JPS5811135B2 - Frequency divider circuit - Google Patents

Frequency divider circuit

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JPS5811135B2
JPS5811135B2 JP51150203A JP15020376A JPS5811135B2 JP S5811135 B2 JPS5811135 B2 JP S5811135B2 JP 51150203 A JP51150203 A JP 51150203A JP 15020376 A JP15020376 A JP 15020376A JP S5811135 B2 JPS5811135 B2 JP S5811135B2
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JP
Japan
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gate
gates
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transistor
input
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JP51150203A
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青木清
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Toshiba Corp
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Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/02Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
    • H03K3/027Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use of logic circuits, with internal or external positive feedback
    • H03K3/037Bistable circuits

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は分周回路に関する。[Detailed description of the invention] The present invention relates to a frequency dividing circuit.

分周回路の最小単位である1/2分周回路は通常6個程
度のゲートにより構成されるが、消費電力を減らし集積
度を上げるため特別な工夫を施して4個のゲートで構成
することも可能である。
The 1/2 frequency divider circuit, which is the smallest unit of a frequency divider circuit, is usually composed of about 6 gates, but in order to reduce power consumption and increase the degree of integration, it has been specially devised to consist of 4 gates. is also possible.

その一例を第1図に示す。An example is shown in FIG.

即ち、基本的に4個のゲート01〜G4で構成されてい
るが、回路の途中に遅延要素D1.D2を入れることで
分周動作を可能としている。
That is, the circuit basically consists of four gates 01 to G4, but there are delay elements D1. Inserting D2 enables frequency division operation.

第1図の分周回路のクロックパルスCPと各ゲ−)G1
−G4の出力波形を第2図に示す。
Clock pulse CP of the frequency divider circuit in Fig. 1 and each gate) G1
-The output waveform of G4 is shown in FIG.

この分周回路の場合、■の周期の間に3ケ所でゲート出
力パルスが変化している。
In the case of this frequency divider circuit, the gate output pulse changes at three locations during the period (3).

しかも、ゲートG2゜G3は出力端にそれぞれ遅延要素
D1.D2を含んでいるので変化に要する時間は他のゲ
ートよりも長い。
Furthermore, the gates G2 and G3 have delay elements D1 and D1, respectively, at their output ends. Since it includes D2, the time required for change is longer than other gates.

このことは、第1図の分周回路が正常に動作するために
は、クロックパルスCPの半周期のうちにこれら3つの
変化が完了していなげればならないことを意味する。
This means that in order for the frequency divider circuit of FIG. 1 to operate normally, these three changes must be completed within a half period of the clock pulse CP.

従って、この分周回路を低電流で動作させた場合、換言
すれば各ゲートの出力パルス変化時間が長くなった場合
にも確実に動作させるためには、■の期間が■の期間よ
りも長いようなりロックパルスであることが望まれる。
Therefore, in order to operate reliably when this frequency divider circuit is operated at a low current, in other words, even when the output pulse change time of each gate becomes long, the period of ■ should be longer than the period of It is desired that the lock pulse is as follows.

しかしながら、初段のクロックパルスを上記した条件を
満たすようにしても、第1図の分周回路を何段も接続し
た場合には、第2図に示すゲートG3の出力波形、即ち
Q出力波形から分るとおり、2段目以降は■の期間と■
の期間が等しくなってしまう。
However, even if the first-stage clock pulse satisfies the above-mentioned conditions, if the frequency divider circuit shown in FIG. 1 is connected in multiple stages, the output waveform of gate G3 shown in FIG. As you can see, from the second stage onwards, the period of ■ and ■
The periods become equal.

通常、回路全体での消費電力を最小にするためには、1
/2分周回路を何段も接続するに当って各段に供給する
電流を周波数に比例して減らすようにしである。
Normally, in order to minimize power consumption in the entire circuit, 1
When several stages of /2 frequency divider circuits are connected, the current supplied to each stage is reduced in proportion to the frequency.

例えば初段への供給電流を1とすると2段目は1/2.
3段目は(1/2)2というように電流を減らす。
For example, if the current supplied to the first stage is 1, the current supplied to the second stage is 1/2.
The third stage reduces the current by (1/2)2.

このように消費電力の低減を図るためには、何段つない
でも■の期間が■の期間よりも長くなるような回路構成
が望まれる。
In order to reduce power consumption in this way, it is desirable to have a circuit configuration in which the period (2) is longer than the period (2) no matter how many stages are connected.

この発明は上記した点に鑑みてなされたもので、基本的
に4個のナンドまたはノアゲートで構成され、かつ何段
接続しても低電力で動作せることを可能とした分周回路
を提供するものである。
This invention has been made in view of the above points, and provides a frequency divider circuit that is basically composed of four NAND or NOR gates and can operate with low power even when connected in multiple stages. It is something.

ナントゲートを用いた場合のこの発明の一実施例を第3
図に示す。
A third embodiment of this invention using a Nant gate is described below.
As shown in the figure.

即ち、第1〜第4のナントゲートG、1〜G14により
構成され、第1、第2のゲートG11.G12の出力は
それぞれ第2、第1のゲートG12.G11の入力に帰
還され、第3、第4のゲートG13−Gl4の出力はそ
れぞれ第4、第3のゲートG14.G13の入力に帰還
されている。
That is, it is composed of first to fourth Nant gates G, 1 to G14, and first and second gates G11 . The outputs of G12 are respectively connected to the second and first gates G12. G11, and the outputs of the third and fourth gates G13-Gl4 are fed back to the fourth and third gates G14. It is fed back to the input of G13.

そして、第1のゲートG11の出力は第3、第4のゲー
トG13.G14に入力され、第4のゲートG14の出
力は第1のゲートG11に帰還されていて、第1、第2
のゲートG11.G12に第1のクロックパルスCPを
入力し、第4のゲートG14にこれと部分的に逆相のク
ロックパルスCPを入力するようになっている。
Then, the output of the first gate G11 is transmitted to the third and fourth gates G13 . G14, and the output of the fourth gate G14 is fed back to the first gate G11.
Gate G11. A first clock pulse CP is input to G12, and a clock pulse CP having a partially opposite phase is input to the fourth gate G14.

なお、第2のゲートG12と第3のゲートG13の出力
端には遅延要素Dll?D12が設けられている。
Note that a delay element Dll? is provided at the output terminals of the second gate G12 and the third gate G13. D12 is provided.

これら遅延要素D11.D12は、それぞれ第2のゲー
トG12の出力変化の遅れを第1のゲートGllのそれ
より大きくし、第3のゲートctsの出力変化の遅れを
第4のゲートG14のそれより大きくするためのもので
ある。
These delay elements D11. D12 is for making the delay in the output change of the second gate G12 larger than that of the first gate Gll, and the delay in the output change of the third gate cts larger than that of the fourth gate G14. It is.

この場合、遅延要素DtttD12の働きとしてはゲー
ト出力が高レベル(論理”1”)から低レベル(論理“
0”)に変化する際の時間のみ遅くなればよいのであっ
て、低レベルから高レベルに変化する際の時間は遅れな
くてもよい。
In this case, the function of the delay element DtttD12 is to change the gate output from a high level (logic "1") to a low level (logic "1").
It is only necessary to delay the time when changing from a low level to a high level (0''), and there is no need to delay the time when changing from a low level to a high level.

ただし、ノアゲートで構成する場合にはこの関係が逆に
なるこのように構成された分周回路を安定に動作させる
ためには、クロックパルスcp、cpを第4図に示すよ
うに、共に低レベルとなることがないように作ることが
大切である。
However, when configured with NOR gates, this relationship is reversed.In order to operate the frequency divider circuit configured in this way stably, clock pulses cp and cp must both be at low levels, as shown in Figure 4. It is important to create a system so that this does not happen.

ただしノアゲートで構成する場合には、共に高レベルと
なることがないようにする。
However, when configured with Noah gates, make sure that both levels do not become high.

具体的な第3図の分周回路の動作タイミングチャートを
第5図に示す。
A specific operation timing chart of the frequency dividing circuit shown in FIG. 3 is shown in FIG.

各ゲー)G11〜G14の出力パルス変化の順序は従来
の第1図の分周回路と同じであるが、クロックパルスの
期間■が■の2倍であり、ゲートG13.G14の出力
、即ちQ、互出力がクロックパルスcp、cpと同じ時
間関係になっている。
The order of changes in the output pulses of the gates G11 to G14 is the same as that of the conventional frequency divider circuit shown in FIG. The output of G14, that is, Q, has the same time relationship as the clock pulses cp and cp.

つまり、Q、Q出力を次段のクロックパルスcp、cp
とすることで、何段接続してもこの関係が維持され、従
って従来の分周回路に比べて低電力で動作させることが
可能になる。
In other words, the Q and Q outputs are used as the clock pulses cp and cp of the next stage.
By doing so, this relationship is maintained no matter how many stages are connected, and therefore it is possible to operate with lower power than conventional frequency divider circuits.

次に、論理素子としてI2Lを用いた実施例につき説明
する。
Next, an example using I2L as a logic element will be described.

■2Lは最初開発されたもので、等何回路で示すと第6
図のようにインバータ用NPN)ランジスタT1と、こ
のトランジスタT1のベースにコレクタを、エミッタに
ベースを接続したインジェクタ用PNP)ランジスタT
2とから構成される。
■2L was the first to be developed, and it is the 6th in terms of circuits.
As shown in the figure, there is an NPN) transistor T1 for the inverter, and a PNP) transistor T1 for the injector, whose collector is connected to the base of this transistor T1 and whose base is connected to the emitter.
It consists of 2.

インバータ用トランジスタT1は通常のプレーナトラン
ジスタにおけるエミッタとコレクタを逆にしたいわゆる
逆構造パーティカルトランジスタにより構成され、イン
ジェクタ用トランジスタT2はそのコレクタ、ベースを
それぞれインバータ用トランジスタT1のベース、エミ
ッタと共用する形でラテラル構造のトランジスタとして
構成される。
The inverter transistor T1 is composed of a so-called reverse structure particle transistor in which the emitter and collector of a normal planar transistor are reversed, and the injector transistor T2 has a collector and a base that are shared with the base and emitter of the inverter transistor T1, respectively. It is configured as a lateral structure transistor.

そして、インジェクタ用トランジスタT2のエミッタに
外部電源vEEを印加して、このトランジスタT2を介
してインバータ用トランジスタT1のベースに電荷を供
給することにより論理動作を行わせるものである。
An external power supply vEE is applied to the emitter of the injector transistor T2, and a charge is supplied to the base of the inverter transistor T1 via this transistor T2, thereby performing a logic operation.

第6図の例ではインバータ用トランジスタT1をマルチ
コレクタ形式として3個の出力端0UT1〜0UT3を
設け、また3個の入力端IN1〜■N3を設けており、
この■2Lによるナントゲートの記号を以下の説明では
第7図のように表わすことにする。
In the example shown in FIG. 6, the inverter transistor T1 is of a multi-collector type, and three output terminals 0UT1 to 0UT3 are provided, and three input terminals IN1 to ■N3 are provided.
In the following explanation, the symbol of the Nant gate based on 2L will be expressed as shown in FIG. 7.

このようなI2Lを用いた場合の第3図に対応する分周
回路は第8図のとおりである。
FIG. 8 shows a frequency dividing circuit corresponding to FIG. 3 when such I2L is used.

即ち、I2Lを用いた第1〜第4のナントゲートG21
〜G24から構成される。
That is, the first to fourth Nantes gates G21 using I2L
~ Consists of G24.

この構成では第3図に示した遅要素D11eD12を省
いであるが、この点について説明すると次のとおりであ
る。
In this configuration, the slow element D11eD12 shown in FIG. 3 is omitted, and this point will be explained as follows.

I2Lを用いた場合、正常動作させるための要点は、ク
ロックパルスCPにより低レベルに抑えられていた第1
、第2のゲートG21.G22の入力部の電位が、抑え
がとれて同時に低レベルから高レベルに向って上昇する
際に、第1のゲートG21の方が第2のゲートG21よ
り早く高レベルに達するようにすることである。
When using I2L, the main point for normal operation is that the first
, second gate G21. By making the first gate G21 reach the high level earlier than the second gate G21 when the potential at the input part of G22 is controlled and simultaneously rises from a low level to a high level. be.

同様に第3、第4のゲートG23.G24についても、
第1のゲートG21の出力による抑えがとれたときの立
上り時間を第3のゲートG24の方が短かくなるように
設定する。
Similarly, the third and fourth gates G23. Regarding the G24 as well,
The rise time of the third gate G24 when the suppression by the output of the first gate G21 is removed is set to be shorter than that of the third gate G24.

即ち、早く高レベルになった方がもう一方を低レベルに
抑え、結果として第2、第3のゲートG22G23の出
力に遅延要素を入れたと同じ効果を生むわけである。
That is, the one that reaches a high level earlier suppresses the other to a low level, resulting in the same effect as when delay elements are inserted into the outputs of the second and third gates G22G23.

具体的に、ゲート入力部の立上り時間に差をつけるには
、インジェクタ用トランジスタの形状を変えることによ
り容易に実現できる。
Specifically, differentiating the rise times of the gate input sections can be easily achieved by changing the shape of the injector transistor.

例えば、第2、第3のゲートG22.G23のインジェ
クタ用トランジスタによる供給電流が、第1、第4のゲ
ートG21.G24のそれの約1/2に設定する。
For example, the second and third gates G22. The current supplied by the injector transistor G23 is supplied to the first and fourth gates G21. It is set to about 1/2 of that of G24.

これによって、第2、第3のゲートG22.G23の入
力電位が低レベルから高レベルに変化するに要する時間
が、第1、第4のゲートG21tG24のそれに比べて
約2倍となり、安定した分周動作が可能となる。
This causes the second and third gates G22. The time required for the input potential of G23 to change from a low level to a high level is approximately twice that of the first and fourth gates G21tG24, allowing stable frequency division operation.

ゲート入力部の立上り時間に差をつける手段として、イ
ンジェクタの形状を変えず、例えばコンデンサをつけて
ゲート入力部の静電容量の大きさに差をつけてもよい。
As a means for making a difference in the rise time of the gate input part, for example, a capacitor may be attached to make a difference in the size of the capacitance of the gate input part without changing the shape of the injector.

ただ、消費電力をできるだけ小さくするためには、イン
ジェクタによる供給電流を小さくして遅延要素に代える
方が望ましい第8図の分周回路の周波数と最低消費電力
の測定結果を第9図に示す。
However, in order to reduce power consumption as much as possible, it is preferable to reduce the current supplied by the injector and replace it with a delay element.The measurement results of the frequency and minimum power consumption of the frequency divider circuit shown in FIG. 8 are shown in FIG.

第9図には、やはりI2孔を用いて構成した第1図に対
応する分周回路についての測定結果を従来例として示し
た。
FIG. 9 shows, as a conventional example, the measurement results of a frequency dividing circuit corresponding to FIG. 1 which is also constructed using the I2 hole.

この測定結果から明らかなように、この発明に係る分周
回路では従来のものより高周波で動作しており、同じ周
波数で比較すると消費電力が小さくなっている。
As is clear from the measurement results, the frequency divider circuit according to the present invention operates at a higher frequency than the conventional circuit, and consumes less power when compared at the same frequency.

測定に供した実施例のものは、第1、第4のゲ−)G2
1−G24のインジェクタ電流が第2、第3のゲートG
22.G23のそれより2倍流れるようにしたが、この
差がもう少し小さくても動作した。
The examples used for measurement were the first and fourth games (G2).
1-G24 injector current flows through the second and third gates G
22. I set it to flow twice as much as the G23, but it worked even if this difference was a little smaller.

ただし、1.3倍より小さくなると不安定になった逆に
差を大きくした場合には動作上は安定であるが、約2.
5倍を越えると動作周波数が低下して好ましくない。
However, if the difference is smaller than 1.3 times, it becomes unstable.On the other hand, if the difference is made larger, the operation is stable, but about 2.
If it exceeds 5 times, the operating frequency will decrease, which is not preferable.

この場合、安定度は動作周波数により異なるので、例え
ば動作周波数が高いときには供給電流比を大きくする等
の工夫をすればよい。
In this case, since the stability varies depending on the operating frequency, for example, when the operating frequency is high, measures such as increasing the supply current ratio may be taken.

この発明に係る分周回路の内容を変更するには、セット
、リセット機能を持たせればよい。
In order to change the contents of the frequency divider circuit according to the present invention, it is sufficient to provide it with set and reset functions.

第10図〜第12図はその例である。FIGS. 10 to 12 are examples thereof.

第10図の例では、セット信号S、リセット信号Rをイ
ンバータ115I2を介してそれぞれ第3、第4のゲー
トG23゜G24に入れるようにしている。
In the example shown in FIG. 10, the set signal S and reset signal R are input to the third and fourth gates G23 and G24, respectively, via the inverter 115I2.

第11図、第12図の例ではI2孔を用いたナントゲー
トG。
In the example shown in FIGS. 11 and 12, the Nant gate G uses the I2 hole.

1゜Go2を設げ、その出力でゲートG21〜G24を
制御するようになっている。
1°Go2 is provided, and its output controls the gates G21 to G24.

セット、リセットには、このようにいくつかのやり方が
あるので、目的に応じて使いわければよい。
There are several ways to set and reset, so you can use them depending on your purpose.

以上述べたように、この発明によれば、少ない素子数で
、多段接続しても低消費電力で動作させることができ、
従って集積度向上を図り得る分周回路を提供することが
できる。
As described above, according to the present invention, it is possible to operate with a small number of elements and low power consumption even when connected in multiple stages.
Therefore, it is possible to provide a frequency dividing circuit that can improve the degree of integration.

なお、以上の説明ではI2孔を用いた多出力ナンドゲー
トを用いた実施例を中心にしたが、これは好ましい実施
例ということであって、この発明に係る分周回路はCM
O8やTTLを用いたナントゲートで構成することもで
きる。
Note that the above explanation has focused on an embodiment using a multi-output NAND gate using an I2 hole, but this is a preferred embodiment, and the frequency dividing circuit according to the present invention is suitable for CM
It can also be configured with a Nant gate using O8 or TTL.

また、負論理で動作させる場合にはナントゲートに代っ
てノアゲートを用いればよい。
Furthermore, when operating with negative logic, a NOR gate may be used instead of a Nant gate.

更に、I2孔を用いた場合には、その性質から、低レベ
ルを出力するのにインジェクタからの供給電流を断つと
いう手段を用いてもよい。
Furthermore, when the I2 hole is used, due to its nature, a means of cutting off the supply current from the injector may be used to output a low level.

その他、この発明はその趣旨を逸脱しない範囲で種々変
形実施することが可能である。
In addition, the present invention can be modified in various ways without departing from its spirit.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は従来の分周回路の一例を示す図、第2図はその
動作タイミングチャート、第3図はこの発明に係る分周
回路の一例を示す図、第4図はその分周回路に用いる好
ましいクロックパルス波形を示す図、第5図は同じくそ
の分周回路の動作タイミングチャート、第6図はI2孔
の等価回路図、第71はI2孔を用いたナントゲート記
号を示す図、第8図はI2孔を用いて構成したこの発明
に係る分周回路の一例を示す図、第9図はその周波数と
最低消費電力に関する測定結果を従来例と比較して示す
図、第10図〜第12図は第8図の分周回路をセット、
リセット機能を持たせた実施例を示す図である。 G11.G21・・・・・・第1のナントゲート、G1
2゜G22・・・・・・第2のナントゲート、G13.
G23・・・・・・第3のナントゲート、G14.G2
4・・・・・・第4のナントゲート、D11tD12・
・遅延要素。
Fig. 1 is a diagram showing an example of a conventional frequency dividing circuit, Fig. 2 is an operation timing chart thereof, Fig. 3 is a diagram showing an example of a frequency dividing circuit according to the present invention, and Fig. 4 is a diagram showing an example of the frequency dividing circuit. 5 is an operation timing chart of the frequency dividing circuit, FIG. 6 is an equivalent circuit diagram of the I2 hole, No. 71 is a diagram showing the Nantes Gate symbol using the I2 hole, and FIG. FIG. 8 is a diagram showing an example of a frequency dividing circuit according to the present invention configured using an I2 hole, FIG. 9 is a diagram showing measurement results regarding the frequency and minimum power consumption in comparison with a conventional example, and FIGS. Figure 12 shows the frequency divider circuit shown in Figure 8 set up.
It is a figure showing an example provided with a reset function. G11. G21...First Nantes Gate, G1
2°G22...Second Nantes Gate, G13.
G23...Third Nantes Gate, G14. G2
4...Fourth Nantes Gate, D11tD12・
・Delay element.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 ナンドまたはノアゲートを4個用いて構成され、第
1、第2のゲートの入力にそれぞれ第2、第1のゲート
の出力を帰還し、第3、第4のゲートの入力にそれぞれ
第4、第3のゲートの出力を帰還すると共に、第1のゲ
ートの出力を第3、第4のゲートに入力し、かつ第4の
ゲートの出力を第1のゲートの入力に帰還して第1、第
2のゲートに第1のクロックパルスを入力し、第4のゲ
ートにこれと部分的に逆相の第2のクロックパルスを入
力し、第1〜第4のゲートがナントゲートの場合には第
1、第2のクロックパルスが同時に論理゛0”にならな
いように、第1〜第4のゲートがノアゲートの場合には
第1、第2のクロックパルスが同時に論理″1”になら
ないようにし、更に第2のゲートの出力変化の遅れが第
1のゲートのそれより大きくかつ第3のゲートの出力変
化の遅れが第4のゲートのそれより大きくなるようにし
たことを特徴とする分周回路。 2 第1〜第4の各ゲートは、インバータ用トランジス
タと、このトランジスタのベースにコレクタを、エミッ
タにベースを接続したこれと相補型のインジェクタ用ト
ランジスタとからなる論理素子で構成され、第1のゲー
ト入力部の電位の立上り時間を第2のゲートのそれより
短かくすると共に、第4のゲート入力部の電位の立上り
時間を第3のゲートのそれより短かくするようにした特
許請求の範囲第1項記載の分周回路。 3 ゲート入力部の電位の立上り時間に差をつける手段
として、インジェクタ用トランジスタによる供給電流に
差をつけるかまたはゲート入力部の静電容量の大きさに
差をつげるようにした特許請求の範囲第2項記載の分周
回路。
[Claims] 1. Constructed using four NAND or NOR gates, the outputs of the second and first gates are fed back to the inputs of the first and second gates, respectively, and the outputs of the third and fourth gates are fed back to the inputs of the first and second gates, respectively. Feedback the outputs of the fourth and third gates to the inputs, input the outputs of the first gate to the third and fourth gates, and input the outputs of the fourth gate to the inputs of the first gate. The first clock pulse is fed back to the first and second gates, the second clock pulse having a partially opposite phase is input to the fourth gate, and the first to fourth gates In the case of a NAND gate, the first and second clock pulses do not become logic "0" at the same time, and when the first to fourth gates are NOR gates, the first and second clock pulses become logic "0" at the same time. 1", and the delay in the output change of the second gate is greater than that of the first gate, and the delay in the output change of the third gate is greater than that of the fourth gate. 2. Each of the first to fourth gates is a logic circuit consisting of an inverter transistor, and a complementary injector transistor with a collector connected to the base of this transistor and a base connected to the emitter. The device is configured to have a potential rise time of the first gate input section shorter than that of the second gate, and a potential rise time of the fourth gate input section shorter than that of the third gate. 3. The frequency divider circuit according to claim 1. 3. As a means for making a difference in the rise time of the potential of the gate input part, it is possible to make a difference in the current supplied by the injector transistor or to make a difference in the rise time of the potential of the gate input part. 3. The frequency dividing circuit according to claim 2, wherein the difference in capacitance is increased.
JP51150203A 1976-12-14 1976-12-14 Frequency divider circuit Expired JPS5811135B2 (en)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP51150203A JPS5811135B2 (en) 1976-12-14 1976-12-14 Frequency divider circuit
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