JPS5810861B2 - 電子装置 - Google Patents
電子装置Info
- Publication number
- JPS5810861B2 JPS5810861B2 JP15449577A JP15449577A JPS5810861B2 JP S5810861 B2 JPS5810861 B2 JP S5810861B2 JP 15449577 A JP15449577 A JP 15449577A JP 15449577 A JP15449577 A JP 15449577A JP S5810861 B2 JPS5810861 B2 JP S5810861B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead
- flange
- tab
- tab lead
- lead frame
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置、集積回路装置等の電子装置、特に
その組立技術に関するものであり、電力用電子装置の製
作に有効に利用し得るものである。
その組立技術に関するものであり、電力用電子装置の製
作に有効に利用し得るものである。
一般に電力用の電子装置は、小信号用の電子装置と異な
り、大きな放熱用フランジを必要とすることから素子、
フランジ、リード線相互間の組立が複雑となり、またレ
ジン等によりモールド封止等の封止に際してもモールド
型が複雑となり、それがため小信号用電子装置に比べそ
の工業化が遅れている。
り、大きな放熱用フランジを必要とすることから素子、
フランジ、リード線相互間の組立が複雑となり、またレ
ジン等によりモールド封止等の封止に際してもモールド
型が複雑となり、それがため小信号用電子装置に比べそ
の工業化が遅れている。
したがって本願は電力用電子装置を工業化するに有効な
いくつかの新規な技術を提供せんとするものである。
いくつかの新規な技術を提供せんとするものである。
以下それらの技術を具体的実施例について詳細に説明す
る。
る。
それによって本願にかかる多くの発明の具体的目的、特
徴および作用効果を理解されよう。
徴および作用効果を理解されよう。
特に、本願発明では、レジン等の封止体より導出する外
部リード部の先端を所望形状に折り曲げプリント基板の
孔に挿入しやすい構造の電子装置を提供するものであっ
て、その特徴とするところは、その−主面に電極端子を
有する電子素子と、その電子素子の周辺に位置し、かつ
互いに一平面に沿って配列されているところのそれぞれ
が内部リード部と外部リード部とを構成すべく複数のリ
ードと、上記電極端子と上記リードとを電気的に接続し
ているコネクタワイヤと、その電子素子、コネクタワイ
ヤおよび内部リード部を封止する封止体とを有し、上記
外部リード部は2つのリード群配列をなすように折り曲
げられている点にある。
部リード部の先端を所望形状に折り曲げプリント基板の
孔に挿入しやすい構造の電子装置を提供するものであっ
て、その特徴とするところは、その−主面に電極端子を
有する電子素子と、その電子素子の周辺に位置し、かつ
互いに一平面に沿って配列されているところのそれぞれ
が内部リード部と外部リード部とを構成すべく複数のリ
ードと、上記電極端子と上記リードとを電気的に接続し
ているコネクタワイヤと、その電子素子、コネクタワイ
ヤおよび内部リード部を封止する封止体とを有し、上記
外部リード部は2つのリード群配列をなすように折り曲
げられている点にある。
かかる構成にすれば、後述しである第16図を用いた説
明より理解される如く、プリント基板への実装が極めて
容易となる。
明より理解される如く、プリント基板への実装が極めて
容易となる。
第1図は電子素子を取り付けるためのフランジの上面図
を示し、また第2図はその縦断面図を示すものであって
、板状体をプレスにより打ちぬくことによって作られる
。
を示し、また第2図はその縦断面図を示すものであって
、板状体をプレスにより打ちぬくことによって作られる
。
工業的には、例えば電子装置10個分のフランジが一連
に一体化された形で製造される。
に一体化された形で製造される。
図中1は例えば厚さ1.26mm巾8mm1個あたりの
長さ30mmの大きさのフランジ本体を示し、該フラン
ジに接続される素子において生じた熱を有効に外部に放
散させるものであるから、熱伝導の良好な銅、アルミニ
ウム、またはそれらを主体とする合金、さらには上記の
物質を主板とするクラツド板が利用される。
長さ30mmの大きさのフランジ本体を示し、該フラン
ジに接続される素子において生じた熱を有効に外部に放
散させるものであるから、熱伝導の良好な銅、アルミニ
ウム、またはそれらを主体とする合金、さらには上記の
物質を主板とするクラツド板が利用される。
そして上記フランジの表向には防蝕その池の目的により
、ニッケルその池のメッキ層を形成することは有効なこ
とであり、このことは後に詳細に説明される。
、ニッケルその池のメッキ層を形成することは有効なこ
とであり、このことは後に詳細に説明される。
7ランジ1に対し形成された切り込み部2は後に行なう
モールド封止工程において溶融状態のモールド材料が不
必要な部分に流れ出るのを防止するために形成されたモ
ールド材流れ防止用切り込みである。
モールド封止工程において溶融状態のモールド材料が不
必要な部分に流れ出るのを防止するために形成されたモ
ールド材流れ防止用切り込みである。
孔3は電子装置が完成された時、外部放熱体と7ランジ
とを密着させるためのボルト通し孔であり、それによっ
て熱放散を著しく大ならしめることが可能となる。
とを密着させるためのボルト通し孔であり、それによっ
て熱放散を著しく大ならしめることが可能となる。
4は後に説明されるリードフレームのタブリードを挿入
するために形成された開孔スリット状タブリード挿入部
である。
するために形成された開孔スリット状タブリード挿入部
である。
該タブリード挿入部4の外まわりを構成する細巾の突起
部5は上記タブリード挿入部4内に位置するタブリード
をかしめ付けるために形成されたタブリードおさえ部で
あって、図では小なる圧力でかしめつけられるようにタ
ブリード挿入部、中央上部で分離されているが、同図中
サブリード挿入部4の上部左右に形成されたタブリード
おさえ部5はタブリード挿入部中央上部で連結された形
であってもよく、その場合タブリード挿入部4は閉孔ス
リット状となる。
部5は上記タブリード挿入部4内に位置するタブリード
をかしめ付けるために形成されたタブリードおさえ部で
あって、図では小なる圧力でかしめつけられるようにタ
ブリード挿入部、中央上部で分離されているが、同図中
サブリード挿入部4の上部左右に形成されたタブリード
おさえ部5はタブリード挿入部中央上部で連結された形
であってもよく、その場合タブリード挿入部4は閉孔ス
リット状となる。
また上記タブリード挿入部4はフランジの長さ方向(図
中左右の方向)と同一の方向に長く形成されているが、
それは突起部5をかしめることによってタブリードをお
さえ付ける場合に矢印6の方向から力を加えればよく作
業上有効であり、またタブリード挿入部4が図中上下方
向に一対形成せしめたのはかしめ付けによる圧力により
、リードフレームとフランジ1との位置関係に誤差を生
じさせないため、およびかしめ付けに際し、リードフレ
ームの弾性を有効に利用するためであり、これらの目的
を考慮しなければタブリード挿入部の長さ方向を例えば
フランジの長さ方向に直交するが如き方向に変えてもよ
く、またタブリード挿入部を1つにしてもよい。
中左右の方向)と同一の方向に長く形成されているが、
それは突起部5をかしめることによってタブリードをお
さえ付ける場合に矢印6の方向から力を加えればよく作
業上有効であり、またタブリード挿入部4が図中上下方
向に一対形成せしめたのはかしめ付けによる圧力により
、リードフレームとフランジ1との位置関係に誤差を生
じさせないため、およびかしめ付けに際し、リードフレ
ームの弾性を有効に利用するためであり、これらの目的
を考慮しなければタブリード挿入部の長さ方向を例えば
フランジの長さ方向に直交するが如き方向に変えてもよ
く、またタブリード挿入部を1つにしてもよい。
溝部7は素子を取り付けるべき位置8を規定するために
形成された4、5mmφ程度の溝である。
形成された4、5mmφ程度の溝である。
以上フランジ本体は一回のプレス加工により製作するこ
とができ、少なくとも溝7はタブリード挿入部4を形成
するためのプレス型と一体的に構成されることが望まし
い。
とができ、少なくとも溝7はタブリード挿入部4を形成
するためのプレス型と一体的に構成されることが望まし
い。
すなわち素子取付位置8とタブリード挿入部4とが一定
の位置関係に規定され、したがってタブリード挿入部4
によって保持されるリードフレームと素子取付位置8と
の位置関係が正確に規定されるからである。
の位置関係に規定され、したがってタブリード挿入部4
によって保持されるリードフレームと素子取付位置8と
の位置関係が正確に規定されるからである。
第3図は上記第1図、第2図に示されたフランジ本体1
の表面に例えば5μのニッケル被膜9を例えばメッキに
より形成し、さらに上記素子取付位置8におけるニッケ
ル被膜9上に例えば500μの銀箔10を電気溶接によ
って接続した状態を示す縦断面図である。
の表面に例えば5μのニッケル被膜9を例えばメッキに
より形成し、さらに上記素子取付位置8におけるニッケ
ル被膜9上に例えば500μの銀箔10を電気溶接によ
って接続した状態を示す縦断面図である。
特に上記素子がトランジスタ等の半導体素子または半導
体集積回路素子のような場合、銅、アルミニウム等のフ
ランジ表面に直接素子を取り付けることは望ましくなく
、一方200μ〜1200μ程度の銀を介在させればフ
レームの素子に対する影響はなく、熱放散も著しく良好
となり、また銀は軟質金属であることから4.5mm×
4.5mm程度のかなり大なる素子を取り付けても熱歪
による素子の破損は生じないから素子と7ランジとの間
の介在物10としては極めて有力なものである。
体集積回路素子のような場合、銅、アルミニウム等のフ
ランジ表面に直接素子を取り付けることは望ましくなく
、一方200μ〜1200μ程度の銀を介在させればフ
レームの素子に対する影響はなく、熱放散も著しく良好
となり、また銀は軟質金属であることから4.5mm×
4.5mm程度のかなり大なる素子を取り付けても熱歪
による素子の破損は生じないから素子と7ランジとの間
の介在物10としては極めて有力なものである。
また1μ〜10μ程度のニッケル被膜9の介在は、フラ
ンジの防蝕被膜として作用し、さらにフランジ1と介在
物10との電気溶接における抵抗材としても作用し、上
記介在物10とフランジ本体との間を強力に接続する。
ンジの防蝕被膜として作用し、さらにフランジ1と介在
物10との電気溶接における抵抗材としても作用し、上
記介在物10とフランジ本体との間を強力に接続する。
上記抵抗材として作用するものとしてはニッケルの他ク
ロム、モリブデン、タングステンさらにはそれらの合金
またはそれらと他の金属との合金等があり、同様に利用
し得る。
ロム、モリブデン、タングステンさらにはそれらの合金
またはそれらと他の金属との合金等があり、同様に利用
し得る。
なお同図中11,12は電気溶接用電極の一部を示す。
上述の如く素子とフランジ1との間に銀箔等の介在物1
0を必要とする場合、まず介在物10とフランジ1との
間を電気溶接により接続することは有力な方法であり、
池の多くの場合にも利用し得る。
0を必要とする場合、まず介在物10とフランジ1との
間を電気溶接により接続することは有力な方法であり、
池の多くの場合にも利用し得る。
すなわち、7ランジ1またはその表面のニッケル等の被
膜および介在物10の接触表面のみが溶融するように抵
抗溶接すれば介在物の池の面すなわち素子を取り付ける
べき平坦面をそのまま維持でき、後に行なわれる素子の
取り付けを全面にわたって均一に行なうことができ、ま
た電気溶接は極部発熱によるものであり、上記溶接部以
外の部分の変質をおさえることができるからである。
膜および介在物10の接触表面のみが溶融するように抵
抗溶接すれば介在物の池の面すなわち素子を取り付ける
べき平坦面をそのまま維持でき、後に行なわれる素子の
取り付けを全面にわたって均一に行なうことができ、ま
た電気溶接は極部発熱によるものであり、上記溶接部以
外の部分の変質をおさえることができるからである。
また池の有効な方法として鍋フランジ1素子取付位置8
に銀箔10を冷間圧接により接続する方法があり、かか
る方法によれば銀およびフランジ等は変質せずまたその
表面も全面平坦に加圧されるから平坦度は阻害されずし
たがって上記抵抗溶接の場合と同様の利点を有する。
に銀箔10を冷間圧接により接続する方法があり、かか
る方法によれば銀およびフランジ等は変質せずまたその
表面も全面平坦に加圧されるから平坦度は阻害されずし
たがって上記抵抗溶接の場合と同様の利点を有する。
この場合ニッケル被膜9の形成は、冷間圧接後、上記銀
箔をレジン等の耐蝕性物質により保護した状態でメッキ
により行なうのが望ましい。
箔をレジン等の耐蝕性物質により保護した状態でメッキ
により行なうのが望ましい。
上記銀箔10と銅7ランジ1との池の有効な接続方法と
しては銀と銅との界面における共晶を利用して比較的低
温で接続する方法があり、さらに池の方法としては鑞材
を介して接続する方法および介在物全体を溶融さしめて
接続する方法等があるが、これらの場合後に行なわれる
素子取付湯度以上で加熱接続する必要があり、フランジ
1、介在物10の変質防止に充分な考慮をはらうべきで
ある。
しては銀と銅との界面における共晶を利用して比較的低
温で接続する方法があり、さらに池の方法としては鑞材
を介して接続する方法および介在物全体を溶融さしめて
接続する方法等があるが、これらの場合後に行なわれる
素子取付湯度以上で加熱接続する必要があり、フランジ
1、介在物10の変質防止に充分な考慮をはらうべきで
ある。
第4図は上記銀箔10上に素子13を鑞接によって取り
付けた縦断面図を示すものであって、素子13としてS
iを基本とする2、5mm×2.0mmの大きさの電力
増巾用半導体集積回路素子が用いられ、その一生表面が
金シリコン共晶鑞材14によって約440℃で上記平坦
な銀箔10の平坦な面に均一にろう接されている。
付けた縦断面図を示すものであって、素子13としてS
iを基本とする2、5mm×2.0mmの大きさの電力
増巾用半導体集積回路素子が用いられ、その一生表面が
金シリコン共晶鑞材14によって約440℃で上記平坦
な銀箔10の平坦な面に均一にろう接されている。
また上記鑞接による接続にかわる方法として銀金等の導
電性粉末を含む導電性接着材が利用でき、その場合加熱
を必要としないから作業は容易であるが熱抵抗、機械的
強度の面からは鑞接が優れている。
電性粉末を含む導電性接着材が利用でき、その場合加熱
を必要としないから作業は容易であるが熱抵抗、機械的
強度の面からは鑞接が優れている。
上記素子の池の一生表面には図示されていないが、Si
O2゜Si3N4等の有効絶縁膜と、半導体内部に形成
されたトランジスタ、ダイオード、抵抗等の電子素子か
ら上記孔を通して上記絶縁被膜上に延在する配線路と、
後にワイヤーを接続するため素子の周辺部に位置する電
極端子とが形成されている。
O2゜Si3N4等の有効絶縁膜と、半導体内部に形成
されたトランジスタ、ダイオード、抵抗等の電子素子か
ら上記孔を通して上記絶縁被膜上に延在する配線路と、
後にワイヤーを接続するため素子の周辺部に位置する電
極端子とが形成されている。
上記銀箔、素子のフランジへの接続はかならずしも上記
工程において行なう必要はなく、例えば、上記フランジ
に対しリードフレームを接続した後において行なっても
よい。
工程において行なう必要はなく、例えば、上記フランジ
に対しリードフレームを接続した後において行なっても
よい。
第5図はリードフレーム20を示す上面図であり、例え
ば、リン青銅の如く適度の弾性をもった厚さ0.25m
m電子装置1個あたりの長さ30mmの帯状の金属板よ
りなり、それに写真処理をほどこしそれによって形成さ
れた耐蝕性マスクを用いてエツチング処理をほどこす所
謂ホトエツチング技術およびプレス成形加工技術を用い
て作ることができる。
ば、リン青銅の如く適度の弾性をもった厚さ0.25m
m電子装置1個あたりの長さ30mmの帯状の金属板よ
りなり、それに写真処理をほどこしそれによって形成さ
れた耐蝕性マスクを用いてエツチング処理をほどこす所
謂ホトエツチング技術およびプレス成形加工技術を用い
て作ることができる。
池の方法としてはプレス打ちぬきおよびプレス成形技術
を用いて作ることができる。
を用いて作ることができる。
いずれの場合においても前記フランジの場合と同様例え
ば電子装置を10個連続した形で作る場合は、かかるリ
ードフレームも10個分が一連に接続された状態のもの
を製作する必要があるが、ホトエツチング技術を利用す
る場合は上記一連のフレームを同時に1回の処理で作り
、プレス成形加工も同時に1回で処理することができる
が、プレス打ちぬきおよびプレス成形技術においては、
プレス型が複雑となるから多連のプレス型を利用して1
回のプレスで同時に処理せず1組のプレス型で連続的に
打ちぬいて行き一連のフレームを作るのが望ましい。
ば電子装置を10個連続した形で作る場合は、かかるリ
ードフレームも10個分が一連に接続された状態のもの
を製作する必要があるが、ホトエツチング技術を利用す
る場合は上記一連のフレームを同時に1回の処理で作り
、プレス成形加工も同時に1回で処理することができる
が、プレス打ちぬきおよびプレス成形技術においては、
プレス型が複雑となるから多連のプレス型を利用して1
回のプレスで同時に処理せず1組のプレス型で連続的に
打ちぬいて行き一連のフレームを作るのが望ましい。
図中21aは後で説明される封止体内(図中2点鎖線1
5で包囲された部分)に位置するリード部分(内部リー
ド部)を示し、その先端は上記素子数り付は位置8の外
周にほぼ一致するように形成するとよい。
5で包囲された部分)に位置するリード部分(内部リー
ド部)を示し、その先端は上記素子数り付は位置8の外
周にほぼ一致するように形成するとよい。
21bは封止体外部に導出させるリード部分(外部リー
ド部)を示し、同図においてはリードとしての形状を示
しているが、かならずしもかかる形状をもつ必要はなく
一半板状としておき、封止後の打ちぬきによりリードと
しての形状となしてもよい。
ド部)を示し、同図においてはリードとしての形状を示
しているが、かならずしもかかる形状をもつ必要はなく
一半板状としておき、封止後の打ちぬきによりリードと
しての形状となしてもよい。
以上リード部21a、21bは完成品において一体とな
ったリード線21を構成する。
ったリード線21を構成する。
上記多数の外部リード部21bの間はリードフレーム2
1の1部を構成するリード保持部22a22b(総称し
て22とする)によって連結されており、リード保持部
22の位置は少なくとも外部リード部21bであればど
こでもよく全部であってもよいが、内部リード21aの
機械的保持の目的から少なくともその一部を封止部の境
界線15になるべく近く形成することが望まれる。
1の1部を構成するリード保持部22a22b(総称し
て22とする)によって連結されており、リード保持部
22の位置は少なくとも外部リード部21bであればど
こでもよく全部であってもよいが、内部リード21aの
機械的保持の目的から少なくともその一部を封止部の境
界線15になるべく近く形成することが望まれる。
特にレジン等のトランスファーモールド(射出成形)に
よる封止を採用する場合においては封止材の流れどめの
目的をかねさせることから重要な意味をもつ。
よる封止を採用する場合においては封止材の流れどめの
目的をかねさせることから重要な意味をもつ。
また外部リード部21bがリード線としての形をもつ本
例において2つのリード保持部22a、22bの巾が互
に異なっているのはリードフレーム20の表裏を一目し
て明確化し、かつ巾の広い方22bはモールFit注入
用パイプ(ランナー)の一部を構成せしめるためである
。
例において2つのリード保持部22a、22bの巾が互
に異なっているのはリードフレーム20の表裏を一目し
て明確化し、かつ巾の広い方22bはモールFit注入
用パイプ(ランナー)の一部を構成せしめるためである
。
また本例においてはリード部21bの先端を先細に形成
し、プリント基板等への挿入を容易にしたためリード部
21bに対し外界から不必要な機械的作用を受けやすく
、それを防止するためリードフレーム20によって外部
リード部21bを包囲する如く形成したのであり、これ
によって装置として完成するまでの各工程および各工程
間の運搬においてリード部21bの不必要な変形が防止
される。
し、プリント基板等への挿入を容易にしたためリード部
21bに対し外界から不必要な機械的作用を受けやすく
、それを防止するためリードフレーム20によって外部
リード部21bを包囲する如く形成したのであり、これ
によって装置として完成するまでの各工程および各工程
間の運搬においてリード部21bの不必要な変形が防止
される。
リードフレーム20に形成された孔23は後に行なわれ
る組立、リード保持部切断およびモールド時の位置合せ
用ガイドとして利用されるガイド孔である。
る組立、リード保持部切断およびモールド時の位置合せ
用ガイドとして利用されるガイド孔である。
孔24はタブリード25を形成するために形成されたタ
ブリード孔であり、このタブリード25はフランジ1に
接続するためのタブリード25aとフランジ1の主面と
リードフレームの主面との間隔を一定に保つためのタブ
リード25bとを有し、特にタブリード25aと内部リ
ード部21aとの位置関係を一定に保つことがフランジ
1の素子取付位置とを合せる上で重要であり、そのため
上記タブリード25の輪郭を形ずくる切り込み孔24を
第6図に示すように上記内部リード部21aを形成する
ホトエツチング処理で同時に形成してその位置関係を一
定に規定しておき、つぎにプレス成形によりタブリード
とすべき部分25をおり曲げればよい。
ブリード孔であり、このタブリード25はフランジ1に
接続するためのタブリード25aとフランジ1の主面と
リードフレームの主面との間隔を一定に保つためのタブ
リード25bとを有し、特にタブリード25aと内部リ
ード部21aとの位置関係を一定に保つことがフランジ
1の素子取付位置とを合せる上で重要であり、そのため
上記タブリード25の輪郭を形ずくる切り込み孔24を
第6図に示すように上記内部リード部21aを形成する
ホトエツチング処理で同時に形成してその位置関係を一
定に規定しておき、つぎにプレス成形によりタブリード
とすべき部分25をおり曲げればよい。
さらに池の方法としてプレス打ち抜きおよびプレス成形
技術により同時または順次に内部リード部21aおよび
タブリード25を形成すればよい。
技術により同時または順次に内部リード部21aおよび
タブリード25を形成すればよい。
このようなリードフレームはリード線のソルダビリティ
−を高め、また後記する素子リードフレーム間のワイヤ
ーボンディングの接続を良好ならしめ、かつ防蝕の目的
で例えば1μ以上の厚さの銀メッキが施される。
−を高め、また後記する素子リードフレーム間のワイヤ
ーボンディングの接続を良好ならしめ、かつ防蝕の目的
で例えば1μ以上の厚さの銀メッキが施される。
かかる銀メッキ処理はホトエツチング処理を利用する場
合はエツチング後ただちに行なうかまたはプレス成形後
行なえばよく、また全てプレスで行なう場合にはプレス
前後いずれでもよい。
合はエツチング後ただちに行なうかまたはプレス成形後
行なえばよく、また全てプレスで行なう場合にはプレス
前後いずれでもよい。
また上記目的を達成するための材料としては金があるが
、高価であり、工業的には銀が好ましい。
、高価であり、工業的には銀が好ましい。
上記のいずれの方法によってもリードフレーム20の長
さ方向(図中左右の方向)と同じ方向にそってタブリー
ド25aを曲げるようにした場合にはタブリード25a
の一側端20と内部リード部21a郡の中心27(素子
取付位置8の中心と合致する)とのリードフレーム20
平面上での長さ方向の距離Wが上記タブ25aの曲げ成
形前後において全く変動しないということは重要なこと
であり、それによって極めて精度の高い位置関係を保つ
ことができる。
さ方向(図中左右の方向)と同じ方向にそってタブリー
ド25aを曲げるようにした場合にはタブリード25a
の一側端20と内部リード部21a郡の中心27(素子
取付位置8の中心と合致する)とのリードフレーム20
平面上での長さ方向の距離Wが上記タブ25aの曲げ成
形前後において全く変動しないということは重要なこと
であり、それによって極めて精度の高い位置関係を保つ
ことができる。
そしてかかるタブリード25aは原理的には一連のリー
ドフレームに対し1個所あればその基本的目的を達成す
ることができる。
ドフレームに対し1個所あればその基本的目的を達成す
ることができる。
第7図および第8図は上記リードフレーム20の上記タ
ブリード成形部を拡大して示す斜視図およびそのB−B
縦断面図であってリードフレーム20の主面28と直交
する一基線29に対し互に対称な一対のタブリード25
aを有し、リードフレーム20の長さ方向と直交する方
向の位置ずれが生じないようにしである。
ブリード成形部を拡大して示す斜視図およびそのB−B
縦断面図であってリードフレーム20の主面28と直交
する一基線29に対し互に対称な一対のタブリード25
aを有し、リードフレーム20の長さ方向と直交する方
向の位置ずれが生じないようにしである。
そしてこの場合上記タブリード25aが一連のリードフ
レームに対し一対であれば原理的にはその基本目的を達
することができる。
レームに対し一対であれば原理的にはその基本目的を達
することができる。
さらにタブリード25とそれと連なるリードフレーム2
0の主面部分28との成す角度30は90°より若干大
きく180°より充分小さく形成されており、これとリ
ードフレーム20の弾性によってフランジ1との接続を
強固なものとすることができる。
0の主面部分28との成す角度30は90°より若干大
きく180°より充分小さく形成されており、これとリ
ードフレーム20の弾性によってフランジ1との接続を
強固なものとすることができる。
またタブリード25aの先端はさらに外方に曲げられて
いるがこれは上記フランジ1との接続さらに強固なもの
とするためであり、また上記タブリード25aの先端を
フランジ1における一対のタブリード挿入孔4のそれぞ
れほぼ中心に位置するようにすればフランジ1に対する
リードフレーム20の接続は極めて容易なものとなる。
いるがこれは上記フランジ1との接続さらに強固なもの
とするためであり、また上記タブリード25aの先端を
フランジ1における一対のタブリード挿入孔4のそれぞ
れほぼ中心に位置するようにすればフランジ1に対する
リードフレーム20の接続は極めて容易なものとなる。
上述の如く弾性を利用する場合の材質としてはリン青銅
の池コバール、鉄ニツケル合金、ニッケル等が利用し得
る。
の池コバール、鉄ニツケル合金、ニッケル等が利用し得
る。
またタブリード25bはかならずしもタブリード25a
と同一の部分に形成する必要はないがプレス成形型を簡
単化する上において同一部分の方が有効であり、またタ
ブリード25aをフランジ1にかしめ付けるときの応力
が内部リード部21a等へ達しないよう補強する意味に
おいてタブリード25aの両側にそれと一体に形成する
ことは有効である。
と同一の部分に形成する必要はないがプレス成形型を簡
単化する上において同一部分の方が有効であり、またタ
ブリード25aをフランジ1にかしめ付けるときの応力
が内部リード部21a等へ達しないよう補強する意味に
おいてタブリード25aの両側にそれと一体に形成する
ことは有効である。
さらにリードフレーム20と7ランジとの間隔を一定に
制御する池の方法としては、上記フランジの下に平坦に
してフランジと密着する治具をおき、その面に対し、タ
ブリード25aの先端が接するように成す方法がある。
制御する池の方法としては、上記フランジの下に平坦に
してフランジと密着する治具をおき、その面に対し、タ
ブリード25aの先端が接するように成す方法がある。
上述のようにして得られたリードフレーム20のタブリ
ード25aを素子13を取り付けたフランジ1のタブリ
ード挿入部4に挿入する。
ード25aを素子13を取り付けたフランジ1のタブリ
ード挿入部4に挿入する。
このときタブリード25bは上記7ランジの上面に接し
、フランジリードフレーム間の間隔を一定に規定する。
、フランジリードフレーム間の間隔を一定に規定する。
一方リードフレームのタブリード25bの先端と同じ高
さにおけるタブリード25a巾31はタブリード挿入部
4の長さ16とほぼ同一とすればよくその差はリードフ
レーム20の内部リード部21a先端と素子取り付は位
置8との間で許容される値以内に定められるべきであり
、タブリード25aの先端部の巾はそれより充分小さく
しておいてタブリード挿入部4への挿入をスムーズにす
るとよい。
さにおけるタブリード25a巾31はタブリード挿入部
4の長さ16とほぼ同一とすればよくその差はリードフ
レーム20の内部リード部21a先端と素子取り付は位
置8との間で許容される値以内に定められるべきであり
、タブリード25aの先端部の巾はそれより充分小さく
しておいてタブリード挿入部4への挿入をスムーズにす
るとよい。
前述した如く考慮をはらって作られリードフレーム20
およびフランジを用いた場合上記の内部リード部21a
と素子取り付は部8との位置関係は上記タブリード25
aの挿入のみによって一義的に決定される。
およびフランジを用いた場合上記の内部リード部21a
と素子取り付は部8との位置関係は上記タブリード25
aの挿入のみによって一義的に決定される。
上述の如く位置合せされた後第1図に矢印6で示す方向
より圧力を加えタブリードおさえ部5を変形させてタブ
リードをスリット4内に固定させる。
より圧力を加えタブリードおさえ部5を変形させてタブ
リードをスリット4内に固定させる。
このとき第9図に断面図にて示す如く矢印6の方向の圧
力によってタブリード25aがスリット内の上部および
下部に接し、さらに加圧されしかもリードフレームには
ある程度の弾性をもたせであるから両者の接触は極めて
強固なものとなる。
力によってタブリード25aがスリット内の上部および
下部に接し、さらに加圧されしかもリードフレームには
ある程度の弾性をもたせであるから両者の接触は極めて
強固なものとなる。
第10図は上述したタブリード25aをスリット4内に
おいてかしめ付けした状態を示す要部上面図であり、こ
こで注意すべき事項はタブリード25aの中央部すなわ
ち本例ではタブリードおさえ部5の先端部のみによって
かしめ付けが行なわれている点であり、封止後上記かし
め付が行なわれているスリット4の中央部のみでフラン
ジの切断を行なう如く成しである点であり、これによっ
て、かしめ圧力を低減でき、かつ切断可能な巾が大きく
とれる。
おいてかしめ付けした状態を示す要部上面図であり、こ
こで注意すべき事項はタブリード25aの中央部すなわ
ち本例ではタブリードおさえ部5の先端部のみによって
かしめ付けが行なわれている点であり、封止後上記かし
め付が行なわれているスリット4の中央部のみでフラン
ジの切断を行なう如く成しである点であり、これによっ
て、かしめ圧力を低減でき、かつ切断可能な巾が大きく
とれる。
第11図は素子13の一生表面に位置する電極端子と内
部リード部21aとの間をワイヤーボンディングにより
電気的に接続する一例を示している。
部リード部21aとの間をワイヤーボンディングにより
電気的に接続する一例を示している。
図面中32は例えば50μφ程度の金、アルミニウム等
のコネクタワイヤであり、その材質は電極端子および内
部リード部21aの先端表面材質および接続技術によっ
て種々選択され得る。
のコネクタワイヤであり、その材質は電極端子および内
部リード部21aの先端表面材質および接続技術によっ
て種々選択され得る。
例えば電極端子がアルミニウム、内部リード端子21a
の先端表面材質が銀で、接続技術が熱圧着法にである場
合には、金が適しており、超音波溶接による場合はアツ
ベニウムが適している。
の先端表面材質が銀で、接続技術が熱圧着法にである場
合には、金が適しており、超音波溶接による場合はアツ
ベニウムが適している。
上述の如きワイヤーボンティングにおいては内部リード
部21aとコネクタワイヤ32との接続において多少な
りとも圧力を加える必要があり、そのため内部リード部
21aが曲がる。
部21aとコネクタワイヤ32との接続において多少な
りとも圧力を加える必要があり、そのため内部リード部
21aが曲がる。
一方熱圧着による場合内部リード部21aの先端および
素子電極を350℃程度に加熱する必要があり、また超
音波溶接においても核部を100℃程度に加熱しておく
ことが望ましい。
素子電極を350℃程度に加熱する必要があり、また超
音波溶接においても核部を100℃程度に加熱しておく
ことが望ましい。
このために第11図a、bに示す如く鉄、銅等の熱伝導
良好な金属スペーサ33をフランジの長さ方向と直交す
る方向より介入せしめ、介在させボンディング后とりさ
る如く成せばよい。
良好な金属スペーサ33をフランジの長さ方向と直交す
る方向より介入せしめ、介在させボンディング后とりさ
る如く成せばよい。
このとき上記金属スペーサ33を加熱しておけば内部リ
ード部21aを直接加熱することもできる。
ード部21aを直接加熱することもできる。
また第12図においてはセラミックリング等の絶縁物ス
ペーサをフランジ1とリードフレームとの接続以前に銀
箔10によって位置定めして介在させておき完成後もそ
のまま付けたままの状態となしたものである。
ペーサをフランジ1とリードフレームとの接続以前に銀
箔10によって位置定めして介在させておき完成後もそ
のまま付けたままの状態となしたものである。
いずれの場合においても上記加熱はフランジの載置台3
4を加熱体とするのが簡単であるから上記スペーサ33
を熱伝導の良好な金属またはアルミナセラミックス、ベ
リリア磁器の如き熱伝導の良好な絶縁物であることが好
まれる。
4を加熱体とするのが簡単であるから上記スペーサ33
を熱伝導の良好な金属またはアルミナセラミックス、ベ
リリア磁器の如き熱伝導の良好な絶縁物であることが好
まれる。
さらに池の例によればキャピラリ35により、コネクタ
ワイヤ32を電極端子に接続し、次に第13図aに示す
ように内部リード部21aの弾性を利用して接続時に内
部リード部21aの先端を7ランジ1または銀箔上に接
触せしめて核部を加熱してコネクタワイヤを接続し、そ
の後内部リード部21aの弾性を利用して第13図すに
示すようにもとの位置に復帰せしめることにより実施す
ることができる。
ワイヤ32を電極端子に接続し、次に第13図aに示す
ように内部リード部21aの弾性を利用して接続時に内
部リード部21aの先端を7ランジ1または銀箔上に接
触せしめて核部を加熱してコネクタワイヤを接続し、そ
の後内部リード部21aの弾性を利用して第13図すに
示すようにもとの位置に復帰せしめることにより実施す
ることができる。
この場合素子13に対する接続を先に行なうと第13図
すに示すように内部リード部21bかもとの位置に復帰
するときにコネクタワイヤ32を上方に引くという問題
があり、その対策としてはコネクタワイヤ32に充分な
タワミを設けておいてコネクタワイヤを第13図aに示
す如く接続する。
すに示すように内部リード部21bかもとの位置に復帰
するときにコネクタワイヤ32を上方に引くという問題
があり、その対策としてはコネクタワイヤ32に充分な
タワミを設けておいてコネクタワイヤを第13図aに示
す如く接続する。
または、はじめ内部リード部21aへのコネクタワイヤ
32の接続を行ない、内部リード21aかもとの位置に
復帰したのち素子13の電極端子にコネクタワイヤを接
続するようにしていもよい。
32の接続を行ない、内部リード21aかもとの位置に
復帰したのち素子13の電極端子にコネクタワイヤを接
続するようにしていもよい。
つぎに上記により組立の完了したものをモールド型内に
おさめ、第14図aybに示すように上記リードフレー
ム20における巾の広い方のリード保持部22bを底と
するレジン注入パイプライン(ランナー)36を構成せ
しめ、レジン等の封人材を注入せしめ、レジンの固化後
モールド治具を取りはずし、リード保持部22および外
部リード部21bの先端がリードフレーム20に接して
いる場合は核部も切断し、前述の如くフランジ1を各装
置毎に切断すれば第15図に示す如き構造物が得られ、
これをさらに適当におりまげれば第16図に示すように
プリント基板の孔にリード部21を挿入しやすい構造と
することができる。
おさめ、第14図aybに示すように上記リードフレー
ム20における巾の広い方のリード保持部22bを底と
するレジン注入パイプライン(ランナー)36を構成せ
しめ、レジン等の封人材を注入せしめ、レジンの固化後
モールド治具を取りはずし、リード保持部22および外
部リード部21bの先端がリードフレーム20に接して
いる場合は核部も切断し、前述の如くフランジ1を各装
置毎に切断すれば第15図に示す如き構造物が得られ、
これをさらに適当におりまげれば第16図に示すように
プリント基板の孔にリード部21を挿入しやすい構造と
することができる。
すなわち、第16図に示されているように、封止材(封
止体)37より導入している外部リード部21は、封止
体37より近接して折り曲げられた一つの列をなす第1
のリード群と、その第1のリード群をなすリード間にお
いて封止体37より遠ざけて折り曲げられた池の列をな
す第2のリード群とより成っている。
止体)37より導入している外部リード部21は、封止
体37より近接して折り曲げられた一つの列をなす第1
のリード群と、その第1のリード群をなすリード間にお
いて封止体37より遠ざけて折り曲げられた池の列をな
す第2のリード群とより成っている。
このことより、実質的にリード間隔は充分大きくなり、
かつ安定しているため図示されていないが、プリント基
板への実装が容易となる。
かつ安定しているため図示されていないが、プリント基
板への実装が容易となる。
そして、さらに実装時のリード間ショートも防止できる
などのすぐれた効果をもたらす。
などのすぐれた効果をもたらす。
第1図はフランジを示す上面図、第2図は第1図におけ
るA−A面縦断面図、第3図は第2図におけるフランジ
にニッケル被膜を形成し、かつ銀箔を接続する状態を示
す縦断面図、第4図は第3図に示すフランジに電子素子
を接続した状態を示す縦断面図、第5図はリードフレー
ムを示す上面図、第6図はリードフレームを製作する一
工程におけるリードフレームの一部を示す拡大図、第7
図および第8図はそれぞれリードフレームの一部を拡大
して示す斜視図およびB−B面1縦断向図、第9図およ
び第10図はそれぞれリードフレームとフランジとの接
続状態を示す断面図および上面図、第11図aはリード
フレームと素子との間を電気的に接続する状態を示す平
面図、第11図b、第12図および第13図a、bはい
ずれもリードフレームと素子との間を電気的に接続する
状態を示す断面図、第14図a、bはそれぞれレジン注
入パイプラインの位置を示す上面図および側断面図、第
15図は完成された電子装置の一例を示す斜視図であり
、第16図は完成された電子装置の池の一例を示す斜視
図である。 1はフランジ本体、2はモールド材流れ防止用切り込み
部、3はボルト通し孔、4はタブリード挿入部、5はタ
ブリードおさえ部、6はタブリードおさえ部に加える圧
力の方向、7は素子取り付は位置を示す溝、8は素子取
り付は位置、9はニッケル被膜、10は銀箔、11は電
気溶接用電極、12は電気溶接用電極、13は電子素子
、14は金・シリコン共晶ろう材、15は封止体の境界
線、16はタブ挿入部の長さ、20はリードフレーム、
21はリード線、21aは内部リード線、21bは外部
リード部、22はリード保持部、22aは巾の狭いリー
ド保持部、22bは巾の広いリード保持部、23はガイ
ド孔、24はタブ形成用切り込み孔、25はタブリード
、26はタブリード側端、27は内部リード部群の中心
、28はり一層フレームの一主面、29はリードフレー
ムの一主面と直交する一基線、30はリードフレームと
タブリードとの成す角、31はタブリード25aの巾、
32はコネクタワイヤ、33はスペーサ、34はフラン
ジ載置台、35はキャピラリ、36はレジン注入パイプ
ライン、37はレジン等の封止材。
るA−A面縦断面図、第3図は第2図におけるフランジ
にニッケル被膜を形成し、かつ銀箔を接続する状態を示
す縦断面図、第4図は第3図に示すフランジに電子素子
を接続した状態を示す縦断面図、第5図はリードフレー
ムを示す上面図、第6図はリードフレームを製作する一
工程におけるリードフレームの一部を示す拡大図、第7
図および第8図はそれぞれリードフレームの一部を拡大
して示す斜視図およびB−B面1縦断向図、第9図およ
び第10図はそれぞれリードフレームとフランジとの接
続状態を示す断面図および上面図、第11図aはリード
フレームと素子との間を電気的に接続する状態を示す平
面図、第11図b、第12図および第13図a、bはい
ずれもリードフレームと素子との間を電気的に接続する
状態を示す断面図、第14図a、bはそれぞれレジン注
入パイプラインの位置を示す上面図および側断面図、第
15図は完成された電子装置の一例を示す斜視図であり
、第16図は完成された電子装置の池の一例を示す斜視
図である。 1はフランジ本体、2はモールド材流れ防止用切り込み
部、3はボルト通し孔、4はタブリード挿入部、5はタ
ブリードおさえ部、6はタブリードおさえ部に加える圧
力の方向、7は素子取り付は位置を示す溝、8は素子取
り付は位置、9はニッケル被膜、10は銀箔、11は電
気溶接用電極、12は電気溶接用電極、13は電子素子
、14は金・シリコン共晶ろう材、15は封止体の境界
線、16はタブ挿入部の長さ、20はリードフレーム、
21はリード線、21aは内部リード線、21bは外部
リード部、22はリード保持部、22aは巾の狭いリー
ド保持部、22bは巾の広いリード保持部、23はガイ
ド孔、24はタブ形成用切り込み孔、25はタブリード
、26はタブリード側端、27は内部リード部群の中心
、28はり一層フレームの一主面、29はリードフレー
ムの一主面と直交する一基線、30はリードフレームと
タブリードとの成す角、31はタブリード25aの巾、
32はコネクタワイヤ、33はスペーサ、34はフラン
ジ載置台、35はキャピラリ、36はレジン注入パイプ
ライン、37はレジン等の封止材。
Claims (1)
- 1 その−主面に電極端子を有する電子素子と、その電
子素子の周辺に位置し、かつ互いに一平面に沿って配列
されているところのそれぞれが内部リード部と外部リー
ド部とを構成すべく複数のリードと、上記電極端子と上
記リードとを電気的に接続しているコネクタワイヤと、
その電子素子、コネクタワイヤおよび内部リード部を封
止する封止体とを有し、上記外部リード部は2つのリー
ド群配列をなすように折り曲げられていることを特徴と
する電子装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15449577A JPS5810861B2 (ja) | 1977-12-23 | 1977-12-23 | 電子装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15449577A JPS5810861B2 (ja) | 1977-12-23 | 1977-12-23 | 電子装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP158071A Division JPS5341503B1 (ja) | 1970-12-23 | 1971-01-22 |
Related Child Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57096167A Division JPS584960A (ja) | 1982-06-07 | 1982-06-07 | 電子装置 |
JP57096168A Division JPS584961A (ja) | 1982-06-07 | 1982-06-07 | 電子装置の製法 |
JP58195983A Division JPS602777B2 (ja) | 1983-10-21 | 1983-10-21 | 電子装置用リ−ドフレ−ム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5377175A JPS5377175A (en) | 1978-07-08 |
JPS5810861B2 true JPS5810861B2 (ja) | 1983-02-28 |
Family
ID=15585487
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15449577A Expired JPS5810861B2 (ja) | 1977-12-23 | 1977-12-23 | 電子装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5810861B2 (ja) |
-
1977
- 1977-12-23 JP JP15449577A patent/JPS5810861B2/ja not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5377175A (en) | 1978-07-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US3778887A (en) | Electronic devices and method for manufacturing the same | |
KR101388328B1 (ko) | 통합 tht 히트 스프레더 핀을 구비한 리드 프레임 기반 오버-몰딩 반도체 패키지와 그 제조 방법 | |
KR920008254B1 (ko) | 개선된 리드구조를 갖춘 반도체장치와 그 제조방법 | |
TW200522328A (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
JP2006093255A (ja) | パワー半導体モジュールおよびその製造方法 | |
US9013030B2 (en) | Leadframe, semiconductor package including a leadframe and method for producing a leadframe | |
US5841183A (en) | Chip resistor having insulating body with a continuous resistance layer and semiconductor device | |
JPH04280462A (ja) | リードフレームおよびこのリードフレームを使用した半導体装置 | |
TW200304693A (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same | |
US20020022304A1 (en) | Semiconductor device, method for fabricating the same, circuit board and electronic device | |
JP2936769B2 (ja) | 半導体装置用リードフレーム | |
US20190229044A1 (en) | Lead frame with plated lead tips | |
JPS5810861B2 (ja) | 電子装置 | |
JPS5989448A (ja) | 電子装置用リ−ドフレ−ム | |
JPS5810860B2 (ja) | 電子装置の製法 | |
JPS6242390B2 (ja) | ||
JP3691790B2 (ja) | 半導体装置の製造方法及び該方法によって製造された半導体装置 | |
JP3040235B2 (ja) | リードフレームとそれを用いた樹脂封止型半導体装置 | |
JPS584961A (ja) | 電子装置の製法 | |
JPS5915386B2 (ja) | 半導体装置用ヘッダの製造方法 | |
JP4201060B2 (ja) | 半導体装置、およびその製造方法 | |
JPS6056309B2 (ja) | リ−ドフレ−ムおよびその製造方法 | |
JP2975783B2 (ja) | リードフレームおよび半導体装置 | |
JPH0333068Y2 (ja) | ||
JP3908395B2 (ja) | 半導体装置製造用の基板、およびそれを用いた半導体装置の製造方法 |