製造される。
ところで、弾性5rri波素子は基板表面から約1波長
(叔+pm)の深さまでに!!#波エネルギーのほとん
どが集中してかり、特性面からは基板厚さはせいぜい1
100II程度あればよい。
(叔+pm)の深さまでに!!#波エネルギーのほとん
どが集中してかり、特性面からは基板厚さはせいぜい1
100II程度あればよい。
しかしながら、この1うな薄板のスライシングは現実問
題として困廟であす、従来ではo、8m厚程駅にスライ
スし、これをラップ刀ロエ等により0.5S・m厚程度
に研磨したウェハー基板を用いていた。
題として困廟であす、従来ではo、8m厚程駅にスライ
スし、これをラップ刀ロエ等により0.5S・m厚程度
に研磨したウェハー基板を用いていた。
ところで、現在市販されている結晶スライシングのカッ
ト装置としてtliO,4編厚程度までスライシング可
能であるが、これをう、プ加工してQ、 jl■厚程度
にするとウェハープロセス時例えば基板を蒸着機や露光
機にセットする際などの取扱い時に基板割れを生じる危
険が大でハンドリング性が悪くなる問題がある。
ト装置としてtliO,4編厚程度までスライシング可
能であるが、これをう、プ加工してQ、 jl■厚程度
にするとウェハープロセス時例えば基板を蒸着機や露光
機にセットする際などの取扱い時に基板割れを生じる危
険が大でハンドリング性が悪くなる問題がある。
仁の九め従来ではハンドリング性を艮くする几めに0.
5■厚程度のウェハー基板にしており、こnでは基板割
れを生じにくい利点はある反面結晶の利用率が低く生産
量も低くなると共に、こめ種結晶は極めて高価であるた
□込安価な弾性=a!面波素1、。
5■厚程度のウェハー基板にしており、こnでは基板割
れを生じにくい利点はある反面結晶の利用率が低く生産
量も低くなると共に、こめ種結晶は極めて高価であるた
□込安価な弾性=a!面波素1、。
子を得ることができない欠点を持って込た。
本発明はこの従来欠点を解決するもので、この目的は必
要厚さにカットされX=オツ酸リチウムやタンタル酸す
チームからなるウェハー状の弾性表面波素子用基板に2
いて、該基板はその裏面に基板厚さを増すための被着膜
を形成し、その後基板表面に弾性表面波の送受を行なう
トランスジェーサ電極形成工程等のウニハープ日セスを
施してなることを特徴とした弾性表面波素子用基板によ
り達成できる。
要厚さにカットされX=オツ酸リチウムやタンタル酸す
チームからなるウェハー状の弾性表面波素子用基板に2
いて、該基板はその裏面に基板厚さを増すための被着膜
を形成し、その後基板表面に弾性表面波の送受を行なう
トランスジェーサ電極形成工程等のウニハープ日セスを
施してなることを特徴とした弾性表面波素子用基板によ
り達成できる。
以下、本発明の一実施例を添付ejtJ面により説明す
る。111図(A)、(B)は本発明に係るウェハー基
板の形成工程を示す側面断面図で、lはボール結晶から
必要厚さにカットされたニオブ酸すチーム等からなる圧
電性のウェハー基板、sriクエハー基板基板層面全面
に被着形成された基板厚さを増す几めの被着膜である。
る。111図(A)、(B)は本発明に係るウェハー基
板の形成工程を示す側面断面図で、lはボール結晶から
必要厚さにカットされたニオブ酸すチーム等からなる圧
電性のウェハー基板、sriクエハー基板基板層面全面
に被着形成された基板厚さを増す几めの被着膜である。
即ち、本発明に係るウェハー基板lはスライシング可能
な厚さ例えば0.4〜0.5驕厚1j7A度で力、トさ
れており、この−仮装rkJをラップ加工や蜆向加工に
より研磨され0J−0,Jiaa厚根藏の必要厚さに形
成さnてiる。また該ウェハー基板lは必要厚
[1さに形成された後に、その裏面全面に液状(ベ
ースト状)のガラスtたは倒Illを厚属印刷して皇布
し、これを乾燥硬化させて基板厚さを増して機械的強度
を高めるための被着膜2を形成する・このように形成さ
れたウェハー基板lは被着膜Sまで含め0.4〜0.5
g厚程度の基板厚さを有し従来と同様に基板割れを生
じにくいものになる。また本つェハー基&IF14!図
に平面形状を示す如く、略円形からなると共に局面の一
部をカットし几マスク位置合せ用のオリ7う(オリエン
テシ■ン・フラット)カット1mとサブ・オリ72カツ
)1bおよび第8のサブ・オリ7ラカツトlcを有する
・従来ではオリフラカットとして11とlbが形成さn
ていたが、本ウェハー基板lで、@Sのオリフラカット
ICも形成さnている。この種基板は割れる場合点#I
d或はeに れて割rtfi−生じることが多く、m8
のオリフラカットlcの形成により割れ側も該オリフラ
カット1cKjるマスク位置会せができ開用可能になる
。
な厚さ例えば0.4〜0.5驕厚1j7A度で力、トさ
れており、この−仮装rkJをラップ加工や蜆向加工に
より研磨され0J−0,Jiaa厚根藏の必要厚さに形
成さnてiる。また該ウェハー基板lは必要厚
[1さに形成された後に、その裏面全面に液状(ベ
ースト状)のガラスtたは倒Illを厚属印刷して皇布
し、これを乾燥硬化させて基板厚さを増して機械的強度
を高めるための被着膜2を形成する・このように形成さ
れたウェハー基板lは被着膜Sまで含め0.4〜0.5
g厚程度の基板厚さを有し従来と同様に基板割れを生
じにくいものになる。また本つェハー基&IF14!図
に平面形状を示す如く、略円形からなると共に局面の一
部をカットし几マスク位置合せ用のオリ7う(オリエン
テシ■ン・フラット)カット1mとサブ・オリ72カツ
)1bおよび第8のサブ・オリ7ラカツトlcを有する
・従来ではオリフラカットとして11とlbが形成さn
ていたが、本ウェハー基板lで、@Sのオリフラカット
ICも形成さnている。この種基板は割れる場合点#I
d或はeに れて割rtfi−生じることが多く、m8
のオリフラカットlcの形成により割れ側も該オリフラ
カット1cKjるマスク位置会せができ開用可能になる
。
そしてs ill! 1図おLび爲3図の如く形成さn
たウェハー着板lの表面には従来と同様に複数組のトラ
ンスジ為−サ電極対をパターン形成し、こnを各組部に
分割することにより第8図に示す如き本発明に係る弾性
!1面波素子が得られる。
たウェハー着板lの表面には従来と同様に複数組のトラ
ンスジ為−サ電極対をパターン形成し、こnを各組部に
分割することにより第8図に示す如き本発明に係る弾性
!1面波素子が得られる。
なお、第8図において、8は弾性表面反フィルタチップ
であり、該チップ8はその表面に送受信用のトランスジ
為−サ電@4.4’を有する上述のウェハー基板が分割
された素子基板5とその裏面に同様に分割された被着膜
61に有する・そして、該チップ8は金属ステム7上に
緩着固定さn図示せぬワイヤラッピング等の配置I厖埋
を施すことにより弾性1!面波フィルタが製造され心。
であり、該チップ8はその表面に送受信用のトランスジ
為−サ電@4.4’を有する上述のウェハー基板が分割
された素子基板5とその裏面に同様に分割された被着膜
61に有する・そして、該チップ8は金属ステム7上に
緩着固定さn図示せぬワイヤラッピング等の配置I厖埋
を施すことにより弾性1!面波フィルタが製造され心。
以上の本発明によれば、簡単な工程の追加により従来の
結晶利用率を約S倍程度にまで高めることが可能になり
、安価な弾性表@tR素子t−提供できるなど七の冥用
上の効果は看しいものである。
結晶利用率を約S倍程度にまで高めることが可能になり
、安価な弾性表@tR素子t−提供できるなど七の冥用
上の効果は看しいものである。
第1図(A)、 (B)は本発明に係る弾性表面波素子
用基板を得る工8!を説明するための部分的な一面断面
図、第S図は第1−のクエハー形状を示す平面図、第8
図は本発明に係る弾性表rIIJ波票子の概略側面図で
ある。 〔符号の説明〕 l・・・・・・ウェハー基板 2・・・・・・被 着 膜 %2図 第3図
用基板を得る工8!を説明するための部分的な一面断面
図、第S図は第1−のクエハー形状を示す平面図、第8
図は本発明に係る弾性表rIIJ波票子の概略側面図で
ある。 〔符号の説明〕 l・・・・・・ウェハー基板 2・・・・・・被 着 膜 %2図 第3図
Claims (2)
- (1) 必要厚さに形成されたニオブ酸リチウムやメ
ンタル酸リチームからなるウニへ−状の弾性表面波素子
用基板において、核基板はその裏面に基板厚さを増すた
めの被着膜を形成し、その後基板表1に弾性表向波の送
受を行なうトランジ島−サ電砺形成工程等のウーハ−プ
ロセスを施してなることt特徴とした弾性表面a素子用
基板。 - (2) 前記被着膜は液状のガラスまたは樹脂を塗布、
乾燥して形成されてい4cとt’%黴とした特許請求の
範囲$1項記載の弾性表向波素子用基板0
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11188981A JPS5813011A (ja) | 1981-07-17 | 1981-07-17 | 弾性表面波素子用基板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11188981A JPS5813011A (ja) | 1981-07-17 | 1981-07-17 | 弾性表面波素子用基板 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5813011A true JPS5813011A (ja) | 1983-01-25 |
Family
ID=14572680
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11188981A Pending JPS5813011A (ja) | 1981-07-17 | 1981-07-17 | 弾性表面波素子用基板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5813011A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6545575B1 (en) | 1998-09-28 | 2003-04-08 | Idec Izumi Corporation | Relay and method of manufacture thereof |
-
1981
- 1981-07-17 JP JP11188981A patent/JPS5813011A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6545575B1 (en) | 1998-09-28 | 2003-04-08 | Idec Izumi Corporation | Relay and method of manufacture thereof |
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