JPS58102583A - 検波形レ−ザ・ダイオ−ド消光比制御回路 - Google Patents
検波形レ−ザ・ダイオ−ド消光比制御回路Info
- Publication number
- JPS58102583A JPS58102583A JP20083181A JP20083181A JPS58102583A JP S58102583 A JPS58102583 A JP S58102583A JP 20083181 A JP20083181 A JP 20083181A JP 20083181 A JP20083181 A JP 20083181A JP S58102583 A JPS58102583 A JP S58102583A
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- laser diode
- pass filter
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
- H01S5/06835—Stabilising during pulse modulation or generation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
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- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明は光出力の安定性と光電変換されたパルス出力の
安定性を同時に有する、レーザ・ダイオード消光比制御
回路に関するものである。
安定性を同時に有する、レーザ・ダイオード消光比制御
回路に関するものである。
（背景技術）
従来のレーザ・ダイオード光出力制御回路の系統図を第
１図に示す。第１図においてＬＤＭはし−ザ・ダイオー
ド・マウント、ＬＤはレーザ・ダイオード、ＰＤはフォ
ト・ダイオード、Ｃはコンデンサ、ＡはＰＤの電気出力
を増幅する増幅回路、ＡｂはＡの出力と可変抵抗器ＲＶ
より与えられる基準電位とを比較増幅する回路、ＣＣｂ
はＡｂの出力電圧に比例したバイアス電流なレーザ・ダ
イオードＬ Ｉ）に供給する定電流回路、ＣＣ，は高速
スイッチング回路ＳＷを経由してレーザ・ダイオードＬ
ｌ）にパルス電流Ｉ、を供給する定電流回路、ＯＰ
Ｔ’ 。
１図に示す。第１図においてＬＤＭはし−ザ・ダイオー
ド・マウント、ＬＤはレーザ・ダイオード、ＰＤはフォ
ト・ダイオード、Ｃはコンデンサ、ＡはＰＤの電気出力
を増幅する増幅回路、ＡｂはＡの出力と可変抵抗器ＲＶ
より与えられる基準電位とを比較増幅する回路、ＣＣｂ
はＡｂの出力電圧に比例したバイアス電流なレーザ・ダ
イオードＬ Ｉ）に供給する定電流回路、ＣＣ，は高速
スイッチング回路ＳＷを経由してレーザ・ダイオードＬ
ｌ）にパルス電流Ｉ、を供給する定電流回路、ＯＰ
Ｔ’ 。
ＯＵ Ｔは光出力、Ｓｉｎは変調入力、 Ｅは電源の如
く構成されており、第２図はその動作説明図である。
く構成されており、第２図はその動作説明図である。
第２図においてＰは光出力、■はレーザ・ダイオード電
流（ＩＢ十Ｉ、）、１”ｌ、Ｔ２はレーザ・ダイオード
の温度、ＩＢＩは温度Ｔ１におけるレーザ・ダイオード
ＬＤのバイアス電流、ＩＢ２は温度Ｔ２におけるレーザ
・ダイオードＬＤのバイアス電流、都は変調入力（Ｓｉ
、）にしたがって高速スイッチング回路で０Ｎ１０１”
Ｆされるパルス電流、Ｐａｖｅは平均光出力、Ｐｌｍａ
Ｘは温度Ｔ１における最大光出力、Ｐｌｍｉｎは温度Ｔ
１における最小光出力、Ｐ２ｎｌａＸ は温度Ｔ”２に
おける最大光出力、Ｐ２ｍｌｏは温度Ｔ２における最小
光出力で、レーザ・ダイオードＬ Ｄの温度が変化して
も平均出力Ｐａｖｅが常に一定になるようにフォト・ダ
イオードＰＤ、増幅回路Ａ、比較増幅回路Ａｂ１定電流
回路ＣＣｂで構成される光出力制御ループが動作する。
流（ＩＢ十Ｉ、）、１”ｌ、Ｔ２はレーザ・ダイオード
の温度、ＩＢＩは温度Ｔ１におけるレーザ・ダイオード
ＬＤのバイアス電流、ＩＢ２は温度Ｔ２におけるレーザ
・ダイオードＬＤのバイアス電流、都は変調入力（Ｓｉ
、）にしたがって高速スイッチング回路で０Ｎ１０１”
Ｆされるパルス電流、Ｐａｖｅは平均光出力、Ｐｌｍａ
Ｘは温度Ｔ１における最大光出力、Ｐｌｍｉｎは温度Ｔ
１における最小光出力、Ｐ２ｎｌａＸ は温度Ｔ”２に
おける最大光出力、Ｐ２ｍｌｏは温度Ｔ２における最小
光出力で、レーザ・ダイオードＬ Ｄの温度が変化して
も平均出力Ｐａｖｅが常に一定になるようにフォト・ダ
イオードＰＤ、増幅回路Ａ、比較増幅回路Ａｂ１定電流
回路ＣＣｂで構成される光出力制御ループが動作する。
第２図に示したレーザ・ダイオードのレーザ・ダイオー
ド電流Ｉ対光出力Ｐの変化は温度に対して平行移動して
いる場合であるが、第３図に示すようなレーザ・ダイオ
ード電流■対光出力Ｐの変化が温度に対して平行移動し
ない特性を持ったレーザ・ダイオードの場合には温度が
変動しても平均光出力 化しないが光電変換されたパルス成分は温度が高くなる
と小さくなる。（Ｐ１ｍａｘ７Ｐ１ｍ１ｏ＞Ｐ２ｍａｘ
−Ｐ２ｍｌｎ）従ってレーザ・ダイオードのパルス電流
Ｉ、を一定とし、直流バイアス電流Ｉｂを変化させる方
式の光出力制御回路においてはレーザ・ダイオード電流
１対光出力Ｐの変化が温度に対して平行移動しない場合
には光電変換されたパルス出力が温度に対して変化する
（消光比が変化する）欠点があった。
ド電流Ｉ対光出力Ｐの変化は温度に対して平行移動して
いる場合であるが、第３図に示すようなレーザ・ダイオ
ード電流■対光出力Ｐの変化が温度に対して平行移動し
ない特性を持ったレーザ・ダイオードの場合には温度が
変動しても平均光出力 化しないが光電変換されたパルス成分は温度が高くなる
と小さくなる。（Ｐ１ｍａｘ７Ｐ１ｍ１ｏ＞Ｐ２ｍａｘ
−Ｐ２ｍｌｎ）従ってレーザ・ダイオードのパルス電流
Ｉ、を一定とし、直流バイアス電流Ｉｂを変化させる方
式の光出力制御回路においてはレーザ・ダイオード電流
１対光出力Ｐの変化が温度に対して平行移動しない場合
には光電変換されたパルス出力が温度に対して変化する
（消光比が変化する）欠点があった。
（発明の課題）
本発明はレニザ・ダイオードの直流バイアス（Ｉｂ）お
よびパルス電流（Ｉｐ）の振幅を変化させることを特徴
とし、その目的は光出力および光電変換されたパルス出
力の振幅が変動しない（消光比が変化しない）ようにす
ることであり以下詳細に説明する。
よびパルス電流（Ｉｐ）の振幅を変化させることを特徴
とし、その目的は光出力および光電変換されたパルス出
力の振幅が変動しない（消光比が変化しない）ようにす
ることであり以下詳細に説明する。
（発明の構成及び作用）
第４図は本発明の実施例の系統図であって、ＬＤＭはレ
ーザ・ダイオード・マウント、ＬＤはレーザ・ダイオー
ド、Ｉ） Ｄはフォト・ダイオード、Ａはフォト・ダイ
オードＰＤの電気出力を増幅する回路、Ｌ Ｐ Ｆ １
は光電変換出力の平均値を検出するローパス・フィルタ
、ＨＰ ）”は光電変化出力より信号成分を抜き出すバ
イパス・フィルター、１）ＢＴはバイパス・フィルター
出力を直流に変換する検波器、ＬＰＦ２は検波器出力を
平滑するローパス・フィルタ、ＲＶｂは基準電位■ｂを
発生する可変抵抗器、ＲＶ、は基準電位■、を発生する
可変抵抗器、Ａｂはローパス・フィルタＬＰＦＩ出力・
と基準電位Ｖｂとを比較増幅する比較増幅回路、Ａ、は
ローパス・フィルタＬＰＦ２出力と基準電位Ｖ、とを比
較増幅する比較増幅回路、ＣＣｂは比較増幅回路Ａｂの
出力に比例したバイアス電流■ｂをレーザ・ダイオード
ＬＤに供給する定電流回路、ＣＣ０は比較増幅回路Ａ、
の出力に比例した振幅のパルス電流Ｉ。
ーザ・ダイオード・マウント、ＬＤはレーザ・ダイオー
ド、Ｉ） Ｄはフォト・ダイオード、Ａはフォト・ダイ
オードＰＤの電気出力を増幅する回路、Ｌ Ｐ Ｆ １
は光電変換出力の平均値を検出するローパス・フィルタ
、ＨＰ ）”は光電変化出力より信号成分を抜き出すバ
イパス・フィルター、１）ＢＴはバイパス・フィルター
出力を直流に変換する検波器、ＬＰＦ２は検波器出力を
平滑するローパス・フィルタ、ＲＶｂは基準電位■ｂを
発生する可変抵抗器、ＲＶ、は基準電位■、を発生する
可変抵抗器、Ａｂはローパス・フィルタＬＰＦＩ出力・
と基準電位Ｖｂとを比較増幅する比較増幅回路、Ａ、は
ローパス・フィルタＬＰＦ２出力と基準電位Ｖ、とを比
較増幅する比較増幅回路、ＣＣｂは比較増幅回路Ａｂの
出力に比例したバイアス電流■ｂをレーザ・ダイオード
ＬＤに供給する定電流回路、ＣＣ０は比較増幅回路Ａ、
の出力に比例した振幅のパルス電流Ｉ。
を（高速スイッチング回路ＳＷ経由で）レーザ・ダイオ
ードＬＤに供給する定電流回路、ＳＷは変調入力（ｓｉ
ｎ）を受けて定電流回路ＣＣ９より供給される電流■、
を０Ｎ１０ＦＦしてレーザ・ダイオードＬＤに供給する
高速スイッチング回路、ＳＩｏは変調入力、ＯＰＴ 、
ＯＵＴは光出力、−Ｅは電源である。
ードＬＤに供給する定電流回路、ＳＷは変調入力（ｓｉ
ｎ）を受けて定電流回路ＣＣ９より供給される電流■、
を０Ｎ１０ＦＦしてレーザ・ダイオードＬＤに供給する
高速スイッチング回路、ＳＩｏは変調入力、ＯＰＴ 、
ＯＵＴは光出力、−Ｅは電源である。
第５図は第４図の動作説明図で、Ｐは光出力、■はレー
ザ・ダイオード電流（Ｉｂ十Ｉ ｐ ）、ＴＩ、Ｔ２は
レーザ・ダイオードの温度（Ｔ２）ＴＩ）、Ｉｂ１は温
度Ｔ１におけるバイアス電流、Ｉｂｚは温度Ｔ２におけ
るバイアス電流、■、１は温度Ｔ１におけるパルス電流
、■、２は温度Ｔ２におけるパルス電流、Ｐａｖｅは平
均光出力、ＰｌｍａＸは温度Ｔ１における最大光出力、
’２ｍａＸは温度Ｔ２における最大光出力、Ｐｌｍｉｎ
は温度柱 Ｔ１における最小光出力、Ｐｚｍｉｎ温度Ｔ２における
最小光出力である。温度が変動しても最大光出力および
最小光出力が変動せず（消光比が変化せず）、平均光出
力も光電変換されたパルス出力も変化しないことが示さ
れている。
ザ・ダイオード電流（Ｉｂ十Ｉ ｐ ）、ＴＩ、Ｔ２は
レーザ・ダイオードの温度（Ｔ２）ＴＩ）、Ｉｂ１は温
度Ｔ１におけるバイアス電流、Ｉｂｚは温度Ｔ２におけ
るバイアス電流、■、１は温度Ｔ１におけるパルス電流
、■、２は温度Ｔ２におけるパルス電流、Ｐａｖｅは平
均光出力、ＰｌｍａＸは温度Ｔ１における最大光出力、
’２ｍａＸは温度Ｔ２における最大光出力、Ｐｌｍｉｎ
は温度柱 Ｔ１における最小光出力、Ｐｚｍｉｎ温度Ｔ２における
最小光出力である。温度が変動しても最大光出力および
最小光出力が変動せず（消光比が変化せず）、平均光出
力も光電変換されたパルス出力も変化しないことが示さ
れている。
これはフォト・ダイオードＰＤ、増幅回路Ａ１バイパス
・フィルタトＩＰＦ、検波器ＤＢＴ、ローパス・フィル
タＬＰＦ２、比較増幅回路Ａｐ、定電流回路ＣＣ１、高
速スイッチング回路ＳＷで構成される光制御回路により
光電変換されたパルス出力が安定化され、フォト・ダイ
オードＰＤ、増幅回路Ａ１０−バス・フィルタＬＰＦ１
、比較増幅回路部、定電流回路ＣＣｂで構成される光制
御回路により平均光出力が安定化されているからである
。
・フィルタトＩＰＦ、検波器ＤＢＴ、ローパス・フィル
タＬＰＦ２、比較増幅回路Ａｐ、定電流回路ＣＣ１、高
速スイッチング回路ＳＷで構成される光制御回路により
光電変換されたパルス出力が安定化され、フォト・ダイ
オードＰＤ、増幅回路Ａ１０−バス・フィルタＬＰＦ１
、比較増幅回路部、定電流回路ＣＣｂで構成される光制
御回路により平均光出力が安定化されているからである
。
第４図の各部を具体的に示すと第６図になる。
増幅器Ａは抵抗Ｒ１と演算増幅器で構成される。
ローパス・フィルタＬＰＦ１は抵抗ＲＩＯとコンデンサ
Ｃ３で構成される。比較増幅回路Ａｂは抵抗Ｒ２，）（
，３および演算増幅器Ａ２で構成される。／％イバス・
フィルタＨＰＦはコンデンサＣ４と抵抗Ｒ，１１で構成
される。検波器ＤＥＴはダイオード１）で構成される。
Ｃ３で構成される。比較増幅回路Ａｂは抵抗Ｒ２，）（
，３および演算増幅器Ａ２で構成される。／％イバス・
フィルタＨＰＦはコンデンサＣ４と抵抗Ｒ，１１で構成
される。検波器ＤＥＴはダイオード１）で構成される。
ローパス・フィルタＬＰＦ２はＣ５で構成されろ。
比較増幅回路Ａ、は抵抗Ｒ４、Ｒ５および演算増幅器Ａ
３で構成される。定電流回路ＣＣｂは演算増幅器Ａ４、
トランジスタＴＲＩおよび抵抗Ｒ６で構成される。
３で構成される。定電流回路ＣＣｂは演算増幅器Ａ４、
トランジスタＴＲＩおよび抵抗Ｒ６で構成される。
定電流回路ＣＣ９は演算増幅器Ａ５、トランジスタＴＲ
４および抵抗Ｒ７で構成される。高速スイッチング回路
ｓｗはトランジスタＴＲ２、ＴＲ３、インバータＩＮＶ
、 抵抗Ｒ８，Ｒ９、：２７テ７すＣ１、Ｃ２オｊびバ
イアス電源−Ｅｂで構成され、変調人力Ｓｉｎのパルス
が正極性の時にＴＲ２はＯＮ、ＴＲ３はＯＦＦ、負極性
の時にＴＲ２はＯＦＦ、ＴＲ３はＯＮとなり定電流回路
ＣＣ９より供給される電流をＴＲ２に電流したり、ＴＲ
３に流したりする。すなわち変調入力信号Ｓｉｎによっ
て制御されるパルス電流Ｉ、をレーザ・ダイオードＬＤ
に供給する。
４および抵抗Ｒ７で構成される。高速スイッチング回路
ｓｗはトランジスタＴＲ２、ＴＲ３、インバータＩＮＶ
、 抵抗Ｒ８，Ｒ９、：２７テ７すＣ１、Ｃ２オｊびバ
イアス電源−Ｅｂで構成され、変調人力Ｓｉｎのパルス
が正極性の時にＴＲ２はＯＮ、ＴＲ３はＯＦＦ、負極性
の時にＴＲ２はＯＦＦ、ＴＲ３はＯＮとなり定電流回路
ＣＣ９より供給される電流をＴＲ２に電流したり、ＴＲ
３に流したりする。すなわち変調入力信号Ｓｉｎによっ
て制御されるパルス電流Ｉ、をレーザ・ダイオードＬＤ
に供給する。
（発明の効果）
以上説明したように光電変換出力を一定にするように動
作する光出力制御ループと平均光出力を一定にするよう
に動作する光制御ループを有しているのでレーザ・ダイ
オードの消光比を一定にでき、光出力の安定化と光電変
換されたパルス出力の振幅の安定化を同時に行うことが
できる利点がある。本発明は温度対光出力の安定性の他
に温度対光電変換されたパルス振幅の安定性が良い（消
光比が変動しない）利点があり、光伝送装置のレーザ・
ダイオード駆動回路に利用することができる。
作する光出力制御ループと平均光出力を一定にするよう
に動作する光制御ループを有しているのでレーザ・ダイ
オードの消光比を一定にでき、光出力の安定化と光電変
換されたパルス出力の振幅の安定化を同時に行うことが
できる利点がある。本発明は温度対光出力の安定性の他
に温度対光電変換されたパルス振幅の安定性が良い（消
光比が変動しない）利点があり、光伝送装置のレーザ・
ダイオード駆動回路に利用することができる。
第１図は従来のレーザ・ダイオード光出力制御回路の系
統図、第２図および第３図は第１図の動作説明図、第４
図は本発明の実施例の系統図、第５図は第４図の動作説
明図、第６図は第４図の具体的な回路図である。 Ｌ Ｄ Ｍ・・・レーザ・ダイオード・マウント、■□
Ｉ）・・・レーザ・ダイオード、 １） Ｄ・・・フォト・ダイオード、 ＯＰＴ、ＯＵＴ・・・光出力、 Ｉｂ＋ Ｉｂｘ ＋ Ｉｂ２・・・バイアス電流、Ｉ、
、Ｉｐｌ、Ｉｐ２・・・パルス電流、Ａ・・・光電変換
出力増幅回路、 Ａｂ、Ａｐ・・・比較増幅回路、ＣＣｂ、 ＣＣ，・・
・定電流回路、ＳＷ・・・高速スイッチング回路、 ＬＰＦＩ、ＬＰＦ２・・・ローパス・フィルタ、ＨＰＦ
・・・バイパス・フィルタ、ＤＥＴ・・・検波器、Ｓｉ
ｎ・・・変調信号入力、−Ｂ、 −Ｅｂ・・・電 源、
Ｐ・・・光出力、Ｐｌｍａｘ、Ｐ２ｍａｘ・・・最大光
出力、Ｐ１ｍｉｎ＋Ｐ２ｍｉｎ・・・最小光出力、Ｐａ
ｖｅ・・・平均光出力、ＴＩ、Ｔ２・・・レーザ・ダイ
オードの温度、■・・・レーザ・ダイオード電流（Ｉ
ｂ＋ Ｉ ｐ ）、Ｒｖｂ、 ＲＶ、・・・可変抵抗器
、Ｖｂ 、ｖ、・・・基準電位、Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，且
４ 、 Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、ＲＩＯ。 Ｒ１１・・・抵抗器、ＣＩ、Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４，Ｃ５・
・・コンデンサ、ＴＲＩ 、 ＴＲ２、ＴＲ３、ＴＲ４
・・・トランジスタ、Ｄ・・・ダイオード。 手続補正書（自発） 昭和５７年Ｈ月４日 特許庁長官 若 杉 相 夫 殿 １、事件の表示 昭和５６年 特 、１ｔ 願 第２００８３１号２′
、発明０堪称 検波形レーザ・ダイオード消光比制御回路３、補正をす
る者 事件との関係 特許出願人 名 称 （０２９）沖′亀気工業株式会社図］ｆ１１ ６、補正ｄ内容
統図、第２図および第３図は第１図の動作説明図、第４
図は本発明の実施例の系統図、第５図は第４図の動作説
明図、第６図は第４図の具体的な回路図である。 Ｌ Ｄ Ｍ・・・レーザ・ダイオード・マウント、■□
Ｉ）・・・レーザ・ダイオード、 １） Ｄ・・・フォト・ダイオード、 ＯＰＴ、ＯＵＴ・・・光出力、 Ｉｂ＋ Ｉｂｘ ＋ Ｉｂ２・・・バイアス電流、Ｉ、
、Ｉｐｌ、Ｉｐ２・・・パルス電流、Ａ・・・光電変換
出力増幅回路、 Ａｂ、Ａｐ・・・比較増幅回路、ＣＣｂ、 ＣＣ，・・
・定電流回路、ＳＷ・・・高速スイッチング回路、 ＬＰＦＩ、ＬＰＦ２・・・ローパス・フィルタ、ＨＰＦ
・・・バイパス・フィルタ、ＤＥＴ・・・検波器、Ｓｉ
ｎ・・・変調信号入力、−Ｂ、 −Ｅｂ・・・電 源、
Ｐ・・・光出力、Ｐｌｍａｘ、Ｐ２ｍａｘ・・・最大光
出力、Ｐ１ｍｉｎ＋Ｐ２ｍｉｎ・・・最小光出力、Ｐａ
ｖｅ・・・平均光出力、ＴＩ、Ｔ２・・・レーザ・ダイ
オードの温度、■・・・レーザ・ダイオード電流（Ｉ
ｂ＋ Ｉ ｐ ）、Ｒｖｂ、 ＲＶ、・・・可変抵抗器
、Ｖｂ 、ｖ、・・・基準電位、Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，且
４ 、 Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、ＲＩＯ。 Ｒ１１・・・抵抗器、ＣＩ、Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４，Ｃ５・
・・コンデンサ、ＴＲＩ 、 ＴＲ２、ＴＲ３、ＴＲ４
・・・トランジスタ、Ｄ・・・ダイオード。 手続補正書（自発） 昭和５７年Ｈ月４日 特許庁長官 若 杉 相 夫 殿 １、事件の表示 昭和５６年 特 、１ｔ 願 第２００８３１号２′
、発明０堪称 検波形レーザ・ダイオード消光比制御回路３、補正をす
る者 事件との関係 特許出願人 名 称 （０２９）沖′亀気工業株式会社図］ｆ１１ ６、補正ｄ内容
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １１） レーザ・ダイオードパルス変調回路において
、レーザ・ダイオード（ＬＤ）の光出力（ＯＰＴ。 ＯｔＪ Ｔ ）に比例した光信号を受けて電気信号に変
換する光電変換素子（ＰＤ）と、光電変換出力の平均値
を検出する第１のローパス・フィルタ（ＬＰＦＩ）と、
光電変換出力の信号成分を検出するバイパス・フィルタ
（ＨＰ Ｆ ）と、その出力に接続されている検波器（
ＤＥＴ）及び第２のローパス・フィルタ（ＬＰＦ２）と
、第１のローパス・フィルタ（ＬＰＦＩ）の出力と第１
の基準電位（Ｖｂ）とを比較増幅する回路（Ａｂ）と、
第２のローパス・７オルタ（ＬＰＦ２ ）出力と第２の
基準電位（Ｖ、）とを比較増幅する回路（Ａ、）と、比
較増幅回路（Ａｂ）の出力に比例したバイアス電流（ｌ
ｂ）をレーザ・ダイオード（ＬＤ）に供給する第１の定
電流回路（ＣＣｂ）と、比較増幅回路（Ａｐ）の出力に
比例した振幅の変調パルス電流（Ｉ、）をレーザ・ダイ
オード（ＬＤ）に供給する第２の定電流回路（ＣＣ，）
および第２の定電流回路の出力を変調パルスに従ってス
イッチングする高速スイッチング回路（ＳＷ）とを有す
ることを特徴とする、検波形レーザ・ダイオード消光比
制御回路。 （２）高速スイッチング回路が差動式トランジスタスイ
ッチング回路を有し、定電流回路が演算増幅器とトラン
ジスタを有し、光電変換素子がフォト・ダイオードであ
り、検波器がダイオードであるごとき特許請求の範囲第
１項記載の検波形レーザ・ダイオード消光比制御回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20083181A JPS58102583A (ja) | 1981-12-15 | 1981-12-15 | 検波形レ−ザ・ダイオ−ド消光比制御回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20083181A JPS58102583A (ja) | 1981-12-15 | 1981-12-15 | 検波形レ−ザ・ダイオ−ド消光比制御回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58102583A true JPS58102583A (ja) | 1983-06-18 |
Family
ID=16430922
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20083181A Pending JPS58102583A (ja) | 1981-12-15 | 1981-12-15 | 検波形レ−ザ・ダイオ−ド消光比制御回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58102583A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61224477A (ja) * | 1985-03-29 | 1986-10-06 | Canon Inc | レ−ザユニツト |
| JPS61224478A (ja) * | 1985-03-29 | 1986-10-06 | Canon Inc | レ−ザ駆動装置 |
| WO1997011517A1 (de) * | 1995-09-05 | 1997-03-27 | Linotype-Hell Ag | Verfahren und vorrichtung zur ansteuerung von diodengepumpten festkörperlasern |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5583280A (en) * | 1978-12-20 | 1980-06-23 | Fujitsu Ltd | Output stabilizing system for semiconductor laser |
| JPS5612791A (en) * | 1979-07-12 | 1981-02-07 | Fujitsu Ltd | Laser driving control system |
-
1981
- 1981-12-15 JP JP20083181A patent/JPS58102583A/ja active Pending
Patent Citations (2)
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