JPS59133713A - マイクロ波発振器 - Google Patents

マイクロ波発振器

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JPS59133713A
JPS59133713A JP58242318A JP24231883A JPS59133713A JP S59133713 A JPS59133713 A JP S59133713A JP 58242318 A JP58242318 A JP 58242318A JP 24231883 A JP24231883 A JP 24231883A JP S59133713 A JPS59133713 A JP S59133713A
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03BGENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B9/00Generation of oscillations using transit-time effects
    • H03B9/12Generation of oscillations using transit-time effects using solid state devices, e.g. Gunn-effect devices
    • H03B9/14Generation of oscillations using transit-time effects using solid state devices, e.g. Gunn-effect devices and elements comprising distributed inductance and capacitance
    • H03B9/145Generation of oscillations using transit-time effects using solid state devices, e.g. Gunn-effect devices and elements comprising distributed inductance and capacitance the frequency being determined by a cavity resonator, e.g. a hollow waveguide cavity or a coaxial cavity
    • H03B9/146Generation of oscillations using transit-time effects using solid state devices, e.g. Gunn-effect devices and elements comprising distributed inductance and capacitance the frequency being determined by a cavity resonator, e.g. a hollow waveguide cavity or a coaxial cavity formed by a disc, e.g. a waveguide cap resonator
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03BGENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B2200/00Indexing scheme relating to details of oscillators covered by H03B
    • H03B2200/006Functional aspects of oscillators
    • H03B2200/0074Locking of an oscillator by injecting an input signal directly into the oscillator
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03BGENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B2201/00Aspects of oscillators relating to varying the frequency of the oscillations
    • H03B2201/01Varying the frequency of the oscillations by manual means
    • H03B2201/014Varying the frequency of the oscillations by manual means the means being associated with an element comprising distributed inductances and capacitances

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  • Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
  • Stabilization Of Oscillater, Synchronisation, Frequency Synthesizers (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 不発明は、例えば60 GHz以上の周波数のようなミ
リメートル波長でマイクロ波エネ化ギーを発生させるの
に特に好適なマイクロ波発振器に関するものである。
特に不発明は遮断周波数を有する導波管を具えているマ
イクロ波発振器にあって、該発振器が負性抵抗発振装置
を含み、前記導波管内にマイクロ波エネルギーを発生せ
しめる発生手段ご具えて、該マイクロ波エネルギー発生
手段が前記導波管の遮断周波数以下の基本周波数と、該
基本周波数の整数倍で、しかも前記遮断周波数以上の調
波周波数でマイクロ波エネルギーを同時に発生し得るよ
うにし、前記マイクロ波エネルギー発生手段が、作動時
に前記調波周波数で前記発振装置を前記導波管に結合さ
せる第1手段も具え、前記基本周波数および前記調波周
波数の値が前記第1手段に依存するようにしたマイクロ
波光S器に関するものである。
ガンダイオードな用いる斯種の代表的な発振器は、°I
Microwave systems aews +C
1,980年12月第54〜60頁)にM 、 (3r
andel 1およびF 、J 、BernueSによ
る6文′°0scillators Lockand 
Tune at W、Band ”に記載されテいル。
斯かる論文に示されているように、上述した発振器に共
振ディスク(゛共振キャップ′°とも称する〕装置を使
用することはミIJ波回路の共振特性を決定するのに奸
策である。例えば、°”ElectricsLette
rs 、 vol、 1り、43”(1981年2月5
日)の第112〜113頁にI 、G、Eddison
およびり、M、Bro’okbankにより発表され7
310peratingModesof Millim
eter Wave Transferred Ele
ctronOscillators ”および°’ M
icrowave Systems Newg。
(1982年2月、第99頁〜103頁)にW、H,H
+ayd1により発表されり論文” Wideband
Waveguide System 工dentifi
es GaAs OscillatorHarmOni
C8at 94 GHz”に見られるように、斯種発振
器における負性抵抗発振装置は基本周波数と少なくとも
この基本周波数の第2調波周波数の双方でマイクロ波エ
ネルギーを発生するとぎれている。しかし、発振装置を
配置する導波管の遮断周波数が基本周波数以上であるた
め、調波周波数は導波管に沿って僅かしか伝搬し得ない
。ディスク、即ちキャップは放射線路変成器として機能
するものと想定される。
斯種の発振器ご電子的に同調させる場合、ノくラクタダ
イオードは、通常の発振器にて一般に行われている方法
、即ち導波管に沿って発振装置から、離間させて適切に
使用することはできない。−万では、基本発振現象が基
本周波数にて生ずるため、バラクタダイオードを基本周
波数でのみ発振装置に結合させてもそのダイオードが発
振周波数に及ぼす影響は極めて僅かである。他方、バラ
クタダイオードを発振装置に極めて接近させて、これら
が基本周波数にて生ずる消滅モードで結合させるように
配置すると、バラクタダイオードは発振装置間に低いイ
ンピーダンスを生ゼしぬ、従って出力電力を著しく低減
ぎせる。一般に、電子式同調範囲の有効幅と出力電力の
微少な低減との間で良好な折衷策を採ることは不可能で
ある。
前記0randelおよびBerneSによる論文に記
載されているように、斯種の発振器を電子的に同調させ
るには、ガンダイオードに供給するバイアス電圧を変え
るのが奸策とされている。しかし、この方法では高い同
調感度(例えば2 (、Hz /ボルト〕が必要なため
、バイアス電圧?極めて良好に調整して追加のFM−雑
音を最小にし、かつ斯かるバイアス電圧を正確に制御し
て、周波数を所望に変化させる必要があり、しかも出力
電力がバイアス電圧に応じて著しく変化すると云う欠点
があり、さらに斯かる方法は周波数を非常に低いレート
で変えるのにしか使用できない。
発振器のFM−ノイズパーホーマンスヲ改善するために
、上記文献には位相ロックループを使用することが提案
されているが、この場合には非常に多量の追加装置が必
要である。
ノイズパーホーマンスを改善する池の方法が、”  1
981 IEEE MTT−8、工nternatio
na1Microwave Symposium Di
geSt ”(第384〜387頁)のH、Barth
による論文” A wideband 。
backshort−tdnable 5econd 
harominic W−bandGunn−osci
llator ”に記@サレテイル。コレc 記載され
ている発振器では、遮断周波数が基本発振周波数以下の
方形導波管の中央部分に1個以上のガンダイオードを配
置している。斯かる導波管の中央部分の一端は方形の出
力導波管に接続されており、この出力導波管の遮断周波
数は基本周波数と第2発振調波周波数との間の値な呈す
るため、調波周波数のエネルギーが結合されるだけであ
る01個以上のダイオードを含む中央導波管部分の他端
は円形の導波管に接続されており、この円形導波管は(
基本周波数以下の)同じ遮断周波数を呈し・しかも一方
が他方の導波管内に含まれる2個の同軸可動短絡部を包
含している。)内側の短絡部は第2調波周波数で作動す
るも、基本周波数では作動せず、これは通常第2調波周
波数で出方菫カを最適化するのに用いられる。外側の短
絡部は基本周波数(従って第2調波周波数も)2機械的
に変化ぎせるのに用いることができる。単一ガンダイオ
ードの場合には、そのダイオードのバイアス電圧?変え
ることによって(約90 GHzの第2調波周波数で+
 8 o OMHzの電子同調範囲′fr−得ることが
できるも、この範囲は多少狭い。広い電子同調範囲?与
える構造のものは中央の方形導波管glS分に沿って離
間させた2個のガンダイオ−トド1個のバラクタダイオ
ードとご具えている。この場合に6−13 dBの最大
出方電力変動に対して1.5 GH2の同調範囲が達成
された。しかし、この場合には変動が多少大きく、また
構因も機械的に極めて複雑である。さらに、発振器のフ
イズパーホーマンスの改善にはまだ不充分である。
本発明の目的は上述した種類のマイクロ波発振器を改善
Tることにある。
本発明は冒頭にて述べた種類のマイクロ波発振器におい
て、該発振器が、導波管内を前記第1結合手段から離間
して延在し、導波管外部から前記基本周波数でマイクロ
波エネルギーご第1結合手段に結合させ、%れかも発振
装筐糧納合き吃〜それから@揚装置に結合させて、前記
調波周波数でのマイクロ波エネルギーの発生を制御せし
める第2手段も具えるようにしたことを特徴とする。
不発明の好適例によれば、第1結合手段が共振キャップ
構体を具え、かつ第2結合手段が前記共15珈キャップ
構体に隣接して延在する電気プローブな具えるようにす
る。このようにすれば、特に簡屯な装置でマイクロ波エ
ネルギーを基本周波数で発振装置に(所望な作動特性に
応じて)結合させる度合を実験上最適にすることができ
る。
そこで、本発明の好適な実施に当っては、導波管ご方形
状とし、共振キャップ構体の放射面P導波管の幅広壁部
に平行に延在させ、かつプローブを導波管の幅狭壁部か
らその壁部に垂直に延在させると共に該ブ四−12キャ
ップの放射面に対して垂直に離間させるようにする。
ざらに本発明の好適例では、共振キャップ構体な実質上
ディスクとし、発振装置ご該ディスクの片側面22m波
管の一方の幅広壁部との開に配置し、ポストをディスク
の池側面から導波管の他方の幅広壁部まで延在させ、該
ポストの導波管幅広壁部に平行な断面をディスクよりも
十分に小す<シ、カツフローフをディスクの発振装置と
は反対側に配置する。
本発明のざらに他の例によれば、導波管の一端部ご短絡
部によって終端させ、マイクロ波発生手段を導波管に沿
って前記短絡部から離間ぎせ、かつ第2結合手段を長手
方向に前記マイクセ波エネルギー発生手段と前記短絡部
との間に介在ぎせる。
導波管から調波周波数でマイクロ波エネルギーが漏洩す
るのを第2結合手段により抑制するようにするのが好適
である。
ざらに本発明の好適例によれば、発振器が、前記導波管
外部のマイクロ波源からの四ツキング信号を前記第2結
合手段に、ついで前記ml結合手段を介して負性抵抗発
振装置に伝搬する伝搬手段を具え、前記四ツキング信号
の周波数を該ロッキング信号がない場合の基本周波数の
値にほぼ等しくして、前記調波周波数ごロッキング信号
の周波数の前記整数倍に維持せしめるようにする。
マイクロ波発振器の分周波注入ロッキングは、” I−
EEE Transactions on Micro
wave Theory andTechniques
”(VOl、 MTT −17、1964年9月第72
8〜729頁)にH,G、01tman オよび0、H
,Nonnemaker ニより発表されe6文″Su
bharmon−ically Injection 
Phase−Locked Gunn Oscilla
torExperiments uと、” Elect
ronics Letters  ’(VOl、 6.
48 、19 ’10年4月16日第240〜241頁
)に(3,H,Chi6nおよびG、0.1)alma
nにより発表された論文″Subharmonical
ly InjectionPhase−Locked 
IMPATT−O8cillator EXperim
entS。
から既知である。しかし、これらの両輪文の少なくとも
2番目の論文では、ロッキング信号を低域通過同軸バイ
アス回路ご介して発振ダイオードに直接供給している。
ざらに、この論文にはダイオードが所望出力信号の周波
数以下の周波数でマイクυ波エネルギーを発生すると云
うことは全く示唆されていない。本発明が関連する種類
の発振器は注入ロッキング信号と同じ周波数で信号を発
生するのに対し、斯かる論文のものによる発生信号は、
ロッキング信号が結合されるのと同じ通路で、しかも同
程度に発振導波管から結合されるため、電力損失が生じ
、しかも効率が低下することになる。これがため、ロッ
キング信号が発振ダイオードに結合される度合を容易に
変えることのできるようにして、作動条件を最適とする
のが望ましい。
しかしこのことは、特にロッキング信号の周波数が、例
えば約350)IZ以上の場合に、同軸バイアス電源フ
ィルター回路の設計を著しく複雑にし、しかも斯かるフ
ィルター回路によって所望調波の出力周波数でのエネル
ギー伝搬を実質上抑制せしめる必要もある。前述した両
輪文の少なくとも最初のものでは、発振(ガン)ダイオ
ード′?i−TEM空胴内に取り付けている。この論文
にはロッキング信号を斯かる空胴内に結合せしめる方法
を正確には示していないが、斯様な空胴は遮断周波数を
有ざないた−め、任意の適当な周波数のロッキング信号
をダイオードに容易に結合させることができる。しかし
、本発明による発振器では導波管がロッキング信号の周
波数でカット−オフされる。バイアス電源ライン以外の
通路によってロッキング信号を基本円1波数で注入する
ようにすれば、ロッキング信号のダイオードへの結合程
度を最適化する問題が非常に軽減することからして、一
般の意見とは反対に、基本周波数でのロッキング信号は
結合手段により遮断導波管に、ついでダイオードへと結
合させることができ、ダイオードを導波管に結合せしめ
る手段にロッキング信号ご前記結合手段により結合させ
ることができることを確めた。
不発明によれば、例えば60〜100 GHzのよ!・
1うなミリメートル波長に対応する第2調波周波数で作
動させる発振器の場合に、上記波長のnの作動周波数で
、しかも良好なノイズパーホーマンスを呈するバラクタ
−同調発振器を容易に利用できると云う顕著な利点が得
られる。斯様な発振器をロッキング信号源として使用す
ることにより、斯かる低周波5発振器の優れたノイズお
よび同調特性を高周波発振器で簡単に得ることができる
。斯様な低周波発振器は一般に、(むしろ多少複雑な非
反復性の装置を必要とする)簡単な減衰器を用いて発振
器間ご分離させる目的に十分な電力以上の電力も提供す
る。
ロッキング信号源は不願人の出願に係る英国特許願第8
234240号に記載されているようなバラクタ同調発
振器とすることができ、この発振器では普通のアブラプ
ト同調バラクタを用いて直線性が非常は(憂れており、
しかも遊方変動が殆どない同調特性を得ることができる
本発明の好適例によれば、発振器が、その発振器の共振
周波数を変える手段を有している共振空−胴を具え、前
記基本周波数でのマイクロ波エネルギーを前記第2結合
手段により前記共振空胴と前記第1結合手段との間に作
動的に結合せしめ、前記共振周波数を前記共振空胴がな
い場合における前記基本周波数の値にほぼ等しくなるよ
うにして1、前記調波周波数を前記共振周波数の前記整
数倍に維持せしめるようにする。前記共振空胴の共振周
波数を変える手段にGまバラクタダイオードを設ける0 注入−ロッキング装置におけるロッキング信号伝搬手段
または空胴同調装置における共振空胴には第2導波管を
設け、この第2導波管に前記第2結合手段号延在させ、
前記第2導波管の遮断周波数は前記基本周波数以下とす
る。ざらに本発明の好適例によれば、前記第2導波管を
方形状とし、前記電気プローブ2延在させる前記最初に
述べた導波管の前記幅狭壁glSを1171記第2導波
管の幅広壁部に共通とし、かつ前記第2結合手段に別の
電気プローブを設け、該プローブを第2導波管の前記幅
広壁部から該第2導波管の幅狭壁部に平行に該−・導波
管内に延在させるようにする。
図面につき不発明を説明する。
第1および2図に示す不発明による注入−ロック自在の
マイクロ波発振器は、可動自在の非接触短絡部2により
一端が終端される標準の断面方形−1の導波管1を具え
ている。この導波管の断面はミリメートル波を伝搬する
のに適するものである。
導波管の下(I IIの穴内に入れたヒートシンクへ上
における導波管の中央長手方向平面には・導波管lの遮
断周波数以下の基本周波数で発振すべく設1.。
計したガンダイオード3を取り寸ける。このダイオード
3は、薄い円形ディスクまたはキャップ5と、導波管の
上側の幅広壁部にあけた穴内に取り付けたR、F、チョ
ーク7まで延在するボスt6とご具える共振キャップ構
体を介して導波管1および1直流バイアス電源に結合さ
せる。ディスク5はダイオード8の上側端部と接触させ
、かつ導波管の幅広壁部tこ平行に延在させる。R,F
、チョーク7は直径が大きな部分と小ぎな部分を順次交
互に具えており、直径の大きな部分はその間の薄く誘電
層、・・1(図示せず)により導波管の外匣から直流分
離′2!lせ、最F側の大直径部分の下側面は導波管の
上側幅広@胚と同一平面を成すようにする。即ち、R,
F、チョークは基本発振周波数以下の遮断周波数を有す
るように設計する。
上述したように、本発明発振器は従来のミリメートル波
発振器に非常に似たものである。適当なバイアス電圧を
チョーク7を介してガンダイオード3に供給すると、こ
のダイオードはマイクロ波エネルギーを基本周波数f。
と、第2調波周波数2 fo(およびそれより高い調波
周波数とすることもできる)との双方の周波数にて発生
し、これらの周波数値は主として共振キャップ構体、待
にディスク5の直径に依存する。短絡部2の位置は周波
数値には殆ど影響を及ぼぎないが、その位置によって周
波′数2foにおける出力電力を最適に調整することが
できる。
発振器はディスク5に隣接するように導波管l内を直線
的に延在する電気プローブ8も具えている。べ例では斯
かるプローブ8を、ディスク5の上方(即ち、ディスク
5のガンダイオード8とは1反対側)で、しかも短絡部
2とガンダイオードの正面との間にて長手方向に介在す
るように導波管の幅狭壁部の一つから、その暗部に垂直
に延在ぎせて、プローブ8がディスク5の周辺に接近し
、かつそのディスクに平行となるようにする。プローブ
8は別の導波管9に沿って供給されるロッキング信号を
共振キャップ構体を介してダイオード3に結合だせるの
に用いることができる。導波管9は導波W1に平行に延
在しており、この導波管。
9の方形断面は導波管lのそれより大きく、導波管9の
幅広壁F!Aは導波管1の幅狭壁部に平行とし、この導
波管9の遮断周波数Gま導波管lに取り酊けたガンダイ
オード8の基本周波r&、fo以下とする。
2つの導波管は、プローブ8が導波管9の中央E面にて
この導波管9内に突出して、導波管9の中央部にまで延
在するように相対的に位置ぎせる。
プローブが2つの導波管の共通暗部を貫通する個所では
斯かるプローブが同軸ラインの中心導体を成し、その同
軸ラインは長手方向にそれぞれ大直径および小直径の連
続部分IOおよび11ご有している。同軸ラインの大直
径部分10のインピーダンスは50Qとし、また導波管
1の幅狭壁部にまで延在させる小直径の隣接部分1】の
インピーダンスは非常に低い値とする。同軸ラインの斯
か−る後者の部分11の長ざは第2調波周波数の約14
波長の長さとし゛て、斯かる周波数では大直径部分10
の500のインピーダンスが導波管lの壁部にて極めて
低いインピーダンスに変換させるようにして、これによ
り周波数2 foでは導波管1がらエネルギーが漏洩し
ないようにする。導波v9はプローブ8から基本周波数
f。で約偽波長離れた所の固定短絡部12にて終端させ
る。
作動に当り、ロッキング信号のない場合における発振器
の基本周波数で。か、またはそれに非常に近い周波数で
ロッキング信号を導波g9に沿って矢印13(第2図)
の方向に供給する。(この自由走行基T−周波数は特に
、プローブ8′f:導波管1内に突出させる程度に依存
する。)この場合、四ツキング信号の周波数の2倍の周
波数のエネルギーが導波管1に沿って矢印14の方向に
伝搬するようになる。ロッキング信号の周波数が変化し
ても、調波周波数2foは同調、即ちロッキング範囲Δ
(2fo)にわたりロッキング信号周波数の2倍にロッ
クされたままとなり、斯かるロッキング範囲は導波管9
内のロッキング信号の電力が増大するにつれて増大し、
しかもプローブ8が導波管1内に突出する程度、従って
そのプローブが共振キャップ構体に結合する大きざが増
大するにつれて増大する。
第1および2図に示した形態の不発明の例は、遮断周波
数が約48 GHzで、ロッキング信号供給導波管をW
G22(WR28)タイプのものとするWG26(WR
121タイプの発振器導波管で構成した。ガンダイオー
ドは約35 GHzの基本周波数で作動TルPleas
ey T E O1’ 41デバイスとした。ディスク
5の直径寸法およびプローブ8を導波管l内に突出きせ
る程度としては種々の値を採用した。なお、自由走行第
2調波周波数の値はこれら双方のパラメータに依存する
。直径が0.5雛のプローブ8は、導波管1の下側幅広
暗部上方1Q、9111JLで、ガンダイオードの正面
から1.25−の所に位1!2せ、厚さが約100μm
のディスク5の上側面を導波管の下側幅広@部上万Q、
45 Nの所に位置ぎせた。ポスト6の直径は0.5 
gとした。第8図は導波管9内のロッキング信号の電力
Piに応じて発振器を注入信号にロックさせたままとす
る同調範囲Δ(2fo)の変化(対数目盛でプロットし
た実@)および2 foでの平均出力電力P。(破線)
を示したものである。各同調範囲にわたり出力電力P0
は殆ど変化しなかった。第2調波周波数の自由走行値は
85.9 GI2であり、ディスク5の直径は2.15
1Lmとし、プローブ8を導波管l内に突出させる長さ
は2.2間とした。第4図は、注入ロッキング信号電力
Piの数値範囲を多少相違させ、ディスク5の直径F2
.5RKとする場合に、プルーブを導波管内に突出ぎせ
る割合い?変えた場合、即ちA : Omm (79,
7GHz (1)自由走行第2調波周波微を与える)I
B:0.6 am (78,7GI(Z ) jO: 
1.0mc(77,7GHz ) r ]): l、5
cm(74,8=GHz lとする4つの場合における
同調範囲Δ(zfo+)の変化2示したものである。所
要に応じ、ディスク5の直径を小ざくして、プローブ8
ガ導波管内に突出する割合いが増大するにつれて周波数
が低下する傾向ご補償することができる。
ノイズパーホーマンスをさらに改善するために。
ロッキング信号源は位相ロックさせる。ことができ、こ
れは本押明による発振器の周波数で、その発振器がミリ
メートル範囲の出力を呈するも、斯かるロッキング信号
源の低周波にて非常に容易に行なうことができる。
第5図は不発明の他の例の長平方向断面図であり、この
横断面は第2図のものに類似するものである。この場合
には別の導波管9Aを短絡部12とは反対側の端部にて
固定短絡部12Aにて終端させて共振空胴を形成する。
導波管9Aの幅広壁部に隣接ぎせてバラクタダイオード
21ご設ける。
このバラクタダイオードを設は部分は導波管1の幅狭壁
部と共通とし、斯かるダイオードを直流およびR,F、
の双方で上記幅広壁部に結合させる。
バラクタダイオードはR,F、で共振空胴に結合させ、
かつ導電性のポスト22ご介して直流電圧でバイアスす
る、ポスト22は導波管9Aの反対側の幅広壁部を経て
延在ぎせると共にその壁部から直流分離させる。共振空
胴はその空胴の共伽周波数を機械的に調整する誘電性の
同調ねじ23も有している。
第5図に示す形態の構成例では、約79 GI2の第2
調波発振周波数を、バラクタダイオードのバイアスな変
えることによって約180 MHzにまで変えることが
でき、この同調範囲全体で第2調波の出力電力は±0.
5(iBLか変化しなかった。バラクタダイオードB付
加して電子的に同調させることにより発振器のQ値ご低
減ぎせる慣例の空胴発振器に較べ、調波発振器へのパラ
クダ同調空胴共振器のN′冊は、負荷−引込み測定量か
ら決定されるように、第2調波周波数では発振器の有効
Q値に左程重大な影響な及ぼざないことを確めた。
なお、不例ではバラクタダイオードを共振空脚内の長手
方向の最適位置に位置付ける工作は何も採らなかった。
不発明の池の例では、バラクタダ、イオードおよびポス
トを省いて、固定短絡部12Aを可動短絡部と置き換え
た。斯かる短絡部の位置を調整して、ブ豐−プ8にバラ
クタダイオードの容赦−の範囲に対応するりアクタンス
範囲を与え5て、約5ooMHzの同調範囲を得ること
ができた。
これがため、前述した構成例のバラクタダイオードの位
置を最適化すれば、同様な同調範囲を得ることができる
と云うことが予期される。
同調範囲の中央100MHzf%分にわたり同調す、。
るバラクタの非直線性は約6%であると測定された。こ
の直線性は従来法で共振空胴内に2個の離間されたバラ
クタダイオードを用いることによって改善することがで
きる。
図示の例における短絡部12および12Aのい】−5ず
れか一万または双方は固定するよりもむしろ可動自在と
することができる。
【図面の簡単な説明】
第1および2図は不発明による発振器の横断面および縦
断面図にあって、第1図G:f第2図のI−工線上での
断面図、第2図は第1図の■−■線上。 での断面図、 第3図は注入ロッキング信号電力に対するロッキング、
即ち同調範囲および第2調波周波数出力電力の特性図、 第4図桿注入ロッキング信号電力に対するロッキング範
囲の別の特性図、 第5図は本発明による池の例の発振器の第2図の場合と
同様な縦断面図である。 1・・・導波管      2・・・可動短絡部3・−
・ガンダイオード  へ・・・ヒートシンク5・・・共
振キャップ構体 6・・・ポスト7・・・チョーク  
   8・・・プローブ9.9A・・・導波管   1
0 、11・・・同軸ライン12.12A・・・固定短
絡部21・・・ノくラクタダイオード1522・・・導
電ボス)23・・・誘電体同調ねじ。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 L 遮断周波数を有する導波管を具えているマイクロ波
    発振器にあって、該発振器が負性抵。 抗発振装置を含み、前記導波管内にマイクロ波エネルギ
    ーを発生せしめる発生手段を具えて、該マイクロ波エネ
    ルギー発生手段が前記導波管の遮断周波数以上の基本周
    波数と、該基本周波数の整数倍で、しかも前記遮断周波
    数以上の調波周波数でマイクロ波エネルギーを同時に発
    生し得るようにし、前記マイクロ波エネルギー発生手段
    が、作動時に前記調波周波数で前記発振装置ご前記導波
    管に結合させる第1手段も具え、前記基本周波数および
    前記調波周波数の値が前記第1手段に依存するようにし
    たマイクロ波発振器において、該発振器が、導波管内を
    前記第1結合手段から離間して延在し、導波管外部から
    前記基本周波数でマイクロ波エネルギーを@l結合手段
    に結合させ、それから発振装置に結合させて前記調波周
    波数でのマイクロ波エネルギーの発生を制御せしめる第
    2手段も具えるようにしたことを特徴とするマイクロ波
    発振器。 LW許、請求の範囲1記載の発振器において、第1結合
    手段が共振キャップ構体を具え、かつ第2結合手段が前
    記共振キャップ構体に隣接して延在する電気プローブを
    具えるようにしたことY−特徴とするマイクロ波発振器
    。 & 特許請求の範囲2記載の発振器において、導波管を
    方形状とし、共振キャップ構体の放射面を導波管の幅広
    管部に平行に延在ざぜ、かつプローブな導波管の幅狭壁
    部から幅広管部に平行に導波管内に延在させるようにし
    たことを特徴とするマイクロ波発振器。 表 特許請求の範囲8記載の発振器において、プローブ
    を放射面に対して垂直に離間させたこと2特徴とするマ
    イクロ波発振器。 5、 特許請求の範囲4記載の発振器において、共振キ
    ャップ構体を実質上ディスクとし、発振装置−2該ディ
    スクの片側面と導波管の一万の幅広暗部との間に配置し
    、ポストをディスクの他側面から導波管の他方の幅広暗
    部まで延在させ、該ポストの導波管幅広@邪に平行な断
    面をディスクよりも十分に小ざくし、かつプローブをデ
    ィスクの発振装置とは反対側に配置したことを特徴とす
    るマイクロ波発振器。 & 特許請求の範囲1〜5のいずれか1つに記載の発振
    器において、導波管の一端部を短絡部によって終端させ
    、マイクロ波発生手段を導波管に沿って前記短絡部から
    離間させ、かつ第2結合手段を長手方向に前記マイクロ
    波エネルギー発生手段と前記短絡部との間に介在だせた
    ことを特徴とするマイクロ波発振器I 特許請求の範囲
    1〜6のいずわが1つに記載の発振器において、導波管
    から調波周波数でマイクロ波エネルギーが漏洩するのを
    第2結合手段により抑制するようにしたことを特徴とす
    るマイクロ波発振器。 & 特許請求の範囲1〜7のいずれか1つに記載の発振
    器において、該発振器が、前記導波管外部のマイクロ波
    源からのロッキング信号を前記第2結合手段に、ついで
    前記第1結合手段を介して食性抵抗発振装置に伝搬する
    伝搬手段を具え、前記ロッキング信号の周波数P該ロッ
    キング信号がない場合の基本周波数の値にほぼ等しくし
    て、前記調波周波数をロッキング信号の周波数の前記整
    数倍に維持せしめるようにしたことを特徴とするマイク
    ロ波発振器。 9、 特許請求の範囲8記成の発振器において、該発振
    器と前記ロッキング信号を発生せしめる前記マイクロ波
    源と′fr:組合わせたことを特徴とするマイクロ波発
    振器。 10、  特許請求の範囲9記載の発振器において、前
    記マイクロ波源をバラクタ同調発振器としたことを特徴
    とするマイクロ波発振器。 IL  ′!Ff許請求の範囲1〜7のいずれか1つに
    記載の発振器において、該発振器が、その発振器の共振
    周波数を変える手段を有している共振空胴を具え、前記
    基本周波数でのマイクロ波エネルギーを前記第2結合手
    段により前記共振空胴と前記第】結合手段との間に作動
    的に結合せしめ、前記共振周波数を前記共振空胴がない
    場合における前記基本周波数の値にほぼ等しくなるよう
    にして、前記調波周波数ご前記共振周波数の前記整数倍
    に維持せしめるようにしたことを特徴とするマイクロ波
    発振器。 1ス 特許請求の範囲11記載の発振器において、前記
    共振空胴の共振周波数を変える手段がバラクダイオード
    を具えることを特徴とするマイクロ波発振器。 1& 特許請求の範囲8,9または1oのいずれか1つ
    に記載の発振器に3けるロッキング信号伝搬手段または
    特許請求の範囲11または12のいずれかに記載の発振
    器における共振空胴が、前記第2結合手段を延在ざぜる
    第2導波管ご具え、該第2導波管の遮断周波数を前記基
    本周波数以下としたことを特徴とするマイクロ波発振器
    。 14  特許請求の範囲8に付随する特許請求の範囲1
    8記戦の発振器において、前記第2導波管を方形状とし
    、前記電気プローブを延在させる前記最初に述べた導波
    管の前記幅狭壁部を前記第2導波管の幅広暗部に共通と
    し、かつ前記第2結合手段に別の電気プローブを設け、
    該プローブを第2導波管の前記幅広暗部から該第z導波
    管の幅狭壁部に平行に該導波管内に延在させたことを特
    徴とするマイクロ波発振器。
JP58242318A 1982-12-23 1983-12-23 マイクロ波発振器 Granted JPS59133713A (ja)

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JPH0439802B2 JPH0439802B2 (ja) 1992-06-30

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