JPS58115033A - 多孔質ガラス体の焼結方法 - Google Patents
多孔質ガラス体の焼結方法Info
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- JPS58115033A JPS58115033A JP21061081A JP21061081A JPS58115033A JP S58115033 A JPS58115033 A JP S58115033A JP 21061081 A JP21061081 A JP 21061081A JP 21061081 A JP21061081 A JP 21061081A JP S58115033 A JPS58115033 A JP S58115033A
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- Japan
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- glass material
- porous glass
- porous
- sintering
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/01446—Thermal after-treatment of preforms, e.g. dehydrating, consolidating, sintering
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は多孔質ガラスを焼結する際封入容器を用いずに
該ガラス中に含まれる添加物の逃散を抑え、かつ比較的
低温でも加圧焼結を行うことのできる焼結方法に関する
。
該ガラス中に含まれる添加物の逃散を抑え、かつ比較的
低温でも加圧焼結を行うことのできる焼結方法に関する
。
従来多孔質体あるいは粒状物の集合体を焼結する方法と
して第１図に示す方法がある、これは、多孔質体１０を
圧力伝達用の容器１１に封入し、これを加熱炉１２に挿
入して炉内に加圧流体を供給し、この流体による静圧を
加えながら容器ごと多孔質体を加熱することＫよシ焼結
する方法である。この手法は、（１）焼結の進み難い物
質が比較的低温かつ短時間で焼結が進み、高密度体が得
られる （１）流体によシ静圧を加えると圧力を等方的
に印加できるため焼結前の形状がその１１保持されて焼
結できる。などの長所があ）有用である。一方、この方
法での難点は、流体により圧力を印加させる際に必要と
なる圧力伝達用の容器に関する問題である。この圧力伝
達用容器としては、流体分子を容器内部に通さず、高温
に耐え、−かつ加圧に応じて容易に変形することが必要
である。従来この容器としては焼結条件、例えば温度、
圧力、被焼結体の材質などに応じて個々に特殊な金属や
ガラス材などが使用されている。ところがこの容器を用
いる方法においてはこの容器が被焼結体を汚染し易く、
汚染を避けるためＫＩＩ＃殊な材質のものを用いる必要
がある。また焼結後にこの容器を除去する場合にその手
間が煩雑であるなどの欠点がある。史に上記容器と被焼
結体との隙間が大きいと、これらｔ加圧した際、被焼結
体に圧力が加わる時間的なずれが生じ、この加圧の部分
的なずれによシ被焼結体が変形を受ける場合がある。
して第１図に示す方法がある、これは、多孔質体１０を
圧力伝達用の容器１１に封入し、これを加熱炉１２に挿
入して炉内に加圧流体を供給し、この流体による静圧を
加えながら容器ごと多孔質体を加熱することＫよシ焼結
する方法である。この手法は、（１）焼結の進み難い物
質が比較的低温かつ短時間で焼結が進み、高密度体が得
られる （１）流体によシ静圧を加えると圧力を等方的
に印加できるため焼結前の形状がその１１保持されて焼
結できる。などの長所があ）有用である。一方、この方
法での難点は、流体により圧力を印加させる際に必要と
なる圧力伝達用の容器に関する問題である。この圧力伝
達用容器としては、流体分子を容器内部に通さず、高温
に耐え、−かつ加圧に応じて容易に変形することが必要
である。従来この容器としては焼結条件、例えば温度、
圧力、被焼結体の材質などに応じて個々に特殊な金属や
ガラス材などが使用されている。ところがこの容器を用
いる方法においてはこの容器が被焼結体を汚染し易く、
汚染を避けるためＫＩＩ＃殊な材質のものを用いる必要
がある。また焼結後にこの容器を除去する場合にその手
間が煩雑であるなどの欠点がある。史に上記容器と被焼
結体との隙間が大きいと、これらｔ加圧した際、被焼結
体に圧力が加わる時間的なずれが生じ、この加圧の部分
的なずれによシ被焼結体が変形を受ける場合がある。
本発明は上記欠点を解消する焼結方法を提供するもので
あシ、その構成は、多孔質ガラス体の表向層を孔のない
熔融ガラス層に変成させることにより該多孔質ガラス体
の表面を熔融ガラス膜層で被い、次いでこの成形体を流
体により外部から静圧を加えながら加熱焼結することを
％黴とする。
あシ、その構成は、多孔質ガラス体の表向層を孔のない
熔融ガラス層に変成させることにより該多孔質ガラス体
の表面を熔融ガラス膜層で被い、次いでこの成形体を流
体により外部から静圧を加えながら加熱焼結することを
％黴とする。
以下に本発明を図面を参照して評細に説明する。
本発明の多孔質ガラス体としてｔｉＶＡＤ法、外付法、
肉付法などによシ形成されたガラス微粒子体や、分相管
利用して形成された多孔質ガラス体を用いることができ
る。ｉ多孔質ガラス体２０を加熱炉に挿入し外部よυ短
ｉ間加熱してその表面層ｉ熔融させ孔のない熔融ガラス
層に変形させてこの熔融ガラスの膜層２１によって上記
多孔質ガラス体２０ｔ−被う。熔融ガラス膜層２１の厚
さは、多孔質ガラス体２０が５０−φ程度の場合に３−
ａｍであればよい。尚、熔融ガラスの膜層２１を形成す
る際、予め多孔質体２０をＨｅ雰−気に保持した後に加
熱して膜層２１を形成するとよい。
肉付法などによシ形成されたガラス微粒子体や、分相管
利用して形成された多孔質ガラス体を用いることができ
る。ｉ多孔質ガラス体２０を加熱炉に挿入し外部よυ短
ｉ間加熱してその表面層ｉ熔融させ孔のない熔融ガラス
層に変形させてこの熔融ガラスの膜層２１によって上記
多孔質ガラス体２０ｔ−被う。熔融ガラス膜層２１の厚
さは、多孔質ガラス体２０が５０−φ程度の場合に３−
ａｍであればよい。尚、熔融ガラスの膜層２１を形成す
る際、予め多孔質体２０をＨｅ雰−気に保持した後に加
熱して膜層２１を形成するとよい。
上記Ｈ・ガスの処理によシ多孔質体２００表面に吸着し
ているガスが取除かれ、代シにＨ・ガスが多孔質体２０
０表面に吸着される。Ｈ・ガスは多孔質体２０に溶解し
拡散し易い反面、不活性なため多孔質体２０の成分と反
応しない。このためＨｅを吸着させた多孔質体２０は熔
融ガラス膜層２１を形成した彼の加圧処理中に気泡を生
ずることがなく、高密度な焼結体を得ることができる。
ているガスが取除かれ、代シにＨ・ガスが多孔質体２０
０表面に吸着される。Ｈ・ガスは多孔質体２０に溶解し
拡散し易い反面、不活性なため多孔質体２０の成分と反
応しない。このためＨｅを吸着させた多孔質体２０は熔
融ガラス膜層２１を形成した彼の加圧処理中に気泡を生
ずることがなく、高密度な焼結体を得ることができる。
次に上記熔融ガラス膜層２１を表面に設けた多孔質ガラ
ス体２０を加熱炉に挿入し、所定の流圧を有する加圧ガ
スを加熱炉に供給して、上記多孔質ガラス体２０に静圧
を加えながら炉内を高温に加熱して該多孔質ガラス体２
０を熱間焼結し、焼結ガラス体２２に一造る。
ス体２０を加熱炉に挿入し、所定の流圧を有する加圧ガ
スを加熱炉に供給して、上記多孔質ガラス体２０に静圧
を加えながら炉内を高温に加熱して該多孔質ガラス体２
０を熱間焼結し、焼結ガラス体２２に一造る。
以上述べた本発明の焼結方法によれば、熔融ガラス膜層
２１が多孔質ガラス体２００表面を被うことから、従前
の加圧焼結で用いていたような容器を必要としない。こ
のため焼結後に圧力伝達用容器會除去するなどの手間が
省ける。更に被焼結体が圧力伝達用容器によって汚染さ
れることもない。又、本発明においては多孔質ガラス体
そのものの表面を熔融して膜層を形成するため同一のガ
ラス質であり焼結も容易であると共に従前みられたよう
な容器と被焼結体との隙間に起因する変形歪み等も生ず
ることもない。尚、光ファイバの製造においては上記ガ
ラス膜層を比較的厚く形成することによりクラッド部を
兼ねるようＫすることもできる。
２１が多孔質ガラス体２００表面を被うことから、従前
の加圧焼結で用いていたような容器を必要としない。こ
のため焼結後に圧力伝達用容器會除去するなどの手間が
省ける。更に被焼結体が圧力伝達用容器によって汚染さ
れることもない。又、本発明においては多孔質ガラス体
そのものの表面を熔融して膜層を形成するため同一のガ
ラス質であり焼結も容易であると共に従前みられたよう
な容器と被焼結体との隙間に起因する変形歪み等も生ず
ることもない。尚、光ファイバの製造においては上記ガ
ラス膜層を比較的厚く形成することによりクラッド部を
兼ねるようＫすることもできる。
第１図は従前の加圧焼結法の概略装置構成図、第２図な
いし第４図は本発明に係る焼結方法の説明図であり、第
２図は焼結前の多孔質ガラス体を示し、第３図は熔融ガ
ラス膜層を形成した多孔質ガラス体、第４図は焼結ガラ
ス体をそれぞれ示す。 図面中、１０．２０−多孔質ガラス体、１１−圧力伝達
用容器、１２−加熱炉、１３−加圧流体、２１−熔融ガ
ラス膜層、２２−焼結ガラス体である。 特許出願人 日本電信電話公社 住友電気工業株式会社 代理人 弁理士 光 石 士 部 （他１名）第１
図 第３図 第２図 第４図
いし第４図は本発明に係る焼結方法の説明図であり、第
２図は焼結前の多孔質ガラス体を示し、第３図は熔融ガ
ラス膜層を形成した多孔質ガラス体、第４図は焼結ガラ
ス体をそれぞれ示す。 図面中、１０．２０−多孔質ガラス体、１１−圧力伝達
用容器、１２−加熱炉、１３−加圧流体、２１−熔融ガ
ラス膜層、２２−焼結ガラス体である。 特許出願人 日本電信電話公社 住友電気工業株式会社 代理人 弁理士 光 石 士 部 （他１名）第１
図 第３図 第２図 第４図
Claims (2)
- （１） 多孔質ガラス体の表面層を孔のない熔融ガラ
ス層に変成させることによシ該多孔質ガラス体の表面を
熔融ガラス膜層で被い、次いでこの成形体を流体により
外部から静圧を印加しながら加熱焼結することを特徴と
する多孔質ガラス体の焼結方法。 - （２）該多孔質ガラス体をＨｅ＃註気に保持した後、多
孔質ガラス体の表面層を孔のない熔融ガラス層に変成さ
せることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の多孔
質ガラス体の焼結方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21061081A JPS58115033A (ja) | 1981-12-26 | 1981-12-26 | 多孔質ガラス体の焼結方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21061081A JPS58115033A (ja) | 1981-12-26 | 1981-12-26 | 多孔質ガラス体の焼結方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58115033A true JPS58115033A (ja) | 1983-07-08 |
| JPH0123422B2 JPH0123422B2 (ja) | 1989-05-02 |
Family
ID=16592170
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21061081A Granted JPS58115033A (ja) | 1981-12-26 | 1981-12-26 | 多孔質ガラス体の焼結方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58115033A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5921536A (ja) * | 1982-07-29 | 1984-02-03 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光フアイバ用母材の製造方法 |
| JPS6033226A (ja) * | 1983-07-30 | 1985-02-20 | Dainichi Nippon Cables Ltd | ス−ト焼結ガラス体の製造方法 |
| JPS6265947A (ja) * | 1985-09-14 | 1987-03-25 | Tatsuta Electric Wire & Cable Co Ltd | 光フアイバ用母材の製造方法 |
| WO2010029147A1 (de) * | 2008-09-11 | 2010-03-18 | Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg | Verfahren zur herstellung eines quarzglaskörpers |
-
1981
- 1981-12-26 JP JP21061081A patent/JPS58115033A/ja active Granted
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5921536A (ja) * | 1982-07-29 | 1984-02-03 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光フアイバ用母材の製造方法 |
| JPH0239457B2 (ja) * | 1982-07-29 | 1990-09-05 | Nippon Telegraph & Telephone | |
| JPS6033226A (ja) * | 1983-07-30 | 1985-02-20 | Dainichi Nippon Cables Ltd | ス−ト焼結ガラス体の製造方法 |
| JPS6265947A (ja) * | 1985-09-14 | 1987-03-25 | Tatsuta Electric Wire & Cable Co Ltd | 光フアイバ用母材の製造方法 |
| WO2010029147A1 (de) * | 2008-09-11 | 2010-03-18 | Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg | Verfahren zur herstellung eines quarzglaskörpers |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0123422B2 (ja) | 1989-05-02 |
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