JPS58110042A - ビ−ム照射装置 - Google Patents
ビ−ム照射装置Info
- Publication number
- JPS58110042A JPS58110042A JP21226481A JP21226481A JPS58110042A JP S58110042 A JPS58110042 A JP S58110042A JP 21226481 A JP21226481 A JP 21226481A JP 21226481 A JP21226481 A JP 21226481A JP S58110042 A JPS58110042 A JP S58110042A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- plate
- transmitting
- irradiated
- aperture
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/305—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating or etching
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ） 発明の技術分野
本発明は複合形ビーム゛照射装置にかかり、複数の異な
るビームを被照射体の同一位置を同時に照射させること
ができるビーム照射装置に関する。
るビームを被照射体の同一位置を同時に照射させること
ができるビーム照射装置に関する。
（ｂｌ 技術の背景
半導体装置の製造に際し、半導体基板を加熱炉に装入し
て全体を熱処理する代りに局部加熱する方法の方が、’
Ｗｔ−Ａ的特性が良くなることが知られて、注目されて
おり、レーザ光アニール法がその代表的なものである。
て全体を熱処理する代りに局部加熱する方法の方が、’
Ｗｔ−Ａ的特性が良くなることが知られて、注目されて
おり、レーザ光アニール法がその代表的なものである。
また、レーザ光アニーμによって多結晶を単結晶化する
結晶成長も研究されてお夛、それは局部加熱によシ欠陥
の少ない結晶が成長され、又高濃度に不純物を含有させ
ても単結晶化しやすくなるためである。
結晶成長も研究されてお夛、それは局部加熱によシ欠陥
の少ない結晶が成長され、又高濃度に不純物を含有させ
ても単結晶化しやすくなるためである。
し九がって、このようなレーザ光アニールなどのビーム
による局部加熱法は無欠陥結晶の製造や低抵抗配線層の
形成に役立って、高速動作など半導体特性向上に太き麦
期待がかけられている。
による局部加熱法は無欠陥結晶の製造や低抵抗配線層の
形成に役立って、高速動作など半導体特性向上に太き麦
期待がかけられている。
しかしながら、局部加熱法は周囲の不要部分への熱伝達
を少なくする程良くて、できるだけ大きなエネルギーを
、できるだけ短時間与える処理方法が好ましいことが解
っている。
を少なくする程良くて、できるだけ大きなエネルギーを
、できるだけ短時間与える処理方法が好ましいことが解
っている。
Ｑ） 発明の目的
本発明はこのような趣旨に基づいて、強いエネルギーを
一定して、短時間加え処理する複合形のビーム照射装置
を提案するものである。
一定して、短時間加え処理する複合形のビーム照射装置
を提案するものである。
（ロ）発明の構成
その目的は、真空筐体中に荷電粒子ビームとその制御系
と、光ビームの対物レンズと被照射体とが収容され、該
被照射体が荷電粒子ビーム及び光ビームにより同時に照
射される構造となシ、被照射体と上記収容器具との間に
遮蔽板が設けられ、該遮蔽板に荷電粒子ビームの透過孔
と光ビームを透過する透光板とを有するビーム照射装置
によシ達成することができ、以下実施例によって詳細に
説明する。
と、光ビームの対物レンズと被照射体とが収容され、該
被照射体が荷電粒子ビーム及び光ビームにより同時に照
射される構造となシ、被照射体と上記収容器具との間に
遮蔽板が設けられ、該遮蔽板に荷電粒子ビームの透過孔
と光ビームを透過する透光板とを有するビーム照射装置
によシ達成することができ、以下実施例によって詳細に
説明する。
（ｅ） 発明の実施例
ところで、荷電粒子ビームとは電荷を帯びた粒子からな
るビームを意味しており、真空中あるいは高減圧雰囲気
中で電磁界によって制御された線束で、具体例としては
電子ビームやイオンビームなとである。また、光ビーム
は紫外光ビーム、レーザ光ビーム、キセノンランプ光ビ
ームなどを指すが、この場合は特に短波長のレーザ光ビ
ームが最も適している。
るビームを意味しており、真空中あるいは高減圧雰囲気
中で電磁界によって制御された線束で、具体例としては
電子ビームやイオンビームなとである。また、光ビーム
は紫外光ビーム、レーザ光ビーム、キセノンランプ光ビ
ームなどを指すが、この場合は特に短波長のレーザ光ビ
ームが最も適している。
第１図は本発明にがかる一実施例の概要断面図を示し、
電子ビーム１とレーザ光２との複合ビームの例である。
電子ビーム１とレーザ光２との複合ビームの例である。
真空筐体３内で、電子ビームを傾斜させて照射すること
は装置上複雑となるから、本例では被照射体４の垂直上
面に電子銃５とその制御Ｉ！ｌ１Ａ６とを配置し、筐体
の側面に透過窓７を設けて、真空筐体３外よりレーザ光
源８からのレーザ光を透過させ、対物レンズ９で集束し
て、斜方向から被照射体４を照射する構造としている。
は装置上複雑となるから、本例では被照射体４の垂直上
面に電子銃５とその制御Ｉ！ｌ１Ａ６とを配置し、筐体
の側面に透過窓７を設けて、真空筐体３外よりレーザ光
源８からのレーザ光を透過させ、対物レンズ９で集束し
て、斜方向から被照射体４を照射する構造としている。
を九、被照射体４は駆動装置１ｏでＸ方向、Ｙ方向に可
動するステージ１１上にあシ、筐体は真空装置１２に結
合されている。
動するステージ１１上にあシ、筐体は真空装置１２に結
合されている。
このような熱処理用装置は高温度処理すれば、被照射体
４から蒸発物が出る丸めに、電子ビーム系およびレーザ
光学系の上記収容器具を汚染しないようにステンレス製
の遮蔽板１５を被照射体上部Ｏ１１ｋｍの位置に配設す
る。そして、遮蔽板１０には電子ビーム１が通る透過孔
１４を設け、且つ斜方向からのレーザ光２が透過する孔
をも設けるが、レーザ光の対物レンズ９はその表面に蒸
発物が付着し、レーザ光の強度を劣化させる恐れが大暑
いＯで、この孔には透光板１５を取シ付ける。
４から蒸発物が出る丸めに、電子ビーム系およびレーザ
光学系の上記収容器具を汚染しないようにステンレス製
の遮蔽板１５を被照射体上部Ｏ１１ｋｍの位置に配設す
る。そして、遮蔽板１０には電子ビーム１が通る透過孔
１４を設け、且つ斜方向からのレーザ光２が透過する孔
をも設けるが、レーザ光の対物レンズ９はその表面に蒸
発物が付着し、レーザ光の強度を劣化させる恐れが大暑
いＯで、この孔には透光板１５を取シ付ける。
透光板１５はレーザ光の波長を通す材質の厚さ１■以下
の光学ガラス板で良く、１回又は数回の処理毎に交換す
る。また、透光板１５の取シ換えが面倒なときは、第２
図に示しているようにロール１６にセットした透光膜１
７を処理工程毎にあるいは処理工程中にも巻きとって、
絶えずＶ−ザ光の強度が変らないようにはかる。透光膜
の材料は光学ガラスの他、有機材料、！母などを用いれ
ばよい。
の光学ガラス板で良く、１回又は数回の処理毎に交換す
る。また、透光板１５の取シ換えが面倒なときは、第２
図に示しているようにロール１６にセットした透光膜１
７を処理工程毎にあるいは処理工程中にも巻きとって、
絶えずＶ−ザ光の強度が変らないようにはかる。透光膜
の材料は光学ガラスの他、有機材料、！母などを用いれ
ばよい。
かような構造にすると、定期的に遮蔽板１０を取り換え
ることによって、長期間作業することができ、オーバー
ホールなどの装置修理が少なくする効果がある。本ビー
ム照射装置は、例えば電子ビームを２０ＫｅＶ、数１０
ｍＡで照射し、同時に被照射体の同一位置をアルゴンレ
ーザ光源のＩＯＷ出力で照射し、シリコンを局部的に溶
解させることもできるものである。
ることによって、長期間作業することができ、オーバー
ホールなどの装置修理が少なくする効果がある。本ビー
ム照射装置は、例えば電子ビームを２０ＫｅＶ、数１０
ｍＡで照射し、同時に被照射体の同一位置をアルゴンレ
ーザ光源のＩＯＷ出力で照射し、シリコンを局部的に溶
解させることもできるものである。
（ｆ＞ 発明の効果
以上は電子ビームとレーザ光とからなる複合ビームの例
であるが、このようにして数１０μｍ径のビームスポッ
トのエネルギーを強大にして、被照射体上を走査（ステ
ージ移動あるいはビーム走査の何れでもよい）すると、
高品位の半導体結晶がえられ、′また負特性の半導体素
子を形成することができる。
であるが、このようにして数１０μｍ径のビームスポッ
トのエネルギーを強大にして、被照射体上を走査（ステ
ージ移動あるいはビーム走査の何れでもよい）すると、
高品位の半導体結晶がえられ、′また負特性の半導体素
子を形成することができる。
本発明は上記説明から判るように、半導体装置など電子
部品を高品質化する製造用のビーム照射装置でその効果
は大きいものがある。
部品を高品質化する製造用のビーム照射装置でその効果
は大きいものがある。
第１図は本発明にがかる一実施例図、＄２図はその他の
例の部分図を示す。図中、１は電子ビーム、２紘レーザ
光、′５は筐体、４は被照射体、７はＶ−ザ光の透過窓
、８はレーザ光の光源、９は対物レンズ、１３は遮蔽板
、１４はその透過孔。 １５は透光板、１６はローμ２．１７は透光膜である。 二・藏 ト、□
例の部分図を示す。図中、１は電子ビーム、２紘レーザ
光、′５は筐体、４は被照射体、７はＶ−ザ光の透過窓
、８はレーザ光の光源、９は対物レンズ、１３は遮蔽板
、１４はその透過孔。 １５は透光板、１６はローμ２．１７は透光膜である。 二・藏 ト、□
Claims (1)
- 真空筐体中に荷電粒子ビームとその制御系と、光ビーム
の対物レンズと被照射体とが収納され、該被照射体が荷
電粒子ビーム及び光ビームによシ同時に照射される構造
となり、該被照射体と上記収容器具との間に遮蔽板が設
けられ、該遮蔽板に荷電粒子ビームの透過孔と光ビーム
を透過する透光板とを有することを特徴とするビーム照
射装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21226481A JPS58110042A (ja) | 1981-12-24 | 1981-12-24 | ビ−ム照射装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21226481A JPS58110042A (ja) | 1981-12-24 | 1981-12-24 | ビ−ム照射装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58110042A true JPS58110042A (ja) | 1983-06-30 |
Family
ID=16619695
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21226481A Pending JPS58110042A (ja) | 1981-12-24 | 1981-12-24 | ビ−ム照射装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58110042A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62299801A (ja) * | 1986-06-19 | 1987-12-26 | Mitsubishi Electric Corp | レ−ザビ−ム用レンズの保護装置 |
| DE102008045336A1 (de) * | 2008-09-01 | 2010-03-11 | Carl Zeiss Nts Gmbh | System zur Bearbeitung einer Probe mit einem Laserstrahl und einem Elektronenstrahl oder einem Ionenstrahl |
| US8202440B1 (en) | 2002-08-27 | 2012-06-19 | Kla-Tencor Corporation | Methods and apparatus for electron beam assisted etching at low temperatures |
| JP2017532719A (ja) * | 2014-08-22 | 2017-11-02 | ア−カム アーベー | 改善された電子ビーム生成 |
| WO2021070011A1 (en) * | 2019-10-09 | 2021-04-15 | Chevron U.S.A. Inc. | System and method for treating contaminated solid material |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54162452A (en) * | 1978-06-13 | 1979-12-24 | Mitsubishi Electric Corp | Manufacture of semiconductor and its unit |
| JPS5635425A (en) * | 1979-08-02 | 1981-04-08 | Hughes Aircraft Co | Apparatus and method for optochemically coating in vapor phase |
-
1981
- 1981-12-24 JP JP21226481A patent/JPS58110042A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54162452A (en) * | 1978-06-13 | 1979-12-24 | Mitsubishi Electric Corp | Manufacture of semiconductor and its unit |
| JPS5635425A (en) * | 1979-08-02 | 1981-04-08 | Hughes Aircraft Co | Apparatus and method for optochemically coating in vapor phase |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS62299801A (ja) * | 1986-06-19 | 1987-12-26 | Mitsubishi Electric Corp | レ−ザビ−ム用レンズの保護装置 |
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| US8115180B2 (en) | 2008-09-01 | 2012-02-14 | Carl Zeiss Nts Gmbh | Processing system |
| US8350227B2 (en) | 2008-09-01 | 2013-01-08 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Processing system |
| US8558174B2 (en) | 2008-09-01 | 2013-10-15 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Processing system |
| DE102008045336B4 (de) | 2008-09-01 | 2022-05-25 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | System zur Bearbeitung einer Probe mit einem Laserstrahl und einem Elektronenstrahl oder einem Ionenstrahl |
| JP2017532719A (ja) * | 2014-08-22 | 2017-11-02 | ア−カム アーベー | 改善された電子ビーム生成 |
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