JPS62278093A - 光記録媒体 - Google Patents
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- JPS62278093A JPS62278093A JP61122685A JP12268586A JPS62278093A JP S62278093 A JPS62278093 A JP S62278093A JP 61122685 A JP61122685 A JP 61122685A JP 12268586 A JP12268586 A JP 12268586A JP S62278093 A JPS62278093 A JP S62278093A
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
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- G11B2007/24314—Metals or metalloids group 15 elements (e.g. Sb, Bi)
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- G11B2007/24316—Metals or metalloids group 16 elements (i.e. chalcogenides, Se, Te)
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- G11B7/253—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates
- G11B7/2533—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates comprising resins
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
［産業上の利用分野］
本発明はレーザ光によって情報を記録再生することので
きる光記録媒体に関するものである。
きる光記録媒体に関するものである。
［従来の技術］
レーザ光によって情報を媒体に記録し、かつ再生する光
デイスクメモリは、記録密度が高いことから大容饋記録
装置として優れた特徴を有している。この光記録媒体材
料としては、テルル（Ｔ’ｅ）：） 等のカルコゲン元素又はこれらの化合物が使用されてい
る（特公昭４７−２６８９７号公報）。とくにテルル−
セレン系合金はよく使用されている（特公昭５４−４１
９０２号公報、特公昭５７−７９１９号公報、特公昭５
７−５６０５８号公報）。
デイスクメモリは、記録密度が高いことから大容饋記録
装置として優れた特徴を有している。この光記録媒体材
料としては、テルル（Ｔ’ｅ）：） 等のカルコゲン元素又はこれらの化合物が使用されてい
る（特公昭４７−２６８９７号公報）。とくにテルル−
セレン系合金はよく使用されている（特公昭５４−４１
９０２号公報、特公昭５７−７９１９号公報、特公昭５
７−５６０５８号公報）。
近年、記録装置を小型化するため、レーザ光源としては
半導体レーザが使用されてきている。半導体レーザは発
振波長が８０００人前後であるが、テルル−セレン系合
金はこの波長帯にも比較的よく適合し、適度な反射率と
適度な吸収率が得られる（フイジカ・スティタス・ソリ
ダイ、ヱ、 １８９．１９６４（ｐｈｙｓ、 ５ｔａ
ｔ、 ｓｏｌ、 ７． １８９． １９６４＞ ）
。
半導体レーザが使用されてきている。半導体レーザは発
振波長が８０００人前後であるが、テルル−セレン系合
金はこの波長帯にも比較的よく適合し、適度な反射率と
適度な吸収率が得られる（フイジカ・スティタス・ソリ
ダイ、ヱ、 １８９．１９６４（ｐｈｙｓ、 ５ｔａ
ｔ、 ｓｏｌ、 ７． １８９． １９６４＞ ）
。
このテルル−セレン系合金を光記録層として用いた光記
録媒体は第２図に示すような構成になっている。すなわ
ち基板１に隣接してテルル−セレン系合金よりなる記録
層２１が設けられている。記録用レーザ光は基板１を通
して記録層２１に集光照射され、ピット２２が形成され
る。基板１としてはポリカーボネート、ポリオレフィン
、ポリメチルペンテン、アクリル、エポキシ樹脂等の合
成樹脂やガラスが使用され、基板１にはピットが同心円
状あるいはスパイラル状に一定間隔で精度よく記録され
るように通常案内溝が設けられている。
録媒体は第２図に示すような構成になっている。すなわ
ち基板１に隣接してテルル−セレン系合金よりなる記録
層２１が設けられている。記録用レーザ光は基板１を通
して記録層２１に集光照射され、ピット２２が形成され
る。基板１としてはポリカーボネート、ポリオレフィン
、ポリメチルペンテン、アクリル、エポキシ樹脂等の合
成樹脂やガラスが使用され、基板１にはピットが同心円
状あるいはスパイラル状に一定間隔で精度よく記録され
るように通常案内溝が設けられている。
［発明が解決しようとする問題点］
しかしながら前記したような従来の光記録媒体において
、記録層として用いられているテルル−セレン系合金は
その組成を制御することが容易ではなく、そのため量産
性に問題があった。又、ピットをトラック１周にわたっ
て均一に形成することは困難であるため、充分に良好な
記録再生特性は得られなかった。
、記録層として用いられているテルル−セレン系合金は
その組成を制御することが容易ではなく、そのため量産
性に問題があった。又、ピットをトラック１周にわたっ
て均一に形成することは困難であるため、充分に良好な
記録再生特性は得られなかった。
一方、本発明者らは、基板の上にセレン層、テルル層、
セレン層を順次積層して記録層とすることにより、量産
性および耐候性に優れ、がっ、トラック１周にわたって
ピッ１〜を均一に形成でき、良好な記録再生特性を有す
る光記録媒体となることを見出し、すでに提案している
。
セレン層を順次積層して記録層とすることにより、量産
性および耐候性に優れ、がっ、トラック１周にわたって
ピッ１〜を均一に形成でき、良好な記録再生特性を有す
る光記録媒体となることを見出し、すでに提案している
。
本発明はこれをさらに改善したもので、量産性および耐
候性に優れ、かつ高感度で信号品質の良好な光記録媒体
を提供す・ることを目的とする。
候性に優れ、かつ高感度で信号品質の良好な光記録媒体
を提供す・ることを目的とする。
［問題点を解決するための手段］
本発明は基板と、レーザ光によって一部が選択的に除去
されて情報を記録する前記基板上に形成された記録層と
からなる光記録媒体において、前記記録層がセレン層、
鉛層、テルル層、セレン層を順次基板上に積層したもの
であることを特徴とする光記録媒体である。
されて情報を記録する前記基板上に形成された記録層と
からなる光記録媒体において、前記記録層がセレン層、
鉛層、テルル層、セレン層を順次基板上に積層したもの
であることを特徴とする光記録媒体である。
本発明においては第１図に示すように基板１上にセレン
層２、鉛層３、テルル層４、セレン層５が順次積層され
て記録層を形成する。鉛層３を形成することにより、記
録により形成されるピットが大きく拡がらないようにな
る。
層２、鉛層３、テルル層４、セレン層５が順次積層され
て記録層を形成する。鉛層３を形成することにより、記
録により形成されるピットが大きく拡がらないようにな
る。
上下のセレン層の膜厚はともにそれぞれ５〜１００人の
範囲、テルル層の膜厚は１００〜５００人の範囲、鉛層
の膜厚は１〜５０人め範囲が記録再生特性、耐候性の観
点から望ましい。また基板としてはポリカーボネート、
ポリオレフィン、ポリメチルペンテン、アクリル、エポ
キシ樹脂等の合成樹脂やガラスなど通常使用されている
ものが用いられる。
範囲、テルル層の膜厚は１００〜５００人の範囲、鉛層
の膜厚は１〜５０人め範囲が記録再生特性、耐候性の観
点から望ましい。また基板としてはポリカーボネート、
ポリオレフィン、ポリメチルペンテン、アクリル、エポ
キシ樹脂等の合成樹脂やガラスなど通常使用されている
ものが用いられる。
−１、ｙ”３ｊ、、、’−、、’ニ
本発明の光記録媒体は、基板上にセレン、鉛、テルルお
よびセレンを順に真空蒸着させることによって製造する
ことができる。
よびセレンを順に真空蒸着させることによって製造する
ことができる。
［作 用］
テルル層とセレン層の間に鉛層を介在させることによっ
てピットが大きく拡がらなくなり、優れた光記録媒体を
得ることができる。これはピット形成による反射率変化
の主装置であるテルル層の有無による表面エネルギーの
差が鉛層の形成により変化することによってピットが拡
がりにくくなるためであると思われる。
てピットが大きく拡がらなくなり、優れた光記録媒体を
得ることができる。これはピット形成による反射率変化
の主装置であるテルル層の有無による表面エネルギーの
差が鉛層の形成により変化することによってピットが拡
がりにくくなるためであると思われる。
ピットが大きく拡がらないのでピットをつめて記録でき
、高密度記録が可能となるとともに記録パワー変動に対
する余裕度も大きくなるので実用的な光記録媒体となる
。
、高密度記録が可能となるとともに記録パワー変動に対
する余裕度も大きくなるので実用的な光記録媒体となる
。
［実施例］
以下本発明の実施例について説明する。
実施例１
内径１５ｍ、外径１３０履、厚さ１．２Ｍのポリカーボ
ネート樹脂ディスク基板を真空蒸着装置内に入れ、６
Ｘ １Ｏ−６Ｔｏｒｒ以下に排気した。蒸発源としては
、第１の抵抗加熱用ボートにテルル（Ｔｅ）を入れ、第
２の抵抗加熱用ボートにセレン（ｓｅ＞を入れ、電子ビ
ーム加熱用るつぼに鉛（Ｐｂ）を入れた。
ネート樹脂ディスク基板を真空蒸着装置内に入れ、６
Ｘ １Ｏ−６Ｔｏｒｒ以下に排気した。蒸発源としては
、第１の抵抗加熱用ボートにテルル（Ｔｅ）を入れ、第
２の抵抗加熱用ボートにセレン（ｓｅ＞を入れ、電子ビ
ーム加熱用るつぼに鉛（Ｐｂ）を入れた。
まずｓｅを８０人へ属着し、次にｐｂを水晶振動子の周
波数変化からの換算で２へ属蒸着し、次にＴｅを２２５
人厚へ属し、最後にＳｅを８０人へ属着した。この光デ
ィスクを９５℃で１時間アニールしたのち、波長８３０
０人における基板入射反射率を測定したところ３４％で
あった。波長８３００人の半導体レーザ光を基板を通し
て入射して１．５１Ｍ１φ程度に絞り、媒体線速度５．
６ｍ／ＳｅＣ、記録周波数３．７７ＭＨｚ、記録パルス
幅７０ｎＳｅＣの条件で記録し、０．７ｍＷで再生した
。記録パワー５．５１において、バンド幅３０ｋＨ２の
キャリアーとノイズとの比（Ｃ／Ｎ ）は５１ｄＢと良
好であった。又、Ｃ／Ｎが４５ｄＢ以上得られる記録パ
ワー領域は５、Ｏｍ−から８．０ＩＩＩＷと広範囲であ
った。
波数変化からの換算で２へ属蒸着し、次にＴｅを２２５
人厚へ属し、最後にＳｅを８０人へ属着した。この光デ
ィスクを９５℃で１時間アニールしたのち、波長８３０
０人における基板入射反射率を測定したところ３４％で
あった。波長８３００人の半導体レーザ光を基板を通し
て入射して１．５１Ｍ１φ程度に絞り、媒体線速度５．
６ｍ／ＳｅＣ、記録周波数３．７７ＭＨｚ、記録パルス
幅７０ｎＳｅＣの条件で記録し、０．７ｍＷで再生した
。記録パワー５．５１において、バンド幅３０ｋＨ２の
キャリアーとノイズとの比（Ｃ／Ｎ ）は５１ｄＢと良
好であった。又、Ｃ／Ｎが４５ｄＢ以上得られる記録パ
ワー領域は５、Ｏｍ−から８．０ＩＩＩＷと広範囲であ
った。
比較のための８０人へ属Ｓｅ、 ２２５人厚へ属ｅ、
８０人へ属Ｓｅの光ディスクでは、記録パワー５．０
ｍＷにおいてＣ／Ｎは４８ｄＢであり、Ｃ／Ｎが４５ｄ
Ｂ以上得られる記録パワー領域は５．０ｍＷから６．５
ｍＷと狭い範囲であった。
８０人へ属Ｓｅの光ディスクでは、記録パワー５．０
ｍＷにおいてＣ／Ｎは４８ｄＢであり、Ｃ／Ｎが４５ｄ
Ｂ以上得られる記録パワー領域は５．０ｍＷから６．５
ｍＷと狭い範囲であった。
次に、本実施例のディスクを７０℃８０％の高温高湿度
の環境に６０時間保存した後、上記特性を調べたが変化
はなく、耐候性に優れた光記録媒体であることが確認さ
れた。
の環境に６０時間保存した後、上記特性を調べたが変化
はなく、耐候性に優れた光記録媒体であることが確認さ
れた。
実施例２
実施例１と同様にして、４０人へ属ｓｅ、４八属のＰｂ
、 ２４０人厚へ属ｅ、 ４０人へ属Ｓｅを順次積層
して光記録媒体を作製した。実施例１と同様の記録再生
実験により、５．５１１１Ｗの記録パワーにおいてＣ／
Ｎは４８ｄＢと良好であり、４５ｄＢ以上のＣ／Ｎを得
られる記録パワー領域は５．０ｍＷから７゜５ｍＷと広
い範囲であった。
、 ２４０人厚へ属ｅ、 ４０人へ属Ｓｅを順次積層
して光記録媒体を作製した。実施例１と同様の記録再生
実験により、５．５１１１Ｗの記録パワーにおいてＣ／
Ｎは４８ｄＢと良好であり、４５ｄＢ以上のＣ／Ｎを得
られる記録パワー領域は５．０ｍＷから７゜５ｍＷと広
い範囲であった。
［発明の効果コ
以上説明したように本発明の光記録媒体は量産性および
耐候性に優れているばかりでなく、高感度で信号品質の
良好なものである。
耐候性に優れているばかりでなく、高感度で信号品質の
良好なものである。
部分断面図、第２図は従来の光記録媒体を示す部分断面
図である。 １・・・基板 ２．５・・・セレン層 ３・・・鉛層 ４・・・テルル層 ２１・・・記録層 ２２・・・ピット
図である。 １・・・基板 ２．５・・・セレン層 ３・・・鉛層 ４・・・テルル層 ２１・・・記録層 ２２・・・ピット
Claims (1)
- （１）基板と、レーザ光によつて一部が選択的に除去さ
れて情報を記録する前記基板上に形成された記録層とか
らなる光記録媒体において、前記記録層がセレン層、鉛
層、テルル層、セレン層を順次基板上に積層したもので
あることを特徴とする光記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61122685A JPS62278093A (ja) | 1986-05-27 | 1986-05-27 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61122685A JPS62278093A (ja) | 1986-05-27 | 1986-05-27 | 光記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62278093A true JPS62278093A (ja) | 1987-12-02 |
| JPH051752B2 JPH051752B2 (ja) | 1993-01-08 |
Family
ID=14842090
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61122685A Granted JPS62278093A (ja) | 1986-05-27 | 1986-05-27 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62278093A (ja) |
-
1986
- 1986-05-27 JP JP61122685A patent/JPS62278093A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH051752B2 (ja) | 1993-01-08 |
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