JPS58125831A - ドライエツチング装置 - Google Patents
ドライエツチング装置Info
- Publication number
- JPS58125831A JPS58125831A JP868282A JP868282A JPS58125831A JP S58125831 A JPS58125831 A JP S58125831A JP 868282 A JP868282 A JP 868282A JP 868282 A JP868282 A JP 868282A JP S58125831 A JPS58125831 A JP S58125831A
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- JP
- Japan
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- etching
- semiconductor substrate
- quartz
- etched
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- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体基板支持台上の半導体基板周辺に石英を
配置したドライエツチング装置に−する。
配置したドライエツチング装置に−する。
従来のドライエツチング装雪では、第１１１に示すごと
く金属製の半導体基板支持台１が配置されているだけで
、この上に半導体基板２を乗せてエツチングをしていた
。このような装ｆｆｅと、例えば、この酸化シリコン上
の多結晶シリコンをエツチングする場合郷ＫＦｉ、過剰
にエツチングしたとか、＃起きれたエツチングガス中の
二酸化シリコンに対して活性な反応種によって二酸化シ
リコンも同時にエツチングされる危険性があった。
く金属製の半導体基板支持台１が配置されているだけで
、この上に半導体基板２を乗せてエツチングをしていた
。このような装ｆｆｅと、例えば、この酸化シリコン上
の多結晶シリコンをエツチングする場合郷ＫＦｉ、過剰
にエツチングしたとか、＃起きれたエツチングガス中の
二酸化シリコンに対して活性な反応種によって二酸化シ
リコンも同時にエツチングされる危険性があった。
本斃、明はかかる欠点を除去した亀ので、その目的は、
被エツチング物質の下に存在しているニー化シリコンの
エツチングを防止することＫある。
被エツチング物質の下に存在しているニー化シリコンの
エツチングを防止することＫある。
以下、１１施例に基づいて本″ＩＲ明を詳しく説明する
。
。
第２８ｉｌにおいて、半導体基板支持台１上の半導体基
１１２の周辺に石英３を１舒している。ごれによ〉、例
えば二酸化シリコン上の多結晶シリコンをエツチングす
る場合などＫ、過剰にエツチングし友としても励起され
たエツチングガス中の二酸化シリコンに対して活性な反
応種は、この石英３と反応して消費される九めに少なく
な９、多結晶シリコンの下の二酸化シリコンをエツチン
グしなくなる。
１１２の周辺に石英３を１舒している。ごれによ〉、例
えば二酸化シリコン上の多結晶シリコンをエツチングす
る場合などＫ、過剰にエツチングし友としても励起され
たエツチングガス中の二酸化シリコンに対して活性な反
応種は、この石英３と反応して消費される九めに少なく
な９、多結晶シリコンの下の二酸化シリコンをエツチン
グしなくなる。
以上のように１本斃明は、二瞭化シリコン上の多結蟲シ
リコンをエツチングする際の二駿化シリコンのエツチン
グ肪止にすぐれた効果を有する４のである。
リコンをエツチングする際の二駿化シリコンのエツチン
グ肪止にすぐれた効果を有する４のである。
第１図は、従来のドライエツチング装置Ｋシける半導体
基板支持台の櫃略図。 第２図は、本発１１ｊＫよるドライエツチング装置にシ
ける半導体基板支持台の歓略−０ １Ｆｉ半導体基板支持台 ２Ｆ１半導体基板 ３Ｆｉ石英 以 上 出願人 株丈会社 −訪精工舎 代理人 弁理士 最上 １７） 優２ｖＡ
基板支持台の櫃略図。 第２図は、本発１１ｊＫよるドライエツチング装置にシ
ける半導体基板支持台の歓略−０ １Ｆｉ半導体基板支持台 ２Ｆ１半導体基板 ３Ｆｉ石英 以 上 出願人 株丈会社 −訪精工舎 代理人 弁理士 最上 １７） 優２ｖＡ
Claims (1)
- （１） 真空状態に保えれえ反応車内にエツチングガ
スを導入し、これに高屑腋電界を印加することによ伽発
生する励起状部のエツチングガスを用いてエツチングを
行なう、いわゆるドライエツチング装置Ｋおｉて１Ｍ応
宸内の半導体基板支持台上の半導体基板周辺に石英を配
置することをＳ＊とするドライエツチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP868282A JPS58125831A (ja) | 1982-01-22 | 1982-01-22 | ドライエツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP868282A JPS58125831A (ja) | 1982-01-22 | 1982-01-22 | ドライエツチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58125831A true JPS58125831A (ja) | 1983-07-27 |
Family
ID=11699688
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP868282A Pending JPS58125831A (ja) | 1982-01-22 | 1982-01-22 | ドライエツチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58125831A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62152435U (ja) * | 1986-03-19 | 1987-09-28 | ||
| US4954201A (en) * | 1988-10-15 | 1990-09-04 | Leybold Aktiengesellschaft | Apparatus for etching substrates with a luminous discharge |
-
1982
- 1982-01-22 JP JP868282A patent/JPS58125831A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62152435U (ja) * | 1986-03-19 | 1987-09-28 | ||
| JPH0451473Y2 (ja) * | 1986-03-19 | 1992-12-03 | ||
| US4954201A (en) * | 1988-10-15 | 1990-09-04 | Leybold Aktiengesellschaft | Apparatus for etching substrates with a luminous discharge |
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