JPS58122794A - ダブルヘテロ接合形半導体レ−ザ - Google Patents
ダブルヘテロ接合形半導体レ−ザInfo
- Publication number
- JPS58122794A JPS58122794A JP426682A JP426682A JPS58122794A JP S58122794 A JPS58122794 A JP S58122794A JP 426682 A JP426682 A JP 426682A JP 426682 A JP426682 A JP 426682A JP S58122794 A JPS58122794 A JP S58122794A
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- Japan
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- semiconductor
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
- H01S5/3222—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIVBVI compounds, e.g. PbSSe-laser
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はダブルヘテａｌ１合形半導体レーザに関する。
タプルヘテロ接合形半導体レーザ（以下簡単の為ＤＨ構
造半導体レーザと称す）として、従来、第１１１４Ｃ示
す如く、例えばＰｂＴ・で表わされる半導体でなる例え
ばＰ型の半導体基板１上に、例えばＰｂ６．１３”ＶＬ
、−て蒙わされる半導体でなるＰ型のクラッド層２、Ｐ
ｂ １−ｘ８１１．Ｔ＠ （０＜Ｊ＜１ ）又はＰｂ
ｔ −ｙ８ｎｙ８＠（０＜ｙ＜ａ４ ）で表わされる半
導体でなるＰ型の活性層３、クラッド層２と同じ半導体
でなるＮ型のクラッド層４とが、それ等の順に順次積層
され、一方半導体基板１のクラッド層２＠とは反対側の
面上及びクラッド層４の活性層３ｇａとは反対側の面上
に夫々電極５及び６がオーミックに剛されてなる構成の
ものが提案されている。尚図示の構成は、クラッド層２
、活性層３及びクラッド層４による積層体にメ１ｍが形
成され、そのメサ部の外表面上に、そのメサ部の上面を
除いて絶縁層７、が附趨れ、メサ部の上面に於てのみ電
極６が−されてなる所請電流狭窄形を有するものである
。
造半導体レーザと称す）として、従来、第１１１４Ｃ示
す如く、例えばＰｂＴ・で表わされる半導体でなる例え
ばＰ型の半導体基板１上に、例えばＰｂ６．１３”ＶＬ
、−て蒙わされる半導体でなるＰ型のクラッド層２、Ｐ
ｂ １−ｘ８１１．Ｔ＠ （０＜Ｊ＜１ ）又はＰｂ
ｔ −ｙ８ｎｙ８＠（０＜ｙ＜ａ４ ）で表わされる半
導体でなるＰ型の活性層３、クラッド層２と同じ半導体
でなるＮ型のクラッド層４とが、それ等の順に順次積層
され、一方半導体基板１のクラッド層２＠とは反対側の
面上及びクラッド層４の活性層３ｇａとは反対側の面上
に夫々電極５及び６がオーミックに剛されてなる構成の
ものが提案されている。尚図示の構成は、クラッド層２
、活性層３及びクラッド層４による積層体にメ１ｍが形
成され、そのメサ部の外表面上に、そのメサ部の上面を
除いて絶縁層７、が附趨れ、メサ部の上面に於てのみ電
極６が−されてなる所請電流狭窄形を有するものである
。
所で斯るＤＨ構造半導体レーザは、その活性層３がＰｂ
１−Ｘ５ｎＸ’Ｉ’ｓ又はＰｂ 、□５ｎｙ８＠でなる
ことにより、５〜３０μｍ範囲の比較的長い波長を以っ
て発振し、従って比較的長い波長を有するレーず光を祷
ることが出来るという意味に於て、注目されている。
１−Ｘ５ｎＸ’Ｉ’ｓ又はＰｂ 、□５ｎｙ８＠でなる
ことにより、５〜３０μｍ範囲の比較的長い波長を以っ
て発振し、従って比較的長い波長を有するレーず光を祷
ることが出来るという意味に於て、注目されている。
然し乍ら、上述せる従来のＤＨ構造半導体レーザの場合
、その活性層５を構成せるＰｂ １−！５ｎＸＴ・又は
Ｐｂ 、−ｙ８ｎ、８・ で表わされる半導体のエネル
ギバンドギャップが比較的大なる温度依存性を有するこ
と及び活性層５が、第２図に示す如（、藺る温度依存性
を有する半導体でなる１つの層でなることにより、使用
温度（これを一般に曙とする）か、例えば７７にの予定
の値（これをＴｏ とする）より低くなった場合、（
その値を一般にＴＬ とする）活性層３のエネルギバ
ンドギャップ（これを一般に８１ とする）が、第３
示す如く値Ｅ、。に比し小なる値（これを一般にＥｇＬ
とする）となり、又使用温度Ｔが１１Ｔｏ より高く
なった場合（・、−６の値を一般にＴＨとする入ｇｇ
が、＃ＩＳ園Ｃに示す如く、値］！８．に比し大なる
甑（これを一般にＥ、ヨとする）になり、こに夫々なっ
た場合、発振・波長 （これを一般に−とする）が、第
８１５１にて−１１２１で示す如く、値ＴＬ及びＴＨが
夫々小及び大になるに従い、掘［Ｔが値Ｔ０ であると
会の値（これを一般にλ。
、その活性層５を構成せるＰｂ １−！５ｎＸＴ・又は
Ｐｂ 、−ｙ８ｎ、８・ で表わされる半導体のエネル
ギバンドギャップが比較的大なる温度依存性を有するこ
と及び活性層５が、第２図に示す如（、藺る温度依存性
を有する半導体でなる１つの層でなることにより、使用
温度（これを一般に曙とする）か、例えば７７にの予定
の値（これをＴｏ とする）より低くなった場合、（
その値を一般にＴＬ とする）活性層３のエネルギバ
ンドギャップ（これを一般に８１ とする）が、第３
示す如く値Ｅ、。に比し小なる値（これを一般にＥｇＬ
とする）となり、又使用温度Ｔが１１Ｔｏ より高く
なった場合（・、−６の値を一般にＴＨとする入ｇｇ
が、＃ＩＳ園Ｃに示す如く、値］！８．に比し大なる
甑（これを一般にＥ、ヨとする）になり、こに夫々なっ
た場合、発振・波長 （これを一般に−とする）が、第
８１５１にて−１１２１で示す如く、値ＴＬ及びＴＨが
夫々小及び大になるに従い、掘［Ｔが値Ｔ０ であると
会の値（これを一般にλ。
又上述せる従来のＤＨ構造半導体レーザの場合、その活
性層５を構成せるＰｂ 、 −ＸｓｎＸ’ｒ・ 又はＰ
ｂ、−７８！１アＳ・で表わされる半導体内での電子の
状態密度が比較的大なる電流依存性を有することにより
、発振・波・長が、第９図にて符号３１で示す如く、活
性層３への注入電ＩＥＩの変化に対して大きく変化する
という欠点を有していた。
性層５を構成せるＰｂ 、 −ＸｓｎＸ’ｒ・ 又はＰ
ｂ、−７８！１アＳ・で表わされる半導体内での電子の
状態密度が比較的大なる電流依存性を有することにより
、発振・波・長が、第９図にて符号３１で示す如く、活
性層３への注入電ＩＥＩの変化に対して大きく変化する
という欠点を有していた。
依って、本発明は、第１ａＡにて上述せる従来のＤＨ構
造牛尋体レーザを基礎とするも、上述せる欠点のない＃
ｒＭＩｋなりＨ構造半導体レーザを提案せんとするもの
で、以下詳述する所より明らかとなるであろう。
造牛尋体レーザを基礎とするも、上述せる欠点のない＃
ｒＭＩｋなりＨ構造半導体レーザを提案せんとするもの
で、以下詳述する所より明らかとなるであろう。
第４図は本発明によるＤＩ（構造半導体レーザの実施例
を示し、第１図との対応部分には同一符号を附して詳細
説明はこれを省略するも、第１図にて上述せる構成に於
て、その活性層３が、第５図と共に参照して明らかな如
く、使用温度Ｔか予定の値Ｔ０ より低くなった場合
と高くなった場合とで、エネルギバンドギャップＥｆＫ
の値が互に逆関係に変化すべ（Ｐｂ／８ｎ比（モル比）
が互に異なっている。Ｐｂｔ−Ｘ、８ｎｘ、Ｔｅ（０＜
ｉ、＜’ ）又はＰｂ ＜ −ｙ 、８ｎｙ 、８ｅ
（０＜１ 、＜ｕ）で表わされる狭エネルギバンドギャ
ップを有する半導体でなる半導体層３人と、ｐｂ、−Ｘ
、ｓｍ、’ｒ・（０＜ｘ２＜１ ） 又はＰｂ 、−
ｙ２８ｎｙ、８ｅ（（Ｋｙ、＜ａ４）で表わされる狭エ
ネルギバンドギャップを有する半導体でなる半導体層シ
Ｂとが、交叉融状に積層されてなる構成を有することを
除いては、第１図の場合と同様の構成を有する。この場
合、半導体５人及び３Ｂの夫々の犀さ及び半導体層３Ａ
及び３Ｂを合わせた層数は、活性層５さしての必要な所
費の厚さが祷られるに十分な値に選ばれ、例えば摩さの
値は６〜１０００λ、層数の値は１０〜数百程度に選ば
れる。
を示し、第１図との対応部分には同一符号を附して詳細
説明はこれを省略するも、第１図にて上述せる構成に於
て、その活性層３が、第５図と共に参照して明らかな如
く、使用温度Ｔか予定の値Ｔ０ より低くなった場合
と高くなった場合とで、エネルギバンドギャップＥｆＫ
の値が互に逆関係に変化すべ（Ｐｂ／８ｎ比（モル比）
が互に異なっている。Ｐｂｔ−Ｘ、８ｎｘ、Ｔｅ（０＜
ｉ、＜’ ）又はＰｂ ＜ −ｙ 、８ｎｙ 、８ｅ
（０＜１ 、＜ｕ）で表わされる狭エネルギバンドギャ
ップを有する半導体でなる半導体層３人と、ｐｂ、−Ｘ
、ｓｍ、’ｒ・（０＜ｘ２＜１ ） 又はＰｂ 、−
ｙ２８ｎｙ、８ｅ（（Ｋｙ、＜ａ４）で表わされる狭エ
ネルギバンドギャップを有する半導体でなる半導体層シ
Ｂとが、交叉融状に積層されてなる構成を有することを
除いては、第１図の場合と同様の構成を有する。この場
合、半導体５人及び３Ｂの夫々の犀さ及び半導体層３Ａ
及び３Ｂを合わせた層数は、活性層５さしての必要な所
費の厚さが祷られるに十分な値に選ばれ、例えば摩さの
値は６〜１０００λ、層数の値は１０〜数百程度に選ば
れる。
以上が本発明によるＤＨ構造半導体レーザの実施例の構
成であるが、斯る構成による場合、それが上述せる事項
を除いては＃１１図の場合と同様の構成を有するので、
詳細説明はこれを鳴略するも、Ｉ１１図に示すＤＨ構造
半導体レーザの場合と同様の半導体レーザとしての機能
が得られるものである。
成であるが、斯る構成による場合、それが上述せる事項
を除いては＃１１図の場合と同様の構成を有するので、
詳細説明はこれを鳴略するも、Ｉ１１図に示すＤＨ構造
半導体レーザの場合と同様の半導体レーザとしての機能
が得られるものである。
然し乍ら、第４図に示す本発明によるＬ）Ｈ構造半導体
レーザの構成の場合、その活性層６か、使用温度が低く
なった場合と高くなった場合とで、エネルギバンドギャ
ップＥ、が互に逆−保に変化する半導体層３人及び３Ｂ
が順次交叉に積層されてなる構成を有するので、半導体
層３人及び３Ｂのエネルギバンドギャップ（これ等ヲ夫
”％、及（ｊＢｇＢ（！１−１６ ＞ｔＪ５、使用ａｌ
ｔ Ｔが予定の値Ｔ、（７７Ｋ）である場合に於ける値
（これ勢を夫々”ｇＡＯ及び”ｇｌｇｌとする）をして
′＠６図Ｂに示す如く互に等しいものとした場合（半導
体層３ム及び５Ｂが例えば夫々Ｐｂ Ｏ，６５Ｓｎ ｏ
、１５ Ｔ＠及びＰｂｏ、５８ｎ０７Ｔｅ でなる場合
）、ＥｇＡ及びＥｇＢが、使用１１度Ｔが予定の値Ｔ、
より低い値ＴＬになった場合、第６図ムに示す如＜、％
Ａｏ 及び’ｇＢＯに比し夫々小及び大なる値（それ等
をＥｇＡＬ及びＮ。ＸＪとする）になり、そしてｇｆＡ
Ｌの伝導帯の底の上及び価電子帯の頂の下に夫々符号１
０及び１１で示すポテンシャル井戸が形成され、それ勢
井戸１０及び１１内に夫々量子化された準位１２及び１
３が形成され、又使用１！ｔＴが予定の値Ｔ、より商い
値ＴＨになった場合、第６１ＱＯに示す如（，８、□。
レーザの構成の場合、その活性層６か、使用温度が低く
なった場合と高くなった場合とで、エネルギバンドギャ
ップＥ、が互に逆−保に変化する半導体層３人及び３Ｂ
が順次交叉に積層されてなる構成を有するので、半導体
層３人及び３Ｂのエネルギバンドギャップ（これ等ヲ夫
”％、及（ｊＢｇＢ（！１−１６ ＞ｔＪ５、使用ａｌ
ｔ Ｔが予定の値Ｔ、（７７Ｋ）である場合に於ける値
（これ勢を夫々”ｇＡＯ及び”ｇｌｇｌとする）をして
′＠６図Ｂに示す如く互に等しいものとした場合（半導
体層３ム及び５Ｂが例えば夫々Ｐｂ Ｏ，６５Ｓｎ ｏ
、１５ Ｔ＠及びＰｂｏ、５８ｎ０７Ｔｅ でなる場合
）、ＥｇＡ及びＥｇＢが、使用１１度Ｔが予定の値Ｔ、
より低い値ＴＬになった場合、第６図ムに示す如＜、％
Ａｏ 及び’ｇＢＯに比し夫々小及び大なる値（それ等
をＥｇＡＬ及びＮ。ＸＪとする）になり、そしてｇｆＡ
Ｌの伝導帯の底の上及び価電子帯の頂の下に夫々符号１
０及び１１で示すポテンシャル井戸が形成され、それ勢
井戸１０及び１１内に夫々量子化された準位１２及び１
３が形成され、又使用１！ｔＴが予定の値Ｔ、より商い
値ＴＨになった場合、第６１ＱＯに示す如（，８、□。
及び”ｇＢｏに比し夫々大及び小なる値（それ等を夫々
”ｇＡＨ及びｇｇＢＬ とする）になり、そしてＢｇ
ＢＬの化４帝の底の上及び価電子帯の頂の下に夫々符号
１０′及び１１”ｔ’示す如くポテンシャル井戸が形成
され、それ等井戸１０′及び１１′内に量子化された単
位１２′及び１３′が形成されるものである。
”ｇＡＨ及びｇｇＢＬ とする）になり、そしてＢｇ
ＢＬの化４帝の底の上及び価電子帯の頂の下に夫々符号
１０′及び１１”ｔ’示す如くポテンシャル井戸が形成
され、それ等井戸１０′及び１１′内に量子化された単
位１２′及び１３′が形成されるものである。
而して準位１２及び１５は使用温度Ｔか予定のｍＴ（１
より値ＴＬに変化した場合の８１□の値を補償し、又準
位１２′及び１３′は使用温度Ｔが予定補償しているも
のである。
より値ＴＬに変化した場合の８１□の値を補償し、又準
位１２′及び１３′は使用温度Ｔが予定補償しているも
のである。
この為、第８図にて曲９２２に示す如く、使用温ｌｌＴ
か値Ｔ０より値ＴＬ及びＴＨに変化しても、発振波長λ
の値が第１図にて上述せる従来のＤＨ構造半導体レーザ
の場４！ｒＫ比し僅かしか変化しないものである。
か値Ｔ０より値ＴＬ及びＴＨに変化しても、発振波長λ
の値が第１図にて上述せる従来のＤＨ構造半導体レーザ
の場４！ｒＫ比し僅かしか変化しないものである。
又半導体層３人及び３ＢのＥ５゜及びＥｇＢか、使用温
度Ｔが予定の値Ｔ、（７７Ｋ）である場合に於ける値Ｅ
ヨ□。及び’ｇＢ（ｌをして第７図Ｂに示す如く互に異
なる場合（半導体層３Ａ及び３Ｂか例えば夫々Ｐｂ ６
．６８１ｇｊＴ＠及びＰｂｏ、！”’（１，７ＴＩでな
る場會絡６図人及びＢにて上述せるポテンシャル井戸１
０及び１１又は１０′及び１１′に準じたポテンシャル
井戸１４及び１５が形成され、それ等ポテンシャル井戸
１４及び１５内に量子化された準位１６及び１７が形成
されているも、ＥｇＡ及びＥｇＢが、使用温［Ｔが予定
の値Ｔ０ より箇Ｔ になった場合及び＾い値ＴＨに
なった場合、夫々＃！７図ム及び１１１７図Ｂに示す如
く、ポテンシャル井戸１４及び１５がそれに比し深い及
び浅いポテンシャル井戸１４′及び１５′、及び１４’
及び１５’となり、これに応じて準位１６及び１７が、
それに比し深い及び浅い単位１６′及び１７′、及び１
６Ｉ及び１７１となるものである。
度Ｔが予定の値Ｔ、（７７Ｋ）である場合に於ける値Ｅ
ヨ□。及び’ｇＢ（ｌをして第７図Ｂに示す如く互に異
なる場合（半導体層３Ａ及び３Ｂか例えば夫々Ｐｂ ６
．６８１ｇｊＴ＠及びＰｂｏ、！”’（１，７ＴＩでな
る場會絡６図人及びＢにて上述せるポテンシャル井戸１
０及び１１又は１０′及び１１′に準じたポテンシャル
井戸１４及び１５が形成され、それ等ポテンシャル井戸
１４及び１５内に量子化された準位１６及び１７が形成
されているも、ＥｇＡ及びＥｇＢが、使用温［Ｔが予定
の値Ｔ０ より箇Ｔ になった場合及び＾い値ＴＨに
なった場合、夫々＃！７図ム及び１１１７図Ｂに示す如
く、ポテンシャル井戸１４及び１５がそれに比し深い及
び浅いポテンシャル井戸１４′及び１５′、及び１４’
及び１５’となり、これに応じて準位１６及び１７が、
それに比し深い及び浅い単位１６′及び１７′、及び１
６Ｉ及び１７１となるものである。
この為、前述せる場合に準じて準位１６′及び１７′、
及び１６１及び１７１が、夫々使用温度Ｔの値が変化し
た場合のＥ、Ａ及びＢ３．の値を補償し、依って第８凶
にて上述せると同様に使用温度１０月１ＩＴｏよりｇｋ
ＴＬ及びＴＨに変化しても、発振波長λの値が第１図に
て上述せる従来のＤＨ構遺半導体レーザの場合に比し僅
かしか変化しないものである。
及び１６１及び１７１が、夫々使用温度Ｔの値が変化し
た場合のＥ、Ａ及びＢ３．の値を補償し、依って第８凶
にて上述せると同様に使用温度１０月１ＩＴｏよりｇｋ
ＴＬ及びＴＨに変化しても、発振波長λの値が第１図に
て上述せる従来のＤＨ構遺半導体レーザの場合に比し僅
かしか変化しないものである。
更に、半導体層３Ａ及び３Ｂが、夫々ｐｂｏ、？ＳｎＱ
。
。
及びＰｂ ｏ、７ ｓｎ ｏ３８・ である場合に於て
も、前述せる場合と同様の理由によって、使用温度Ｔが
変化しても、発振波長λの値が僅かしか変化しないもの
である。
も、前述せる場合と同様の理由によって、使用温度Ｔが
変化しても、発振波長λの値が僅かしか変化しないもの
である。
又＃４図にて上述せる本発明によるＤＨ構造半導体レー
ザの場合、活性層Ｓが使用温度Ｔが低くなった場合と高
くなった場合とで、エネルギバンドギャップＥ、の値が
逆関係に変化する半導体層５ム及び３Ｂが順次交叉に積
層されてなる構成を有し、この為、活性層３内に対する
注入電流に基く活性層ｓ内での電子状線密度か半導体層
５人及び３Ｂの積層方向にｆＩｉＩＩをりけ、遣手導体
し−讐の場合に比し僅かしか貧化しないものである。
ザの場合、活性層Ｓが使用温度Ｔが低くなった場合と高
くなった場合とで、エネルギバンドギャップＥ、の値が
逆関係に変化する半導体層５ム及び３Ｂが順次交叉に積
層されてなる構成を有し、この為、活性層３内に対する
注入電流に基く活性層ｓ内での電子状線密度か半導体層
５人及び３Ｂの積層方向にｆＩｉＩＩをりけ、遣手導体
し−讐の場合に比し僅かしか貧化しないものである。
上述せる如く、本発明によれば、発振波長λの温度依存
性及び活性層への注入電ｆＬ依存性か極めて小であると
いう大なる４Ｉ會を有するものである。
性及び活性層への注入電ｆＬ依存性か極めて小であると
いう大なる４Ｉ會を有するものである。
尚上述に於てはメｔｇによって電流狭窄形となされてい
る構成のＤＨ構造半導体レーザに本発明を適用した場合
の実施例を述べたが、他の槍々の’（［狭窄形のＤＨ構
造半導体レーザは勿論電流狭窄形でない糧々のＤＨ構造
半番体レーザにも本発明を適用し得ること明らかであろ
う。
る構成のＤＨ構造半導体レーザに本発明を適用した場合
の実施例を述べたが、他の槍々の’（［狭窄形のＤＨ構
造半導体レーザは勿論電流狭窄形でない糧々のＤＨ構造
半番体レーザにも本発明を適用し得ること明らかであろ
う。
＠１４は従来のダブルヘテａｌ１合形半導体レーザを示
す路線的断面図、第２図及び第３図は夫々その活性層を
示す略纏的拡大図、及び活性層のエネルギバンドギャッ
プを示す図、第４図は本発明によるダブルヘテ田接舎形
牛導体し−ずの一例を示す路線的断ｌ１ｋｉ図、第５Ｎ
はその活性層を示す路線拡大図、１１６図及び第７図は
第５図に示す活性層のエネルギバンドギャップを示す図
、第８図は本発明による説明に供する発振波長λ（岸ｍ
）の温ｆ Ｔ（Ｋ） 依存性を示す凶、第９図は同様の
発振波長λの注入電流Ｉ （ｍＡ）依存性を示す図であ
る。 図中、１は半導体基板、２及び４はクラッド層３は活性
層、５及び６は電極、５Ａ及び５Ｂは活性Ｐｍｓを構成
せる半導体層を夫々示す。 出願人 日本電信電話公社 第５図 第８図 第９図 ０ ２００ ４００ ６００１ｍＡ）
す路線的断面図、第２図及び第３図は夫々その活性層を
示す略纏的拡大図、及び活性層のエネルギバンドギャッ
プを示す図、第４図は本発明によるダブルヘテ田接舎形
牛導体し−ずの一例を示す路線的断ｌ１ｋｉ図、第５Ｎ
はその活性層を示す路線拡大図、１１６図及び第７図は
第５図に示す活性層のエネルギバンドギャップを示す図
、第８図は本発明による説明に供する発振波長λ（岸ｍ
）の温ｆ Ｔ（Ｋ） 依存性を示す凶、第９図は同様の
発振波長λの注入電流Ｉ （ｍＡ）依存性を示す図であ
る。 図中、１は半導体基板、２及び４はクラッド層３は活性
層、５及び６は電極、５Ａ及び５Ｂは活性Ｐｍｓを構成
せる半導体層を夫々示す。 出願人 日本電信電話公社 第５図 第８図 第９図 ０ ２００ ４００ ６００１ｍＡ）
Claims (1)
- 活性層か、使用温度が低くなった場合と＾（なった場合
とで、エネルギバンドギャップが互に逆関係に変化する
べ（Ｐｂ／ａｎ比が互に異っている％ Ｐｂ１−Ｘ、８
ｎｔ、Ｔ＊（０＜ｚｌ＜１ ） 又はＰｂ１−、．８
ｍ、、５ｓ（０ぐ、＜１４）で表わされる狭エネルギバ
ンドギャップを有する半導体でなる第１の半導体層とで
表わされる狭エネルギバンドギャップを有する半導体で
なる第２の半導体層とが、交互順次に積層されてなる構
成を有する事を４Ｉ徴とするダブルヘテｃ１接合形牛尋
体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP426682A JPS58122794A (ja) | 1982-01-14 | 1982-01-14 | ダブルヘテロ接合形半導体レ−ザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP426682A JPS58122794A (ja) | 1982-01-14 | 1982-01-14 | ダブルヘテロ接合形半導体レ−ザ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58122794A true JPS58122794A (ja) | 1983-07-21 |
| JPS6318880B2 JPS6318880B2 (ja) | 1988-04-20 |
Family
ID=11579731
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP426682A Granted JPS58122794A (ja) | 1982-01-14 | 1982-01-14 | ダブルヘテロ接合形半導体レ−ザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58122794A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62187034A (ja) * | 1986-02-12 | 1987-08-15 | 日立化成工業株式会社 | メタルコア金属張積層板の製造方法 |
| US4835783A (en) * | 1986-04-30 | 1989-05-30 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser |
-
1982
- 1982-01-14 JP JP426682A patent/JPS58122794A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62187034A (ja) * | 1986-02-12 | 1987-08-15 | 日立化成工業株式会社 | メタルコア金属張積層板の製造方法 |
| US4835783A (en) * | 1986-04-30 | 1989-05-30 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6318880B2 (ja) | 1988-04-20 |
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