JPS58125959A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
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- JPS58125959A JPS58125959A JP57007609A JP760982A JPS58125959A JP S58125959 A JPS58125959 A JP S58125959A JP 57007609 A JP57007609 A JP 57007609A JP 760982 A JP760982 A JP 760982A JP S58125959 A JPS58125959 A JP S58125959A
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- Japan
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- vertical signal
- electric charge
- voltage
- charge
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- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 238000011160 research Methods 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
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- 238000012549 training Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は受光部にダイオードアレーを設け、読み出しレ
ジスタとして電荷移送素子（ＣｈａｒｇｅＴｒａｎｓｉ
ｅｒ ＤｅＶｉｃｅ ：以下ＣＴＤと略す）を設けた
二次元固体槽ｆ象装置（以下単にホトセンサと略す）に
関するものである。
ジスタとして電荷移送素子（ＣｈａｒｇｅＴｒａｎｓｉ
ｅｒ ＤｅＶｉｃｅ ：以下ＣＴＤと略す）を設けた
二次元固体槽ｆ象装置（以下単にホトセンサと略す）に
関するものである。
ホトセンサには従来ＭＯ８方式とＣＣＤ方式の２穐類が
知ら扛ている。前者は後者に比ベチップサイズに対する
利用率は高く感度も高いが一出力イ百号が小さく信号処
理が難かしいなど、そ扛ぞれ一長一短を有しており、実
用レベルの性能には今−歩欠けるところがあった。
知ら扛ている。前者は後者に比ベチップサイズに対する
利用率は高く感度も高いが一出力イ百号が小さく信号処
理が難かしいなど、そ扛ぞれ一長一短を有しており、実
用レベルの性能には今−歩欠けるところがあった。
これを解決するホトセンサとして、第１図に示すような
、受光部にＭＯ８方式を、読み出しレジスタにＣＣＤ方
式を用いたホトセンサが提案されている。
、受光部にＭＯ８方式を、読み出しレジスタにＣＣＤ方
式を用いたホトセンサが提案されている。
第１図において１はｐ −ｎ接合から成るホトダイオー
ドアレー、２は垂直スイッチ用ＭＯ８）ランジスタ（Ｖ
ＭＯ８Ｔと略す）、３はこのＭＯＳトランジスタをクロ
ックφＶで順次スイッチングするスキャナ、４は垂直信
号線、１０１は転送ゲ−）、１００は水平スイッチ用Ｍ
Ｏ８）ランジスタ（以下５Ｍ０８Ｔと略す）６は水平読
み出し用ＣＴＤ、１０２はリセットトランジスタ、７は
ＣＴＤ６に接続するプリアンプである。
ドアレー、２は垂直スイッチ用ＭＯ８）ランジスタ（Ｖ
ＭＯ８Ｔと略す）、３はこのＭＯＳトランジスタをクロ
ックφＶで順次スイッチングするスキャナ、４は垂直信
号線、１０１は転送ゲ−）、１００は水平スイッチ用Ｍ
Ｏ８）ランジスタ（以下５Ｍ０８Ｔと略す）６は水平読
み出し用ＣＴＤ、１０２はリセットトランジスタ、７は
ＣＴＤ６に接続するプリアンプである。
第２図は第１図に示したホトセンサの動作を説明する回
路図で、図中１０はＶＭＯ８Ｔの１つを取り出したもの
、１１に対応するホトダイオード、１２は８Ｍ０８Ｔの
１つ、１３は水平レジスタであるＣＴＤの１蓄積容量、
１７はリセットトラ／ジスタの１つである。
路図で、図中１０はＶＭＯ８Ｔの１つを取り出したもの
、１１に対応するホトダイオード、１２は８Ｍ０８Ｔの
１つ、１３は水平レジスタであるＣＴＤの１蓄積容量、
１７はリセットトラ／ジスタの１つである。
第３図は第１図になるホトセンサの駆動パルスのタイミ
ングの一例を示す図であって矢印３ｏに示す方向がオン
状態である。以下第３図のタイミングを用いて第２図の
回路の動作を説明する。
ングの一例を示す図であって矢印３ｏに示す方向がオン
状態である。以下第３図のタイミングを用いて第２図の
回路の動作を説明する。
まずホトダイオード１１に蓄積した信号を読み出す前罠
φｔ、φｌを２２．２４に示すようにオン状態にする一
方φｔがオン状態になったときＭＯ８Ｔ１５と１７間を
ソースとしてここから電荷が垂直信号線１４側へ流入す
るように２３によってＶｍの電圧を下げる（第３図中の
時刻ｔ１ ）。
φｔ、φｌを２２．２４に示すようにオン状態にする一
方φｔがオン状態になったときＭＯ８Ｔ１５と１７間を
ソースとしてここから電荷が垂直信号線１４側へ流入す
るように２３によってＶｍの電圧を下げる（第３図中の
時刻ｔ１ ）。
この時垂直信号ｌＡｌ４の電位は下がり、転送ゲート１
５は十分な導通状態になる。このため続いてＶｍをもと
の電圧まで上げるとＭＯ８Ｔ１５と１７間が逆にドレイ
ン側になったとき、垂直信号線１４側から、水平読み出
し時間に蓄積した暗電流などによる擬信号がさきＫＲ人
した電場とともに短時間に外部に取シ出すことができる
。また同時に垂直信号線の電圧はリセットされる（第３
図中の時刻’ｔ）。
５は十分な導通状態になる。このため続いてＶｍをもと
の電圧まで上げるとＭＯ８Ｔ１５と１７間が逆にドレイ
ン側になったとき、垂直信号線１４側から、水平読み出
し時間に蓄積した暗電流などによる擬信号がさきＫＲ人
した電場とともに短時間に外部に取シ出すことができる
。また同時に垂直信号線の電圧はリセットされる（第３
図中の時刻’ｔ）。
次にφＸが２７に示すようにＯＮ状態になったとき、φ
ｃｐを同時に２６に示すようにＯＦＦ状態ＫＬ、ＣＴＤ
からバイアス電荷が垂直信号線１４側へ流入するように
すると、擬信号を取り出すときと同様に転送ゲートφｔ
は十分な導通状態になる。このため続いてφｃＰがＯＮ
状態になってＭＯ８Ｔ１５と１２間がドレイン側になる
と、ＣＴＤからさきに流入した電荷と信号電荷とを短時
間にＣＴＤ側へ移すことができる（第３図中の時刻’ｓ
）。
ｃｐを同時に２６に示すようにＯＦＦ状態ＫＬ、ＣＴＤ
からバイアス電荷が垂直信号線１４側へ流入するように
すると、擬信号を取り出すときと同様に転送ゲートφｔ
は十分な導通状態になる。このため続いてφｃＰがＯＮ
状態になってＭＯ８Ｔ１５と１２間がドレイン側になる
と、ＣＴＤからさきに流入した電荷と信号電荷とを短時
間にＣＴＤ側へ移すことができる（第３図中の時刻’ｓ
）。
第４図は他の従来例で第１図の固体撮倫装置において、
転送ゲート１０１とリセットトランジスタおよびＳ Ｍ
Ｏ８Ｔの間に蓄積容量４２を挿入し、第２図Ｖｍ（ＤＯ
Ｎ、０ＦＦｈるいは＃ ｃｐ）ＯＮ 。
転送ゲート１０１とリセットトランジスタおよびＳ Ｍ
Ｏ８Ｔの間に蓄積容量４２を挿入し、第２図Ｖｍ（ＤＯ
Ｎ、０ＦＦｈるいは＃ ｃｐ）ＯＮ 。
ＯＦＦによって行なっていた垂直信号［１４への電荷の
注入を蓄積容量４２を使ってφ１によって行なうもので
ある。
注入を蓄積容量４２を使ってφ１によって行なうもので
ある。
しかしこｎら従来方式では各列の蓄積容量（第４図４２
）のばらつき、あるいはＭＯＳゲート（第１図１０１と
１０２）のシキイ値のばらつきが原因となり、モニタ画
面に薄い縦縞として現わｎる固定パターン雑音が発生す
る。
）のばらつき、あるいはＭＯＳゲート（第１図１０１と
１０２）のシキイ値のばらつきが原因となり、モニタ画
面に薄い縦縞として現わｎる固定パターン雑音が発生す
る。
本発明は上記従来装置において発生する固定パターン雑
音を低減する駆動方法を提供することを目的とする。
音を低減する駆動方法を提供することを目的とする。
上記の目的を達成するため本発明においては〜上記の構
成の固体撮倫装置において、バイアス電荷ＱｉをＢＣＤ
からではなくＭＯ８Ｔ Ｔ、のゲート電圧Ｖｏを変え
ることによって与える。
成の固体撮倫装置において、バイアス電荷ＱｉをＢＣＤ
からではなくＭＯ８Ｔ Ｔ、のゲート電圧Ｖｏを変え
ることによって与える。
本発明の原理を第５図の回路を用いて説明する。
第５図社第１図の回路を本発明の駆動方式で動作させた
ときの状態を模式的に示したものである。
ときの状態を模式的に示したものである。
また第６図は本駆動方式に用いる駆動パルスのタイミン
グチャートである。
グチャートである。
本駆動方式では垂直信号線から擬信号を取り除く前に、
前もってＭＯ８Ｔ Ｔ、、のゲート電圧ＶｏをＯＦＦ
方法にΔＶｏだけ変えると供に、ＭＯ８Ｔ ＢＬＧを
通して十分大きな電荷を垂直信号線に蓄積する（第５図
（切）。この時ＭＯ８ＴＴ、鵞のシキイ値ｖｔＴｈのバ
ラツキのため外部から流入スる電荷量Ｑ！ｏ ＝ Ｃｖ
Ｘ （ＶＩＩＬＤ −（Ｖ。
前もってＭＯ８Ｔ Ｔ、、のゲート電圧ＶｏをＯＦＦ
方法にΔＶｏだけ変えると供に、ＭＯ８Ｔ ＢＬＧを
通して十分大きな電荷を垂直信号線に蓄積する（第５図
（切）。この時ＭＯ８ＴＴ、鵞のシキイ値ｖｔＴｈのバ
ラツキのため外部から流入スる電荷量Ｑ！ｏ ＝ Ｃｖ
Ｘ （ＶＩＩＬＤ −（Ｖ。
Ｖｔｈ））ｆｃだＬＶｍＬｂはＢＬＤＯＯＮ電圧は垂直
信号線ごとに次式ΔＱｘｏ＝ｃｖ×ΔＶｔｈだけ大きく
ばらついている。ＢＬＤをＯＦＦ状態にもどすと、垂直
信号線の電圧Ｖｖが次式 ％式％ で決まる電圧になるように電荷が垂直信号線から外部に
取り出さｎｌ この時同時に擬信号も取り出される。し
かしＭＯ８Ｔ Ｔ、、の取り出し時定数ハ有限でｓる
ｌめ、ＭＯ８Ｔ ＢＬＤ２＞ＥＯＦＦ状態になった後
一定時間Δ後においても、各垂直信号＃にある電荷Ｑｘ
＊＝Ｃｖｘ （Ｖｖ −（Ｖｏ −ｖｔｈ））にはばら
つき ΔＱｘ１＝α×ΔＱ、ｘｏ （α＜＜１）が残る。特に
垂直信号線の電圧ＶｖがＶｖｏＫ近づくと転送効率は急
激に減少し、取り出し時間Δを長く、例えば２Δにして
もばらつきΔＱ、 ｘ ｚ ははとんど変化しない。こ
れに対し時間Δ後に新らためてＭＯ８Ｔ Ｔ、、のゲ
ート電圧をＩＶｏ／ｎ（ｎは整数）だけＯＮ方向に変化
させると、垂直信号線の電圧は Ｖｖｌ：：（ｖｏ＋ＪＶａ−Ｖ＊ｂ） ＪＶｏ／ｎで
決まる電圧になるように新らためて電荷が垂直信号線か
ら外部に取り出されるので、この電荷がバイアス電荷と
なり時間２Δ後における電荷ΔＱｘ、のばらつきは ΔＱ、 ｘ ｔ″′：α２×ΔＱｘ。
信号線ごとに次式ΔＱｘｏ＝ｃｖ×ΔＶｔｈだけ大きく
ばらついている。ＢＬＤをＯＦＦ状態にもどすと、垂直
信号線の電圧Ｖｖが次式 ％式％ で決まる電圧になるように電荷が垂直信号線から外部に
取り出さｎｌ この時同時に擬信号も取り出される。し
かしＭＯ８Ｔ Ｔ、、の取り出し時定数ハ有限でｓる
ｌめ、ＭＯ８Ｔ ＢＬＤ２＞ＥＯＦＦ状態になった後
一定時間Δ後においても、各垂直信号＃にある電荷Ｑｘ
＊＝Ｃｖｘ （Ｖｖ −（Ｖｏ −ｖｔｈ））にはばら
つき ΔＱｘ１＝α×ΔＱ、ｘｏ （α＜＜１）が残る。特に
垂直信号線の電圧ＶｖがＶｖｏＫ近づくと転送効率は急
激に減少し、取り出し時間Δを長く、例えば２Δにして
もばらつきΔＱ、 ｘ ｚ ははとんど変化しない。こ
れに対し時間Δ後に新らためてＭＯ８Ｔ Ｔ、、のゲ
ート電圧をＩＶｏ／ｎ（ｎは整数）だけＯＮ方向に変化
させると、垂直信号線の電圧は Ｖｖｌ：：（ｖｏ＋ＪＶａ−Ｖ＊ｂ） ＪＶｏ／ｎで
決まる電圧になるように新らためて電荷が垂直信号線か
ら外部に取り出されるので、この電荷がバイアス電荷と
なり時間２Δ後における電荷ΔＱｘ、のばらつきは ΔＱ、 ｘ ｔ″′：α２×ΔＱｘ。
に低減できる。以下同様の操作をｎ回続けることにより
、電荷Ｑｘｍのばらつきは ΔＱ□＝α１×ΔＱｔ。
、電荷Ｑｘｍのばらつきは ΔＱ□＝α１×ΔＱｔ。
１で低減される（第５図（Ｃ））。
以上の操作の後、ホトダイオードの信号電荷を垂直信号
線に読み出すと供に、ＭＯ８Ｔ Ｔ、。
線に読み出すと供に、ＭＯ８Ｔ Ｔ、。
のゲート電圧をΔＶｏ／ｎだけさらにＯＮ方向に変化さ
せ、その時流れる電荷をバイアス電荷として信号電荷を
垂直信号線からＢＣＤに転送する。
せ、その時流れる電荷をバイアス電荷として信号電荷を
垂直信号線からＢＣＤに転送する。
この時同時にＱｘ、のばらつき電荷ΔＱｈは第１図のよ
うに１度の取り除き操作のみで行なう場合ΔＱ、 ｘ
ｓ÷α×ΔＱｘｏに比べ十分小さくなるため固定パター
ン雑音を低減することができる。
うに１度の取り除き操作のみで行なう場合ΔＱ、 ｘ
ｓ÷α×ΔＱｘｏに比べ十分小さくなるため固定パター
ン雑音を低減することができる。
以上の説明ではＭＯ８Ｔ Ｔ−１のゲート電圧の変化
を一定電圧ΔＶ ａ ／ ｎとして説明したが、この電
圧差は任意でも良い。例えば電荷のばらつきが大きい間
は電圧変化も大きくすることにより、ばらつきの低減速
度を高めることができる。
を一定電圧ΔＶ ａ ／ ｎとして説明したが、この電
圧差は任意でも良い。例えば電荷のばらつきが大きい間
は電圧変化も大きくすることにより、ばらつきの低減速
度を高めることができる。
また信号電荷の読み出しは、Ｔ、、のゲート電圧変化で
はなく、従来の駆動方法同様、ＢＣ，Ｄあるいは蓄積容
量からバイアス電荷を入れることによって行なうことが
できる。
はなく、従来の駆動方法同様、ＢＣ，Ｄあるいは蓄積容
量からバイアス電荷を入れることによって行なうことが
できる。
また第６図では電荷Ｑｘｏ の注入を水平帰線期間の
初めに行なっているが、この操作を水平帰線期間の終り
で行ない、複信号とばらつき電荷の１回目の取シ出しを
１水平映倫期間で行なうことにより、水平帰線期間内で
のばらつき電荷域シ出し時間及びその回数を減らすこと
ができる。
初めに行なっているが、この操作を水平帰線期間の終り
で行ない、複信号とばらつき電荷の１回目の取シ出しを
１水平映倫期間で行なうことにより、水平帰線期間内で
のばらつき電荷域シ出し時間及びその回数を減らすこと
ができる。
以上ばらつき電荷の取り除きについてのみ述べたが、同
様の操作は信号電荷の読み出しの時にも適用することが
できる。すなわち、第１０図の時間ｔ、においてもＭＯ
８Ｔ Ｔ、、のゲート電圧を段階的に変化させる、あ
るいは従来の駆動方法においてバイアス電荷をＢＣＤあ
るいは蓄積容量から垂直信号線に注入すると同時にＭＯ
８ＴＴオ、のゲート電圧を一定電圧ＯＦＦ方向に変化し
、その後、ゲート電圧を段階的にＯＮ方向に変えること
によって信号電荷の転送効率を上げることができる。
様の操作は信号電荷の読み出しの時にも適用することが
できる。すなわち、第１０図の時間ｔ、においてもＭＯ
８Ｔ Ｔ、、のゲート電圧を段階的に変化させる、あ
るいは従来の駆動方法においてバイアス電荷をＢＣＤあ
るいは蓄積容量から垂直信号線に注入すると同時にＭＯ
８ＴＴオ、のゲート電圧を一定電圧ＯＦＦ方向に変化し
、その後、ゲート電圧を段階的にＯＮ方向に変えること
によって信号電荷の転送効率を上げることができる。
以上Ｔ、、ゲート電圧を段階的に変える場合について述
べたが、これを単調に連続的に変えても同様の効果を得
ることができる。
べたが、これを単調に連続的に変えても同様の効果を得
ることができる。
第７図は本駆動方法を実現する食め、ＭＯ８ＴＴ、、の
ゲート電圧を段階的に変化させる回路の一実施例である
。
ゲート電圧を段階的に変化させる回路の一実施例である
。
第８図は他の実施例で、第７図、第８図の実施例はゲー
ト電圧Ｖｏの変化量を容量Ｃ１と容量Ｃ１の容量比によ
って設定するものである。
ト電圧Ｖｏの変化量を容量Ｃ１と容量Ｃ１の容量比によ
って設定するものである。
第９図は他の実施例で、第７図中φ、のスイッチの代り
に抵抗Ｒを挿入したもので、φ、がＯＮ状態での時定数
τｏＮ＝ ＲＸ Ｃ＠ とＯＦＦ状態での（ただしＣ、
＜＜ Ｃｔ ）を利用して、Ｔ、、のゲート電圧Ｖｏを
段階的に変えたものである。同様にして第８図中のスイ
ッチφｔ’を抵抗Ｒで置き換えることができる。
に抵抗Ｒを挿入したもので、φ、がＯＮ状態での時定数
τｏＮ＝ ＲＸ Ｃ＠ とＯＦＦ状態での（ただしＣ、
＜＜ Ｃｔ ）を利用して、Ｔ、、のゲート電圧Ｖｏを
段階的に変えたものである。同様にして第８図中のスイ
ッチφｔ’を抵抗Ｒで置き換えることができる。
第１０図は他の実施例で、第８図（Ｃ）中のスイッチφ
１．φ、をダイオードと置き換え、ダイオード間の電圧
差を利用してスイッチ動作を行なうものである。
１．φ、をダイオードと置き換え、ダイオード間の電圧
差を利用してスイッチ動作を行なうものである。
第１１図は他の実施例で、ゲート電圧Ｖｏの変化量を時
定数τ＝ＲＸＣ，とφ、のパルス幅で設定するものであ
る。
定数τ＝ＲＸＣ，とφ、のパルス幅で設定するものであ
る。
第１２図は他の実施例で、段階的に変化させる電圧レベ
ルを抵抗分割によって得るもので、電圧の変化量を任意
に設定できる。
ルを抵抗分割によって得るもので、電圧の変化量を任意
に設定できる。
第１３図はＭＯ８Ｔ Ｔ−＊のゲート電圧を段階的で
：１なく、単調に変化させる場合の実施例である。同様
の操作は第１１図の回路において、φ、のパルス動作を
止めることによっても実現できる。
：１なく、単調に変化させる場合の実施例である。同様
の操作は第１１図の回路において、φ、のパルス動作を
止めることによっても実現できる。
以上ゲート電圧ｔ−変化させる回路が素子外部にある場
合について示したが、これらの回路は素子に内蔵するの
が望ましい。
合について示したが、これらの回路は素子に内蔵するの
が望ましい。
第１図は従来の固体槽ｆ象装置の回路構成図、第２図は
固体撮儂装置動作原理の説明図、第３図は第１図の゛固
体撮倫装置の駆動パルス・タイムチャート、第４図は他
の従来素子の回路構成図、第５図、第６図は本発明によ
る固体撮償装置駆動方法の動作原理説明図、第７図〜第
１３図は本駆動方法を実現するため、転送ゲートのオン
レベルを段階的あるいは連続的に変化させる回路の実施
例である。 １・・・ホトダイオードアレー、２・・・垂直スイッチ
用ＭＯＳトランジスタ、３・・・スキャナ、４・・・垂
直信号線、１００・・・水平スイッチ用ＭＯ８）ランジ
スタ、１０１・・・転送ゲート、１０２・・・リセット
トランジスタ、１１・・・ホトトランジスタ、１２・・
・８Ｍ０８Ｔ、１４・・・垂直信号線、１７・・・リセ
ット３３８− 皐 ３ 図 ｔｔ ｔｚ ｔ５ 第 ５ 図 Ｔｙｚ Ｔｘｔ １５ ６ 巨〕 ■ （ｈ）Ｈｚ 濁［−一一一訓暇 第 ７ 図 （Ｌ） （ｂ） □−□−□−□ρ ′！５ Ｂ 図 （Ｌ） （ｂ） （Ｃ） 高 ９ 図 （久ン （ｂ〕 □θ 猶 ｌθ 図 （ｔＬ） （ｂ） ｒ−’−□ 第 １１ 国 （良〕 （ｂン □ρ ％ １３ 図 （仄） （ｂ） □ρ 第１頁の続き ０発 明 者 大場信弥 国分寺市東恋ケ窪１丁目２８０番 ０発 明 者 尾崎俊文 国分寺市東恋ケ窪１丁目２８０番 地株式会社日立製作所中央研究 所内 ０発 明 者 中井正章 国分寺市東恋ケ窪１丁目２８０番 地株式会社日立製作所中央研究 所内 ０発 明 者 物本−へ男 国分寺市東恋ケ窪１丁目２８０番 地株式会社日立製作所中央研究 所内 ０発 明 者 青木正和 国分寺市東恋ケ窪１丁目２８０番 地株式会社日立製作所中央研究 所内
固体撮儂装置動作原理の説明図、第３図は第１図の゛固
体撮倫装置の駆動パルス・タイムチャート、第４図は他
の従来素子の回路構成図、第５図、第６図は本発明によ
る固体撮償装置駆動方法の動作原理説明図、第７図〜第
１３図は本駆動方法を実現するため、転送ゲートのオン
レベルを段階的あるいは連続的に変化させる回路の実施
例である。 １・・・ホトダイオードアレー、２・・・垂直スイッチ
用ＭＯＳトランジスタ、３・・・スキャナ、４・・・垂
直信号線、１００・・・水平スイッチ用ＭＯ８）ランジ
スタ、１０１・・・転送ゲート、１０２・・・リセット
トランジスタ、１１・・・ホトトランジスタ、１２・・
・８Ｍ０８Ｔ、１４・・・垂直信号線、１７・・・リセ
ット３３８− 皐 ３ 図 ｔｔ ｔｚ ｔ５ 第 ５ 図 Ｔｙｚ Ｔｘｔ １５ ６ 巨〕 ■ （ｈ）Ｈｚ 濁［−一一一訓暇 第 ７ 図 （Ｌ） （ｂ） □−□−□−□ρ ′！５ Ｂ 図 （Ｌ） （ｂ） （Ｃ） 高 ９ 図 （久ン （ｂ〕 □θ 猶 ｌθ 図 （ｔＬ） （ｂ） ｒ−’−□ 第 １１ 国 （良〕 （ｂン □ρ ％ １３ 図 （仄） （ｂ） □ρ 第１頁の続き ０発 明 者 大場信弥 国分寺市東恋ケ窪１丁目２８０番 ０発 明 者 尾崎俊文 国分寺市東恋ケ窪１丁目２８０番 地株式会社日立製作所中央研究 所内 ０発 明 者 中井正章 国分寺市東恋ケ窪１丁目２８０番 地株式会社日立製作所中央研究 所内 ０発 明 者 物本−へ男 国分寺市東恋ケ窪１丁目２８０番 地株式会社日立製作所中央研究 所内 ０発 明 者 青木正和 国分寺市東恋ケ窪１丁目２８０番 地株式会社日立製作所中央研究 所内
Claims (1)
- １、複数の受光素子からの映像情報を垂直読み出しスイ
ッチを介して垂直信号線に読み出し、更に転送ゲートお
よび信号読み出し用電荷移送素子を介して出力する固体
撮倫素子において、前記垂直信号線より映倫情報を読出
す間に転送ゲートのオンレベルを変化させるごとく構成
したことを特徴とする固体撮偉装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57007609A JPS58125959A (ja) | 1982-01-22 | 1982-01-22 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57007609A JPS58125959A (ja) | 1982-01-22 | 1982-01-22 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58125959A true JPS58125959A (ja) | 1983-07-27 |
Family
ID=11670544
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57007609A Pending JPS58125959A (ja) | 1982-01-22 | 1982-01-22 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58125959A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0519678A (ja) * | 1991-07-12 | 1993-01-29 | Hitachi Ltd | キーボードの表示方法、タイプ練習装置、タイプ練習方法あるいはゲーム装置 |
-
1982
- 1982-01-22 JP JP57007609A patent/JPS58125959A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0519678A (ja) * | 1991-07-12 | 1993-01-29 | Hitachi Ltd | キーボードの表示方法、タイプ練習装置、タイプ練習方法あるいはゲーム装置 |
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