JPS5810798B2 - 磁気ドメイン装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は磁性材料製の第１平板を具え、この平板には主
磁界発生器からこの平板を横断して延在する磁界によっ
て磁気ドメインを維持でき、他に少なくとも１個の電流
導体を具え、この電流導体によりこの導体に流れる各電
流の影響下で前記磁気ドメインに対する選択的な好適位
置を局部的に形成して、前記ドメインが前記第１平板に
おける予定した通路に沿って駆動し得るようにした磁気
ドメイン装置に関するものである。

従来の磁気ドメイン装置では多数の種々の大がかりな駆
動法の内の１つを用いている。

米国特許第３８４８２０９号には第１平板の平面内で回
転する磁界を用いる駆動方式が記載されている。

従来装置では適当な十分の硬さの材料、すなわちエポキ
シから成る平板を用い、この上に銅導体を平行に配置し
ている。

電流により銅導体に発生する熱はエポキシ材料によって
成る程度しか吸収できない。

特殊な熱消散法では温度が高くなりがちである。

本発明の目的は材料の適切な選択により熱移動を促進さ
せ、同時に上記材料の使用に関連して他の好適な特徴を
も利用することにある。

本発明は磁性材料製の第１平板を具え、この平板には主
磁界発生器からこの平板を横断して延在する磁界によっ
て磁気ドメインを維持でき、他に少なくとも１個の電流
導体を具え、この電流導体によりこの導体に流れる各電
流の影響下で前記磁気ドメインに対する選択的な好適位
置を局部的に形成して、前記ドメインが前記第１平板に
おける予定した通路に沿って駆動し得るようにした磁気
ドメイン装置において、前記磁性材料製の第１平板に少
なくともほぼ平行に配置される珪素の第２平板を設け、
前記少なくとも１個の電流導体の少なくとも一部分を前
記第２平板と構造的に結合させて、前記導体の少なくと
も一部分に流れる順次の電流によって前記ドメインに対
する好適位置が順次連続して形成されるようにし、これ
らの好適位置が前記通路の少なくとも一部分を構成して
、前記導体部分の電流によって発生される熱を第２珪素
平板での熱伝達または熱伝導によって奪うようにしたこ
とを特徴とする。

珪素の固有の特性および斯種の層で技術的に達成し得る
特性は何れも上記エポキシおよび類似の材料に対して主
要な改善を呈する。

例えば、珪素は良好な熱伝導性を呈する。

さらに、珪素平板は極めて平担に製造し得ることは明ら
かである。

珪素平板に対する導体の電気的な絶縁も、例えば薄い酸
化物層によって簡単に行なうことができる。

この場合、絶縁層における「ピンホール」は殆ど問題に
ならない。

その理由は一般に電圧差が小さく、しかも漏洩抵抗が比
較的高いからである。

なお前記「構造的に結合する」とはスパッタリング、蒸
着、沈殿または結晶成長の如きプレーナ法によって実現
し得るような結合を意味するものとする。

特に、比較的高い駆動周波数またはビット速度ではエネ
ルギー消費問題が一層強くなるため、本発明は熱移動問
題に対して有利な解を提供する。

本発明の好適な実施に当っては、前記少なくとも１個の
電流導体の前記部分を少なくともほぼ蛇行した区分で構
成して、この蛇行導体区分に流れる電流によって交番蛇
行ループにおける背景磁界を増幅したり、または減衰さ
せたりするようにして、少なくとも部分的に蛇行状電流
導体に沿って延在している通路に沿って磁気ドメインを
駆動させるようにする。

これは所謂フィールドアクセスに関する前記米国特許第
３８４８２０９号に対する所謂ドメインの電流アクセス
法に関するものである。

電流アクセス法それ自体は、例えばドメイン情報を検出
素子に与えることによって高ビツト周波数を達成するの
に特に好適である。

しかしこの場合には駆動周波数に応じてエネルギー消費
が急速に高まり、しかも今までは蛇行導体を磁性材料製
の平板の上に直接配置していたため、この平板での温度
上昇が禁止的になりがちであった。

この場合の最大許容温度は、磁気ドメインに対する安定
範囲が制限温度範囲にわたってのみ存在するように規定
し得るものであった。

本発明を利用することによって、電流アクセスを用いる
ドメインエネルギーはより一層高い情報容量、或いは逆
により高い周波数で（エネルギー消費は駆動周波数で増
大するから）実現することができる。

これに対し前記米国特許に基ずくフィールドアクセスの
場合には、銅導体の端部をコネクタによって相互接続す
るようにして２個のエポキシ平板によってコイルを構成
している。

さらに同様に構成した第２のコイルを設けて、これらの
コイルによって同一の内部領域を包囲している。

２個のコイルによって発生される磁界の方向は内部領域
にて互いに９０°相違している。

互いに９０°移相している交流電流でコイルを附勢する
ことによって内部領域には十分均一な回転磁界が発生す
る。

内部領域には、回転磁界が各平板に対して平行となるよ
うにバブルドメインのような磁気ドメインを伴なう各平
板を配置する。

上記ドメインは回転磁界によってドメイン案内導体に沿
って駆動させることができ、斯る案内構体は例えばＴ−
Ｉパーマロイ素子およびその変形素子によって構成する
。

この点に関し、本発明の好適な実施に当っては、前記珪
素の第２平板における二次元領域内に、互いに少なくと
もほぼ平行で、かつ珪素の第２平板と構造的に結合され
る複数個の電流導体を配置して。

前記導体内に共在し、かつ同一方向の電流によって前記
第１平板に少なくともほぼ平行で、前記二次元領域の位
置における磁性材料製の前記第１平板に向けられる少な
くともほぼ均一の磁界を発生するようにする。

斯様な導体配列方法によって相当均一で、しかも切線方
向に向けられる磁界を容易に発生させることができる。

導体の幾何学的形状は簡単なマスクによって得ることが
できる。

珪素基板上に電流導体を形成することは既知であるが、
本発明によれば斯る電流導体を磁気ドメイン駆動用に極
めて有効な方法で用いる。

斯る珪素平板の利点は、前述した所から明らかなように
集積回路の製造に必要な適当な技術によってこの珪素平
板を高度に平担とし得ることにある。

またこれらの技術によって斯る磁気コイルを簡単に、廉
価に、しかも大量生産することができる。

さらにまた、断面が相対的に異なる導体の如き凡ゆる種
類の特殊な導体パターンを製造することができる。

従って慣例のコイルを本発明による珪素平板上に配置さ
れるコイルと結合させることができる。

本発明のさらに好適な実施に当っては、前記第２珪素平
板の前記二次元領域内に２組の電流導体を設け、これら
の導体を互いに少なくともほぼ平行とし、かつ第２珪素
平板と構造的に結合させ、前記２組の電流導体を互いに
交差させて配置して、各導体組に流れる時間依存電流に
よって前記二次元領域の位置の第１平板に少なくともほ
ぼ空間的に均一の回転磁界を発生させるようにする。

所要に応じ、フィールド・ミラーとして作用する適当な
導電性を呈する例えば銅のような平板を磁性材料製の第
１平板の他側に配置することができる。

珪素平板が高度に平担であると云うことは、磁界の横方
向成分が中央領域にて小さくなると云う利点も呈する。

従って所要に応じ極めて扁平で、かつコンパクトな配置
を得ることができる。

これに対し、本発明のさらに他の好適な実施に当っては
、前記第２珪素平板における第に次元領域に、複数個の
第１電流導体を少なくとも互いにほぼ平行、かつ前記第
２珪素平板と構造的に結合させて配置し、さらに第２二
次元領域を有する第３珪素平板を設け、前記第２二次元
領域に複数個の第２電流導体を少なくとも互いにほぼ平
行に、かつ前記第３珪素平板と構造的に結合させて配置
し、前記第１および第２二次元領域、前記複数個の第１
および第２電流導体の各寸法および位置並びに前記複数
個の第１および第２電流導体の方向を一致させて、第１
および第２の複数個の電流導体内を同一方向に流れる共
存電流によって、前記第２と第３の珪素平板の間に配置
される磁性材料製の第１平板の前記二次元領域の個所に
、第１磁性材料平板に少なくともほぼ平行に向けられる
空間的に少なくともほぼ均一の磁界を発生させるように
し一前記一方の複数個の電流導体に流す電流方向を他方
の複数個の電流導体に流す電流方向に対し逆方向とし、
さらに、前記第２および第３珪素平板の前記各第１およ
び第２二次元領域に、２組の電流導体を互いに少なくと
もほぼ平行に、かつ関連する珪素平板と構造的に結合さ
せ、前記２組の電流導体を互いに交差させて配置して、
各組の電流導体に流れる時間依存電流によって第１磁性
材料平板の前記二次元領域の位置に空間的に少なくとも
ほぼ均一の回転磁界を発生させるようにし、２組の電流
導体による磁界が磁性材料製の第１平板の位置で共働す
るようにする。

さらに本発明の好適な実施に当っては、少なくとも前記
珪素の第２平板に、少なくとも２位置にて互いに局部的
に交差する導体組を設けて、これらの導体組に流す時間
依存電流によって第１磁性材料平板における前記導体交
差位置に回転方向が互いに異なる回転磁界を発生させる
ようにする。

従って様々の回転方向を許容できれば、導体の形状は前
記二次元領域の内の異なる領域間を蛇行する導体形状と
することができる。

これがため、導体の長さを長くすることができる。

場合によってはこれによる負荷抵抗の増加によって電流
パルス発生器を良好に整合させることができる。

さらに斯様な配置によっても接続部の数を限定して、構
成を一層簡単とすることができる。

大抵の場合、各平板の横断面寸法が大きいため、外部磁
界を比較的小さくし得ると云う利点もある。

従ってエネルギーの点で高効率を得ることができる。

本発明はフィールドアクセスおよび電流アクセス法の双
方に有利に用いることができる。

さらに本願人の出願に係る特願昭５２−９４２７６号に
は磁性材料製の単一平板における磁気ドメインを制御す
るのにフィールド制御および電流制御を用いる方法が提
案されている。

これに記載されている珪素平板は両制御機構の電流導体
を支承するために用いられていることは明らかである。

本発明の他の好適な実施に当っては前記第１磁性材料平
板に１群の磁気ドメインがマトリックス軸線に従って規
則的に配列されるように収容するための二次元磁界をか
け、少なくとも１個の電流導体の前記部分には少なくと
も２つの区分を設けこれらの区分を第１７） ＩＪラッ
クス線に平行に延在させて前記ドメイン群の内の、前記
第１マトリツクス軸線を横断する方向にて前記区分間に
配置されるドメインの小群を前記区分に順次流す電流に
よって駆動させるようにする。

従って、例えば電流アクセス用の蛇行導体の各ループを
マトリックス軸線の方向に長円形として、ビット周波数
を増大させることができる。

この場合蛇行ループは多数の好適な（安定な）ドメイン
位置を具えている。

さらに本発明の好適な実施に当っては、前記ドメイン群
が、隣接するバブル間の反発力を利用してバブル格子を
構成するようにする。

斯様なドメイン格子は近年知られたものであり、これに
より磁性材料平板上に極めて高密度の情報を得ることが
できる。

斯種の格子は例えば文献ｒＩＢＭ、Ｊ。Ｒｅ５ｅａｒｃ
ｈ ａｎｄ Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ 、 ２０ （７
６０７）３６８」におけるＢ、Ａ、Ｃａ１ｈｏｕｎ外１
名によるｒｃｏｌｕｍｎ ａｃｃｅｓｓ ｏｆ ａ ｂ
ｕｂｂｌｅ １ａｔｔｉｃｅＪ と云う論文に記載さ
れている。

ドメイン情報は例えば磁壁の磁化構造によって構成する
ことができる。

前記論文の著者Ｃａ１ｈｏｕｎによれば、マトリックス
軸線に平行に配置される複数個の導体の連続附勢によっ
て格子全体が駆動される。

マ） ＩＪラックス線は六角格子の主方向とすることが
できる。

これらの導体も本発明により珪素平板と構造的に結合さ
せることができる。

この場合にも蛇行導体によりドメイン格子から情報を連
続的に抽出することができる。

本発明のさらに好適な実施に当ってはフェロ磁性材料製
の磁気的に動作する素子状の手段を設け、これらの素子
に前記電流に関連してドメインの好適位置を形成し、か
つ前記素子を前記珪素の第２平板と構造的に結合させる
。

磁気ドメイン装置の製造に際し、主として２つの欠陥が
生ずる。

その１つは磁性層が結晶欠陥および汚染を呈することで
ある。

これにより磁気ドメインが斯様な点（ピンニングポイン
ト）を通過し得ないことが屡々ある。

他の１つは上記磁気的に動作させる手段（例えばフィー
ルドアクセスの場合のＴおよび工）に支障を来たすこと
である。

前述した電流導体と一緒に前記磁気的に動作させる手段
を珪素平板の上に配置することによって２つのカテゴリ
ーの欠陥原因は分離される。

これは電流導体の短絡、断線のような欠陥の場合にも当
てはまる。

これがため最早適当なドメイン転送構体に欠陥磁気材料
を結合させたり、またはその逆に結合させたりする必要
がない。

横方向偏移によってピンニングポイントを転送構体に対
する中性の位置に位置付けることもできる。

磁性材料製の第１平板は実質上単結晶とするのが好適で
ある。

このようにすれば、集積回路技術に関連する種々の好適
な特性を利用することができる。

例えば極めて平担な珪素層を形成することができる。

さらに本発明の好適な実施に当っては、磁気材料製の第
１平板を多結晶材料で構成する。

これも他の有利な製造方法の１つである。

前記電流導体の内の少なくとも１個における電流パルス
制御用回路は珪素の第２平板の上に集積回路形態で形成
するのが好適である。

例えば電流パルス発生器は既知の方法で集積回路をもっ
て構成する。

この電流パルス発生器は電流導体と一緒に形成して、接
続部の数を減らすようにすることができる。

入力端子が磁気ドメイン用の前記通路に接続される磁気
的に動作する検出素子を設け、この検出素子を珪素の第
２平板と構造的に結合させるのが好適である。

例えば、検出素子は転送構体の磁気的に動作する素子と
同じ技術で、しかも同じ処理工程で製造することができ
る。

本発明の他の好適な実施に当っては、磁気的に動作する
検出回路をさらに設け、この検出回路の入力端子を前記
検出素子の出力端子に電気的に接続して、検出信号を検
出回路の電気的な出力端子に供給し、検出回路を前記第
２珪素平板上に形成される集積回路として前記第２珪素
平板と構造的に結合させるようにする。

このようにすれば製造も容易となり、かつ接続部の数も
減少する。

さらに本発明の好適な実施に当っては、前記電流導体に
珪素の第２平板と構造的に結合されるドメイン発生素子
の電流ループを設け、また、前記電流導体にドメインス
イッチング素子の電流ループを設け、この電流ループを
珪素の第２平板と構造的に結合させて、前記素子から出
ている少なくとも２つの分岐通路の一方にドメインを選
択的に駆動させ、さらに前記電流導体にドメイン破壊素
子の電流ループを設け、このループを珪素の第２平板と
構造的に結合させる。

これによって珪素平板上に適応される機能数は一層有利
に増大する。

これらの場合に、一般に珪素平板における容易な熱移動
および適当な技術的な特性を利用することもできる。

本発明のさらに好適な実施に当っては、ドメイン情報を
処理するための情報処理装置を前記珪素の第２平板上に
形成される集積回路としてこの第２平板と構造的に結合
させると共に、情報処理装置の端子と磁気ドメイン通路
にアクセスするための装置との間に情報結線を設けた。

このようにすることにより、集積化レベルは一層高くな
る。

図面につき本発明を説明する。

第１図は所謂フィールドアクセスで磁気ドメインを駆動
する第１回路を示す。

斯種の構造は特に磁気ドメインの技術分野では既知であ
る。

従来技術によれば図示の各素子を例えばパーマロイのよ
うなフェロ−磁性材料で構成し、これらの各素子を例え
ばスパッタリングによってフェリーの上に堆積する。

フェリー磁性層の材料は例えばドープしたイツトリウム
鉄ガーネット層のようなものとするが、この層は第１図
には図示してない。

本発明によればフェリー磁性材料製の平板に沿って配置
される珪素平板の上にパーマロイ素子を配置することも
できる。

ソース素子４０の上には絶えず拳のドメインを存在させ
、これから右回わりの回転磁界の周期毎にドメインを流
出させる。

これがため本例では上記ソース素子をほぼ方形のパーマ
ロイ素子とし、これにバッチを付して示す電流ループ４
０Ａを設ける。

特定位相の回転磁界、例えばこの磁界が矢印Ａの方向性
を有している際には、上記電流ループ４０Ａは内部領域
の背景磁界を増幅するように附勢される。

これにより素子４０と４１との間に延在するバブルドメ
インを一層簡単に分割することができる。

ついで分割ドメインは素子４１，４２・・・・・・４５
、５５ 、４６・・・・・・５３を経てドメイン破壊
素子５４に連続的に吸収される。

ドメインの駆動は、座標系の矢印に従って磁界が方向付
けられるパーマロイ素子の端部に順次好適（安定）ドメ
イン位置が形成されるようにして行なう。

回転磁界に矢印Ｃの方向性を与えると、例えば４６Ｃの
個所に好適位置が形成され、このようにして順次他の素
子の端部にドメインの好適位置が形成される。

ドメインが位置５５Ｂにあり、磁界の回転方向が少なく
とも７／４周期、最大でも１０／４周期にわたり反時計
方向である場合には上記ドメインはドメイン位置５９Ｃ
に到達する。

ついで時計方向の回転磁界を連続して与えると、上記ド
メインは素子５９・・・・・・６８を経てドメイン破壊
素子６９に到達する。

斯種回路配置は他の分岐スイッチ、集中スイッチ、蓄積
ループおよび検出素子によって拡張して、２進情報に対
する蓄積および／または処理袋−として動作させること
ができる。

図示の回路配置は電流制御発生器を具えており、さらに
この回路配置は他に受動素子を具えているだけである。

他方、スイッチ手段およびドメイン消滅装置にも電流制
御手段を設けて、例えば妨害信号をできるだけ受けない
ようにすることができる。

第２図は所謂電流アクセスを用いて磁気ドメインを駆動
するための従来構造を示す。

この装置は小形のパーマロイ素子８１〜８５と、磁性材
料製の第１平板上における蛇行ループの蒸着電流導体８
０とを具えている。

場合によってはこの電流導体８０もパーマロイで作るこ
とができる。

この場合には非対称配置の素子８１〜８５も蛇行導体の
屈曲部に隣接させて、その蛇行導体の突起部として配置
することができる。

上記蛇行導体の周期は点線で示す２個のバブルドメイン
８６．８７の直径の約２倍とする。

このようにすれば（電流が導体８０に流れていない）休
止状態において、ドメインの縁部がパーマロイ素子と一
致するようにドメインは良好に位置付けられる。

導体に電流が流れている際にはドメインはバイアス磁界
が低い位置へと移動する。

電流を半周期の間通電させて、素子８２．８４の位置で
磁界を減衰させると、ドメインは上記蛇行ループを通過
して、上記電流の半周期の終りにこのドメインは蛇行導
体の半周期分だけ左に移動するようになる。

反対方向のつぎの電流半周期の間にドメインは蛇行導体
の半周期分だけ再び左に駆動される。

斯種の構造のものも駆動通路内のドメインに包含される
情報を処理するために発生器、スイッチ、ドメイン消滅
装置を設けて既知の方法で完成することができる。

第３図は第２図から出発している第３番目のドメイン駆
動回路の構造を示す。

ドメイン１５０〜１５３は垂直マトリックス軸線に従っ
て蛇行ループのリムに平行に配置される。

これらのドメインは蛇行ループ１５４の半周期毎に方向
が変えられる電流によって矢印の方向のパーマロイ素子
の列１５５．１５６に沿って駆動される。

２個のドメイン間の中心から中心までの距離は常に少な
くともドメインの直径の２倍に相当する。

２個のドメイン間の反発力の影響は十分小さくして、ド
メイン通路に影響を及ぼさないようにする。

第１〜３図において、情報は例えば論理値「１」に相当
するドメインと、論理値「０」に相当する空のドメイン
位置とによって表わすことができる。

この場合上記情報はドメイン間の相互作用が最小のため
に維持することができる。

場合によっては隣接するドメイン間の距離を大きくした
り、或いは小さくしたりすることができる。

従って拡張蛇行ループの屈曲部当りのドメイン位置の数
は３個以上とすることができる。

さらに、駆動方向はパーマロイ素子を適当に配置替えす
ることによって互いに相違させることができる。

第４図は第４番目の既知のドメイン駆動回路の構造を示
す。

この場合には円形ドメインを六角格子に基ずいて配置す
る。

またこの場合には情報を例えばドメインと背後領域との
間の境界壁の構造を相違させて表わすことができる。

磁性材料層にも２つのサブ一層を設け、これらのサブ一
層と磁性材料層とで構体ユニットを構成する。

第１サブ一層のドメインを第２サブ一層の符号するドメ
インに付随させたり、またはさせないで、それぞれ論理
「０」または「１」を形成するようにすることができる
。

この際ドメイン間の間隔は、隣接するドメイン藺の反発
力が正規の格子を維持するような距離とする。

これがため、ドメイン間の間隔は第３図の独立したドメ
インの場合よりも短かくすることができる。

さらにこの場合には安定化用パーマロイ素子は設けない
。

導体対３０ ’ｌ／３０２゜３０３／３０４は格子の主
方向（マトリックス軸線）の１つに平行に配置する。

本例では導体３０１と３０３との間の間隔を格子の４１
単位周期に等しくする。

導体３０１および３０３を電気的に直列に接続して、矢
印の方向或いは反対方向に正しく通電するようにする。

同様に、導体３０２／３０４を直列に接続する。

この場合導体の電流はドメイン格子を全体的に駆動させ
ることができ、安定性は前記反発力によって保証される
。

上記導体と６０°の角度を成して延在し、しかもドメイ
ンが通過できない「ダム」（せき）によって安定性をさ
らに向上させることができる。

斯様なダムは点線３０５に平行に設ける。

第２図に基ずく装置を導体３０１・・・・・・に平行に
配置することによって情報を遂次抽出することができ、
この場合にはダムを局部的に中断させる。

本発明によれば、導体３０１゜・・・・・・を珪素平板
の上に設けて熱移動を改善することができる。

ダムは磁性材料平板の上に設けることができる。

この場合には座標系の一方向に対して正確な位置決めを
行なう必要があるだけである。

□従って本発明によれば、回転磁界発生用手段（コイル
）、または電流アクセスの場合の蛇行導体、或いは二次
元ドメインパターンを駆動する手段の何れをも、少なく
とも部分的に珪素平板上に配置される電流導体の形状と
する。

第５図は特にフィールドアクセスの場合の本発明による
装置の２つの断面図を示す。

この装置は補強用として作用する基板１を具えている。

この基板は例えば適当な多結晶材料から成るガリウム−
ガドリニウムガーネット状のものとする。

層１の厚さは例えば１ｍｍ程度とする。

層２は磁性材料とし、これにはバブル状のドメインを収
容させる。

この磁性材料は例えばドープしたイツトリウム−鉄ガー
ネット（Ｌａ、Ｇａ）のようなものとする。

この層の厚さは例えば５ミクロンとし、かつ多少円筒状
を成すドメインの断面とほぼ同程度の大きさとする。

素子３は例えば第１図につき述べたようなフェロ磁性素
子とする。

これらの素子３は例えばパーマロイで作り、しかもそれ
らの厚さは例えば１ミクロンとする。

また各素子の最小細部はドメインの断面と同程度か、ま
たはそれよりも僅かに小さくする。

例えば第１図の■形素子の寸法は４×１２ミクロンとす
る。

このような素子はホトリゾクラライおよびエツチングま
たはＲＦ−スパッタリングにより形成することができる
。

第１図に４ＯＡで示すタイプの追加の導体は第５図には
図面の簡略化のために図示してない。

第５図の装置は層１にほぼ平行な珪素層８も具えている
。

珪素は比較的良好な熱伝導性を呈するものである。

次表は数種の基板材料に対する熱伝導率をＷ／ｍ’にで
示したものである。

従って珪素はガラスおよびエポキシを含む多くの他の材
料よりも良好な熱伝導体である。

上記表から明らかなように、エポキシの最大熱伝導率は
他の材料の熱伝導率よりも３〜１００倍小さい。

層８は集積回路の製造に用いられる技術によって製造さ
れる単結晶状のものとすることができる。

この層８の厚は例えば１７４ ｍｍとする。

層９は例えば珪素酸化物（Ｓｉｎ２）のような絶縁層と
する。

このような絶縁層の形成にも半導体製造技術に通常用い
られる技法を用いる。

斯種絶縁層の厚さは数１０分の１ミクロンとする。

層１は例えばアルミニウムのような細条状の導体から成
る層とする。

左側の断面図ではこれらの細条導体は図面の平面に平行
に延在している。

層６は陽極化したアルミニウムの絶縁層であり、これは
層９と同じ性質のものである。

層５は層７と類似の細条状の導体であり、左側の断面図
ではこれらの細条導体５は図面の平面に垂直に延在して
いる。

これら２組の導体を附勢することによって回転磁界を磁
性材料平板２の平面に発生させて、第１図に基ずく配置
のパーマロイ素子を動作させることができる。

層５の層８とは反対側を層６，９の如き絶縁層で覆うの
が有利の場合が屡々ある。

層３と５との間の距離４は一定とする。

この距離は既知の固定手段によって例えば２０ミクロン
の値に固定することができる。

半導体層の構造が異なる場合に、ドメインに対して電流
アクセスを用いる場合には（第７図にも示す）、斯る距
離４を例えば０．１〜０．３ミクロンの範囲内の短い値
に選定し得る。

この場合磁性材料の第１平板と珪素の第２平板とを粘着
性の物およびスパッタリングしたＳｉＯ２層によって有
利な方法で互いに固定して距離を限定することができる
。

熱伝導率の対照表から明らかなように、層８による熱移
動は電流導体を層２上に配置する場合よりも遥かに容易
である。

すなわち、珪素の熱伝導率はガリウム−ガドリニウムガ
ーネットのそれよりも１５倍も大きい。

他方、層８の背後での熱の移動は特定の熱伝達特性を呈
する。

熱伝導率と熱伝達係数との比によってこの観点で得られ
る改善度が決定する。

上述した構造では距離４を所望磁界の均一性に基すいて
選定する必要がある。

細条５間の間隔が１ミクロンであり、しかも各平板が平
担で磁界の均一性に対する如来が左程厳格でない場合に
は、距離４を例えば２ミクロンに短かくすることができ
る。

第５図の右側部分は装置の垂直方向の断面図であり、こ
れより導体層５および７の細条の変化配置を明確に見る
ことができる。

第６図は第５図から出発している本発明による装置の他
の断面図を示す。

この場合にはドメイン用の磁性材料層９６と補強基板層
９７との両側に珪素層９０および１０２をそれぞれ配置
し、各珪素層にはそれぞれ一対の導体細条組（９２，９
４；９８．１００）および絶縁中間層（９１，９３；９
９．１０１）を設ける。

導体細条９２および９８を附勢して、この図の中央個所
にてこれら導体細条の相互作用を高めると、この附勢に
より発生する磁界は２つの珪素平板間のギャップ状空所
にて実質上制限される。

従って導体細条組の自己誘導も小さくなるため、これら
の各導体細条を高周波で駆動させることができる。

これと同じことが他の方向に伸びている導体細条組につ
いても云える。

このような構造は銅板の間に導体とドメイン層を有する
１個の珪素平板を配置して、所謂フィールド−ミラーが
得られるようにして部分的に実現することができる。

しかしこのような装置は、例えば磁界にしばらくの間一
定の方向性を与える必要がある場合のような、低周波で
は動作しない。

或いはまた、各珪素平板９０．１０２によって１組の導
体（すなわち、例えばそれぞれ層９２および１００）の
みを支承して、これらの各導体によって１つの磁界成分
を発生させるようにすることもできる。

この場合にはフィールドミラーとして２つの銅板を追加
するのが好適である。

第６図の珪素板９０．１０２の相対的な位置決めは左程
厳密に行なう必要がない。

導体細条９４の上には選択パーマロイ素子９５を配置し
て、回転磁界の方向に関連して好適ドメイン位置が形成
されるようにする。

従ってこの図の中央領域は均一層のみを包含するため、
上記素子は多少任意の位置に配置することができ、従っ
て大きな公差で配置することができる。

所要に応じ横方向変位を得るために機械的な手段（図示
せず）を設けて、不所望な結晶欠陥が臨界的な位置に位
置しないようにすることもできる。

第１図に４ＯＡで示すような追加の電流導体は回転磁界
発生用導体として同様な方法で配置することができる。

さらに、基板９７の両側には磁気ドメインを収容するた
めの磁性材料層を設けることができる。

磁界の空間的均一性は必ずしも各時間毎に磁界が厳密に
一定となるるようにする必要はない。

第７図は前述したことに基ずく第２〜４図による電流ア
クセス用装置の断面図である。

この装置は珪素層１１０、絶縁層１１１、磁性材料層１
２０および補強用基板層１２１とを具えている。

珪素層には図面の平面と４個所で交差する蛇行導体を設
ける。

これらの蛇行導体の断面（１１２〜１１５）にはバッチ
を付して示しである。

さらにこの図の平面は４個のパーマロイ１（１１６〜１
１９）と交差する。

パーマロイ素子１１６，１１８の後方には蛇行導体を見
ることができる。

従って、蛇行導体の断面は磁気ドメイン用通路に沿って
伸びている。

この場合にも珪素平板を使用する点で、第５図につき述
べた利点があてはまる。

このような蛇行導体を用いる場合にも達成可能な最大ビ
ット周波数の限界に多少疑問はあるが、この場合の熱消
散も周波数のほぼ直線関係を呈する。

これがため、珪素を用いる際には高周波でのみ温度問題
が生ずる。

第４図に基ずく装置の断面図は第１図の例と同様な構造
を有するが、この場合にはフェロ磁性素子がない。

磁性材料層１２０とパーマロイ素子および電流導体のそ
れぞれとの間にはスペーサ層を設けることができ、この
層の厚さは例えば１／４ミクロンとすることができる。

第８図はフィールドアクセスの場合に用いる本発明によ
る電流導体の第１の配置例を示す。

接続部２０〜２３を交流電流源（図示せず）に接続する
ものとする。

図示の配置では電流導体を７本づつの２群に配置し、こ
れらをほぼ平行に、かつ矩形パターンに従って延在させ
る。

各組の導体の数はパターンの周期（本例では１．５周期
）に応じて７本以外の数とすることもできる。

７本の電流導体から成る各群を電気的に並列に接続する
。

しかしこれらの電流導体は別々にしたり、或いは直列に
接続することもできる。

電流導体は矩形パターンに従って配置するため何れも同
一長さを有する。

基本的にはこれらの電流導体は互いに等しい電流を搬送
し得るものとする。

しかし、成る電流導体を特定な寸法とすることによって
例えば各群の内の最外側の電流導体が他のものよりも高
い電流を搬送するようにすることもできる。

これは導体トラックの幅を増大させる、従って導体トラ
ックの厚さおよび各導体トラックの中心間の距離を一定
として隣接する導体細条間の間隔を短かくすることによ
って達成することができる。

このようにして点線で示す個所における磁界の均一性を
改善するこをができる。

これらの動作領域では磁界は導体層に沿い、かつこれら
導体層から適当な距離離間した個所で均一である。

２群の導体を例えば互いに９０°移相している正弦波状
に変化する電流で駆動すると、第１図による配置のパー
マロイ素子を附勢するために点線領域にはほぼ一定の回
転磁界が発生する。

この場合各領域２４，２６，３０゜３２における電流の
位相および磁界の回転方向は互いに符号する。

領域２８内での磁界の回転方向は同じであるが、位相は
１８０°偏移している。

領域２５，２７，２９，３１では磁界の回転方向は相対
的に同相で反対である。

磁気バブルを伴なう磁性材料平板は能動領域内に配置す
ることができる。

図示の例は、相対的に平行な１群の電流導体の幅を増大
させて磁界の均一性を改善するようにした例に過ぎず、
この場合には比較的大きな表面領域が用いられる。

この導体が占める割合は全表面の約１００％にも達する
。

能動領域２４〜３２間では２つの磁界成分の内の少なく
とも一方に対して方向反転が生ずる。

第９図は各々が接続部１３０〜１３３を具える矩形状の
螺旋を構成する電流導体（１３４，１３５）の第２の配
置例を示す。

二重層配線を用いる際には、点線にて示す接続部をｒｆ
ｌｌＪの」の層で構成する。

能動領域１３６〜１３９内における外部磁界は十分に均
一である。

各領域対１３６，１３９と１３７゜１３８とに対する磁
界の回転方向はそれぞれ同じであるが、各対毎位相は１
８０°偏移している。

この場合には表面領域の相対利用度も改善されるが、そ
の改善度は約４０％に過ぎない。

第１０図は電流側−でドメインを発生させる素子を示し
、この素子はすべてパーマロイで形成する。

またこの素子はドメインをフィールドアクセスで駆動す
るのに好適である。

磁界の回転方向は反時計方向とする。

親のドメインは絶えずソース素子３０８の上に存在する
。

この親ドメインは直列接続の素子３０６，３０８，３０
７が電流パルスを受信する際に回転磁界の各周期毎に分
割することができる。

このようにして分割されたドメインはソース素子から放
出される。

このようなドメイン発生素子は前述したように、熱が移
動し易い珪素平板の土に配置することができる。

ドメイン用スイッチング素子は同様な技術で珪素平板上
に設けることができる。

電流制御スイッチング素子は「インターマグ７７協議会
」のために発行されたＭ、 Ｓ 、Ｃｏｈｅｎ他１名著
による「Ｙバースイッチ」による文献から特に既知であ
る。

第１１図は磁気的に動作するドメイン検出素子を示す。

符号３１０にて示す個所にて上記検出素子の入力端子を
ＴおよびＩ素子から成る通路に接続する。

到来するドメインは連続シェブロン細条に沿って伸びて
おり、このドメインは究局的には相互接続されるシェブ
ロン通路３１１の電気抵抗に影響を及ぼす。

最後にドメインは分割され、並列接続の消去装置の付近
３１２にて破壊される。

好適には斯る検出素子も珪素平板の上に設けることがで
きる。

この場合検出素子に流れる電流によって発生される熱は
上記珪素平板にて容易に奪われる。

第１２図は磁気ドメイン用破壊素子を示す。

反時計方向の回転磁界によって駆動されるドメインは素
子３１３に到達して、順次パーマロイ素子３１３〜３１
７を通過する。

直列接続の素子３１８−３１５−３１９が素子３１４と
３１５との間の転換部にて電流パルスによって附勢され
る場合にドメインは破壊される。

このようにして情報を連続したドメインの流れに選択的
に与えることができる。

第１２図の装置全体はパーマロイで形成でき、しかも珪
素平板の上に設けて、発生する熱を容易に奪うことがで
きる。

第１３図は電流パルス発生用、例えば回転磁界発生用の
巻線組の１つを附勢する回路であり、この回路は特に本
願人の出願に係る特願昭５０−１２６３１号から既知で
ある。

他方、斯種回路またはその簡略回路を用いて蛇行導体ま
たはループを附勢し、これら導体またはループがドメイ
ン発生器（第１図）、ドメイン消去装置およびスイッチ
ング素子の動作を助けるようにすることもできる。

或いはまた別の回路を用いて上述したようにすることも
できる。

電流パルス発生用の上述した回路は、既知の方法でこの
回路によって制御される導体と一緒に珪素基板上に部分
的または全体的に集積化することができるが、これにつ
いての詳細な説明はこ−では省略する。

第１３図の回路は直流源ＰＯＷ２、制御装置ＣＴＲ２，
４個のトランジスタＴ２０ 、Ｔ２１ 、Ｔ２２ 、Ｔ
２３、附勢すべき導体または導体組としてのコイルＬ２
０、コンデンサＣ２０，４個のダイオードＤ２０゜Ｄ２
１．Ｄ２２．Ｄ２３および３個の抵抗Ｒ２０，Ｒ２１゜
Ｒ２２を具えている。

先ずトランジスタＴ２２は連続的にカットオフされるも
のとする。

トランジスタＴ２３のベース電流（ＣＴＲ２へ）はこの
トランジストＴ２３を導通状態に駆動するため、内部抵
抗が高い電流源が形成される。

つぎにトランジスタＴ２３が制御装置ＣＴＲ２からの制
御信号によってターン・オフされると、コイルＬ２０に
流れる電流が余弦関数で、最初はゆっくり、次第に早く
低下する。

つぎに、コイルのエネルギーはコンデンサＣ２０に蓄積
され、このコンデンサ間の電圧の極性が変化し、しかも
斯る電圧は定常状態におけるよりも十分高くなる。

ダイオードＤ２３はオンしたままであるが、ダイオード
Ｄ２２はターンオフされる。

しかしトランジスタＴ２３はカット・オフされたままで
ある。

２／４周期でコイル電流は反転する。

コイルＬ２０とコンデンサＣ２０とから成る同調回路の
損失がごく僅かの場合には、この同調回路はその元の絶
対値をほぼ呈する。

すなわち、コンデンサＣ２０の電圧はこの場合実際には
消失してしまう。

３／４周期で電流値は再び低下し、コンデンサ間の電圧
は増大するが、この電圧は定常状態の場合と同じ極性を
呈する。

しかしこの場合にはダイカードＤ２３がカット・オフさ
れる。

４／４周期でコイル電流は再び増大し、はぼ元の大きさ
に達し、その極性も元の極性となる。

第２半周期の間（ダイオードＤ２３はカット・オフされ
る）にトランジスタＴ２３を別の制御信号電流によって
再びターン・オンさせることができる。

ついでコンデンサＣ２０間の電圧がその元の極性に戻る
場合には、トランジスタＴ２３を流れる電流を同調回路
で振動電流に重畳させることができる。

これがため、２個のダイオードＤ２２．Ｄ２３をターン
・オンさせて、抵抗Ｒ２０が並列同調回路の一部を成す
ようにすることができる。

斯る抵抗Ｒ２０の値をＲ２０＝−√Ｌ２０／Ｃ２０とす
ると、同調回路は臨界的に減衰して、１周期後には減衰
作用が起らなくなる。

これがため、つぎの周期を第１周期の後すぐに開始させ
ることができ、この場合にも電流レベルは依然として可
制御電流源回路によって命令する。

損失が低い場合にはトランジスタＴ２３が第４半サイク
ルまで再びターン・オンされないので同調回路も例えば
２周期の開動作し得る。

トランジスタＴ２３が再びターン・オンされる各瞬時の
公差は同調回路の固有周波数の約１ｈ周期である。

装置が長時間にわたり休止状態にあると、コイルＬ２０
の電流は制御電流の変化により減衰されたり、または完
全にカット・オフされる。

双方向性回路はトランジスタＴ２３を絶えずカット・オ
フし、かつ同調回路の固有周波数の半周期と完全な１周
期との間の時間の開缶にトランジスタＴ２１をターン・
オンさせても動作させることができる。

さらに、トランジスタＴ２３を最初導通させて、トラン
ジスタＴ２１をカット・オフさせることもできる。

この場合トランジスタＴ２３も第１制御信号電流によっ
てターン・オフされるため、振動電流の最初の半周期が
開始される。

トランジスタＴ２１が半周期以内に第２制御信号電流に
よってターン・オンされる場合には僅か半周期だけ動作
する。

すなわち、トランジスタＴ２１は導通し続ける。

第１および第２制御電流信号は同時に発生させることが
できる。

第８〜９図の双方の導体組に斯種発生器を設けることに
よって回転磁界を回転させたり、または特定な方向に維
持したりすることができる。

第１４図は本発明によるドメイン装置に関連して用いら
れる情報処理装置の一部分を示す。

第１図によるパーマロイ素子の配置ではドメインを第１
１図によるシェブロン形の検出器に適用する。

斯種検出器の内の２個を第１４図に２００、２０１にて
それぞれ示しである。

これらの検出器を本願人の出願に係る特願昭５２−１０
８０２２号に記載しであるように配置して、回転磁界に
よって上記導体内に発生する妨害現象を補償するように
する。

トランジスタ２０３．２０４は単位利得を呈する増幅器
を構成する。

このような増幅器を複数個並列に接続して、同等数のド
メイン検出器からの信号を受信するようにする。

これら増幅器の内の１個をデコーダ２０１、抵抗２０６
（２０００オーム）およびトランジスタ２０５を介し
て入力端子２０８における信号（例えば２連符号）によ
って選択する。

増幅器は他にダイオード２０９、トランジスタ２１Ｄ、
２１１および抵抗２１２（４４００オーム）を具えてい
る。

上記複数個の増幅器は抵抗２１３（３８００オーム）お
よび共通のトランジスタ２１４，２１５も具えている。

端子２１６には例えば６．２５ボルトの電圧を供給し、
抵抗２１７（１５００オーム）と２１８（ｉｏｏｏオー
ム）とを介して増幅器に対する所謂「二重基準電圧」を
取出し、この図に示すトランジスタ２０４のベースに供
給する。

ドメイン検出器２００と２０１との間の中央口出しタッ
プ２１９をトランジスタ２２０のベース電極に接続する
。

このようなトランジスタは存在する増幅器２０３／２０
４の数と同数倍設けるが、図面には示してない。

該当するトランジスタの選択は本来検出信号そのものに
よって行なわれる。

この場合にもトランジスタ２２０およびトランジスタ２
２１（このトランジスタもすべてのトランジスタ２２０
に共通である）をロングーテールドペア配置として接続
する。

抵抗２２２（４０００オーム）および抵抗２２３（１０
００オーム）によってトランジスタ２２１のベース電極
が所謂「単一基準電圧」を搬送するようにする。

コンデンサ２２４は追加のトランジスタ２２０のコレク
ターベース容量に対して上記ロングーテールドペア配置
を平衡するように作用する。

この最後に述べたトランジスタ対は２個の抵抗２２５，
２２６（約２８６６オーム）と、抵抗２２７（２３００
オーム）と、ダイオード２２８と、トランジスタ２２９
，２３０と、抵抗２３１．２３２（各々３６オーム）と
によってバイアスする。

第２のロング・テールドペア配置のトランジスタ対の出
力信号はそれぞれ端子２３３および２３４に現われ、こ
れらの出力信号をトランジスタ２３５，２３６，２３７
，２３８゜２３９および抵抗２４０（４２００オーム）
によって上記端子に供給する。

トランジスタ対２０３／２０４と２２０／２２１との間
には抵抗２４１（２７００オーム）によって帰還をかけ
る。

この回路によって共通モードの除去を行ない、さらに５
倍の利得を実現することができる。

デコーダ２０７の入力信号は出力信号の処理を伴ない、
この入力信号は例えば前景メモリ用のアクセス信号とし
て作用させることもでき、斯るメモリも珪素平板の上に
集積化させることができ、またドメインメモリは背景メ
モリとして作用する。

デコーダおよび他の装置（図示せず）も集積化すること
ができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は磁気ドメイン駆動回路の第１例を示す構成図、
第２図は同じくその第２例を示す構成図、第３図は同じ
く第３例を示す構成図、第４図は第４例を示す構成図、
第５図は本発明による磁気ドメイン装置の一例を示す２
つの断面図、第６図は同じく本発明磁気ドメイン装置の
他の例を示す断面図、第７図は同じくさらに他の例を示
す断面図、第８図は本発明による電流導体の第１配列例
を示す線図、第９図は同じくその変形例を示す線図、第
１０図はドメイン発生素子の一例を示す構成図、第１１
図はドメイン検出素子の一例を示す構成図、第１２図は
ドメイン破壊素子の一例を示す構成図、第１３図は電流
パルス発生器の一例を示す回路図、第１４図はドメイン
情報処理装置の一例を示す回路図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・磁性材料層、３・
・・・・・パーマロイ素子、５，７・・・・・・細条導
体、６，９・・・・・・絶縁層、８・・・・・・珪素層
、２０〜２３・・・・・・接続部、２４〜３２・・・・
・・能動領域、４０・・・・・・ソース素子、４０Ａ・
・・・・・電流ループ、４１〜４５．４６〜５３．５５
〜６８・・・・・・パーマロイ素子、５４，６９・・・
・・・ドメイン破壊素子、８０・・・・・・電流導体、
８１〜８５・・・・・・パーマロイ素子、８６．８７・
・・・・・バブルドメイン、９０・・・・・・珪素平板
、９１，９３・・・・・・絶縁層、９２．９４・・・・
・・導体細条、９５・・・・・・パーマロイ素子、９６
，９９，１０１・・・・・・磁性材料層、９７・・・・
・・補強基板、９８，１００・・・・・・導体細条、１
０２・・・・・・珪素平板、１１０・・・・・・珪素層
、１１１・・・・・・絶縁層、１１２〜１１５・・・・
・・蛇行導体、１１６〜１１９・・・・・・パーマロイ
素子、１２０・・・・・・磁性材料層、１２１・・・・
・・補強基板層、１３０〜１３３・・・・・・接続部、
１３４，１３５・・・・・・電流導体、１３６〜１３９
・・・・・・能動領域、１５０〜１５３・・・・・・ド
メイン、１５４・・・・・・蛇行ループ、２００，２０
１・・・・・・ドメイン検出器、２０３，２０４・・・
・・・トランジスタ（増幅器）、２０５，２１０，２１
１．２１４゜２１５．２２０，２２１．２２９，２３０
，２３６゜２３７．２３８．２３９・・・・・・トラン
ジスタ、２０６・・・・・・抵抗、２０７・・・・・・
デコーダ、２０８・・・・・・入力端子、２０９．２２
８・・・・・・ダイオード、２１２゜２１３．２１７，
２１８，２２２，２２３，２２５゜２２６．２２７．２
３１．２３２．２４０．２４１゜・・・・・・抵抗、２
１６・・・・・・電圧供給端子、２２４・・・・・・コ
ンデンサ、２３３，２３４・・・・・・出力端子、３０
１〜３０４・・・・・・４体、３０６，３０７・・・・
・・パーマロイ素子、３０８・・・・・・ソース素子、
３１０・・・・・・ドメイン検出素子の入力部、３１１
・・・・・・シェブロン通路、３１２・・・・・・ドメ
イン消去部、３１３〜３１９・・・・・・パーマロイ素
子、ＰＯＷ２・・・・・・直流源、ＣＴＲ２・・・・・
・制御装置、Ｔ２０〜Ｔ２３・・・・・・トランジスタ
、Ｌ２０・・・・・・コイル、Ｃ２０・・・・・・コン
デンサ、Ｄ２０〜Ｄ２３・・・・・・ダイオード、Ｒ２
０〜Ｒ２２・・・・・・抵抗。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 磁性材料製の平板と： 該平板内に磁気ドメインを維持させるために該平板を垂
   直に横切って延在する磁界を発生せしめる手段と； 成る電流の制御下では前記磁性平板中に前記磁気ドメイ
   ンに対する多数の好適位置を同時に形成せしめ、かつ一
   連の電流の制御下では前記ドメインに対する好適位置を
   順次連続して形成して、ドメイン通路を決定すべく前記
   電流をそれぞれ流す少なくとも１個の電流導体と； 前記磁性平板に対して少なくともほぼ平行に配置した珪
   素平板と： 該珪素平板を少なくとも部分的に覆う絶縁層：とを具え
   、前記電流導体の少なくとも一部分を前記絶縁層に構造
   的に結合させて、前記導体を流れる前記電流によって発
   生される熱を前記珪素平板への伝熱、即ち熱伝導によっ
   て奪うようにし；前記絶縁層ＳｉＯ２をもって構成し、
   ； 前記電流導体の前記部分を十分に蛇行している区分で構
   成し、この蛇行導体区分に流れる電流によって交番蛇行
   ループのバイアス磁界を増幅したり、減衰させたりして
   、少なくとも部分的に前記蛇行状電流導体に沿って延在
   している通路に沿い前記磁性ドメインを駆動させるよう
   に構成したことを特徴とする磁気ドメイン装置。 ２ 磁性材料製の平板と： 該平板内に磁気ドメインを維持させるために該平板を垂
   直に横切って延在する磁界を発生せしめる手段と； 成る電流の制御下では前記磁性平板中に前記磁気ドメイ
   ンに対する多数の好適位置を同時に形成せしめ、かつ一
   連の電流の制御下では前記ドメインに対する好適位置を
   順次連続して形成して、ドメイン通路を決定すべく前記
   電流をそれぞれ流す少なくとも１個の電流導体と； 前記磁性平板に対して少なくともほぼ平行に配置した珪
   素平板と： 該珪素平板を少なくとも部分的に覆う絶縁層；とを具え
   、前記電流導体の少なくとも一部分を前記絶縁層に構造
   的に結合させて、前記導体を流れる前記電流によって発
   生される熱を前記珪素平板への伝熱、即ち熱伝導によっ
   て奪うようにし；前記絶縁層をＳｉＯ２をもって構成し
   ： 前記珪素平板に二次元領域を含ませ、該二次元領域内に
   互いに少なくともほぼ平行で、かつ絶縁層に構造的に結
   合される多数の電流導体を配置し、これらの電流導体内
   に共存する同一方向の電流によって前記磁性材料製平板
   に対して少なくともほぼ平行な方位を有するほぼ均一の
   磁界を前記二次元領域の個所における前記磁性平板内に
   発生させるように構成したことを特徴とする磁気ドメイ
   ン装置。