JPS5812791A - 光学メモリ媒体用基体 - Google Patents
光学メモリ媒体用基体Info
- Publication number
- JPS5812791A JPS5812791A JP56110863A JP11086381A JPS5812791A JP S5812791 A JPS5812791 A JP S5812791A JP 56110863 A JP56110863 A JP 56110863A JP 11086381 A JP11086381 A JP 11086381A JP S5812791 A JPS5812791 A JP S5812791A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- film
- recording
- optical memory
- memory medium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/257—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
- G11B2007/24302—Metals or metalloids
- G11B2007/24314—Metals or metalloids group 15 elements (e.g. Sb, Bi)
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/244—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only
- G11B7/246—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing dyes
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/253—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates
- G11B7/2531—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates comprising glass
Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、大容量且つ非接触で光学的に情報音記録、再
生できる光学メモリ装置（％にレーザビーム記憶装置）
に好適な光学メモリ媒体用基体に関する。
生できる光学メモリ装置（％にレーザビーム記憶装置）
に好適な光学メモリ媒体用基体に関する。
集束されたレーザ光によシ情報ｒ高密度に記録、再生し
うる光学メモリ媒体の多くは、基体上に形成された記録
薄膜に集束レーザ光を照射し、熱作用により記録薄膜？
局部的に溶融蒸発させて凹部（ビット）音形成するか、
又は、光学的性質（例えば屈折率）紮変化させることに
よル情報ｒ記録し、例えば反射率の変化【光学的にピッ
クアップして情報？再生するものである０ この種の光学メモリ媒体用基体としては、従来、ガラス
又はプラスチック（例えばポリメチルメタクリレート）
等が用いられているが、基体材料としては安定性（変形
、変質に強いこと等）に優れていること、低熱伝導性で
あること及び加工性に優れ安価であること等が望まれる
条件である。低熱伝導性であることが望ましい理由は、
基体上に形成された記録＃膜ｒレーザ光照射により局部
的に昇温さぜる際に、基体への熱放散？極力少なくし、
照射レーザエネルギー忙有□効に記録薄膜の溶融蒸発あ
るいけ物性変化に消費させること、すなわち記録感度？
高めることにある。このために、安価且つ低熱伝導車を
有するポリメチルメタクリ１／ −） （以下ＰＭＭム
と略称する）基体が用いられる場合が多い。しかし、
例えば５００禦径のプラスチック基体を用いたディスク
状光学メ〜〔す媒体は、回転面振れが大きく、例えば１
８００ ｒｐｍの回転数でビデオ信号ｒ記録、再生する
際、自動焦点機構が追従できないという欠点があった。
うる光学メモリ媒体の多くは、基体上に形成された記録
薄膜に集束レーザ光を照射し、熱作用により記録薄膜？
局部的に溶融蒸発させて凹部（ビット）音形成するか、
又は、光学的性質（例えば屈折率）紮変化させることに
よル情報ｒ記録し、例えば反射率の変化【光学的にピッ
クアップして情報？再生するものである０ この種の光学メモリ媒体用基体としては、従来、ガラス
又はプラスチック（例えばポリメチルメタクリレート）
等が用いられているが、基体材料としては安定性（変形
、変質に強いこと等）に優れていること、低熱伝導性で
あること及び加工性に優れ安価であること等が望まれる
条件である。低熱伝導性であることが望ましい理由は、
基体上に形成された記録＃膜ｒレーザ光照射により局部
的に昇温さぜる際に、基体への熱放散？極力少なくし、
照射レーザエネルギー忙有□効に記録薄膜の溶融蒸発あ
るいけ物性変化に消費させること、すなわち記録感度？
高めることにある。このために、安価且つ低熱伝導車を
有するポリメチルメタクリ１／ −） （以下ＰＭＭム
と略称する）基体が用いられる場合が多い。しかし、
例えば５００禦径のプラスチック基体を用いたディスク
状光学メ〜〔す媒体は、回転面振れが大きく、例えば１
８００ ｒｐｍの回転数でビデオ信号ｒ記録、再生する
際、自動焦点機構が追従できないという欠点があった。
更に又、ＰＭＭムは変形しやすく、又、吸水性が比較的
高い皮め、記録材料を劣化させるという欠点があった。
高い皮め、記録材料を劣化させるという欠点があった。
面振れに関する欠点を解除するため、変形が少なく化学
的安定性に優れたガラス基板の上にＰＭＭム膜會形成し
てこれｔ基体とし、その上に記録薄膜？形成する方法が
採られているが、ＰＭＭＡ膜の安定性に欠けるという欠
点は除去されていない。
的安定性に優れたガラス基板の上にＰＭＭム膜會形成し
てこれｔ基体とし、その上に記録薄膜？形成する方法が
採られているが、ＰＭＭＡ膜の安定性に欠けるという欠
点は除去されていない。
本発明はこのような現状葡考慮してなされたものであり
、その目的は、上記の欠点を解消し、各種基板上に特定
のポリマーのＭｋ被榎した基体を用い、光学メモリ媒体
の記録感度及び安定性を向上させうる光学メモリ媒体用
基体を提供することである。
、その目的は、上記の欠点を解消し、各種基板上に特定
のポリマーのＭｋ被榎した基体を用い、光学メモリ媒体
の記録感度及び安定性を向上させうる光学メモリ媒体用
基体を提供することである。
本発明は上記の目的音達成するため次の構成會とるもの
である。すなわち、本発明の光学メモリ媒体用基体は、
基板上にボ’Ｊ−ｐ−キシリレン又はその核りｐル置換
体の膜を設けたこと１％像とするものである。
である。すなわち、本発明の光学メモリ媒体用基体は、
基板上にボ’Ｊ−ｐ−キシリレン又はその核りｐル置換
体の膜を設けたこと１％像とするものである。
本発明者等は、上記の目的で種々の観点から検討？加え
た結果、基板上詳しくＦま基体構成材料の最上部に上記
特定のポリ−ｐ−キシリレン又はその核クロル置換体の
膜（以下ポリキシリレン膜と略称する）を被覆し、この
基体の上に記録薄膜會積層して作製した光学メモリ媒体
が著しく向上した記録感度及び経時安定性會有すること
ｔ見出して本発明に到達したものである。
た結果、基板上詳しくＦま基体構成材料の最上部に上記
特定のポリ−ｐ−キシリレン又はその核クロル置換体の
膜（以下ポリキシリレン膜と略称する）を被覆し、この
基体の上に記録薄膜會積層して作製した光学メモリ媒体
が著しく向上した記録感度及び経時安定性會有すること
ｔ見出して本発明に到達したものである。
本発明におけるポリ−ｐ−キシリレンｔま構造体である
ポリ−モノクルローｐ−キシリレンは以上の数値を示す
）で表される既知の化合物であり、米国ユニオンカーバ
イド社からパリレンＮ及びＣの商品名で入手可能であり
、同社発行のカタログ「バリレ／」に製法その他が詳細
に紹介され、又、前者については例えば昭和４９年３．
ｊ１１０日共立出版社発行、化学大辞典、縮刷版、第８
巻、第７５２頁にそｑ）ＩＲ法及び性質が記賊されてい
る０ 本発明の光学メモリ媒体用基体は、各種の基板例えばガ
ラス又はプラスチック、プラスチック層が形成されたガ
ラス又はプラスチック、あるいけ金属からなる基板上に
、上記ポリキシリレン膜を形成することにより作製する
ことができる。
ポリ−モノクルローｐ−キシリレンは以上の数値を示す
）で表される既知の化合物であり、米国ユニオンカーバ
イド社からパリレンＮ及びＣの商品名で入手可能であり
、同社発行のカタログ「バリレ／」に製法その他が詳細
に紹介され、又、前者については例えば昭和４９年３．
ｊ１１０日共立出版社発行、化学大辞典、縮刷版、第８
巻、第７５２頁にそｑ）ＩＲ法及び性質が記賊されてい
る０ 本発明の光学メモリ媒体用基体は、各種の基板例えばガ
ラス又はプラスチック、プラスチック層が形成されたガ
ラス又はプラスチック、あるいけ金属からなる基板上に
、上記ポリキシリレン膜を形成することにより作製する
ことができる。
このようにして作製した基体上に、通常知られた方法に
よシ記録薄膜として例えばビスマス又はテルル等の低融
点金属化合物薄膜層又はローダミン及びオキサジン系色
素等の有機化合物薄膜層を形成し、集束レーザ光等によ
る解融蒸発によシ凹部又は溝（ビット）ｔ−形成して情
報を記録、再生することができる。
よシ記録薄膜として例えばビスマス又はテルル等の低融
点金属化合物薄膜層又はローダミン及びオキサジン系色
素等の有機化合物薄膜層を形成し、集束レーザ光等によ
る解融蒸発によシ凹部又は溝（ビット）ｔ−形成して情
報を記録、再生することができる。
本発明による基体を用いた光学メそり媒体は、ポリキシ
リレン膜の作用により局部的に温度上昇が可能であシ、
（基体への熱放散が少ない）記録感度が優れていると共
に安定性も良好である０ 本発明の光学メモリ媒体用基体は後記実施例に示すよう
に各種の形態ｒとることができるが、その基本的な構成
音記録薄膜も含めて図面によシ説明する。すなわち、第
１図は本発明の基体管用いた光学メモリ媒体の構成（光
照射前）の基本例會示した断面概略図であり、１は基板
、２はポリキシリレン膜、５は１．２により構成される
基体、４は記録薄膜ｒ示す。ｗＥ１図に示すように、光
学メモリ媒体は、前記１．た各種基板１上にポリキシリ
レン膜２ｔ！＆覆して構成された基体３上に、更に前記
しｙｔ％種記録薄膜４（例えば後記実施例におけるよう
なム”１＠Ｔｅ＠０の膜）を真空蒸着法等によ）積層す
ることによシ基本構造が作成され、これに集束レーザ光
等を照射して記録薄膜に情報音局部的に記録、再生させ
る方式ｔとる。
リレン膜の作用により局部的に温度上昇が可能であシ、
（基体への熱放散が少ない）記録感度が優れていると共
に安定性も良好である０ 本発明の光学メモリ媒体用基体は後記実施例に示すよう
に各種の形態ｒとることができるが、その基本的な構成
音記録薄膜も含めて図面によシ説明する。すなわち、第
１図は本発明の基体管用いた光学メモリ媒体の構成（光
照射前）の基本例會示した断面概略図であり、１は基板
、２はポリキシリレン膜、５は１．２により構成される
基体、４は記録薄膜ｒ示す。ｗＥ１図に示すように、光
学メモリ媒体は、前記１．た各種基板１上にポリキシリ
レン膜２ｔ！＆覆して構成された基体３上に、更に前記
しｙｔ％種記録薄膜４（例えば後記実施例におけるよう
なム”１＠Ｔｅ＠０の膜）を真空蒸着法等によ）積層す
ることによシ基本構造が作成され、これに集束レーザ光
等を照射して記録薄膜に情報音局部的に記録、再生させ
る方式ｔとる。
詳細な構成、作用及び効果は、下記実施例において各態
様につき図面を参照して説明するが、本発明はこれらに
よりなんら限定されるものではない。
様につき図面を参照して説明するが、本発明はこれらに
よりなんら限定されるものではない。
実施例１
第２図は本実施例における基体上に記録薄膜を形成して
作製した光学メモリ媒体にレーザ光照射によりビット會
形成し友状態會示した新開概略図であり、符号２及び４
は前記第１図におけると同じ意味紫有し、５けビット、
６けレーザ、１１けガラス基板、５１ｉｊ本実施例にお
ける基体を示す。
作製した光学メモリ媒体にレーザ光照射によりビット會
形成し友状態會示した新開概略図であり、符号２及び４
は前記第１図におけると同じ意味紫有し、５けビット、
６けレーザ、１１けガラス基板、５１ｉｊ本実施例にお
ける基体を示す。
光学研磨を施した径３０６■、厚さ１．５■のガラス基
板１上に、膜厚的α５μｍのポリキシリレン膜２（ポリ
−ｐ−キシリレン膜、パリレンＮ１重合度ｓ、ｏ ｏ
ｏ以上）を被覆した。この膜の形成に当っては、ジ−ｐ
−キシリレンを蒸発させ、６８０℃、０５気圧の配管中
に流通して熱分解して得られるｐ−キシリレン【２５℃
、α１気圧に保持したチャンバーに導入することによシ
ボリール−キシリレンの膜ケ付着させ次。
板１上に、膜厚的α５μｍのポリキシリレン膜２（ポリ
−ｐ−キシリレン膜、パリレンＮ１重合度ｓ、ｏ ｏ
ｏ以上）を被覆した。この膜の形成に当っては、ジ−ｐ
−キシリレンを蒸発させ、６８０℃、０５気圧の配管中
に流通して熱分解して得られるｐ−キシリレン【２５℃
、α１気圧に保持したチャンバーに導入することによシ
ボリール−キシリレンの膜ケ付着させ次。
これｔ基体３１とし、この上に記録薄膜４としてム１ｌ
ｘｅＴｌｉｌ＊ｏ （Ｄ膜（膜厚約２００人）紫真空蒸
着法によ多形成した。
ｘｅＴｌｉｌ＊ｏ （Ｄ膜（膜厚約２００人）紫真空蒸
着法によ多形成した。
又、比較のため、ポリ−ｐ−キシリレ／膜の代わりにＰ
ＭＭＡ 膜（膜厚的０．５μｍ ）ｋスピンコード
法によりガラス基板１１上に形成し、その上に上記と同
様にム”ＩＯＴ”Ｈの膜（膜厚約２００ム）會積層した
。
ＭＭＡ 膜（膜厚的０．５μｍ ）ｋスピンコード
法によりガラス基板１１上に形成し、その上に上記と同
様にム”ＩＯＴ”Ｈの膜（膜厚約２００ム）會積層した
。
このようにして作製した光学メモリ媒体の記録感度特性
及び経時変化音測定し、両者を比較した。なお、記録光
源としては、波長（１８！ｉμｍの半導体レーザを用い
、第２図に示し次矢印の方向よシレーザ６を照射して溶
融蒸発によりビット５を形成し、ビット５を形成しうる
最低の照射エネルギーを求め、光学メモリ媒体の記録エ
ネルギー密度の閾値を比較した。その結果、本発明の第
２図の構成の記録エネルギー密度の闇値は約２０ ｍＸ
／ｄで６つ几が、一方、ポリ−ｐ−キシリレン膜に替え
てＰＩＩＭＡ １ｌｆｉを用いた場合には約５５ ｒｒ
Ｊｌｏｌであり、本発明の基体を用いることにより従来
のＰＭＭＡ を用いた場合に比べ、約２倍の記録感度の
向上を達成する仁とができた。
及び経時変化音測定し、両者を比較した。なお、記録光
源としては、波長（１８！ｉμｍの半導体レーザを用い
、第２図に示し次矢印の方向よシレーザ６を照射して溶
融蒸発によりビット５を形成し、ビット５を形成しうる
最低の照射エネルギーを求め、光学メモリ媒体の記録エ
ネルギー密度の閾値を比較した。その結果、本発明の第
２図の構成の記録エネルギー密度の闇値は約２０ ｍＸ
／ｄで６つ几が、一方、ポリ−ｐ−キシリレン膜に替え
てＰＩＩＭＡ １ｌｆｉを用いた場合には約５５ ｒｒ
Ｊｌｏｌであり、本発明の基体を用いることにより従来
のＰＭＭＡ を用いた場合に比べ、約２倍の記録感度の
向上を達成する仁とができた。
又、上記２１！ｉのディスク状光学メジεり媒体につき
、作製後１か月を経過した後、記録感度特性を再び測定
した結果、本発明による光学メモリ媒体では変化は認め
られなかったが、ボＩＪ ＋ｐ−キシリレン膜に替えて
ＰＭＭＡ 膜を用いた光学メモリ媒体では、記録エネル
ギー密度の閾値は約５０ ｍｙ、４−であり感度の低下
が明らかに認められた。
、作製後１か月を経過した後、記録感度特性を再び測定
した結果、本発明による光学メモリ媒体では変化は認め
られなかったが、ボＩＪ ＋ｐ−キシリレン膜に替えて
ＰＭＭＡ 膜を用いた光学メモリ媒体では、記録エネル
ギー密度の閾値は約５０ ｍｙ、４−であり感度の低下
が明らかに認められた。
なお又、以上は本発明におけるポリキシリレン膜２とし
てポリ−ｐ−キシリレン膜を用−た例であるが、同系統
の材料のポリ−モノクロローｐ−キシリレン（パリレン
０１重合度ｓ、ｏ ｏ 。
てポリ−ｐ−キシリレン膜を用−た例であるが、同系統
の材料のポリ−モノクロローｐ−キシリレン（パリレン
０１重合度ｓ、ｏ ｏ 。
以上）を用いて実験を行ったところ、記録感度、安定性
共に前記とほぼ同様の結果を得るととができた。
共に前記とほぼ同様の結果を得るととができた。
実施例２
第Ｓ図は本実施例における基体上に記録薄膜を形成して
作製した光学メモリ媒体にレーザ照射によ〕ビットを形
成した状態を示し皮断爾概略図であ夛、符号２．４．５
及び６Ｆｉ前記第２図と同じ意味を有し、１２けプラス
チツタ基板、１５はプラスチック膜、３２は本実施例に
おける基体を示す。プラスチック基板１２及びプラスチ
ック膜１３の材料としては、いずれ４ ＰＭＭＡを用い
、プラスチック膜１３はプラスチック基板１２上にＰＭ
ＭＡ をスピンコード法によシ形成し、プラスチック基
板１２の表面に散在する微小なキズを埋めて光学的欠陥
を除去し平坦な表面を得るために有効である。プラスチ
ック基板１２の厚さは１５ｍ、グラスチック膜１Ｓの膜
厚は約１μｍ とし、この上に実施例１と同様にしてポ
リ−ｐ−キシリレン膜２（バリン／Ｎ。
作製した光学メモリ媒体にレーザ照射によ〕ビットを形
成した状態を示し皮断爾概略図であ夛、符号２．４．５
及び６Ｆｉ前記第２図と同じ意味を有し、１２けプラス
チツタ基板、１５はプラスチック膜、３２は本実施例に
おける基体を示す。プラスチック基板１２及びプラスチ
ック膜１３の材料としては、いずれ４ ＰＭＭＡを用い
、プラスチック膜１３はプラスチック基板１２上にＰＭ
ＭＡ をスピンコード法によシ形成し、プラスチック基
板１２の表面に散在する微小なキズを埋めて光学的欠陥
を除去し平坦な表面を得るために有効である。プラスチ
ック基板１２の厚さは１５ｍ、グラスチック膜１Ｓの膜
厚は約１μｍ とし、この上に実施例１と同様にしてポ
リ−ｐ−キシリレン膜２（バリン／Ｎ。
膜厚α５μｍ）を形成し、基体３２とした。次いで、実
施例１と同様にしてその上にムＩｌｌ・Ｔｏ・・膜を記
録薄膜４（膜厚２００λ）として積層し、実施例１と同
様にｗｃＳ図中の矢印方向にレーザ６（波長ａＳＳμｍ
）を照射し溶融蒸発によりビット５を形成した。実施例
１と同様にしてその記録感度及び経時変化を測定ｔ、７
ｔ、結果、実施例１とほぼ同様の結果が得られ、ポリ−
ｐ−キシリレン膜を設けることによシ配録感度及び安定
性を著しく向上させることができることが明らかとなっ
た。
施例１と同様にしてその上にムＩｌｌ・Ｔｏ・・膜を記
録薄膜４（膜厚２００λ）として積層し、実施例１と同
様にｗｃＳ図中の矢印方向にレーザ６（波長ａＳＳμｍ
）を照射し溶融蒸発によりビット５を形成した。実施例
１と同様にしてその記録感度及び経時変化を測定ｔ、７
ｔ、結果、実施例１とほぼ同様の結果が得られ、ポリ−
ｐ−キシリレン膜を設けることによシ配録感度及び安定
性を著しく向上させることができることが明らかとなっ
た。
実施例５
第４図は本発明の他の実施例を示した断面概略図であり
、符号２．４．６及び１１は前記第２図におけると同じ
意味を有し、１５ｉｔ溝形成用膜、３５Ｆｉ本実施例に
おける基体を示す。本実施例においては、厚さ１．５譚
のガラス基板１１上に、メチルメタクリレート又はその
プレポリマーを塗布し、その上にニッケルメッキで作製
したスパイラル状又は同心円状の溝スタンパを圧着し、
例えば紫外線照射によ）重合、硬化させて溝を転写した
。この溝形成用膜１ｓの上に更に実施例１と同様にして
ポリ−ｐ−キシリレン膜２（パリレンＮ１膜厚α５μｍ
）を形成して、これを基体３ｓとし、この上に記録薄膜
４（膜厚２５０ム）としてＡｌ１１１ｏＴｅ９０膜を真
空蒸着法によシ積層し、ディスク状メモリ媒体を作製し
皮。このメモリ媒体を、上記溝に沿ってレーザビームが
照射できるトラッキング機能を有する回転記録再生装置
に装着１／ 、第４図中の矢印の方向から半導体レーザ
６を照射し、記録特性を測定したところ、ポリ−ｐ−キ
シリレン膜２を設けないメモリ媒体に比し、約２倍の記
録感度を有し、且つ、安定性についてｔよ、前記実施例
１と同様に１ヶ月経：過時の特性に異常は認められなか
った。
、符号２．４．６及び１１は前記第２図におけると同じ
意味を有し、１５ｉｔ溝形成用膜、３５Ｆｉ本実施例に
おける基体を示す。本実施例においては、厚さ１．５譚
のガラス基板１１上に、メチルメタクリレート又はその
プレポリマーを塗布し、その上にニッケルメッキで作製
したスパイラル状又は同心円状の溝スタンパを圧着し、
例えば紫外線照射によ）重合、硬化させて溝を転写した
。この溝形成用膜１ｓの上に更に実施例１と同様にして
ポリ−ｐ−キシリレン膜２（パリレンＮ１膜厚α５μｍ
）を形成して、これを基体３ｓとし、この上に記録薄膜
４（膜厚２５０ム）としてＡｌ１１１ｏＴｅ９０膜を真
空蒸着法によシ積層し、ディスク状メモリ媒体を作製し
皮。このメモリ媒体を、上記溝に沿ってレーザビームが
照射できるトラッキング機能を有する回転記録再生装置
に装着１／ 、第４図中の矢印の方向から半導体レーザ
６を照射し、記録特性を測定したところ、ポリ−ｐ−キ
シリレン膜２を設けないメモリ媒体に比し、約２倍の記
録感度を有し、且つ、安定性についてｔよ、前記実施例
１と同様に１ヶ月経：過時の特性に異常は認められなか
った。
実施例４
第５図は本発明の別の実施例を示した断面概略図であり
、符号２．４．５及び６は前記第２図におけると同じ章
味を有し、１４け金ｍ＜アルミニウム）基板、５４け本
実施例における基体を示す。
、符号２．４．５及び６は前記第２図におけると同じ章
味を有し、１４け金ｍ＜アルミニウム）基板、５４け本
実施例における基体を示す。
直径３０６ｍ、厚さ２籠の光学仙磨したアルミニウム基
板１４上に実施例１と同様にしてポリモノクロローｐ−
キシリレン！２（パリレンＣ５膜厚ｌ１ｌＬ５μｍ）
を形成し、これを基体５４とし、更にその上にム１工
・Ｔ町・の記録薄膜４（膜厚２５０Ｘ）を積層し、第５
図中の矢印の方向（前記各実施例と逆方向）から半導体
レーザ６を照射し、その記録特性を測定した。その結果
、記録感度に関しては、このポリモノクロローｐ−キシ
リレン膜２に替えてＰＭＭＡ 膜とした場合に比し、１
．５〜２倍の向上が確認でき、１ケ月経過後の特性に変
化は認められなかった。
板１４上に実施例１と同様にしてポリモノクロローｐ−
キシリレン！２（パリレンＣ５膜厚ｌ１ｌＬ５μｍ）
を形成し、これを基体５４とし、更にその上にム１工
・Ｔ町・の記録薄膜４（膜厚２５０Ｘ）を積層し、第５
図中の矢印の方向（前記各実施例と逆方向）から半導体
レーザ６を照射し、その記録特性を測定した。その結果
、記録感度に関しては、このポリモノクロローｐ−キシ
リレン膜２に替えてＰＭＭＡ 膜とした場合に比し、１
．５〜２倍の向上が確認でき、１ケ月経過後の特性に変
化は認められなかった。
以上説明したように、本発明によれば、本発明の特定構
成の基体を光学メモリ媒体用媒体として用いることによ
り、光学メモリ媒体の記録感度を著しく向上させること
ができ、更にはその経時安定性も格段に向上させること
ができる。
成の基体を光学メモリ媒体用媒体として用いることによ
り、光学メモリ媒体の記録感度を著しく向上させること
ができ、更にはその経時安定性も格段に向上させること
ができる。
第１図は本発明の基体を用いた光学メモリ媒体の構成（
光照射前）の基本例を示した断面概略図、第２図〜第５
図は本発明の実施例１〜４における光学メモリ媒体のそ
れぞれの構成を示した断面概略図である。 １・・・基板 ２・・・ポリキシリレン膜 Ｓ・・・基体 ４・・・記録薄膜 ５・・・ビット ６・・・レーザ １１・・・ガラス基板 １２・・・プラスチック基板 １５・・・プラスチック膜 １４・・・金属基板 １５・・・溝形成用膜 ３１．３２．３５．５４・・・実施例１．２．３．４に
おける基体 特許出願人 日本電信電話公社 代理人 中 本 宏
光照射前）の基本例を示した断面概略図、第２図〜第５
図は本発明の実施例１〜４における光学メモリ媒体のそ
れぞれの構成を示した断面概略図である。 １・・・基板 ２・・・ポリキシリレン膜 Ｓ・・・基体 ４・・・記録薄膜 ５・・・ビット ６・・・レーザ １１・・・ガラス基板 １２・・・プラスチック基板 １５・・・プラスチック膜 １４・・・金属基板 １５・・・溝形成用膜 ３１．３２．３５．５４・・・実施例１．２．３．４に
おける基体 特許出願人 日本電信電話公社 代理人 中 本 宏
Claims (1)
- （１）基板上にポリ−ｐ−キシリレン又はその核クロル
置換体の膜紮設は友こと？特徴とする光学メモリ媒体用
基体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56110863A JPS5812791A (ja) | 1981-07-17 | 1981-07-17 | 光学メモリ媒体用基体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56110863A JPS5812791A (ja) | 1981-07-17 | 1981-07-17 | 光学メモリ媒体用基体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5812791A true JPS5812791A (ja) | 1983-01-24 |
Family
ID=14546581
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56110863A Pending JPS5812791A (ja) | 1981-07-17 | 1981-07-17 | 光学メモリ媒体用基体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5812791A (ja) |
-
1981
- 1981-07-17 JP JP56110863A patent/JPS5812791A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4845000A (en) | Radiation sensitive carrier body utilized as stamper structure | |
| US20060072434A1 (en) | Optical information recording medium, reproducing method thereof, and manufacturing method thereof | |
| US4845515A (en) | Recording material utilizing multilayer Bi/Se film | |
| JP4101736B2 (ja) | 原盤、スタンパ、光記録媒体及びｒｏｍディスクの製造方法 | |
| JPS5812791A (ja) | 光学メモリ媒体用基体 | |
| JP4517954B2 (ja) | 光記録媒体の初期化方法 | |
| KR20060052819A (ko) | 광 정보 기록매체 및 그 제조 방법 | |
| JP2656296B2 (ja) | 情報記録媒体及びその製造方法 | |
| US20090123876A1 (en) | Optical disc and method of producing the same | |
| JPS5949995A (ja) | 情報記憶部材 | |
| JP4695632B2 (ja) | 光情報記録媒体 | |
| KR20050042804A (ko) | 광 기록 매체와 그 제조 방법 | |
| JPS5855292A (ja) | レ−ザ記録媒体 | |
| US20070206487A1 (en) | Optical disc and method of producing the same | |
| JPH02219689A (ja) | 情報記録媒体 | |
| JPS59215036A (ja) | 光デイスク媒体 | |
| JP2001357560A (ja) | 光情報記録媒体 | |
| JPS5936340A (ja) | 情報記憶媒体用原盤及びその製造方法 | |
| JPS62125552A (ja) | 光記録媒体 | |
| JPH02217289A (ja) | 光記録媒体 | |
| JPS59127246A (ja) | 情報記録用担体 | |
| JP2008299256A (ja) | レジスト、多層光記録媒体用のスタンパの製造方法、及び多層光記録媒体の製造用のスタンパ | |
| JP2004276337A (ja) | 光記録媒体 | |
| JPS62154248A (ja) | 電子ビ−ム記録用媒体 | |
| JPS62278093A (ja) | 光記録媒体 |