JPS58102123A - 半導体圧力センサ - Google Patents
半導体圧力センサInfo
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- JPS58102123A JPS58102123A JP56201838A JP20183881A JPS58102123A JP S58102123 A JPS58102123 A JP S58102123A JP 56201838 A JP56201838 A JP 56201838A JP 20183881 A JP20183881 A JP 20183881A JP S58102123 A JPS58102123 A JP S58102123A
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- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
- H01L2224/48472—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明は高性能で実用性の高いダイヤフラム形の半導体
圧力センサに関する。
圧力センサに関する。
発明の背景技術
半導体結晶が圧力や応力によって輪を受けると、その抵
抗値が変化することはピエゾ効果として良く知られてい
る。仁のピエゾ効果現象を利用して従来より種々の半導
体圧力センサが開発され、近年では半導体ＩＣ技術を利
用してその小形化・高性能化が図られている。
抗値が変化することはピエゾ効果として良く知られてい
る。仁のピエゾ効果現象を利用して従来より種々の半導
体圧力センサが開発され、近年では半導体ＩＣ技術を利
用してその小形化・高性能化が図られている。
第１図は高精度工業用に開発されている牛導体拡散ダイ
ヤフラム形圧カセンサの構造を示す模式図である。この
センサは、ｎ−８１（１００）面単結晶からなるｌＯＵ
口のベレット１の中央部に、その裏面から約４〜５■φ
径で７０μｍ椙度の厚みに加工した起歪ダイヤフラム２
を設け、このダイヤフラム１の表面に例えばボロン（８
）を短貴状に熱拡散してピエゾ抵抗ゲージ３を設けた構
造を有する。そして、このペレット１は台座４上に固定
されたのちパッケージ５番こマウントされ、その電極リ
ードに金属線６＃こよって配線結合される。尚、台座４
の貫通孔に連通してパッケージ５に設けられたパイプ１
は前記ダイヤフラム部へ流体圧力を導入するものである
。
ヤフラム形圧カセンサの構造を示す模式図である。この
センサは、ｎ−８１（１００）面単結晶からなるｌＯＵ
口のベレット１の中央部に、その裏面から約４〜５■φ
径で７０μｍ椙度の厚みに加工した起歪ダイヤフラム２
を設け、このダイヤフラム１の表面に例えばボロン（８
）を短貴状に熱拡散してピエゾ抵抗ゲージ３を設けた構
造を有する。そして、このペレット１は台座４上に固定
されたのちパッケージ５番こマウントされ、その電極リ
ードに金属線６＃こよって配線結合される。尚、台座４
の貫通孔に連通してパッケージ５に設けられたパイプ１
は前記ダイヤフラム部へ流体圧力を導入するものである
。
しかして、帥紀台座４は、外部から、特にパッケージ１
からの歪が前記拡散抵抗歪ゲージ３に伝わるのを肪ぐ歪
迩断材として機能するものであり、このような外部歪を
防ぐ構造によって、同センサでは一３０〜８５℃なる広
い温度域で０２％ＦＢと云う高い性能を得ている。
からの歪が前記拡散抵抗歪ゲージ３に伝わるのを肪ぐ歪
迩断材として機能するものであり、このような外部歪を
防ぐ構造によって、同センサでは一３０〜８５℃なる広
い温度域で０２％ＦＢと云う高い性能を得ている。
ところでこのような高精度工業用圧力センサでは、上記
したような特殊なパッケージ構造を採用している為にそ
のコストが非常に高い。またパッケージのみならず、そ
の素子部も折角シリコン材料を用いていながら量産λＩ
Ｃ的技術を活かせないままになっている。また近年では
マイクロコンピュータの普及により半導体圧力センサを
求める要求が多いが、この場合、高性能化よりもむしろ
低価格化が望まれている。
したような特殊なパッケージ構造を採用している為にそ
のコストが非常に高い。またパッケージのみならず、そ
の素子部も折角シリコン材料を用いていながら量産λＩ
Ｃ的技術を活かせないままになっている。また近年では
マイクロコンピュータの普及により半導体圧力センサを
求める要求が多いが、この場合、高性能化よりもむしろ
低価格化が望まれている。
そこで最近では、第２図（＆）〜（ｅ）に示す構造の低
コスト型の半導体圧力センサが開発されている。このセ
ンサは、第１図に示す感圧ダイヤフラム１部と台座４部
とを、シリコン拡散プロセスを導入して量産可能にした
ものである。第２図（、）において、４ ｕ［ｍ ｓ
３００μｍ厚のシリコンペレット１１の中央部には、そ
の裏面から２．ｊ、口、４０μ溝厚のダイヤフラム１２
を形成し、このダイヤフラム１２上蕃こ拡散抵抗歪ゲー
ジ（ピエゾ抵抗ゲージ）１３を設けたものである。しか
シテ、ペレット１１は、シリコンを材料とする台座１４
上にガラス１６により接着されており、この台座１４に
設けられた貫通孔１６より両組ダイヤフラム１２へ流体
圧力が導入されるようになっている。この台座１４は、
先の台座４と同様にペレツ十１１上に形成された歪ゲー
ジ１３に流体圧力以外の応力等が加わることを防止する
ものであり、できる限り厚くするようにしている。尚、
一般的には貫通孔１６の加工技術の制約等によって１ｗ
ｔ〜５ｍｔ程度の台座１４が用いられている。このよう
な構造の圧力センサは、第２図（ｂ） 、 （ｃ）に示
すように、シリコンウェハ１７上にマトリックス状に４
ＩＩＩ１１口のペレット１１を形成し、このシリコンウ
ェハ１１に対して貫通孔１６を設けたウェハ状の土台１
８をガラス接着層１５を介して接合したのち、同図（Ｃ
）中央部で示す位置にて個々のペレットに切断して製造
される。この場合、ペレットの拡散工程は従来のバイポ
ーラＩＣとほぼ同一の半導体工程によって違せられ、ま
たダイヤフラムの形成もアルカリ性薬品によるエツチン
グ技術によってなし得る。これによって圧力センサの製
作工程が大幅に改善され、その量産化への大きな前進が
図られた。
コスト型の半導体圧力センサが開発されている。このセ
ンサは、第１図に示す感圧ダイヤフラム１部と台座４部
とを、シリコン拡散プロセスを導入して量産可能にした
ものである。第２図（、）において、４ ｕ［ｍ ｓ
３００μｍ厚のシリコンペレット１１の中央部には、そ
の裏面から２．ｊ、口、４０μ溝厚のダイヤフラム１２
を形成し、このダイヤフラム１２上蕃こ拡散抵抗歪ゲー
ジ（ピエゾ抵抗ゲージ）１３を設けたものである。しか
シテ、ペレット１１は、シリコンを材料とする台座１４
上にガラス１６により接着されており、この台座１４に
設けられた貫通孔１６より両組ダイヤフラム１２へ流体
圧力が導入されるようになっている。この台座１４は、
先の台座４と同様にペレツ十１１上に形成された歪ゲー
ジ１３に流体圧力以外の応力等が加わることを防止する
ものであり、できる限り厚くするようにしている。尚、
一般的には貫通孔１６の加工技術の制約等によって１ｗ
ｔ〜５ｍｔ程度の台座１４が用いられている。このよう
な構造の圧力センサは、第２図（ｂ） 、 （ｃ）に示
すように、シリコンウェハ１７上にマトリックス状に４
ＩＩＩ１１口のペレット１１を形成し、このシリコンウ
ェハ１１に対して貫通孔１６を設けたウェハ状の土台１
８をガラス接着層１５を介して接合したのち、同図（Ｃ
）中央部で示す位置にて個々のペレットに切断して製造
される。この場合、ペレットの拡散工程は従来のバイポ
ーラＩＣとほぼ同一の半導体工程によって違せられ、ま
たダイヤフラムの形成もアルカリ性薬品によるエツチン
グ技術によってなし得る。これによって圧力センサの製
作工程が大幅に改善され、その量産化への大きな前進が
図られた。
このようにして製作された半導体圧力センサ素子を、例
えば第３図に示すようにパッケージ盤体にマウントして
圧力センサが組立てられる。
えば第３図に示すようにパッケージ盤体にマウントして
圧力センサが組立てられる。
即ち、中央に圧力導入孔１６を備えたシリコン製台座１
４に低融点ガラス１５を介してダイヤフラム１２を設け
たペレット１１を接着固定して一体化された台座１４を
、金属製パッケージ盤体２１の内側に予じめ圧力導入路
を設けて溶融固着された土台ガラス２２の上に低融点ガ
ラス２１を介して接着する。従来法ではペレット１１と
台座１４の接着には例えば膨張係数８．２ｘｔｏ” ｅ
作業温度５３０℃の東芝製ノ１ンダガラス＃５０３が用
いられ、また台座１４と土台ガラス２２との接着には例
えば膨張係数５．３ Ｘ ｌ Ｏ’ 、作業温度４６０
℃の８電硝子製ＬＢ−ｏ ｔ ｔ ｏが用いられる。又
金属製パッケージ盤体２１は盤状のコパールメタルから
成り、例えばコバール製の圧力導入パイプＳ４を底面開
孔縁にろう付けによりとりつけている。土台ガラス２２
にはコバールガラスが用いられる。ペレット１１に設け
られたピエゾ抵抗ゲージ１３からの電極の取出しは、土
台ガラス２１を支持体としてパッケージ底面を貫通して
設けられたコパール製ハーメ千ツクシール端子２５の内
側先端にＡｕ ５Ｉｔｉ ｋｌ のボンディングワイ
ヤｚ６を接続することによって、通常のトランジスタの
ＩＣパッケージ化と同様に行われ得る。
４に低融点ガラス１５を介してダイヤフラム１２を設け
たペレット１１を接着固定して一体化された台座１４を
、金属製パッケージ盤体２１の内側に予じめ圧力導入路
を設けて溶融固着された土台ガラス２２の上に低融点ガ
ラス２１を介して接着する。従来法ではペレット１１と
台座１４の接着には例えば膨張係数８．２ｘｔｏ” ｅ
作業温度５３０℃の東芝製ノ１ンダガラス＃５０３が用
いられ、また台座１４と土台ガラス２２との接着には例
えば膨張係数５．３ Ｘ ｌ Ｏ’ 、作業温度４６０
℃の８電硝子製ＬＢ−ｏ ｔ ｔ ｏが用いられる。又
金属製パッケージ盤体２１は盤状のコパールメタルから
成り、例えばコバール製の圧力導入パイプＳ４を底面開
孔縁にろう付けによりとりつけている。土台ガラス２２
にはコバールガラスが用いられる。ペレット１１に設け
られたピエゾ抵抗ゲージ１３からの電極の取出しは、土
台ガラス２１を支持体としてパッケージ底面を貫通して
設けられたコパール製ハーメ千ツクシール端子２５の内
側先端にＡｕ ５Ｉｔｉ ｋｌ のボンディングワイ
ヤｚ６を接続することによって、通常のトランジスタの
ＩＣパッケージ化と同様に行われ得る。
背景技術の問題点
このようにして半導体圧力センサは、シリコンペレット
１１と台座１４との接着、および台座１４のパッケージ
盤体の一部である土台ガラス２２との接着からなる２回
の接着工程を経て製作される。このとき、２回目の接着
工程時に、上記ペレットｌｌと台座１４との接着を行っ
ている低融点ガラス１５が再溶融してその位置ずれを生
じないように、低融点ガラス１５の作業温度が低融点ガ
ラス２３の作業温度よりも高くなるよう番ご配慮がなさ
れでいる。
１１と台座１４との接着、および台座１４のパッケージ
盤体の一部である土台ガラス２２との接着からなる２回
の接着工程を経て製作される。このとき、２回目の接着
工程時に、上記ペレットｌｌと台座１４との接着を行っ
ている低融点ガラス１５が再溶融してその位置ずれを生
じないように、低融点ガラス１５の作業温度が低融点ガ
ラス２３の作業温度よりも高くなるよう番ご配慮がなさ
れでいる。
然し乍らこのような配慮は、圧力センサの量産に際して
、かえって生産歩留りの低下を招来していることが判明
した。即ち、作業温度の高い低融点ガラス１５を用いて
、第２図（ｂｌ ＃ （ｃ）に示すようにペレットウェ
ハ１１と土台ウェア１８とを接着固定し、これを切断す
るときに、低融点ガラス１５層ｌこクラックが生じ易く
、これによってダイヤフラム部の気密性が損われてしま
う。例えばペレット１１の切出しは、ダイヤモンドブレ
ードを用いたり、レーザビームを石いて溶融させて行わ
れるが、このとき機械的ショックや熱的ショックが低融
点ガラス１５に加わる。これらのショックに対して低融
点ガラス１５のクラックの発生を完壁に防ぐことは極め
て困難である。またこのクラックによってペレット１１
にアンバランスな歪が生じ、この結乗圧カセンサとして
の零点温度特性が大きく劣化すると云う不具合がある。
、かえって生産歩留りの低下を招来していることが判明
した。即ち、作業温度の高い低融点ガラス１５を用いて
、第２図（ｂｌ ＃ （ｃ）に示すようにペレットウェ
ハ１１と土台ウェア１８とを接着固定し、これを切断す
るときに、低融点ガラス１５層ｌこクラックが生じ易く
、これによってダイヤフラム部の気密性が損われてしま
う。例えばペレット１１の切出しは、ダイヤモンドブレ
ードを用いたり、レーザビームを石いて溶融させて行わ
れるが、このとき機械的ショックや熱的ショックが低融
点ガラス１５に加わる。これらのショックに対して低融
点ガラス１５のクラックの発生を完壁に防ぐことは極め
て困難である。またこのクラックによってペレット１１
にアンバランスな歪が生じ、この結乗圧カセンサとして
の零点温度特性が大きく劣化すると云う不具合がある。
このような特性劣化は、素子の製−造段階で見出すこと
ができず、パッケージ盤体２Ｊにマウントして半導体圧
力センサが完成され、その特性検査試験を行わなければ
発見することができない。この為、いたずらにパッケー
ジ盤体ｚ１の消耗を招き、生産歩留りの低下を招いてい
た。
ができず、パッケージ盤体２Ｊにマウントして半導体圧
力センサが完成され、その特性検査試験を行わなければ
発見することができない。この為、いたずらにパッケー
ジ盤体ｚ１の消耗を招き、生産歩留りの低下を招いてい
た。
発明の目的
本発明はこのような事情を考慮してなされたもので、そ
の目的とするところは、生産歩留９の向上を図り、且つ
パッケージ盤体の無駄を軽減して量産を可能とする実用
性の高い構造の半導体圧力センサを提供することにある
。
の目的とするところは、生産歩留９の向上を図り、且つ
パッケージ盤体の無駄を軽減して量産を可能とする実用
性の高い構造の半導体圧力センサを提供することにある
。
発明の概要
本発明はダイヤプラム面にピエゾ抵抗ゲージを設けてな
る感圧ペレットを第１のハンダガラスにより台座上に接
着固定し、更にこの台座を第２のハンダガラスを用いて
パッケージ盤体上に接着固定してなる構造の半導体圧力
センサにおいて、前記第１のハンダガラスとして前記第
２のハンダガラスに比して作業温度が低く、且つ非結性
で溶融温度の繰返し印加番こ対して可逆性のあるハンダ
ガラスを用いたことを特徴とするものである。
る感圧ペレットを第１のハンダガラスにより台座上に接
着固定し、更にこの台座を第２のハンダガラスを用いて
パッケージ盤体上に接着固定してなる構造の半導体圧力
センサにおいて、前記第１のハンダガラスとして前記第
２のハンダガラスに比して作業温度が低く、且つ非結性
で溶融温度の繰返し印加番こ対して可逆性のあるハンダ
ガラスを用いたことを特徴とするものである。
即ち、従来、第１のハンダガラスとして第２のハンダガ
ラスよりも作業温度の高いものを用いると云う常識から
離れ、逆に作業温度が等しいかあるいは低いものを用い
ると云う全く新規な技術思想に立脚してなされたもので
ある。
ラスよりも作業温度の高いものを用いると云う常識から
離れ、逆に作業温度が等しいかあるいは低いものを用い
ると云う全く新規な技術思想に立脚してなされたもので
ある。
発明の効果
このような特徴ある構成とすることによって、ペレット
と台座との接着に用いられた第１のハンダガラスに、そ
のペレット切出し工程においてクラックが発生した場合
であっても、第２のハンダガラスによる土台（台座）と
パッケージ盤体の接着固定時に前記第１のハンダガラス
が再溶融し、これによってクラックの除去および歪の緩
和を図ることが可能となる。また従来懸念されていたペ
レットと台座との位置ずれも殆んど生じることがないこ
とが確ｉ１すれ、ここに不良品発生率の少ない特性の良
好な半導体圧力センサを量産性曳く得ることが可能とな
る。
と台座との接着に用いられた第１のハンダガラスに、そ
のペレット切出し工程においてクラックが発生した場合
であっても、第２のハンダガラスによる土台（台座）と
パッケージ盤体の接着固定時に前記第１のハンダガラス
が再溶融し、これによってクラックの除去および歪の緩
和を図ることが可能となる。また従来懸念されていたペ
レットと台座との位置ずれも殆んど生じることがないこ
とが確ｉ１すれ、ここに不良品発生率の少ない特性の良
好な半導体圧力センサを量産性曳く得ることが可能とな
る。
発明の実施例
以下、本発明の実施例につき説明する。本発明に雇る半
導体圧力センサは前記第２図（ａ）〜（ｃｌおよび第３
図に示す従来のものと同様な製造工程に従って製作され
る。ここで本発明の特徴とするところは、第３図に示さ
れる圧力センサ構造においてペレット１１を台座１４に
接着固定してなる第亀のハンダガラス１５とし・て、例
えば膨張係数５．３ ｘ ｌ Ｏ−一作業温度４６０℃
の８電製ハンダガラスＣＩ１式名Ｌ８−０１１Ｏ）を用
いる。また台座１４と土台ガラス１ｚとを接着固定して
なる第２のハンダガラス１３として、上記第１のハンダ
ガラス１５と同じく８電製ハンダガラスＣＩｔ式名Ｌ８
−０１１０）が用いられる。
導体圧力センサは前記第２図（ａ）〜（ｃｌおよび第３
図に示す従来のものと同様な製造工程に従って製作され
る。ここで本発明の特徴とするところは、第３図に示さ
れる圧力センサ構造においてペレット１１を台座１４に
接着固定してなる第亀のハンダガラス１５とし・て、例
えば膨張係数５．３ ｘ ｌ Ｏ−一作業温度４６０℃
の８電製ハンダガラスＣＩ１式名Ｌ８−０１１Ｏ）を用
いる。また台座１４と土台ガラス１ｚとを接着固定して
なる第２のハンダガラス１３として、上記第１のハンダ
ガラス１５と同じく８電製ハンダガラスＣＩｔ式名Ｌ８
−０１１０）が用いられる。
このように２つの接着工程で用いられる第１および第２
のハンダガラｉ１ｓ、ｚｓとして同じハンダガラスで、
しかも結晶化せず、繰返し印加される作業温度に対して
可逆性を有するものを用いることによって、従来のクラ
ックやアンバランスな歪等の不具合を効果的に解消する
ことができる。
のハンダガラｉ１ｓ、ｚｓとして同じハンダガラスで、
しかも結晶化せず、繰返し印加される作業温度に対して
可逆性を有するものを用いることによって、従来のクラ
ックやアンバランスな歪等の不具合を効果的に解消する
ことができる。
即ち、ウェハ状冑でペレッに−１１と台座１４とを接着
してなる第１のハンダガラス１５に、そのペレット分−
加工によってクラックや応力歪が生じたとしても、台座
１４と土台ガラス２２との第２のハンダガラス２３によ
る接着工Ｓ ＊、これによって第１のハンダガラス１
５にも同じ作業温度が加わる。これにより第１のハンダ
ガラス１５は再び溶融し、クラックを修復せしめると共
に応力歪を緩和することになる。
してなる第１のハンダガラス１５に、そのペレット分−
加工によってクラックや応力歪が生じたとしても、台座
１４と土台ガラス２２との第２のハンダガラス２３によ
る接着工Ｓ ＊、これによって第１のハンダガラス１
５にも同じ作業温度が加わる。これにより第１のハンダ
ガラス１５は再び溶融し、クラックを修復せしめると共
に応力歪を緩和することになる。
つまり第１のハンダガラス１５の再溶融同化によってペ
レット１１が台座１４に対して再び確実に接着固定され
ることになる。
レット１１が台座１４に対して再び確実に接着固定され
ることになる。
また第１のハンダガラス１５の再溶融時に懸念されてい
たペレット１１と台座１４との位置ずれを招く虞れも殆
んどない。これは第１のノ１ンダガラス１５が溶融した
とき、その溶融ガラスの流動性が比較的少なく、またベ
レツ）ＩＩであるシリコンの比重が小さい為、ペレット
１１は溶融ガラスの表面張力によって拘束される。この
結果、ペレット１１はそのイニシアルの位置から大幅に
移動することがなく、位置ずれの心配がない。
たペレット１１と台座１４との位置ずれを招く虞れも殆
んどない。これは第１のノ１ンダガラス１５が溶融した
とき、その溶融ガラスの流動性が比較的少なく、またベ
レツ）ＩＩであるシリコンの比重が小さい為、ペレット
１１は溶融ガラスの表面張力によって拘束される。この
結果、ペレット１１はそのイニシアルの位置から大幅に
移動することがなく、位置ずれの心配がない。
以上のよう番こ本発明によれば、第１のハンダガラスに
生じたクラックや応力歪を効果的に修復することができ
、ペレット１１に形成されたピエゾ抵抗ゲージの所期の
＊ｉｉ＠を十分に発揮させることが可能となる。従って
、この修復効果番こより半導体圧力センサの不要品発生
を大幅に軽減することが可能となり、その量産性、ｔＰ
ｉＩ９の向上を図ることが可能とな９、パッケージ盤体
の無駄な消費も防ぐことができる等その実用的利点は絶
大である。
生じたクラックや応力歪を効果的に修復することができ
、ペレット１１に形成されたピエゾ抵抗ゲージの所期の
＊ｉｉ＠を十分に発揮させることが可能となる。従って
、この修復効果番こより半導体圧力センサの不要品発生
を大幅に軽減することが可能となり、その量産性、ｔＰ
ｉＩ９の向上を図ることが可能とな９、パッケージ盤体
の無駄な消費も防ぐことができる等その実用的利点は絶
大である。
尚、本発明は上記実施例に限定されるものではない。実
施例では第１および第２のハンダガラスとして同じもの
を用いたが、第１のハンダガラスとして第２のハンダガ
ラスよプも作業温度の低いものを用いてもよい。この場
合であっても非結晶性で溶融温度の繰返しに対して可逆
性を有するものを用いることは勿論のことである。また
ペレット１１の寸法や仕様、パッケージの形態等は圧力
センサに要求される仕様に応じて定めればよいものであ
る。要するに本発明はその要壷を逸脱しない範囲で種々
変形して実施することができる。
施例では第１および第２のハンダガラスとして同じもの
を用いたが、第１のハンダガラスとして第２のハンダガ
ラスよプも作業温度の低いものを用いてもよい。この場
合であっても非結晶性で溶融温度の繰返しに対して可逆
性を有するものを用いることは勿論のことである。また
ペレット１１の寸法や仕様、パッケージの形態等は圧力
センサに要求される仕様に応じて定めればよいものであ
る。要するに本発明はその要壷を逸脱しない範囲で種々
変形して実施することができる。
第１図は高精度工業用半導体圧力センサの概略構成を示
す図、第２図（ａ）〜（ｃｌは量童用汎用圧−カセンサ
の構造とその製造工場を示す図、纂３図は本発明に係る
半導体圧力センサの断面構造を示す図である。 １１・２ペレツト、１２・・・ダイヤフラム、１３、・
・ピエゾ抵抗ゲージ、１４・・・シリコン台座、１５・
・・第１のハンダガラス、２１・・・）櫂ツケージ盤体
、２２・・・土台ガラス、２３・・・第２のノ１ンダガ
ラス。 出願人代理人 弁理士 鉤 江 武 彦矛１図 ３Ｉｐ３図
す図、第２図（ａ）〜（ｃｌは量童用汎用圧−カセンサ
の構造とその製造工場を示す図、纂３図は本発明に係る
半導体圧力センサの断面構造を示す図である。 １１・２ペレツト、１２・・・ダイヤフラム、１３、・
・ピエゾ抵抗ゲージ、１４・・・シリコン台座、１５・
・・第１のハンダガラス、２１・・・）櫂ツケージ盤体
、２２・・・土台ガラス、２３・・・第２のノ１ンダガ
ラス。 出願人代理人 弁理士 鉤 江 武 彦矛１図 ３Ｉｐ３図
Claims (1)
- 半導体基板の中央部に形成された肉薄ダイヤフラム面に
拡散抵抗層を形成してなる埠圧ペレットと、この感圧ペ
レットの周辺肉厚部を第１のハンダガラス層を介して接
着固定してなる台座と、中央部に貫通孔と圧力導入路と
を設は周辺部に第２のハンダガラス層を介して前記台座
を接着固定してなるパッケージ盤体とからなり、前記ｇ
ｔのハンダガラスとして一紀第２のハンダガラスに比し
て作業温度が等しいかあるいは低く、且つ非結性で溶融
温度の繰返しに対して可逆性のあるハンダガラスを用い
てなることを特徴とする半導体圧力センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56201838A JPS58102123A (ja) | 1981-12-15 | 1981-12-15 | 半導体圧力センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56201838A JPS58102123A (ja) | 1981-12-15 | 1981-12-15 | 半導体圧力センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58102123A true JPS58102123A (ja) | 1983-06-17 |
Family
ID=16447725
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56201838A Pending JPS58102123A (ja) | 1981-12-15 | 1981-12-15 | 半導体圧力センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58102123A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0329829A (ja) * | 1989-06-27 | 1991-02-07 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体圧力変換器 |
-
1981
- 1981-12-15 JP JP56201838A patent/JPS58102123A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0329829A (ja) * | 1989-06-27 | 1991-02-07 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体圧力変換器 |
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