JPS58128731A - 半導体素子電極形成方法 - Google Patents
半導体素子電極形成方法Info
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- JPS58128731A JPS58128731A JP996582A JP996582A JPS58128731A JP S58128731 A JPS58128731 A JP S58128731A JP 996582 A JP996582 A JP 996582A JP 996582 A JP996582 A JP 996582A JP S58128731 A JPS58128731 A JP S58128731A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
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- H01L21/28575—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising AIIIBV compounds
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、金属マスクを使用してケミカルドライエツ
チング（ＣＤＫ）法を施す半導体素子電極形成方法に圓
する。
チング（ＣＤＫ）法を施す半導体素子電極形成方法に圓
する。
半導体素子１に極を形成する折、金Ｔｈ層幇に尚融点遷
移金属層をエツチングすることに祉困難な点が多く、こ
のため柚々の方法が開発され使用されている。
移金属層をエツチングすることに祉困難な点が多く、こ
のため柚々の方法が開発され使用されている。
ドライエツチングは、ソリューションエツチング≦；比
較して種々利点を備え、待じｃＤｚ＠は、その％徴が生
かされて半導体−子製造プロセス６二威力を発揮してい
る。
較して種々利点を備え、待じｃＤｚ＠は、その％徴が生
かされて半導体−子製造プロセス６二威力を発揮してい
る。
しかしこの０ＤＩＣ法（二も欠点がおる。１ずエツチン
グのマスクとしてレジスト膜を使用し、エツチング終了
彼このレジス）Ｍを剥離するのであるが剥離が完全≦二
行なわれない一合が起るのである。
グのマスクとしてレジスト膜を使用し、エツチング終了
彼このレジス）Ｍを剥離するのであるが剥離が完全≦二
行なわれない一合が起るのである。
このことけその後の工杵に支障をきたし、女足な工程を
なさない。またＣＤＫ法ではその装置構成の特徴として
、通宮エツチング時の被エツチング基体温度な峯温に近
くしている。−力高融点透秒金Ｊｌｔについては、被エ
ツチング誂体の温ｉを若干上昇さゼ エツチング速度を
あけること５：より、室温附近でのエツチング６二比較
して短時間で再現性良好区二安定にエツチングされるこ
とが４１明している。この外温Ｆｉ仮エツチング基体表
面を例えば白色光ｌｌ二よって光照射することでさせて
いる。
なさない。またＣＤＫ法ではその装置構成の特徴として
、通宮エツチング時の被エツチング基体温度な峯温に近
くしている。−力高融点透秒金Ｊｌｔについては、被エ
ツチング誂体の温ｉを若干上昇さゼ エツチング速度を
あけること５：より、室温附近でのエツチング６二比較
して短時間で再現性良好区二安定にエツチングされるこ
とが４１明している。この外温Ｆｉ仮エツチング基体表
面を例えば白色光ｌｌ二よって光照射することでさせて
いる。
このようなレジストマスクの剥離ｍ−を克服するため％
ｚｒ％Ｈ／ ｓ Ｏｒ等の遷移金属がＯＤＮ法によ
りほとんどエツチング不能という点でエツチングマスク
に使用される。又ムＵはおる種の条件、例えばマイクロ
波電力があまり大きくない場合、エツチング所要時間が
短い場合等ｉ二十分マスク効果が期特出米、実際の素子
製造工程Ｃ使用されている。
ｚｒ％Ｈ／ ｓ Ｏｒ等の遷移金属がＯＤＮ法によ
りほとんどエツチング不能という点でエツチングマスク
に使用される。又ムＵはおる種の条件、例えばマイクロ
波電力があまり大きくない場合、エツチング所要時間が
短い場合等ｉ二十分マスク効果が期特出米、実際の素子
製造工程Ｃ使用されている。
しかしこｔ′Ｌ等金１１Ｉ４膜をＣＤＩマスクに使用し
、そのま＼マスク金属層のｔ［に同極或いは異種の金属
線を被層して引張り強度を測定したところ、ＣＤＩＣマ
スク５二使用しない即ちマスク金属層の表面かエツチン
グガスに晒されない場合に比較して接着強度が省ること
が判明した。％Ｉ：ムＵをマスク区二使用した場合にこ
の傾向が強い。
、そのま＼マスク金属層のｔ［に同極或いは異種の金属
線を被層して引張り強度を測定したところ、ＣＤＩＣマ
スク５二使用しない即ちマスク金属層の表面かエツチン
グガスに晒されない場合に比較して接着強度が省ること
が判明した。％Ｉ：ムＵをマスク区二使用した場合にこ
の傾向が強い。
仁の事情をＡｕ ／ Ｔａ ／ ＧａＡ＠糸プレーナ型
ショットキ ダイオード製造プロセスを例じとって簡単
に説明する。まず過亘処埴を施したＧａ ＡＢ基体表面
ｇ二〇ＶＤ ＰＥＧ腺を堆積【７た後、写真蝕刻法でＰ
ＥＧ展ｉ二所望の寸法の穴をおけ、ショットキ接合形成
を予定したＧａＡ４ ｉｉ［ｉを篇出させる。次直二Ｇ
ａＡ６旙出面を含むＧａムロ基体表面全面に所足の厚さ
のＴａ４Ａｕ層を順次真空被着する。再度写）Ｉ−蝕刻
法を用いて一部をショットキ接合形成予定域上から周一
にがけて残雪［、て残部のＡ８層をソリューションエツ
チングで除去した彼、この蝕刻に使用したレジスト族を
剥離する。次に残置されｆｔ、 Ａｕ層をマスクにして
ＯＤＥ法でＴａＪ１露出域をエツチング除去し、電極を
残置してＰＳＧ験而を面用すれば′＃ＩＬ極形敢が児了
する。この段階でショットキバリヤを簀定ｆ二するため
不活性ガス雰−１気で熱処理を施（１、次いで（）ａＡ
−基体の層面についてラッピング、二ッｆ７ｆ
□等適宜処理を施し、史ｌニオーム性を賦与するため低
温の熱処理を１ねて施す。このあと、Ｐｊｒ足のサイズ
Ｃ−〇ａムロ基体を切断すればショットキ接合を具備し
たベレットが得られる。このようにして製作されたペレ
ットＦｉ所定のパッケージに封入されダイオードに供さ
れる。しかしこの場合バリヤ０安定化、オーム性賦与勢
の熱処理工程がシ曹ットキ電極Ｉ！面のム、層面５二つ
いてポンディング性能を低被着し、貴に写真蝕刻法を重
ねて電極以外のム層をソリューションエツチングで除去
することを行っている。
ショットキ ダイオード製造プロセスを例じとって簡単
に説明する。まず過亘処埴を施したＧａ ＡＢ基体表面
ｇ二〇ＶＤ ＰＥＧ腺を堆積【７た後、写真蝕刻法でＰ
ＥＧ展ｉ二所望の寸法の穴をおけ、ショットキ接合形成
を予定したＧａＡ４ ｉｉ［ｉを篇出させる。次直二Ｇ
ａＡ６旙出面を含むＧａムロ基体表面全面に所足の厚さ
のＴａ４Ａｕ層を順次真空被着する。再度写）Ｉ−蝕刻
法を用いて一部をショットキ接合形成予定域上から周一
にがけて残雪［、て残部のＡ８層をソリューションエツ
チングで除去した彼、この蝕刻に使用したレジスト族を
剥離する。次に残置されｆｔ、 Ａｕ層をマスクにして
ＯＤＥ法でＴａＪ１露出域をエツチング除去し、電極を
残置してＰＳＧ験而を面用すれば′＃ＩＬ極形敢が児了
する。この段階でショットキバリヤを簀定ｆ二するため
不活性ガス雰−１気で熱処理を施（１、次いで（）ａＡ
−基体の層面についてラッピング、二ッｆ７ｆ
□等適宜処理を施し、史ｌニオーム性を賦与するため低
温の熱処理を１ねて施す。このあと、Ｐｊｒ足のサイズ
Ｃ−〇ａムロ基体を切断すればショットキ接合を具備し
たベレットが得られる。このようにして製作されたペレ
ットＦｉ所定のパッケージに封入されダイオードに供さ
れる。しかしこの場合バリヤ０安定化、オーム性賦与勢
の熱処理工程がシ曹ットキ電極Ｉ！面のム、層面５二つ
いてポンディング性能を低被着し、貴に写真蝕刻法を重
ねて電極以外のム層をソリューションエツチングで除去
することを行っている。
このベレットを治具６二マウントし、ショットキ電極表
向にＡｕ線をボンデングして引張り強度を調べると％
ＣＤＩマスクＣ二使用したム１層とこのム１層に重ねて
被着されたム。層との外函で剥離する場合が非常に多い
。比較のためＴａ層のＯＤＩ工程をソリューションエッ
チングエｓｃ二替えた以外すべて同じ工程でベレットを
製作し、前記に同じ条件で引張り強度を調べた所、ム１
層間での剥離ははとんど起らないことが判明した。この
ことは、ＯＤＥ工程で解離した７レオンや＃１．木の活
性柚に晒されたＡ、層ｔｉ面が、光照射効果も加わって
変成を起すこと８二よると推定される。これらの事情は
Ａｕ層の場合に限らず、Ｓｔの差はあるが、０Ｄ１ｆｌ
での１２メ′ｒＩ；晒されｆＩ−Ｚｒ ％Ｈ／ ｓ Ｏ
ｒ各層表面にＡ、層を被着しても同様に鉋められ、プラ
ズマ活性種４二晒されない場合と比較して金属層間の密
着性を低下する。
向にＡｕ線をボンデングして引張り強度を調べると％
ＣＤＩマスクＣ二使用したム１層とこのム１層に重ねて
被着されたム。層との外函で剥離する場合が非常に多い
。比較のためＴａ層のＯＤＩ工程をソリューションエッ
チングエｓｃ二替えた以外すべて同じ工程でベレットを
製作し、前記に同じ条件で引張り強度を調べた所、ム１
層間での剥離ははとんど起らないことが判明した。この
ことは、ＯＤＥ工程で解離した７レオンや＃１．木の活
性柚に晒されたＡ、層ｔｉ面が、光照射効果も加わって
変成を起すこと８二よると推定される。これらの事情は
Ａｕ層の場合に限らず、Ｓｔの差はあるが、０Ｄ１ｆｌ
での１２メ′ｒＩ；晒されｆＩ−Ｚｒ ％Ｈ／ ｓ Ｏ
ｒ各層表面にＡ、層を被着しても同様に鉋められ、プラ
ズマ活性種４二晒されない場合と比較して金属層間の密
着性を低下する。
この発明はＯＤＥ法で使用したマスク川金属層を残置す
る型の半導体素子を極形成方法に対し。
る型の半導体素子を極形成方法に対し。
この電極を用い配線する時の強度を良好６二し剥離事故
を防止するよう５二改良を加えること１−ある。
を防止するよう５二改良を加えること１−ある。
即ちこの発ＱＱ ｔｉ （１１積崩され選択的に配電さ
れたマスク用金属層番＝おいて領域電極用金属層をエツ
チングガス５二晒すことによりマスク用層下方の半導体
領域上Ｃ：領域電極を形成後、マスク用層表面を深さ方
向に一部爵除し、てからこのマスク用層８；外被用金属
屑を積層形成すること≦二より得る半導体素子電極形成
方法、又ｒ！（２）領域電極上１′−積層されているマ
スク用金属層及び外被用金属層は倒れも金から成り、且
つマスク用層はカス蝕刻後６二表向を０．２μｍ以内浴
除されているものである前記（１）項覆；記載の半導体
素子電極形成方法（；ある。
れたマスク用金属層番＝おいて領域電極用金属層をエツ
チングガス５二晒すことによりマスク用層下方の半導体
領域上Ｃ：領域電極を形成後、マスク用層表面を深さ方
向に一部爵除し、てからこのマスク用層８；外被用金属
屑を積層形成すること≦二より得る半導体素子電極形成
方法、又ｒ！（２）領域電極上１′−積層されているマ
スク用金属層及び外被用金属層は倒れも金から成り、且
つマスク用層はカス蝕刻後６二表向を０．２μｍ以内浴
除されているものである前記（１）項覆；記載の半導体
素子電極形成方法（；ある。
このようなこの発明でマスク用金属層−外被用金属層の
組合わせは実施例に述べるようζ−例えばｚｒ−紅又Ｆ
ｉＡｕ−Ａｕであってよい。マスク用金属層は両例のＺ
ｒ １ ム１の他Ｈ／、Ｃ＋ｒを用いても喪い。外被用
金属層も一例のム８の他マスク用金属層と異糧材又社同
種材を用いてよい。
組合わせは実施例に述べるようζ−例えばｚｒ−紅又Ｆ
ｉＡｕ−Ａｕであってよい。マスク用金属層は両例のＺ
ｒ １ ム１の他Ｈ／、Ｃ＋ｒを用いても喪い。外被用
金属層も一例のム８の他マスク用金属層と異糧材又社同
種材を用いてよい。
以下実施例について図面を参照して説明する。
実施例（１）
鏡面に仕上けたバルクＧ６ム、基体表面をｓ Ｈ３ＰＯ
３、Ｂ５０１ ｓ Ｈ２Ｏの容積比が３：１：５０であ
る混合液で約０．２μｍエツチングし、水洗して乾燥す
る。このように処理し九Ｇ、ム、基体を真空蒸着装置Ｉ
：セットし、電子ビーム法で領域電極を形成するための
ムゆ・Ｇ４ ＠ ７ａｓ又金増マスクを形成するための
２゜さに順次被着させる。次６ユ岑真蝕刻法晶二よりレ
ジスト例えばＯＭＲをエツチングｉスクとして、直１１
６０μ鳳のマスク用層をおいて残部のＺｒ層を溶蝕除去
する。−刻液Ｆｉ溶積比が１：５０の）ＩＦ １ａｇｏ
拠金叡でよい。続いてマスク用層上のレジストを剥離＠
Ｊ−１００で除去する。次にＣＤＩ法で例えばマイク闘
技実効電力が〜０．６ＫＷ、エツチングガス流量が０１
Ｆ４を５０８０ＣＭ、 Ｏｆｉ ＱａＯｓｃｃｍ 、白
色光照射による基体表向ｉｉｉ＊を〜８０℃の条件でＺ
ｒマスク用層をマスクとして領域電極を残置するよう６
；壕ずテ蟲層を選択的にエツチングする。エツチング所
要時間は約四秒で足りる。
３、Ｂ５０１ ｓ Ｈ２Ｏの容積比が３：１：５０であ
る混合液で約０．２μｍエツチングし、水洗して乾燥す
る。このように処理し九Ｇ、ム、基体を真空蒸着装置Ｉ
：セットし、電子ビーム法で領域電極を形成するための
ムゆ・Ｇ４ ＠ ７ａｓ又金増マスクを形成するための
２゜さに順次被着させる。次６ユ岑真蝕刻法晶二よりレ
ジスト例えばＯＭＲをエツチングｉスクとして、直１１
６０μ鳳のマスク用層をおいて残部のＺｒ層を溶蝕除去
する。−刻液Ｆｉ溶積比が１：５０の）ＩＦ １ａｇｏ
拠金叡でよい。続いてマスク用層上のレジストを剥離＠
Ｊ−１００で除去する。次にＣＤＩ法で例えばマイク闘
技実効電力が〜０．６ＫＷ、エツチングガス流量が０１
Ｆ４を５０８０ＣＭ、 Ｏｆｉ ＱａＯｓｃｃｍ 、白
色光照射による基体表向ｉｉｉ＊を〜８０℃の条件でＺ
ｒマスク用層をマスクとして領域電極を残置するよう６
；壕ずテ蟲層を選択的にエツチングする。エツチング所
要時間は約四秒で足りる。
いまこのようＣニしてＣＤＩ法でＴａ層をエツチングし
た〇ａム、基体を二分割する。−刃片は比較のためその
ま＼儂ユおき、他方片番二ついてマスク用Ｚｒ層の表面
を前記の２．エツチング液を用いて、例えば２００Ｘ程
度エツチングする。このあと一方、他方両片を蒸着装置
に同時にセットし、電子ビーム法で厚さ約５ｏｏｏＸの
１５層を被着する。続いて再び写真蝕刻法を用いてマス
ク用層、領域電極を含む電極を残置してム１層および最
下層のム２・０４層の夫々工費域をエツチング除去した
後、レジストなＪ −１００液で除去する〇 このよう１ニして形成した各片弧ユつき素子電極Ｏム１
層表面に直径１５声ｍのム、ａｉｉをボンデングして引
張り試験を賦課する。第１６！３に結果１二ついて個体
別Ｃ二個数を示す。但しイは比較例の一方片に係り、口
は実施例の他方片感−係る個数で＃）す、まえ群（１）
ｔ；ｊ ｂ Ｚｒ層とム１層関で剥れたもの、評（２
））は、Ａｕ縁が切断したもの％＃（１）は、１５層と
ム１線閏で剥れたものを集計しである。ム、−の切断は
この試験機で表示を２．５〜３ｔｇニしたとき１二おき
、群（１）及び１ｌｌｌｔｉ！Ｊ−ド線が切断する以前
の不良数であるそれ故群（２）の個体はリード線の強直
以上の剥離強度があることを示し、この個数が鳥いはど
剥離強度が高いことを意味する。従って図からＺｒ層表
面エツチングの効果があきらかである０ 実施例（２） キャリヤ１ｌｌｔｎｘ Ｉ Ｘ １０ ＃ 、厚さ
２１層ｗｈＯエピタキシアル層と比抵抗ｌ×１６０・１
、厚さ３００−ｍの下地階とからなるｎ型Ｇ ａ ＡＨ
ウニノーのエピタキシアル層＆１ｉｉｌ−１約４５０℃
の１！匿で（！ＶＤＦＢＧ膜を堆積する。次区二写真１
１ｉＩｉＩ刻法−二よりレジストマスク例えばＯＭＲで
ＰＢＧ展書二直径６０μｍの穴をあけ、ショットキ・バ
リヤ形成用範囲≦二あてまずＧＡム、−を露出させた後
レジストを除去する。ｋ＆いて露出し九〇ａムー面を、
Ｈ５ｌＦＯ，とＨ＠Ｏ＠とＨ３Ｏが容積比８：１：５０
の混曾敵で約０き１５μｍエツチングし、水洗、乾燥の
彼、背圧２ ｘ １０ ＴＯＲＲの真空装置内で電子
ビーム汰によりＴａ層２０００Ｘ 、 Ａ、層５ｏｏ
ｏＸ １に順次被着させる。再ひ写Ｊ’４鮪刻法で前記
ショットキバリヤ形成用範囲な蝋うＡｕ層をマス。
り用金属層としてとｙめ、その他の不壁部分なオーロス
トリップ液でエツチング除去し、続いて電極上のレジス
トを剥離ｍ、Ｔ−１００で帆離する。次６二ＯＤＩ法で
このマスク用層をｉスフ堪ユＴａ層を例えは実施例（１
）と同じ条件でエツチングする０このようＣしてＶ！！
ットキ電極が領域電極として形成されるが、バリヤの安
定化をはかり史にｈｒガス流中で例えば４８０℃、 １
０ｍ１ｎの熱処理を施す。
た〇ａム、基体を二分割する。−刃片は比較のためその
ま＼儂ユおき、他方片番二ついてマスク用Ｚｒ層の表面
を前記の２．エツチング液を用いて、例えば２００Ｘ程
度エツチングする。このあと一方、他方両片を蒸着装置
に同時にセットし、電子ビーム法で厚さ約５ｏｏｏＸの
１５層を被着する。続いて再び写真蝕刻法を用いてマス
ク用層、領域電極を含む電極を残置してム１層および最
下層のム２・０４層の夫々工費域をエツチング除去した
後、レジストなＪ −１００液で除去する〇 このよう１ニして形成した各片弧ユつき素子電極Ｏム１
層表面に直径１５声ｍのム、ａｉｉをボンデングして引
張り試験を賦課する。第１６！３に結果１二ついて個体
別Ｃ二個数を示す。但しイは比較例の一方片に係り、口
は実施例の他方片感−係る個数で＃）す、まえ群（１）
ｔ；ｊ ｂ Ｚｒ層とム１層関で剥れたもの、評（２
））は、Ａｕ縁が切断したもの％＃（１）は、１５層と
ム１線閏で剥れたものを集計しである。ム、−の切断は
この試験機で表示を２．５〜３ｔｇニしたとき１二おき
、群（１）及び１ｌｌｌｔｉ！Ｊ−ド線が切断する以前
の不良数であるそれ故群（２）の個体はリード線の強直
以上の剥離強度があることを示し、この個数が鳥いはど
剥離強度が高いことを意味する。従って図からＺｒ層表
面エツチングの効果があきらかである０ 実施例（２） キャリヤ１ｌｌｔｎｘ Ｉ Ｘ １０ ＃ 、厚さ
２１層ｗｈＯエピタキシアル層と比抵抗ｌ×１６０・１
、厚さ３００−ｍの下地階とからなるｎ型Ｇ ａ ＡＨ
ウニノーのエピタキシアル層＆１ｉｉｌ−１約４５０℃
の１！匿で（！ＶＤＦＢＧ膜を堆積する。次区二写真１
１ｉＩｉＩ刻法−二よりレジストマスク例えばＯＭＲで
ＰＢＧ展書二直径６０μｍの穴をあけ、ショットキ・バ
リヤ形成用範囲≦二あてまずＧＡム、−を露出させた後
レジストを除去する。ｋ＆いて露出し九〇ａムー面を、
Ｈ５ｌＦＯ，とＨ＠Ｏ＠とＨ３Ｏが容積比８：１：５０
の混曾敵で約０き１５μｍエツチングし、水洗、乾燥の
彼、背圧２ ｘ １０ ＴＯＲＲの真空装置内で電子
ビーム汰によりＴａ層２０００Ｘ 、 Ａ、層５ｏｏ
ｏＸ １に順次被着させる。再ひ写Ｊ’４鮪刻法で前記
ショットキバリヤ形成用範囲な蝋うＡｕ層をマス。
り用金属層としてとｙめ、その他の不壁部分なオーロス
トリップ液でエツチング除去し、続いて電極上のレジス
トを剥離ｍ、Ｔ−１００で帆離する。次６二ＯＤＩ法で
このマスク用層をｉスフ堪ユＴａ層を例えは実施例（１
）と同じ条件でエツチングする０このようＣしてＶ！！
ットキ電極が領域電極として形成されるが、バリヤの安
定化をはかり史にｈｒガス流中で例えば４８０℃、 １
０ｍ１ｎの熱処理を施す。
ここで工Ｓ差６二よる素子特性を比較する丸め、エピタ
キシアルウェハを二分割し、比較のための一方片をその
ま＼６二おき、他方片をオーロストリップ淑６ユ浸しシ
曹ットキ電極上のマスク用ム１層面を約０．１Ｉｍ＠度
エツチング除去する。次Ｉ：Ｗ１４片つェハＯＩｌ向下
地層をウェハ全体の厚さが約１３０ｐｍ響二なるように
２ツビングし、東６二Ｂ１液でエツチングした後、ウニ
へ下地ＪＩ濠面全向にムトＧ４合金を５０００Ｘ根駿の
廖さ真空被着し、続いてムｒｔｌス流中で４２０℃、６
ｍ１ｎの熱処理を施してウェハ裏向ロオーム性電極を形
成する。最後６二両片ウェハの全表面Ｃ−厚さ約５００
０Ｘのム８層を背圧２ Ｘ １０−’テＯ１ｍの真空中
で電子ビーム法により被着し、更１；写真＊刻法６二よ
りマスク用金層表面１：外被用ム１層をとソめ残部をエ
ツチングして除きショット中電極を具備したウェハを得
させる。このクエ／Ｓを直径６０μｍの７ヨツトキ電極
を含む３００）＋ｍ Ｘ ３０Ｇｐｍ寸法に切断したペ
レットは、］！葛二所定のパッケージ１＝封入されて、
ブレーナ蓋ショットキ・ダイオード６二供されることに
なる。
キシアルウェハを二分割し、比較のための一方片をその
ま＼６二おき、他方片をオーロストリップ淑６ユ浸しシ
曹ットキ電極上のマスク用ム１層面を約０．１Ｉｍ＠度
エツチング除去する。次Ｉ：Ｗ１４片つェハＯＩｌ向下
地層をウェハ全体の厚さが約１３０ｐｍ響二なるように
２ツビングし、東６二Ｂ１液でエツチングした後、ウニ
へ下地ＪＩ濠面全向にムトＧ４合金を５０００Ｘ根駿の
廖さ真空被着し、続いてムｒｔｌス流中で４２０℃、６
ｍ１ｎの熱処理を施してウェハ裏向ロオーム性電極を形
成する。最後６二両片ウェハの全表面Ｃ−厚さ約５００
０Ｘのム８層を背圧２ Ｘ １０−’テＯ１ｍの真空中
で電子ビーム法により被着し、更１；写真＊刻法６二よ
りマスク用金層表面１：外被用ム１層をとソめ残部をエ
ツチングして除きショット中電極を具備したウェハを得
させる。このクエ／Ｓを直径６０μｍの７ヨツトキ電極
を含む３００）＋ｍ Ｘ ３０Ｇｐｍ寸法に切断したペ
レットは、］！葛二所定のパッケージ１＝封入されて、
ブレーナ蓋ショットキ・ダイオード６二供されることに
なる。
前記のようにして得られたペレットな治具上区二マウン
トし、実施例（１）と同様に直径１５μｍのムｕ１１を
外被用人Ｕ層面区ニボンデングして引張り強度試験を賦
課する。第２図でイは比較例の一刃片番二係り。
トし、実施例（１）と同様に直径１５μｍのムｕ１１を
外被用人Ｕ層面区ニボンデングして引張り強度試験を賦
課する。第２図でイは比較例の一刃片番二係り。
口は実施例の他方−片に係る個数である。図で群（’ｌ
ｓ （Ｋ） ｂ （Ｉｌｌは倒れも第１図Ｃ二於ける
と１ｈｊ様喀二分類表示しである０ 又＃Ｉ３図にこの実施例（２）で麺たダイオードにつき
直列抵抗を欄廼した結果の個数分布を示す０図でイは比
較例の一刃片≦：係り、口は実施例の他方片に係る分布
である。
ｓ （Ｋ） ｂ （Ｉｌｌは倒れも第１図Ｃ二於ける
と１ｈｊ様喀二分類表示しである０ 又＃Ｉ３図にこの実施例（２）で麺たダイオードにつき
直列抵抗を欄廼した結果の個数分布を示す０図でイは比
較例の一刃片≦：係り、口は実施例の他方片に係る分布
である。
第２、第３両図の結果から実施例方法によれば、０Ｉ）
１法慝；よりエツチングガス（−晒されると＠変成した
ム１層表面が除かれて素子特性を良好にすることが認め
られる。
１法慝；よりエツチングガス（−晒されると＠変成した
ム１層表面が除かれて素子特性を良好にすることが認め
られる。
このようなこのＣＤＩＣ法で使用したマスク用金 。
属層を残置する型の素子電極形成力法において、エツチ
ング終了後酸二便用またマスク用金属層表面番二Ａｕ層
を被着させるに先だって、マスク層表面をソリューショ
ンエツチングで若干除去すること５：より配線に際し剥
離事故を除き、良好な半導体素子ｉａ極を形成できる０
ング終了後酸二便用またマスク用金属層表面番二Ａｕ層
を被着させるに先だって、マスク層表面をソリューショ
ンエツチングで若干除去すること５：より配線に際し剥
離事故を除き、良好な半導体素子ｉａ極を形成できる０
第１図及び第２図は何れも実施例及び比較例の半導体素
子電極形成方法Ｉ：係る半導体素子電極Ｉ：金線をボン
ディングして引張り強度試験を賦課した結果Ｃついて示
す事故別伽体集針図、第３ｔｊＡｔｉ夾施例方法及び比
較例方法３二より半導体素子電極を形成されたダイオー
ドについて測定した直列抵抗の個数別分布図であるＯ 第 １ 図 （１） （２） （３） 群 第 ２ 図 （１） （２） （３） 杆 第 ３ 図 直列４礼４丸 （＾−ムノ −１４・ −
子電極形成方法Ｉ：係る半導体素子電極Ｉ：金線をボン
ディングして引張り強度試験を賦課した結果Ｃついて示
す事故別伽体集針図、第３ｔｊＡｔｉ夾施例方法及び比
較例方法３二より半導体素子電極を形成されたダイオー
ドについて測定した直列抵抗の個数別分布図であるＯ 第 １ 図 （１） （２） （３） 群 第 ２ 図 （１） （２） （３） 杆 第 ３ 図 直列４礼４丸 （＾−ムノ −１４・ −
Claims (2)
- （１）積層され辿択的に配置されたマスク用金属層をお
いて領域電極用金属層をエツチングガス≦二晒すこと息
二よりマスク用層下方の半導体領域上≦二領域電他を形
＃：後、マスク用層表向を深さ方向に一部浴除してから
このマスク用層１：外被用金属層をｆｐＷＩＩ形成する
ことＣ二より得ることを特徴とする半導体素子電極形成
方法 - （２）領域電極上に積層されているマスク用金属層及び
外被用金属層は何れも金から成り、且つマスク用層はガ
スー刻後Ｃ二衣面を０．２μｍ以内溶除されているもの
であることを４１１！とする特許請求の範囲第１項に記
載の半導体素子電極形成方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP996582A JPS58128731A (ja) | 1982-01-27 | 1982-01-27 | 半導体素子電極形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP996582A JPS58128731A (ja) | 1982-01-27 | 1982-01-27 | 半導体素子電極形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58128731A true JPS58128731A (ja) | 1983-08-01 |
Family
ID=11734641
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP996582A Pending JPS58128731A (ja) | 1982-01-27 | 1982-01-27 | 半導体素子電極形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58128731A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01120025A (ja) * | 1987-11-02 | 1989-05-12 | Oki Electric Ind Co Ltd | 薄膜トランジスタの製造方法 |
-
1982
- 1982-01-27 JP JP996582A patent/JPS58128731A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01120025A (ja) * | 1987-11-02 | 1989-05-12 | Oki Electric Ind Co Ltd | 薄膜トランジスタの製造方法 |
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