JPS58112336A - 化合物半導体装置の電極形成法 - Google Patents
化合物半導体装置の電極形成法Info
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- JPS58112336A JPS58112336A JP21229481A JP21229481A JPS58112336A JP S58112336 A JPS58112336 A JP S58112336A JP 21229481 A JP21229481 A JP 21229481A JP 21229481 A JP21229481 A JP 21229481A JP S58112336 A JPS58112336 A JP S58112336A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
- H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
- H01L21/28506—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers
- H01L21/28575—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising AIIIBV compounds
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、化゛合物半導体装置の裏面電極形成法に関
するものでる名、以下、この種の半導体装置の一例とし
てｓ ＧａＡｓ Ｓ／Ｂットキパリャ型電界効果トラン
ジスタ（ＧａＡｓ ＭＢ２ ＰＥＴ ） の場合につ
いて説明する。
するものでる名、以下、この種の半導体装置の一例とし
てｓ ＧａＡｓ Ｓ／Ｂットキパリャ型電界効果トラン
ジスタ（ＧａＡｓ ＭＢ２ ＰＥＴ ） の場合につ
いて説明する。
ＧａＡｓ ＭＢ８ ＦＥＴは、絶縁性ＧａＡｓ基板（Ｏ
ｒドープ）の上に動作層をエピタキシャル成長したウェ
ハを用いる。この動作層上にソース、ドレイン及びゲー
ト電極をつくり込んでトランジスタな形成し、その厚み
は、基板を含んだ素子の厚み約１５０μｍに対し、せい
ぜい１戸程度である。
ｒドープ）の上に動作層をエピタキシャル成長したウェ
ハを用いる。この動作層上にソース、ドレイン及びゲー
ト電極をつくり込んでトランジスタな形成し、その厚み
は、基板を含んだ素子の厚み約１５０μｍに対し、せい
ぜい１戸程度である。
この様なプレーナ型のＧａＡｓ半導体装置を所定のパッ
ケージ又はチップキャリヤ等に固定収納するには、通常
半田を用いる。Ｓｉ半導体装置の場合には、ダイボンド
する面に通常金メツキ仕上げを施し、λｕ−８ｉ共晶合
金にて固定する。ところが、ＧａＡｓ等の化合物半導体
の場合は、ＧａＡｓと直接共晶する半田が無いので、＾
ｕ−５ｎ’ｊたはＡｕ−Ｇｅ共晶半田（°プリフォーム
）を用いるのが一般的である。
ケージ又はチップキャリヤ等に固定収納するには、通常
半田を用いる。Ｓｉ半導体装置の場合には、ダイボンド
する面に通常金メツキ仕上げを施し、λｕ−８ｉ共晶合
金にて固定する。ところが、ＧａＡｓ等の化合物半導体
の場合は、ＧａＡｓと直接共晶する半田が無いので、＾
ｕ−５ｎ’ｊたはＡｕ−Ｇｅ共晶半田（°プリフォーム
）を用いるのが一般的である。
その場合、化合物半導体素子のダイボンド面には、Ｃｒ
／Ａｕ等の多層金属膜を蒸着法、スパッタ法等で形成す
る。表面をＡｕで仕上げるのは、酸化物をつくらず、半
田との濡れ性に優れているからであるが、ム薄膜を形成
したのち、実際ダイボンドするまでの工程、例えばウェ
ハインラインチェック。
／Ａｕ等の多層金属膜を蒸着法、スパッタ法等で形成す
る。表面をＡｕで仕上げるのは、酸化物をつくらず、半
田との濡れ性に優れているからであるが、ム薄膜を形成
したのち、実際ダイボンドするまでの工程、例えばウェ
ハインラインチェック。
オートテスト、スクライビング、ダイス選別等複数の工
程を経る内に、汚染される機会が多い、そのために、ダ
イボンドがうまく行かない場合が６９、信頼性低下の一
原因となっていた。特に、ダイス（ペレット）状になっ
て汚染された場合、洗浄がむずかしく、弗素せざるをえ
ない場合もあった。そこで、発明者等は、裏面メタ２イ
ズを共晶プリフォームと同一組成の薄膜で形成すること
を提案した。そして、この提案した構造は、Ｇａｋｓと
合金化するに必要な温度で熱処理しないことを特徴とし
ている。この内、ムｕ−９ｎ共晶合金膜は。
程を経る内に、汚染される機会が多い、そのために、ダ
イボンドがうまく行かない場合が６９、信頼性低下の一
原因となっていた。特に、ダイス（ペレット）状になっ
て汚染された場合、洗浄がむずかしく、弗素せざるをえ
ない場合もあった。そこで、発明者等は、裏面メタ２イ
ズを共晶プリフォームと同一組成の薄膜で形成すること
を提案した。そして、この提案した構造は、Ｇａｋｓと
合金化するに必要な温度で熱処理しないことを特徴とし
ている。この内、ムｕ−９ｎ共晶合金膜は。
Ａｕ−ＧｅにくらべＧＩＩＡＩ Ｋ対する接着力がや＼
弱い欠点があった。そこで、龜ムＳに対して接着力が比
較的優れているＮｉをま−ず３００− Ｗｏｏλ蒸着し
たのち。
弱い欠点があった。そこで、龜ムＳに対して接着力が比
較的優れているＮｉをま−ず３００− Ｗｏｏλ蒸着し
たのち。
Ａｕ−８ｎ共晶膜を２０００〜３０００ ｉ蒸着してい
た。ところが、その場合でも裏面膜が剥離する場合があ
った。一方、Ａｕ−伽は、ＧａＡｓに対する接着力がＮ
ｉよシ強い長所を持っているが、融点が３７０℃とかな
シ為＜、ダイボンド時における熱劣化を防ぐのに手ぎわ
良く作業しなければならない、化合物中導体素子、中で
％ＧａＡｓ ＭＦＪ８ ＰＥＴの様にショットキバリヤ
を有するものは特に熱劣化し易く、使用できなかった。
た。ところが、その場合でも裏面膜が剥離する場合があ
った。一方、Ａｕ−伽は、ＧａＡｓに対する接着力がＮ
ｉよシ強い長所を持っているが、融点が３７０℃とかな
シ為＜、ダイボンド時における熱劣化を防ぐのに手ぎわ
良く作業しなければならない、化合物中導体素子、中で
％ＧａＡｓ ＭＦＪ８ ＰＥＴの様にショットキバリヤ
を有するものは特に熱劣化し易く、使用できなかった。
その点、Ａｕ−８ｎ共晶合金は融点がＡｕ−Ｇｅにくら
べて９０℃も低いので、好都合である・そこでこの発明
は、裏面メタライズ膜としてＡｕ。
べて９０℃も低いので、好都合である・そこでこの発明
は、裏面メタライズ膜としてＡｕ。
８ｎ膜の方が好ましい有用性に加えて、Ａｕ−Ｇｅの接
着力の強さを組み合わせ、裏面電極としてＡｕ−Ｇｅ膜
Ａｕ″８ｎ共晶合金膜を用いることを提案するもので
ある。緬・（ト）の膜厚はＧａＡｓに対する接着力が確
保できる程度でよく、３００〜５００ Ａ 、 Ａｕ−
８ｎは従来通＃）２０００〜３０００ Ａは必要である
。
着力の強さを組み合わせ、裏面電極としてＡｕ−Ｇｅ膜
Ａｕ″８ｎ共晶合金膜を用いることを提案するもので
ある。緬・（ト）の膜厚はＧａＡｓに対する接着力が確
保できる程度でよく、３００〜５００ Ａ 、 Ａｕ−
８ｎは従来通＃）２０００〜３０００ Ａは必要である
。
このような積層共晶合金膜を用いることによって、熱劣
化をおこさせないで接着力の強いダイボンドが可能にな
シ、実用的価値が一段と高くなった。
化をおこさせないで接着力の強いダイボンドが可能にな
シ、実用的価値が一段と高くなった。
ＧａＡｓ基板にＡｕ−Ｇｅまたはム・８ｎ共晶膜を形成
するということは、オーミックコンタクトをとる方法と
して公知であるが、本発明は次の点で異なる。
するということは、オーミックコンタクトをとる方法と
して公知であるが、本発明は次の点で異なる。
つｔル、一般に上記金属膜は（ｎＡｓに対するオー゛イ
ック材として用いられるので、ＧａＡｓとの合金化処理
が含まれる。したがって、最終的には（３１，Ａｊ、Ａ
ｕ。
ック材として用いられるので、ＧａＡｓとの合金化処理
が含まれる。したがって、最終的には（３１，Ａｊ、Ａ
ｕ。
Ｇｅ（８ｎ）その他を含む複雑な合金となっている。
本発明は、逆にこの熱処理を含まないことを特徴として
いる。すなわち、Ａｕ−Ｇｅ膜とＡｕ・８ｎ膜を基板を
加熱することなく順次付着した後、不活性ガス中で熱処
理を全く行なわないことを特徴としている。なぜなら、
目的がプリフォーム材との濡れ性を改善することである
から、熱処理してしまうと、ダイボンドするためのＡｕ
−８ｎ共晶プリフオームと全くなじまなくなってグイボ
ンドできない。
いる。すなわち、Ａｕ−Ｇｅ膜とＡｕ・８ｎ膜を基板を
加熱することなく順次付着した後、不活性ガス中で熱処
理を全く行なわないことを特徴としている。なぜなら、
目的がプリフォーム材との濡れ性を改善することである
から、熱処理してしまうと、ダイボンドするためのＡｕ
−８ｎ共晶プリフオームと全くなじまなくなってグイボ
ンドできない。
これは、Ｇｅが表面に偏析するからである。また、熱処
理すると、罰面にポールアップ現象がおこる。
理すると、罰面にポールアップ現象がおこる。
つま夛、各金属元素が偏析して表面がでこぼこになる。
裏面がこの様になったダイスを観察又は組立てる場合、
顕微鏡の像が暗くなってよく見えないということはよく
経験されることであって、作業性が着しく阻害されるこ
とは明らか１である。さらに、Ａｕ−Ｇｅ ｅＡｕ−８
ｎの組成が一定の共晶合金でなければならない点も特徴
である。オーミック材としては、上記ポールアップ現象
を防ぐために、Ｎｉなどの異種金属を含ませるのが通例
である。
顕微鏡の像が暗くなってよく見えないということはよく
経験されることであって、作業性が着しく阻害されるこ
とは明らか１である。さらに、Ａｕ−Ｇｅ ｅＡｕ−８
ｎの組成が一定の共晶合金でなければならない点も特徴
である。オーミック材としては、上記ポールアップ現象
を防ぐために、Ｎｉなどの異種金属を含ませるのが通例
である。
この発明のようにんｌｋとＡｕ・８ｎを付着し九ままの
状態だと、Ａｕ−８ｎ共晶合金は２８０℃で急激にとけ
、同時に同温度のＡｕ５ｎ共晶プリフオームと一瞬の内
にまじシあって、強固な接着が可能となる。
状態だと、Ａｕ−８ｎ共晶合金は２８０℃で急激にとけ
、同時に同温度のＡｕ５ｎ共晶プリフオームと一瞬の内
にまじシあって、強固な接着が可能となる。
すなわち、どちらかの加・ａｎ共晶合金が多少汚染され
ていても、上記現象により接着されるので、充分な強度
が確保できるのである。
ていても、上記現象により接着されるので、充分な強度
が確保できるのである。
以上、ＧａＡｓ Ｍｇｓ ＦＢＴの裏面電極形成につい
て説明してきたが、この発明はＧａＡｓ以外の他の化合
物半導体装置の裏面電極形成に適用できる。
て説明してきたが、この発明はＧａＡｓ以外の他の化合
物半導体装置の裏面電極形成に適用できる。
代理人 葛野信−
手続補正書（自発）
特許庁長官殿
１、事件の表示 特願財４８１１−ｇＨ！１１１
４号２、発明の名称 化合物半導体装置の電極形成法 ３、補１−１：、をする者 ６、 補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 明細書第８頁第４行目に「発案」とあるのを「廃棄」と
訂正する。
４号２、発明の名称 化合物半導体装置の電極形成法 ３、補１−１：、をする者 ６、 補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 明細書第８頁第４行目に「発案」とあるのを「廃棄」と
訂正する。
以上
Claims (2)
- （１）化合物半導体基板上に熱処理を全く行なわないＡ
ｕ−Ｇｅ共晶合金膜及び人Ｕ・８ｎ共晶合金膜を順次積
層し、王妃半導体基板を支持体に共晶半ｉで固定するた
めの電極を形成することを特徴とする化合物半導体装置
の電極形成法。 - （２）化合物半導体基板はＧａＡｓからなる特許請求の
範囲第１項記載の化合物半導体装置の電極形成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21229481A JPS58112336A (ja) | 1981-12-25 | 1981-12-25 | 化合物半導体装置の電極形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21229481A JPS58112336A (ja) | 1981-12-25 | 1981-12-25 | 化合物半導体装置の電極形成法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58112336A true JPS58112336A (ja) | 1983-07-04 |
| JPS6337497B2 JPS6337497B2 (ja) | 1988-07-26 |
Family
ID=16620197
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21229481A Granted JPS58112336A (ja) | 1981-12-25 | 1981-12-25 | 化合物半導体装置の電極形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58112336A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5187560A (en) * | 1989-11-28 | 1993-02-16 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Ohmic electrode for n-type cubic boron nitride and the process for manufacturing the same |
| US5240877A (en) * | 1989-11-28 | 1993-08-31 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Process for manufacturing an ohmic electrode for n-type cubic boron nitride |
| US5288456A (en) * | 1993-02-23 | 1994-02-22 | International Business Machines Corporation | Compound with room temperature electrical resistivity comparable to that of elemental copper |
-
1981
- 1981-12-25 JP JP21229481A patent/JPS58112336A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5187560A (en) * | 1989-11-28 | 1993-02-16 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Ohmic electrode for n-type cubic boron nitride and the process for manufacturing the same |
| US5240877A (en) * | 1989-11-28 | 1993-08-31 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Process for manufacturing an ohmic electrode for n-type cubic boron nitride |
| US5288456A (en) * | 1993-02-23 | 1994-02-22 | International Business Machines Corporation | Compound with room temperature electrical resistivity comparable to that of elemental copper |
| US5330592A (en) * | 1993-02-23 | 1994-07-19 | International Business Machines Corporation | Process of deposition and solid state reaction for making alloyed highly conductive copper germanide |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6337497B2 (ja) | 1988-07-26 |
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