JPS58124301A - マイクロ波固体装置 - Google Patents
マイクロ波固体装置Info
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- JPS58124301A JPS58124301A JP588882A JP588882A JPS58124301A JP S58124301 A JPS58124301 A JP S58124301A JP 588882 A JP588882 A JP 588882A JP 588882 A JP588882 A JP 588882A JP S58124301 A JPS58124301 A JP S58124301A
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- microwave
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B19/00—Generation of oscillations by non-regenerative frequency multiplication or division of a signal from a separate source
- H03B19/16—Generation of oscillations by non-regenerative frequency multiplication or division of a signal from a separate source using uncontrolled rectifying devices, e.g. rectifying diodes or Schottky diodes
- H03B19/18—Generation of oscillations by non-regenerative frequency multiplication or division of a signal from a separate source using uncontrolled rectifying devices, e.g. rectifying diodes or Schottky diodes and elements comprising distributed inductance and capacitance
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- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Waveguide Connection Structure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明はマイクロ波固体装置に係り、特に高調波などの
高域不要波を抑圧することが可・泪な導波管線路により
構成したマイクロ波固体装置に関するものである。
高域不要波を抑圧することが可・泪な導波管線路により
構成したマイクロ波固体装置に関するものである。
発明の技術的背景とその問題点
マイクロ波帯域における発振、増幅などに使用される素
子としては例えばインバットダイオード、ガンダイオー
ドなどのマイクロ波半導体素子が知られている。そして
これら素子を導波管線路内に装荷してマイクロ波発振、
増幅を行う回路構造としては従来第１図及び第２図に示
すものがｉ＋ｆｉ常使用されている。
子としては例えばインバットダイオード、ガンダイオー
ドなどのマイクロ波半導体素子が知られている。そして
これら素子を導波管線路内に装荷してマイクロ波発振、
増幅を行う回路構造としては従来第１図及び第２図に示
すものがｉ＋ｆｉ常使用されている。
先ず第１図に示す回路構造は幅（ａ）高さく１））を有
する主導波管（１）の短絡面（１，）から距離（ａｌ）
内部の位置にマイクロ波半導体素子（３）を装荷用のポ
スト（４）により装荷し、このポスト（１）に動作バイ
アス′Ｎｌｌ、 ｊモを印ａＯする構造である。この距
離（１１）はマイクロ波半導体素子（３）及びポスト（
４）の特性、設定方法により、ｌ、＝λｙ／４〜λｙ／
２（λｆは動作周波数での管内波長）に設定されている
。
する主導波管（１）の短絡面（１，）から距離（ａｌ）
内部の位置にマイクロ波半導体素子（３）を装荷用のポ
スト（４）により装荷し、このポスト（１）に動作バイ
アス′Ｎｌｌ、 ｊモを印ａＯする構造である。この距
離（１１）はマイクロ波半導体素子（３）及びポスト（
４）の特性、設定方法により、ｌ、＝λｙ／４〜λｙ／
２（λｆは動作周波数での管内波長）に設定されている
。
次の第２図に示す回路構造は幅（２）、高さくｌ））を
有する主導波管ｆ２１１の短絡面（２１，）から距離（
ｌ、）の位置にマイクロ波半導体素子ｆ２３） ｆ−装
荷用のボスｌ−ｔ２−１１により装荷し、更に距離（ｌ
、）の位置に負荷結合窓Ｉ：拘分取りつけた構造である
。この距離（１，）（１，）は通常ｇ、＝λｙ／４〜λ
ｙ／２．ｅ２＝λノ／４とすることが多い。
有する主導波管ｆ２１１の短絡面（２１，）から距離（
ｌ、）の位置にマイクロ波半導体素子ｆ２３） ｆ−装
荷用のボスｌ−ｔ２−１１により装荷し、更に距離（ｌ
、）の位置に負荷結合窓Ｉ：拘分取りつけた構造である
。この距離（１，）（１，）は通常ｇ、＝λｙ／４〜λ
ｙ／２．ｅ２＝λノ／４とすることが多い。
然るにこれらマイクロ波半導体素子は通常非線形動作を
するため前述の距離（ｌ１１）（１！りなどの回路パラ
メータで決定される基本動作周波数帯での動作特性とは
別に高調波などの主として高域不要波を発生する。そし
てこれらの高域不要波が所定レベル以ヒ発生すると、負
荷回路側への妨害波となったり、あるいは空間に放射さ
れた場合には電波法等により規制されるし、またマイク
ロ波固体装置としてもその品位が悪くなる問題点がある
。
するため前述の距離（ｌ１１）（１！りなどの回路パラ
メータで決定される基本動作周波数帯での動作特性とは
別に高調波などの主として高域不要波を発生する。そし
てこれらの高域不要波が所定レベル以ヒ発生すると、負
荷回路側への妨害波となったり、あるいは空間に放射さ
れた場合には電波法等により規制されるし、またマイク
ロ波固体装置としてもその品位が悪くなる問題点がある
。
この高域不要波抑圧形回路構造として第３図に示す構造
が考えられている。
が考えられている。
即ち、基本的構造としてはほぼ第１図のものと同様であ
るが本例の場合は主導波管（３０の短絡面（３ｌ、）か
ら距離（１１）内部の位置にマイクロ波半導体素子（：
麹を装荷用のポスト（ロ）により装荷すると共に短絡面
（３１，）内面にマイクロ波吸収体（陶を設けたことを
特徴としている。このマイクロ液吸収体Ｃ刑の挿入によ
り導波管線路長（１１）で決まる基本波および高域共振
モードの共振回路のＱ値を低下させることにより、特に
高域モードにおける不要波発生を抑圧するようになって
いる。
るが本例の場合は主導波管（３０の短絡面（３ｌ、）か
ら距離（１１）内部の位置にマイクロ波半導体素子（：
麹を装荷用のポスト（ロ）により装荷すると共に短絡面
（３１，）内面にマイクロ波吸収体（陶を設けたことを
特徴としている。このマイクロ液吸収体Ｃ刑の挿入によ
り導波管線路長（１１）で決まる基本波および高域共振
モードの共振回路のＱ値を低下させることにより、特に
高域モードにおける不要波発生を抑圧するようになって
いる。
しかし、この構造においても、マイクロ波吸収体に釣は
基本波モードにも影響を与えるため、高域モードにおけ
る不要波発生を防ぐためにマイクロ波吸収体（至）の減
衰量を増大させるほど基本波に対する減衰量も増大し、
マイクロ波固体装置としての出力低下などの回路効率を
劣化させるという問題点があった。
基本波モードにも影響を与えるため、高域モードにおけ
る不要波発生を防ぐためにマイクロ波吸収体（至）の減
衰量を増大させるほど基本波に対する減衰量も増大し、
マイクロ波固体装置としての出力低下などの回路効率を
劣化させるという問題点があった。
発明の目的
本発明は前述した従来の問題点に鑑みなされたものであ
り、マイクロ波発振、増幅などの基本波動作には影響な
く不要波のみを抑圧することが可能な短絡面を有する主
導波管を具備する導波管線路により構成したマイクロ波
固体装置を提供することを目的としている。
り、マイクロ波発振、増幅などの基本波動作には影響な
く不要波のみを抑圧することが可能な短絡面を有する主
導波管を具備する導波管線路により構成したマイクロ波
固体装置を提供することを目的としている。
発明のｇ要
即ち、本発明は導波管回路で構成したマイクロ波固体装
置において、このマイクロ波固体装置全構成する主導波
管の内の動作周波数帯のほぼ短絡面に開口部が位置する
ように動作周波数に対して遮断特性となる副導波管を連
接し、この副導波管の他端部を抵抗終端または短絡終端
にしたことを特徴とするマイクロ波固体装置である。
置において、このマイクロ波固体装置全構成する主導波
管の内の動作周波数帯のほぼ短絡面に開口部が位置する
ように動作周波数に対して遮断特性となる副導波管を連
接し、この副導波管の他端部を抵抗終端または短絡終端
にしたことを特徴とするマイクロ波固体装置である。
発明の実施例
次に本発明のマイクロ波固体装置の第１の実施例を第４
図により説明する。
図により説明する。
即ち、幅ｆａｌ、高さくｂ）（但しａ＞ｂ）の主導波管
（９）の接続面（従来の短絡面）（４１＋）の中央部に
幅（ａ）高さく１）ｌ （但しａ＜ａ、ｂ≦ｂ）の副導
波管ｒ４１ａ）を購成し、この副導波管（４１ａ）はマ
イクロ波吸収体（４６’ｌにより、はぼ整合終端となさ
れており、主導波管（４Ｉ）と副導波管（４１ａ）との
接続面（４１，）に近い基本波による主導波管（４υの
等価短絡面（４２からの距離（１１）の位置にマイクロ
波半導体素子（４３を装荷用ポット（４４１により装荷
する。
（９）の接続面（従来の短絡面）（４１＋）の中央部に
幅（ａ）高さく１）ｌ （但しａ＜ａ、ｂ≦ｂ）の副導
波管ｒ４１ａ）を購成し、この副導波管（４１ａ）はマ
イクロ波吸収体（４６’ｌにより、はぼ整合終端となさ
れており、主導波管（４Ｉ）と副導波管（４１ａ）との
接続面（４１，）に近い基本波による主導波管（４υの
等価短絡面（４２からの距離（１１）の位置にマイクロ
波半導体素子（４３を装荷用ポット（４４１により装荷
する。
この場合、基本波動作周波数を（ｆｏ）とした時、副溝
波’＃（４１ａ）の幅１ａ）をｃ／２ａ＞１６ （但し
、Ｃは光速）を満足するように設定すれば、基本波動作
周波数（ｆｏ）で副導波管（４１ａ）側を見た場合、副
導波管（４１ａ）は遮Ｗｒ（カットオフ）特性を示す。
波’＃（４１ａ）の幅１ａ）をｃ／２ａ＞１６ （但し
、Ｃは光速）を満足するように設定すれば、基本波動作
周波数（ｆｏ）で副導波管（４１ａ）側を見た場合、副
導波管（４１ａ）は遮Ｗｒ（カットオフ）特性を示す。
従って主導波管（４Ｉ）と副導波管（４１ａ）の接続面
（４１，）から（Δｌ）だけ副導波管（４１ａ） ＩＨ
ｔｌに入った位置が動作周波数においては等価短絡面（
４２となり、基本波動作特性は（ｌＩ）によシ決定され
ることになる。
（４１，）から（Δｌ）だけ副導波管（４１ａ） ＩＨ
ｔｌに入った位置が動作周波数においては等価短絡面（
４２となり、基本波動作特性は（ｌＩ）によシ決定され
ることになる。
しかし副導波管（４１ａ）内を伝ばんできる周波数領域
ｆｆ１ｌ］ チｆ ＞ ｃ ／ ２ ａ’においてはマ
イクロ波吸収体（佃を見ることになるので等価短絡面＋
４３では短絡とはならず、マイクロ波吸収体＋４ｅによ
る抵抗終端となる。つま！ｌ） （ｌ、）を基本波動作
特性の最適値に設定することにより、良好な基本波動作
特性が得られ、高調波を含むｆ＞ｃ／２ａ’の領域での
不要波はマイクロ波吸収体（４２により抑圧されること
になる。
ｆｆ１ｌ］ チｆ ＞ ｃ ／ ２ ａ’においてはマ
イクロ波吸収体（佃を見ることになるので等価短絡面＋
４３では短絡とはならず、マイクロ波吸収体＋４ｅによ
る抵抗終端となる。つま！ｌ） （ｌ、）を基本波動作
特性の最適値に設定することにより、良好な基本波動作
特性が得られ、高調波を含むｆ＞ｃ／２ａ’の領域での
不要波はマイクロ波吸収体（４２により抑圧されること
になる。
次に本発明のマイクロ波固体回路の第２の実施例ｆ、第
５図により説明する。
５図により説明する。
即ち幅（ａｔ高さくｂ）（但しａ＞ｂ ）の主導波管５
１）の接続面（従来の短絡面＞ （５１１）の中央部に
幅（ａｌ高さくｂｌ（但しａ＜ａ、ｂ≦１））の副導波
管（５１ａ）を設けこの副導波管（５１ａ）の他端部は
短絡面（５ｉａｓ）となっており、主導波管６１Ｊと副
導波管（５１ａ）との接続而（５１，）における基本波
による主導波管６υの等価短絡面５邊からの距離（１１
）の位置にマイクロ波半導体素子６濠を装荷用ポット（
５４）により装荷すると共にこの等価短絡面（５擾から
距離（ｌ′）の位置が副導波管（５１ａ）の短絡面（５
１ａ、）となっている。この」易会副導波管（５１ａ）
内を伝ばんできる周波数帯域ｆ＞ｃ／２ａ のうち、特
に問題となる帯域例えば第２高調波２ｆ、に対して一不
要波の発生が最も少なくなるように（ｌＳを設定すれば
よい。基本波に対しては第１の実施例で説明したと同じ
ように等価短絡面（５邊からマイクロ波半導体素子６■
の装荷位置壕での距離（ｌ、）で特性がきまり副導波管
の長さくｌ、）には無関係となる。
１）の接続面（従来の短絡面＞ （５１１）の中央部に
幅（ａｌ高さくｂｌ（但しａ＜ａ、ｂ≦１））の副導波
管（５１ａ）を設けこの副導波管（５１ａ）の他端部は
短絡面（５ｉａｓ）となっており、主導波管６１Ｊと副
導波管（５１ａ）との接続而（５１，）における基本波
による主導波管６υの等価短絡面５邊からの距離（１１
）の位置にマイクロ波半導体素子６濠を装荷用ポット（
５４）により装荷すると共にこの等価短絡面（５擾から
距離（ｌ′）の位置が副導波管（５１ａ）の短絡面（５
１ａ、）となっている。この」易会副導波管（５１ａ）
内を伝ばんできる周波数帯域ｆ＞ｃ／２ａ のうち、特
に問題となる帯域例えば第２高調波２ｆ、に対して一不
要波の発生が最も少なくなるように（ｌＳを設定すれば
よい。基本波に対しては第１の実施例で説明したと同じ
ように等価短絡面（５邊からマイクロ波半導体素子６■
の装荷位置壕での距離（ｌ、）で特性がきまり副導波管
の長さくｌ、）には無関係となる。
次に本発明の第１の実施例でちる無反射終端のもの及び
第２の実施例である短絡終端のものと、従来例として第
１図のものをそれぞれ回路構成とした実験結果を説明す
る。
第２の実施例である短絡終端のものと、従来例として第
１図のものをそれぞれ回路構成とした実験結果を説明す
る。
この場合主導波管としてａ ＝ ２２．９ ｕｒｎ 、
ｌ） ＝ｌ ＋）、２ ＋ｎＩＮ（Ｘ帯標準導波管）
のもの、副導波管としてａ′−１（１，７ａ＋ｍ、 ｂ
＝４．３ｍｍ （Ｋ帯標準導波管）ノもノヲ使用し、
マイクロ波半導体素子としてＸ帯ＣＷ用ガンダイオード
を用いて発振器を構成し、基本波（ｆｏ−９，５ＧｔＴ
ｚ ） と第２高調波（２ｆｏ＝１９（）ｌ−Ｉｚ
）両方のレベルを観測し丁表の結果が得られた。
ｌ） ＝ｌ ＋）、２ ＋ｎＩＮ（Ｘ帯標準導波管）
のもの、副導波管としてａ′−１（１，７ａ＋ｍ、 ｂ
＝４．３ｍｍ （Ｋ帯標準導波管）ノもノヲ使用し、
マイクロ波半導体素子としてＸ帯ＣＷ用ガンダイオード
を用いて発振器を構成し、基本波（ｆｏ−９，５ＧｔＴ
ｚ ） と第２高調波（２ｆｏ＝１９（）ｌ−Ｉｚ
）両方のレベルを観測し丁表の結果が得られた。
表
即ち、第１図に示した従来構造に比べ、第４図及び第５
図に示した本発明の実施例は基本波出力レベルはほとん
ど変化しないが、第２高調波出力レベルは無反射終端を
使用した第４図の構造の時、７．５ｄＢ短絡終端を最適
位置に設定した第５図の構造の時、３．２ｄｌ−１それ
ぞれ改善された抑圧特性が得られている。
図に示した本発明の実施例は基本波出力レベルはほとん
ど変化しないが、第２高調波出力レベルは無反射終端を
使用した第４図の構造の時、７．５ｄＢ短絡終端を最適
位置に設定した第５図の構造の時、３．２ｄｌ−１それ
ぞれ改善された抑圧特性が得られている。
次に上述した主導波・ｄと副導波管を使用した第５図に
示す第２の実施例の副導波管（５１ａ）の短絡終端であ
る短絡面（５１ａ、）を可変短絡終端としだ時の実験結
果を第６図に示す。即ち短絡端までの長さくｌ）を可変
にした時、基本液出−’］ （ｆｏ−９，２ＧＨｚ）レ
ベルは直線−で示すようにほとんど変化しないが、第２
高調波出力レベルは長さくＡを変化した時曲線鏝に示す
ようにある長さでピーク値を有し約１５ｄＢｍ変化し、
長さく泊に対する抑圧のための最適位置が存在している
ことを示している。
示す第２の実施例の副導波管（５１ａ）の短絡終端であ
る短絡面（５１ａ、）を可変短絡終端としだ時の実験結
果を第６図に示す。即ち短絡端までの長さくｌ）を可変
にした時、基本液出−’］ （ｆｏ−９，２ＧＨｚ）レ
ベルは直線−で示すようにほとんど変化しないが、第２
高調波出力レベルは長さくＡを変化した時曲線鏝に示す
ようにある長さでピーク値を有し約１５ｄＢｍ変化し、
長さく泊に対する抑圧のための最適位置が存在している
ことを示している。
次に本発明のマイクロ波固体、装置の変形例を第７図乃
至第９図により説明する。
至第９図により説明する。
先ず第７図は幅（ａ）、高さくｂ）（但しａ＞ｂ ）の
導波管（７ηの短絡面（７１，）の中央部に幅（ａ＜Ｉ
高さくｂ）（但しａ＜ａ 、 ｂ′≦ｂ）ノ副導波管（
７１ａ）を構成し、この副導波管（７１ａ）はマイクロ
波吸収体（７６）により、はぼ整合終端となされており
、主導波管σＤと副導波・＃（７１ａ）との接続面（７
１，）における基本波による主導波Ｉｖｉ（７υの等価
短絡面＋７２からの距離（１２）の位；ηにマイクロ波
半導体素子（四を装荷用ポストσ→により装荷しである
のは第２の実施例とほぼ同様であるが、更に距離（１１
）の位置に負荷結合窓（７つを設けたことを７時機とし
ている。このような構造の機能につ（八では第４図に対
する説明と同じであり、高域不要波の抑圧に効果がある
。
導波管（７ηの短絡面（７１，）の中央部に幅（ａ＜Ｉ
高さくｂ）（但しａ＜ａ 、 ｂ′≦ｂ）ノ副導波管（
７１ａ）を構成し、この副導波管（７１ａ）はマイクロ
波吸収体（７６）により、はぼ整合終端となされており
、主導波管σＤと副導波・＃（７１ａ）との接続面（７
１，）における基本波による主導波Ｉｖｉ（７υの等価
短絡面＋７２からの距離（１２）の位；ηにマイクロ波
半導体素子（四を装荷用ポストσ→により装荷しである
のは第２の実施例とほぼ同様であるが、更に距離（１１
）の位置に負荷結合窓（７つを設けたことを７時機とし
ている。このような構造の機能につ（八では第４図に対
する説明と同じであり、高域不要波の抑圧に効果がある
。
次の第８図のものは第２の実施例の変形であシ、幅（ａ
）、高さｉｂｌを有する主導波管らυの接続面（８１，
） 。
）、高さｉｂｌを有する主導波管らυの接続面（８１，
） 。
を設ける位置を肉厚部のηとし、この肉厚部（８７）内
に幅（ａ）高さくｌ）１を有する副導波管（８１ａ）を
設け、この副導波管（８１ａ）の端部に平板状のマイク
ロ波吸収体（８６）を装荷し、接続面（７１，）より副
導波管（８１ａ）内に距離（Δｌ）入った等価短絡面（
８ツと吸収体との距離（ｌ′）を不要波抑圧に最適とな
る長さに選んである。このようにすることにより、マイ
クロ波吸収体（財）を図示の如く小形化し、全体を小形
化することが可能である。
に幅（ａ）高さくｌ）１を有する副導波管（８１ａ）を
設け、この副導波管（８１ａ）の端部に平板状のマイク
ロ波吸収体（８６）を装荷し、接続面（７１，）より副
導波管（８１ａ）内に距離（Δｌ）入った等価短絡面（
８ツと吸収体との距離（ｌ′）を不要波抑圧に最適とな
る長さに選んである。このようにすることにより、マイ
クロ波吸収体（財）を図示の如く小形化し、全体を小形
化することが可能である。
最後の第９図のものは幅＋ａ＋、高さくｂｌ （（１１
，ａ〉ｂ）の導波管の接続面（９］＋）を設ける位置を
肉厚部（！１７１とし、この肉厚部１４１７）内に幅（
ａ）、高さくｂｉの第１の副導波管（９１ａ）さらに＠
（諸高さくｂｉの第２の副導波’ｌ （９１１））−ｉ
構成し、コノ第２の副導彼！（９］１〕）の端部にマイ
クロ波吸収体（噛を設け、抵抗終端としている。このよ
うな構造で、基本波動作周波数（ｆｏ）とし、第１の副
導波管（９１ａ）の幅（ａ）を基本波に対してカットオ
フ即ちｃ／２ａ’＞ｆ、 、第２の副導波・＃ （９１
ｂ）の幅（４を第２高調波に対してカットオフ−１１ち
ｃ／２ａ′＞ ２ｆｏに設定し、第１の副導波−ｑ（９
１ａ）の短絡長ｔＡ ＦＩＩＪち主導波管（り０の接続
面（９１，）より第１の副導波管（９１ａ）に（Δｌ、
）八−った第１の等価短絡面（９２，）と第１の訓導波
管（９１ａ）の接続面（９１ａ、）より第２の副導波管
（９１ｂ）に（△／、）入った第２の等価短絡面（９２
，）間の長さを第２高調波（２ｆ０）を抑圧するだめの
最適長に選んである。この変形例によればマイクロ波吸
収体（（ト）の形状などを第３高調波（３ｆ、）の抑圧
に効果的に作用するように選ぶことが可能であり、不要
波として通常問題となる第２．第３高調波の抑圧を効果
的に行なうことができる。
，ａ〉ｂ）の導波管の接続面（９］＋）を設ける位置を
肉厚部（！１７１とし、この肉厚部１４１７）内に幅（
ａ）、高さくｂｉの第１の副導波管（９１ａ）さらに＠
（諸高さくｂｉの第２の副導波’ｌ （９１１））−ｉ
構成し、コノ第２の副導彼！（９］１〕）の端部にマイ
クロ波吸収体（噛を設け、抵抗終端としている。このよ
うな構造で、基本波動作周波数（ｆｏ）とし、第１の副
導波管（９１ａ）の幅（ａ）を基本波に対してカットオ
フ即ちｃ／２ａ’＞ｆ、 、第２の副導波・＃ （９１
ｂ）の幅（４を第２高調波に対してカットオフ−１１ち
ｃ／２ａ′＞ ２ｆｏに設定し、第１の副導波−ｑ（９
１ａ）の短絡長ｔＡ ＦＩＩＪち主導波管（り０の接続
面（９１，）より第１の副導波管（９１ａ）に（Δｌ、
）八−った第１の等価短絡面（９２，）と第１の訓導波
管（９１ａ）の接続面（９１ａ、）より第２の副導波管
（９１ｂ）に（△／、）入った第２の等価短絡面（９２
，）間の長さを第２高調波（２ｆ０）を抑圧するだめの
最適長に選んである。この変形例によればマイクロ波吸
収体（（ト）の形状などを第３高調波（３ｆ、）の抑圧
に効果的に作用するように選ぶことが可能であり、不要
波として通常問題となる第２．第３高調波の抑圧を効果
的に行なうことができる。
前述した実施例、変形例の他にこれらの徂合せも考える
ことが可能なことは勿論である。
ことが可能なことは勿論である。
以上述べたように本発明によれば、導波管ｉ機略で構成
したマイクロ波固体装置ｕの発振、増幅器回路内におい
て、主導波管が動作周波数で短絡面となる位置に動作周
波数に対してカットオフとなる副導波管を設け、抵抗終
端あるいは適当な長さで短絡した短絡終端とすることに
より高調波等の高域不要波の発生を基本動作特性に影響
を与えることなく効果的に抑圧できるのでその工業的価
値は極めて大である。
したマイクロ波固体装置ｕの発振、増幅器回路内におい
て、主導波管が動作周波数で短絡面となる位置に動作周
波数に対してカットオフとなる副導波管を設け、抵抗終
端あるいは適当な長さで短絡した短絡終端とすることに
より高調波等の高域不要波の発生を基本動作特性に影響
を与えることなく効果的に抑圧できるのでその工業的価
値は極めて大である。
第１図は従来の第１の例を示す図であり１． ｆＡ１図
は幅方向断面図、（８１図は高さ方向断面図、第２図は
従来の第２の例を示す図であり、（Ａ）図は幅方向断面
図、４８１図は高さ方向断面図、第３図は従来の第３の
例を示す図であり、ｆＡ１図は幅方向断面図、４８１図
は高さ方向断面図、第４図は本発明の第１の実施例を示
を図でちり、（Ａ）図は幅方向断面図、ＩＢ）図は高さ
方向断面図、第５図は本発明の第２の実施例を示す図で
あり、（Ａ）図は幅方向断面図、＋８１図は高さ方向断
面図、第６図は第２の実施例で副導彼・ａの短絡端まで
の長さと出力レベルの関係における基本波出力、第２高
調波出力を示すグラフ、第７図は本発明の第１の変形例
金示す図であり、（Ａ）図は幅方向１折而図、（１１）
図は高さ方向１所而図、第８図は本発明の第２の変形例
を示す要部図であり、ｆＡ１図は幅方向断面図、（１３
）図は高さ方向断面図、第９図は本発明の第３の変形例
を示す要部図であり、ｆＡ１図は幅方向断面図、■）図
は高さ方向断面図である。 １．２１，３１，４１，５１，７１，８１．９１ 主
導波管３．２３，３３，４３．５３．７３・マイクロ波
半導体素子、１，２４，３４，４４，５４．７４ ポ
スト２５．７５ 負荷結合窓 ３６．４６，７６．８６．９６ マイクロ波吸収体１
１ａ、５１ａ 、７１ａ、８１ａ、９１ａ、９１ｂ
副導波管４２．５２，７２，８２，９２．．９２． −
等価Ｗ絡面代理人 弁理士 井 上 −男 Ａ、Ｉｏり ミ 、 口 千 十 哩 １ 虻 荊ｇム？→ ミ 区 し−く口 ０つ 第 ７ （／Ｉ？） １ 第 ９ （β） ｑｚ、 ４ｔ’？ （Ｆ５） 図 （８） 図 （Ｂ）
は幅方向断面図、（８１図は高さ方向断面図、第２図は
従来の第２の例を示す図であり、（Ａ）図は幅方向断面
図、４８１図は高さ方向断面図、第３図は従来の第３の
例を示す図であり、ｆＡ１図は幅方向断面図、４８１図
は高さ方向断面図、第４図は本発明の第１の実施例を示
を図でちり、（Ａ）図は幅方向断面図、ＩＢ）図は高さ
方向断面図、第５図は本発明の第２の実施例を示す図で
あり、（Ａ）図は幅方向断面図、＋８１図は高さ方向断
面図、第６図は第２の実施例で副導彼・ａの短絡端まで
の長さと出力レベルの関係における基本波出力、第２高
調波出力を示すグラフ、第７図は本発明の第１の変形例
金示す図であり、（Ａ）図は幅方向１折而図、（１１）
図は高さ方向１所而図、第８図は本発明の第２の変形例
を示す要部図であり、ｆＡ１図は幅方向断面図、（１３
）図は高さ方向断面図、第９図は本発明の第３の変形例
を示す要部図であり、ｆＡ１図は幅方向断面図、■）図
は高さ方向断面図である。 １．２１，３１，４１，５１，７１，８１．９１ 主
導波管３．２３，３３，４３．５３．７３・マイクロ波
半導体素子、１，２４，３４，４４，５４．７４ ポ
スト２５．７５ 負荷結合窓 ３６．４６，７６．８６．９６ マイクロ波吸収体１
１ａ、５１ａ 、７１ａ、８１ａ、９１ａ、９１ｂ
副導波管４２．５２，７２，８２，９２．．９２． −
等価Ｗ絡面代理人 弁理士 井 上 −男 Ａ、Ｉｏり ミ 、 口 千 十 哩 １ 虻 荊ｇム？→ ミ 区 し−く口 ０つ 第 ７ （／Ｉ？） １ 第 ９ （β） ｑｚ、 ４ｔ’？ （Ｆ５） 図 （８） 図 （Ｂ）
Claims (1)
- 導波管回路で構成され所定の動作周波数帯で動作するよ
うになされたマイクロ波固体装置において、前記導波管
回路を構成する主導波管の内の前記動作周波数帯の（・
すぼ短絡面ＶＣ揚口部が位置するように前記動作同波数
帯に対して遮断特性となる副導波管を連接し、前記副導
波管の他端部を抵抗終端または短絡終端にしたことを特
徴とするマイクロ波固体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP588882A JPS58124301A (ja) | 1982-01-20 | 1982-01-20 | マイクロ波固体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP588882A JPS58124301A (ja) | 1982-01-20 | 1982-01-20 | マイクロ波固体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58124301A true JPS58124301A (ja) | 1983-07-23 |
Family
ID=11623424
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP588882A Pending JPS58124301A (ja) | 1982-01-20 | 1982-01-20 | マイクロ波固体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58124301A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0575308A (ja) * | 1991-09-18 | 1993-03-26 | Fujitsu Ltd | 導波管形フイルタ装置 |
| CN105425188A (zh) * | 2015-12-21 | 2016-03-23 | 南京三乐微波技术发展有限公司 | 基于微波矢量网络分析仪校准的一体化波导开路、短路校准器 |
-
1982
- 1982-01-20 JP JP588882A patent/JPS58124301A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0575308A (ja) * | 1991-09-18 | 1993-03-26 | Fujitsu Ltd | 導波管形フイルタ装置 |
| CN105425188A (zh) * | 2015-12-21 | 2016-03-23 | 南京三乐微波技术发展有限公司 | 基于微波矢量网络分析仪校准的一体化波导开路、短路校准器 |
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