JPS58100671A - 微粉末捕獲装置を備えたプラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
微粉末捕獲装置を備えたプラズマｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JPS58100671A JPS58100671A JP19961081A JP19961081A JPS58100671A JP S58100671 A JPS58100671 A JP S58100671A JP 19961081 A JP19961081 A JP 19961081A JP 19961081 A JP19961081 A JP 19961081A JP S58100671 A JPS58100671 A JP S58100671A
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- Japan
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- filter
- fine powder
- pump
- capturing device
- capturing
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はプラズマＣＶＤ法によシ非晶質珪素、非晶質炭
化珪素、非晶質窒化珪素などの材料を工業的に製膜する
際に発生する微粉末を捕獲する装置を備えた、グツズ−
ｖ ＣＶＤ装置に関するものである。
化珪素、非晶質窒化珪素などの材料を工業的に製膜する
際に発生する微粉末を捕獲する装置を備えた、グツズ−
ｖ ＣＶＤ装置に関するものである。
プラズマＣＶＤ法は放電によシ原料ガスを分解させるこ
とで基板上に生成物を膜として堆積させる方法である。
とで基板上に生成物を膜として堆積させる方法である。
放電を起すに必要な真空を得る為に油拡散Ｉンｆ、ロー
タリーＩング、メカニカルブースターＩｙｆなどが組み
合わせて使用されている。
タリーＩング、メカニカルブースターＩｙｆなどが組み
合わせて使用されている。
工業的に利用され得る堆積速度を得る為に、原料ガス鏝
度２反応部の温度、放電電流密度、内圧などいろいろの
要因が最適化条件とすることが求められるが堆積速度を
大きくすると必ず気相中での重合反応が進み、その結果
として、基板上に堆積されるはずの生成物が微粉末の形
態で反応部内壁あるいは、真空槽内壁、排気配管内壁な
どに付着する。さらに微粉末の量が増加すると、排気？
ンプに取り込まれ内部を汚した９、オイルを汚したシす
ることが多い。普通に行なわれるこのような好ましくな
い微粉末対策としては、金属などのメ、シュ状のフィル
ターを排気ｄス中に設置して微粉末を捕捉することが行
なわれるが、フィルターが微粉末で目づｔｂを起こし４
ンプの排気能力を損うことが多い。
度２反応部の温度、放電電流密度、内圧などいろいろの
要因が最適化条件とすることが求められるが堆積速度を
大きくすると必ず気相中での重合反応が進み、その結果
として、基板上に堆積されるはずの生成物が微粉末の形
態で反応部内壁あるいは、真空槽内壁、排気配管内壁な
どに付着する。さらに微粉末の量が増加すると、排気？
ンプに取り込まれ内部を汚した９、オイルを汚したシす
ることが多い。普通に行なわれるこのような好ましくな
い微粉末対策としては、金属などのメ、シュ状のフィル
ターを排気ｄス中に設置して微粉末を捕捉することが行
なわれるが、フィルターが微粉末で目づｔｂを起こし４
ンプの排気能力を損うことが多い。
本発明は上述の如き従来のフィルターの目づま夛という
欠点を解消することを目的とするものであシ、反応室と
排気Ｉンプの排気パスの関に１移動可能なフィルターを
有する微粉末捕獲装置を設けたことを特徴とする微粉末
捕獲装置を備えたグツズｆｆ ＣＶＤ装置である。
欠点を解消することを目的とするものであシ、反応室と
排気Ｉンプの排気パスの関に１移動可能なフィルターを
有する微粉末捕獲装置を設けたことを特徴とする微粉末
捕獲装置を備えたグツズｆｆ ＣＶＤ装置である。
本発明によって、反応部内圧を一定に保持した１１長時
間の製膜が可能になり、インライン方式の連続製膜が有
利に行うことができるものである。
間の製膜が可能になり、インライン方式の連続製膜が有
利に行うことができるものである。
又排気４ンデの微粉末による汚れを著しく減少させ得る
ので、保守の為の手間を著しく減らすことが可能となり
生産性も著しく向上するものである。
ので、保守の為の手間を著しく減らすことが可能となり
生産性も著しく向上するものである。
次に本発明を実施例装置によシ詳細に説明する。
１１１１図は本発明の実施例プラズマＣＶＤ蒸着装置の
概念図である。１０１は真空槽、１０２，１０４は放電
電極である。１０３は加熱用ヒータで基板加熱に利用す
る。１０５は放電用電源で直流、交流共に使用出来る。
概念図である。１０１は真空槽、１０２，１０４は放電
電極である。１０３は加熱用ヒータで基板加熱に利用す
る。１０５は放電用電源で直流、交流共に使用出来る。
１０６は真空槽と排気系を断続するメインバルブ、１１
０は１０８のメカニカルブースタ４ンデと１０７の微粉
末除去装置の間のパルプである。１０９はロータリーポ
ンプである。
０は１０８のメカニカルブースタ４ンデと１０７の微粉
末除去装置の間のパルプである。１０９はロータリーポ
ンプである。
本実施例では第１図の１０７で示す微粉末除去装置とし
て、第２図に示す様な長尺の微粉末捕獲用メツシュフィ
ルター２０５を一方から移動巻取可能にタンク２０６内
に設置した構造とする。
て、第２図に示す様な長尺の微粉末捕獲用メツシュフィ
ルター２０５を一方から移動巻取可能にタンク２０６内
に設置した構造とする。
２０１は真空槽へつながる排気口で、２０２はメカニカ
ルブースターへつながる排気口である。
ルブースターへつながる排気口である。
２０４部は排気Ｉングへの原料ガスの流れがすべてフィ
ルター２０５を通過する様に構成したし中へい板である
。２０３は長尺フィルター２０５の巻き取り軸でこの部
分を回転させて連続的にフ（ルターを移動させ常にフィ
ルターの新しい面を出して、排気コンダクタンスを低下
させだい特徴を持つ。以下に実際に第２図に示したフィ
ルターを使用した例について説明する。原料ガスとして
水素によって３０マｏＬＴｏＫ希釈したシランガスを５
００８０ＣＭ （標準状態でｃｃ／分）第り図の１０６
に示す導入口より反応部に供給した。このとき反応部の
内圧は０．２Ｔｏｒｒを示した。１０２なる電極に１０
側角のアルミ基板を固定し、１０３なるヒーターによっ
てアルミ基板の温度を２００℃に制御した。次に電源１
０５により、１３．２５ ＭＨｚの高周波電圧を印加し
てグロー放電を起゛こした。このとき投入された電力は
１５０Ｗで、電極単位面積ＭＡ Ｊ） ２００ ｍＷ／
−であり九。以上の条件の下でアル建基板上にはＩＯ！
／−・・の割合でシリコイが堆積した。この実験中の反
応部内圧の変化を第３図に示す。第３図ａは製膜中に第
２図２０３を使って連続的に７４ルター（ステンレスｌ
■φ線、開口率７０嗟）を巻き取った場合で、フィルタ
ーの移動速度は１０傷／ｈｏｕｒでありた。使用するフ
ィルターの形状は、反応部より流れ込むガスとの接触面
積を大きくしかもプンダクタンスを低下させない為に細
線をたて、よこに組んだ第２図に示す様なメック、の形
が考えられる。この２０５のメック、は重ねたものを使
っても良いしあるいは２０３．２０４，２０５からなる
まき取υ型のメック、を直列につないで使うことによっ
ても一層の効果を得られる。フィルターの巻き取り方法
は２０３のまき取り軸をモーターで定速で回転させても
良いし、ある決められた時間ととに手動で巻き取っても
良い。
ルター２０５を通過する様に構成したし中へい板である
。２０３は長尺フィルター２０５の巻き取り軸でこの部
分を回転させて連続的にフ（ルターを移動させ常にフィ
ルターの新しい面を出して、排気コンダクタンスを低下
させだい特徴を持つ。以下に実際に第２図に示したフィ
ルターを使用した例について説明する。原料ガスとして
水素によって３０マｏＬＴｏＫ希釈したシランガスを５
００８０ＣＭ （標準状態でｃｃ／分）第り図の１０６
に示す導入口より反応部に供給した。このとき反応部の
内圧は０．２Ｔｏｒｒを示した。１０２なる電極に１０
側角のアルミ基板を固定し、１０３なるヒーターによっ
てアルミ基板の温度を２００℃に制御した。次に電源１
０５により、１３．２５ ＭＨｚの高周波電圧を印加し
てグロー放電を起゛こした。このとき投入された電力は
１５０Ｗで、電極単位面積ＭＡ Ｊ） ２００ ｍＷ／
−であり九。以上の条件の下でアル建基板上にはＩＯ！
／−・・の割合でシリコイが堆積した。この実験中の反
応部内圧の変化を第３図に示す。第３図ａは製膜中に第
２図２０３を使って連続的に７４ルター（ステンレスｌ
■φ線、開口率７０嗟）を巻き取った場合で、フィルタ
ーの移動速度は１０傷／ｈｏｕｒでありた。使用するフ
ィルターの形状は、反応部より流れ込むガスとの接触面
積を大きくしかもプンダクタンスを低下させない為に細
線をたて、よこに組んだ第２図に示す様なメック、の形
が考えられる。この２０５のメック、は重ねたものを使
っても良いしあるいは２０３．２０４，２０５からなる
まき取υ型のメック、を直列につないで使うことによっ
ても一層の効果を得られる。フィルターの巻き取り方法
は２０３のまき取り軸をモーターで定速で回転させても
良いし、ある決められた時間ととに手動で巻き取っても
良い。
ｂはフィルターの巻き取シを行なわなかった場合を示す
。
。
ａ、ｂの比較よシ明らかに巻き取りを行なわない場合は
内圧上昇の為３時間以上の製膜が不可能となる。
内圧上昇の為３時間以上の製膜が不可能となる。
フィルターをはずした状態では第３図１と同様に製膜中
に内圧の上昇は起ζちないや監、メカニカルブースタ４
ンデ内壁とロータリーポンプのオイルを著しく汚す。第
４図にフィルター取シつけと製膜中４Ｉキ取りを行った
場合（１）とフィルターなしで製膜を行った場合へ）と
で製膜後のロータｙ ＋−ンプの排気能力（反応部での
調達真空度）と製膜時間との関係を示す。ａの場合は微
粉末２！Ｉｉ ＄１とんどフィル声一部に捕捉される為
、ｌンデの汚れが無く排気能力の変化は見られない。ｂ
の場合はロータリーポンプのオイルが着しく汚される為
、約２０時間程で交換が必要になる。
に内圧の上昇は起ζちないや監、メカニカルブースタ４
ンデ内壁とロータリーポンプのオイルを著しく汚す。第
４図にフィルター取シつけと製膜中４Ｉキ取りを行った
場合（１）とフィルターなしで製膜を行った場合へ）と
で製膜後のロータｙ ＋−ンプの排気能力（反応部での
調達真空度）と製膜時間との関係を示す。ａの場合は微
粉末２！Ｉｉ ＄１とんどフィル声一部に捕捉される為
、ｌンデの汚れが無く排気能力の変化は見られない。ｂ
の場合はロータリーポンプのオイルが着しく汚される為
、約２０時間程で交換が必要になる。
以上の様にプラズマＣＶＤ法による製膜中に発生する微
粉末は、排気能力の低下と排気管内の汚れ、−ンデのオ
イルの劣化などを引き起こすｄ！連続的に移動するフィ
ルターを取９つけることにより長時間の保守不要の製膜
が可能になる。
粉末は、排気能力の低下と排気管内の汚れ、−ンデのオ
イルの劣化などを引き起こすｄ！連続的に移動するフィ
ルターを取９つけることにより長時間の保守不要の製膜
が可能になる。
第１図は本発明の実施例プラズマＣＶＤ装置の略図、第
２図は第１図における、微粉末を連続的に捕獲する移動
フィルタ一部の概念図、第３図は製膜中の反応部内圧の
変化がフィルターの巻き取υにより改善されることを示
すグラフ、第４図はフィルター取シつけＫよシ排気ポン
プの劣化を防ぐことを示すグラフである。 １０１：真空槽 １０２．１０４：放電電極 １０３：ヒーター １０５：電源 １０６：メインパルプ １０７：微粉末捕獲装置 １０８ニブ−スターＩンプ １０９：ロータリー４ンプ １１０：パルプ ２０１：排気口２０２：排気口 ２０３ ：フイルター巻取軸 ２０４：Ｌ中へい板 ２０５：長尺フィルター ２０６：タンク 第１図 第２園 時間
２図は第１図における、微粉末を連続的に捕獲する移動
フィルタ一部の概念図、第３図は製膜中の反応部内圧の
変化がフィルターの巻き取υにより改善されることを示
すグラフ、第４図はフィルター取シつけＫよシ排気ポン
プの劣化を防ぐことを示すグラフである。 １０１：真空槽 １０２．１０４：放電電極 １０３：ヒーター １０５：電源 １０６：メインパルプ １０７：微粉末捕獲装置 １０８ニブ−スターＩンプ １０９：ロータリー４ンプ １１０：パルプ ２０１：排気口２０２：排気口 ２０３ ：フイルター巻取軸 ２０４：Ｌ中へい板 ２０５：長尺フィルター ２０６：タンク 第１図 第２園 時間
Claims (1)
- 反応室と排気４ンプの排気ノクスの間に、移動可能なフ
ィルターを有する微粉末捕獲装置を設けたことを特徴と
する微粉末捕獲装置を備えたプラズマＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19961081A JPS58100671A (ja) | 1981-12-11 | 1981-12-11 | 微粉末捕獲装置を備えたプラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19961081A JPS58100671A (ja) | 1981-12-11 | 1981-12-11 | 微粉末捕獲装置を備えたプラズマｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58100671A true JPS58100671A (ja) | 1983-06-15 |
Family
ID=16410717
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19961081A Pending JPS58100671A (ja) | 1981-12-11 | 1981-12-11 | 微粉末捕獲装置を備えたプラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58100671A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58192943U (ja) * | 1982-06-16 | 1983-12-22 | 株式会社東芝 | アモルフアスシリコン感光体の成膜装置 |
| JPS5970761A (ja) * | 1982-10-18 | 1984-04-21 | Toshiba Corp | 膜形成装置 |
| JPS60101544A (ja) * | 1983-11-09 | 1985-06-05 | Stanley Electric Co Ltd | プラズマｃｖｄ装置 |
| GB2210062A (en) * | 1987-09-19 | 1989-06-01 | Stc Plc | Chemical vapour deposition apparatus incorporating demountable filter |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4117356Y1 (ja) * | 1964-02-27 | 1966-08-11 | ||
| JPS565975A (en) * | 1979-06-27 | 1981-01-22 | Canon Inc | Film forming method |
-
1981
- 1981-12-11 JP JP19961081A patent/JPS58100671A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4117356Y1 (ja) * | 1964-02-27 | 1966-08-11 | ||
| JPS565975A (en) * | 1979-06-27 | 1981-01-22 | Canon Inc | Film forming method |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58192943U (ja) * | 1982-06-16 | 1983-12-22 | 株式会社東芝 | アモルフアスシリコン感光体の成膜装置 |
| JPH017728Y2 (ja) * | 1982-06-16 | 1989-03-01 | ||
| JPS5970761A (ja) * | 1982-10-18 | 1984-04-21 | Toshiba Corp | 膜形成装置 |
| JPS60101544A (ja) * | 1983-11-09 | 1985-06-05 | Stanley Electric Co Ltd | プラズマｃｖｄ装置 |
| JPH0352537B2 (ja) * | 1983-11-09 | 1991-08-12 | Stanley Electric Co Ltd | |
| GB2210062A (en) * | 1987-09-19 | 1989-06-01 | Stc Plc | Chemical vapour deposition apparatus incorporating demountable filter |
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