JPS58121636A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

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JPS58121636A
JPS58121636A JP57003578A JP357882A JPS58121636A JP S58121636 A JPS58121636 A JP S58121636A JP 57003578 A JP57003578 A JP 57003578A JP 357882 A JP357882 A JP 357882A JP S58121636 A JPS58121636 A JP S58121636A
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JP
Japan
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lead
frame
section
transistor
frames
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Pending
Application number
JP57003578A
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English (en)
Inventor
Takayoshi Shimomura
下村 隆義
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
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Publication of JPS58121636A publication Critical patent/JPS58121636A/ja
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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    • H01L23/544Marks applied to semiconductor devices or parts, e.g. registration marks, alignment structures, wafer maps
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/54473Marks applied to semiconductor devices or parts for use after dicing
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

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  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、帯状のリードフレームに連続して複数の半
導体素子を装着しそれぞれ樹脂封止し、測定をし不良品
を取除色、1個宛の半導体装置に分離する半導体装置の
製造方法に関する。
この種の従来の半導体装置の製造は、次のようにしてい
た。帯状のリードフレームに連続して順次半導体素子を
装着し、それぞれ樹脂封止して後、リードフレームの連
続したわく部を切取り1個宛の半導体装置に分離する。
つづいて、個々の半導体装置の電気的特性を測定して良
否判別した後、良品のみをマーキングしていた。
上記従来の製造方法では、1個宛に分離された半導体装
置を、部品整列供給装置にかけて整列して1個宛層次に
送出し、測定装置により電気的特性を測定して検査をし
、良品のみを選別する。これらの良品の半導体装置を再
び部品整列供給装置にかけて整列して1個宛層次に送出
し、マーキング装置により押印していた。半導体装置は
外形の異−なる多様のものがあり、その種ごとの部品整
列供給装置を要し、また、これらの部品整列供給装置は
処理能力が上げられず供給速度が遅く、自動化に対して
も支障が多かった。また、部品整列供給装置は構造上か
ら構成部品の摩耗が早く、維持保修に多大の労力を要し
ていた。さらに、半導体装置をたびたび部品整列供給装
置にかける工程が増え、事故が多くなっていた。そのう
え、最近、半導体装置はますます小形化してきて、外形
が2mmX 3mm X 1mm程度のものが製造され
ており、半導体装置の1個宛に分離し、整列供給する手
段が困難となってきた。
この発明は、各半導体装置の各電極部のリードのうち、
1本がリードフレームのわく部にそれぞれつながってお
り、リードフレームに各半導体装置が順次形成された状
態の7レ一ム組立体を搬送し、測定部で良否を測定し、
不良品のある位置にリードフレームに識別コードを付し
、各半導体装置の樹脂封止体にマーキング部でマークを
印して後、リード切断・仕分は部で識別コードのある位
置の半導体装置をリードの切断により取除き、良品の各
半導体装置をリードの切断によりリードフレームから1
個宛に分離して収納するようにし、従来の各工程に送る
ごとにそれぞれ要していた部品整列供給装置を要せず、
簡単な搬送機構でよく、搬送を容易にし、各処理工程で
の位置決めが正確にでき、半導体装置のリードの曲りが
なくなり、ごく小形の半導体装置であっても生産性よく
量産される、半導体装置の製造方法を提供することを目
的としている。
第1図はこの発明の一実施例による半導体装置の製造方
法の工程説明図である。図はトランジスタの場合を示し
、(1)は収納部であり、多数のフレーム組立体が収納
されである。フレーム組立体は次のようにして組立てら
れである。帯状のリードフレームの各電極部に複数のト
ランジスタ重子を等ピッチに装着し、それぞれ樹脂封止
して複数のトランジスタが等ピッチに連続して形成され
良状態のフレーム組立体となる。上記収納部fllから
フレーム組立体が1枚宛取出され、搬送手段(2)によ
り以後の各工程に搬送される0測定部(3)に送られた
フレーム組立体の各トランジスタが順次測定され良否が
判定される。不良品は識別コード付加装置(4)により
、その位置にリードフレームに識別コードが付される。
続いてフレーム組立体はマーキング部(6)で各樹脂封
止体にマークが印され、リード切断・仕分は部(6)K
搬送される。ここで識別コードが検出され、その位置の
不良トランジスタはリードが切断されて取除かれ、次に
良品の各トランジスタはリードが切断されてリードフレ
ームから切離され、1個宛にされて完成し収納される。
測定部(3)におけるフレーム組立体の状態を第2図に
平面図で示し、71/−ム組立体(7)のリードフレー
ム(8)Kは複数のトランジスタaカが樹脂封止体CI
3+で封止されて組立られである。リードフレーム(8
)は両側のわく部(8a)が連続部(8b)により連結
されており、コレクタリード(9)が一方のわく部(8
a)に連結され、トランジスタ(12からベースリード
(lO)及びエミッタリード(川が出されているが、こ
の双方のリードは他方のわく部(8b)から切離されて
いる。
リードフレーム(7)にはわく部(8b)に搬送用ピッ
チ穴Q→がトランジスタ021の配設ピットと同一ピッ
チであけられてあシ、正確にピッチ送りされる。
フレーム組立体(7)のトランジスタ(12)が測定5
(3)の測定位置に至ると、コレクタリード(9)が連
結しているわく部(8B)に測定端子(16a)が接触
し、ペースリードα0)及びエミッタリード(11)に
測定端子(16b)及び(16c)がそれぞれ接触し、
測定装置−によりトランジスタ0(2)が電気的測定さ
れ良否が判定される。表お、この場合、リードフレーム
(8)部は製造装置とは絶縁されである。次に、不良判
定のトランジスタ02)があると、識別コード付加装置
(4)Kよりこの不良トランジスタ021に対応する位
置にわ〈部(8a)に、インキによるマーク又は穴あけ
などによる識別コード(17)が付けられる。良畢判定
のトランジスタQffiに対しては、識別コードは付け
られない。
続いて、フレーム組立体(7)はマーキング部(6)に
送られ、マーキング装置により各樹脂封止体03にマー
クが印される。各トランジスタ(+21はわく部(8a
)の搬送用ピッチ穴04)Kより、マーキングにおける
正確な位置決めが容易圧される。
さらに、フレーム組立体(7)は、第3図に正面図で示
すよう17(、I)−ド切断・仕分は部(6)に送られ
る。送り込まれた7レ一ム組立体(71Fi、識別コー
ド検出器(18)によりわく部(8a)の識別コード(
lηが検出され、この検出信号により不良品リード切断
装置(+(至)が動作し、識別コード(lηの位置の不
良品のトランジスタ0巧のコレクタリード(9)を切断
する。
この切断により不良品トランジスタ021Fiリードフ
レーム(8)から分離されて落下し、下方にある不良品
収納容器−に収納される。他の良品のトランジスタ02
)はその′tまリード切断装置醤を通過し、この良品を
付けたフレーム組立体(7)は、リード切断装置(21
1に送込まれる。ここで、良品の各トランジスタ0巧は
各コレクタリード(9)がわく部(8a)から一度に切
断されて1個宛に分離され、落下して下方の良品収納容
器(5)に収納される。
なお、上記実施例では、半導体装置としてトランジスタ
の場合を説明したが、他の種の半導体装置の場合にも適
用できるものである。
以上のように、この発明によれば、リードフレームに等
ピッチに複数個の半導体装置を樹脂封止して形成し、こ
の状態のフレーム組立体を以後の工程に搬送し、測定部
で各半導体装置の良否を判定し不良品に対してはその位
置にリードフレームに識別コードを付し、マーキング部
で各樹脂封止体にマークを印し、続いて、識別コードを
検出し不良品はリードを切断してリードフレームから取
除き、良品をリードの切断によりリードフレームから分
離し、1個宛の半導体装置にし収納するよう処したので
、次のような効果がある。
(、)  フレーム組立体として搬送され、従来のよう
な部品整列供給装置を要せず、搬送機構が簡単になり、
搬送による事故が少なくなる。
(1))  各半導体装置がリードフレームにi立てら
れているので、搬送に伴う各処理工程での位置決めが正
確にで色る。
(C)  ’)−ドの曲υなど半導体装置の外部の不良
が減少する。
((1)  各半導体装置を測定後、そのままフレーム
組立体の状態で搬送しマーキング装置にかけられ、工程
が簡略化される。
(e)  ごく小形の半導体装置であっても、フレーム
組立体の状態で各工程にかけられるので、小形化に伴う
製造上の技術的国難さが大幅に軽減される。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例による半導体装置の製造方
法を示すトランジスタの場合の工程説明図、第2図は第
1図の測定部でリードフレーム組立体の測定状Mt−示
す平面図、第3図は第1図のリード切断・仕分は部を示
す正面図である。 2・・・搬送手段、3・・・測定部、4・・・識別コー
ド付加装置、5・・・マーキング部、6・・・リード切
断・仕分は部、ツ・・・フレーム組立体、8・・・リー
ドフレーム、8a・・・わく部、9・・・コレクタリー
ド、10・・・ベースリード、11・・・エミッタリー
ド、12・・・トランジスタ、13・・・樹脂封止体、
1マ・・・識別コード、1B・・・識別コード検出器、
19・・・不良品リード切断装置、21・・・リード切
断装置、22・・・良品収納容器0なお、図中同一符号
は同−又は相当部分を示す。 代理人  葛 野 信 −(外1名) 手続補正書(自発) !lへ′許庁長官殿 1、事件の表示    特願昭6〒−86マ8号2、発
明の名称   牛導体発生の製造方法3、補市をする者 ・11作との関係   特許出願人 補正の対象 明細書の「発明の詳細な説明」の欄。 補正の内容 明細書第6ページ第1行の「配設ビット」を「配設ピッ
チJに補正する。 以上

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. リードフレームに等ピッチに複数の樹脂封止の半導体装
    置を形成し、これらの半導体装置はそれぞれ第1のリー
    ドが上記リードフレームのわく部に一体につながってお
    り、他のリードが上記わく部から切離されてあシ、この
    状態のフレーム組立体を搬送手段により以後の各工程に
    搬送し、測定部において上記各半導体装置を測定して良
    否を判定し、不良品に対する位置に上記わく部に識別コ
    ードを付け、マーキング部において上記各樹脂封止体に
    マークを印し、続いて、リード切断・仕分は部において
    、上記識別コードを検出し、不良品を上記第1のリード
    の切断により取除いてから、上記各良品の第1のリード
    を切断し、1個宛の半導体装置に分離して収納する半導
    体装置の製造方法。
JP57003578A 1982-01-12 1982-01-12 半導体装置の製造方法 Pending JPS58121636A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03206637A (ja) * 1990-01-09 1991-09-10 Rohm Co Ltd 電子部品の検査方法及びレーザー標印方法
JPH05152388A (ja) * 1991-11-28 1993-06-18 Sharp Corp 半導体集積回路装置の検査装置
JPH06281698A (ja) * 1993-11-26 1994-10-07 Toshiba Corp Icオートハンドラ方法
US6787374B2 (en) 2001-05-31 2004-09-07 Hitachi, Ltd. Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device sorting system to be used with the same

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