JPS58128982U - 半導体結晶成長装置 - Google Patents
半導体結晶成長装置Info
- Publication number
- JPS58128982U JPS58128982U JP2710182U JP2710182U JPS58128982U JP S58128982 U JPS58128982 U JP S58128982U JP 2710182 U JP2710182 U JP 2710182U JP 2710182 U JP2710182 U JP 2710182U JP S58128982 U JPS58128982 U JP S58128982U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor crystal
- crystal growth
- core tube
- furnace
- growth equipment
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
第１図は従来の結晶成長装置、第２図は本考案による結
晶成長装置の構造の概略を示す断面図である。 図において１は炉芯、２はヒータ線、３は保温材料、４
は密封容器、５は冷却管、ａは高温部、ｂは温度勾配部
、Ｃは低温部である。
晶成長装置の構造の概略を示す断面図である。 図において１は炉芯、２はヒータ線、３は保温材料、４
は密封容器、５は冷却管、ａは高温部、ｂは温度勾配部
、Ｃは低温部である。
Claims (1)
- 耐熱性炉芯管の周囲にヒータ線を巻回した電気炉を主体
として成る構成において、前記炉芯管の内部に当該炉芯
管よりの熱放射の一部を吸収し、且つそれ自身を流体に
て冷却し得る如き冷却管を備えたことを特徴とする半導
体結晶成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2710182U JPS58128982U (ja) | 1982-02-25 | 1982-02-25 | 半導体結晶成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2710182U JPS58128982U (ja) | 1982-02-25 | 1982-02-25 | 半導体結晶成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58128982U true JPS58128982U (ja) | 1983-09-01 |
Family
ID=30039020
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2710182U Pending JPS58128982U (ja) | 1982-02-25 | 1982-02-25 | 半導体結晶成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58128982U (ja) |
-
1982
- 1982-02-25 JP JP2710182U patent/JPS58128982U/ja active Pending
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