JPS58100540A - 呼出し信号送出回路 - Google Patents

呼出し信号送出回路

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JPS58100540A
JPS58100540A JP19858681A JP19858681A JPS58100540A JP S58100540 A JPS58100540 A JP S58100540A JP 19858681 A JP19858681 A JP 19858681A JP 19858681 A JP19858681 A JP 19858681A JP S58100540 A JPS58100540 A JP S58100540A
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switch circuit
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switch
gate turn
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JPH048988B2 (ja
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Mitsuo Matsuyama
光男 松山
Yasuo Mikami
三上 靖夫
Yasunobu Inabe
井鍋 泰宣
Hiroyasu Uehara
上原 啓靖
Kanji Mukai
向井 幹二
Haruyuki Yoshino
吉野 春幸
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Fujitsu Ltd
Hitachi Ltd
NEC Corp
Nippon Telegraph and Telephone Corp
Oki Electric Industry Co Ltd
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Fujitsu Ltd
Hitachi Ltd
NEC Corp
Nippon Telegraph and Telephone Corp
Oki Electric Industry Co Ltd
Nippon Electric Co Ltd
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/72Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices having more than two PN junctions; having more than three electrodes; having more than one electrode connected to the same conductivity region
    • H03K17/725Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices having more than two PN junctions; having more than three electrodes; having more than one electrode connected to the same conductivity region for ac voltages or currents

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発@Fi電話交換機における電話端末の呼び出し信号
送出回路に係如、特にその半導体装置回路化に適したゲ
ート・ターンオフ歴交流スイッチ回路に関する。
従来電磁部品でほとんど占められていた電話交換機は、
半導体技術の進歩に伴い、中央制御系より次第に電子化
が進み、半導体集積回路を主体とする電子部品を用いる
ことにより、交換機の小型化、高機能化が実現しつつあ
る。しかし、電話交換機の中で加入者端末に直接信号を
数百ボルトの過電圧が印加されることがら、数メルト程
度の信号を扱うことが主体でありた半導体集積回路技術
と親和性が良くなく電子化が遅れていた。
ts1図に交換機の電話機呼び出し信号送出回路に関し
て電磁部品を用い九構成の一例を示九第1図において、
加入者端末である電話機1の呼び出し動作は次のように
成される。まず1電磁リレ一接点4.5を、抵抗6.ハ
直流検出回路9、直流電圧源8(通常−4B V ) 
、およびベル信号源10(通常、75Vrms+)で構
成される呼び出し信号回路に!続する。この結果、ベル
信号が電池線Lm、 *地線L2から加入者線路の抵抗
2゜3を経て電話機1に送られベルを鳴らす。カU人者
が受話器を敞り上げると、電話機内で交流回路から直流
回路に切換り、直流電流が渡れる。
この直流電流を直流検出回路9で検出して、電磁リレー
接点4.5を切換えて、リレーコイル12直流電1[1
1で略示した通話電流供給回#1114に接続し、加入
者が通話している間、直流電流を送勤続ける。
第1図図示の呼び出し信号送出回路の電子化(1)双方
向に高耐圧が必要なこと。
(2)導通時のオン電圧、オン抵抗が小さいこと。
(5)交流大振幅信号を通過させ得ること。
(4)直流大電流を切断させ得ること。
である。(す、(2)項を満足する半導体素子としてP
NPNスイッチがあり、逆並列接続構成により(5)項
の特性も奄たせ得る。しかし、PNPNスイッチには外
部回路が通電可能状態にある限ヤ、制御が無くとも導通
状態を続ける自己保持機能があるため、(4)項の特性
を満たせない。特に、(4)項の切断電流値は、接地線
L2が地絡したときが最大値となり、抵抗6.7の和が
直流検出回路デの感度から1にΩ程度に制限されること
から。
100〜200mA程度にもなる。このように交換機の
呼び出し信号送出回路の電子化には、大電流切断機能が
主要な課題であり九。i九、半導体集積化を考えると全
体の素子数を必要最少限に抑える必要がある。
本発明の目的は、大電流切断機能を有するゲート・ター
ンオフ瀝交流スイッチ回路によりて半導体集積回路化に
適した呼び出し信号送出回路を提供することにある。
この目的のために、本発明は、呼び出し信号送出回路に
おいて直流大電流切断を必要とする電流極性が一方向で
あることから、主電流スイッチ回路を逆並列接続して交
流大振幅信号を通過させ得るように成し、一方の主電流
スイッチ回路にのみ、ゲート・ターンオフ用スイッチ回
路を接続して直流大電流切断を可能にしたことを特徴と
する。
以下1図面に示した一実施例によって本発明の詳細な説
明する。
第2Eは本発明の第1の実施例を示す回路構成図であり
s tii+1図で示した加入者部、電流供給回路部は
省略しである。第2図において、 Llは電池線、L2
Fi接地曽、81〜84はPNPN スイッチ、 Ql
はゲート・ターンオフ用のトランジスタ、Dl〜D5は
逆流防止用のダイオード、20は定電R@2j、22か
ら構成される接地線側スイッチの駆動制御回路、5oは
定電流源31から構成される電池線側スイッチの駆動制
御回路、6.7は抵抗、8は直流電圧源、9は直流検出
回路および10はベル信号源である。
第2図の回路構成において、呼び出し信号送出動作は駆
動制御回路20.10の定電流源21 、51をオン動
作させ、PNPNスイッチ81〜s4のゲ−トにオン駆
動電流を供給することによって成すレ、この結果PNP
Nスイッチ81〜S4がオン状態となシ、ベル信号源1
0からの交流信号が正の半サイクルではPNPNスイッ
チ51.84を、負の半サイクルではPNPNスイッチ
82.5!を通過して電池@L1.接地#L2を経由し
電話機1にベル信号が送出される。その後、加入者が受
話機を収上げたことを抵抗4.直流検出回路!で検出す
ると、駆動制御回路200M0の定電流源21゜51を
オフ動作させることと、定電流源22をオン動作させる
ことによって、PNPNスイッチ81〜S4がオフする
。すなわち、ベル信号において交流送出時の直流検出で
オフ制御された場合は、その通過電流がゼロクロスする
時点でオフとなる。また、地気送出時の直流検出でオフ
制御された場合には、定電流源22によって駆動された
トランジスタQ1がオン状態となり 、 PNPNスイ
ッチS1をゲート・ターンオフするため、通過していた
直流電流はオフとなる。ここで、ダイオードD1はPN
PNスイッチS1のカソード電位が直流電圧源8の電圧
値よりも低くなった場合にトランジスタQ1の逆流を防
止するためのものであ如、ダイオードD2〜D5も、そ
れぞれ逆並列接続のPNPNスイッチ81〜S4のゲー
ト間で逆流を防ぐ丸めのものである。
さて、第2図の回路構成において、PNPNスイッチ8
1の電流切断能力は、そのゲートからトランジスタQ1
が引抜く電流値に比例して大きくなる。また、この引抜
電流はトランジスタQ1の飽和抵抗とPNPNスイッチ
S1のゲート電位によりて決まる。従りて、 PNPN
スイッチs1  が7ノードを接地電位としてオン動作
しているときが最も電流切断能力が高くなり、このオン
動作状態とは接地aL2が地絡していることで;l)も
すなわち、$2図の回路構成においては、PNPNスイ
ッチS1の最大オン電流のときは、電流切断能力も最大
となるものである。
一方、 PNPNスイッチS2は呼び出し信号送出回路
の構成上カソードがアノードより低い直流電位になる仁
とがないため直流電流は流れず、ゲート・ターンオフ回
路は不要である。従りて第2図図示の回路構成は、呼び
出し信号送出回路の機能を満たしており、その半導体集
積回路化に適するものである。
第5図は本発明の第2の実施例を示す回路構成図であっ
て、接地線側スイッチのみを示しており、第2図図示の
接地線側スイッチに電流分流用のトランジスタQ21 
QSを加えて、電流切断能力をさらに高めた実施例を示
すものである0第5図において第2図と同一部分は同一
の記号を用いである。この回路構成においてもJl@制
御回路2flの定電流源21 をオン動作させ、PNP
Nスイッチ81.82のゲートに駆動電流を供給するこ
とによ2て、交流信号を流し得る状態となる0PNPN
スイツチ8111のオン動作は、まずPNPNスイッチ
S1がオンとなり、次いでトランジスタQs*Q2がオ
ンとなりて導通状態となる。また、オフ動作も駆動制御
回@ 20の定電流源21をオフ。
定電流源22をオンさせることによりて成され。
まず、トランジスタQ1がオンとな?、PNPNスイッ
チS1がゲート・ターンオフとなりて、次いでトランジ
スタQ5さらにトランジスタQ2の順序でオフ状態とな
り、通過電流をオフする。
この実施例においては、通過電流がPNPNスイッチ8
1とトランジスタQ21 QSとに分流する構成である
丸め、さらに電流切断能力が大きくなる特徴をもつ。
以上、詳しく説明したように、本発明によれば大電流を
切断でき、かつ、半導体集積回路化がで龜る呼び出し信
号送出用半導体スイッチ回路が得られる。これによって
、交換機内の加入者線とのインターフェース部分の電子
化が可能となり、交換機の小形化、高機能化、経済化に
寄与するものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来技術による電話機の呼び出し信号送出回路
を示す回路図、第2図は本発明の第1の実施例を示す回
路構成図、第5図は本発明の第2の実施例を示す回路構
成図である。 Ll ・・・電池II     L2・・・接地線6.
7・・・抵 抗    8・・・直流電圧源9・・・直
流検出回路  1o・・・ベル信号源20.50・・・
駆動制御回路 21.22j1・・・定電流源 S1〜S4・・・PNPNスイッチ D1→5・・・ダイオード 91→5・・・トランジスタ 第1頁の続き ■出 願 人 日本電信電話公社 0出 願 人 沖電気工業株式会社 東京都港区虎ノ門1丁目7番12 号 ■出 願 人 日本電気株式会社 東京都港区芝五丁目33番1号 0出 願 人 富士通株式会社 川崎市中原区上小田中1015番地

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 t 主電極用のアノード、カソード端子と制御用のゲー
    ト端子とをそれぞれ備え互いに逆並列に接続された第1
    .第2の主電流スイッチ回路と、諌第1の主電流スイッ
    チ回路のゲート端子に接続され九ゲート・ターンオフ用
    スイッチ回路とから成り、上記ゲート・ターンオフ用ス
    イッチ回路がそのオン状態電流をもうて上記第1の主電
    流スイッチ回路をゲート・ターンオフせしめるように構
    成されたことを特徴とするゲート・ターンオフ型交流ス
    イッチ回路0 2 上記第1.第2の主電流スイッチ回路は1PNPN
    スイツチであることを特徴とする特許請求の範囲第1項
    記載のゲート・ターンオフ渥交流スイッチ回路0 器 上記第1の主電流スイッチ回路は、PNPNスイッ
    チと第1.第2の電流分流用のトランジスタとから構成
    され、上記PNPNスイッチの一方O主電極は上記第1
    のトランジスタの工電ツタに、他方の主電極は上記第2
    のトランジスタのベースに接続されるとともに、上ff
    1jlllのトランジスタのペース、コレクタはそれぞ
    れ上記第2のトランジスタのコレクタ。 工擢ツーKII続されていることを特徴とする特許請求
    の範囲第1項記載のゲート・ターンオフ型交流スイッチ
    回路。 4 上記ゲート・ターンオフ用スイッチ回路はダイオー
    ドとNPN )ランジスタから構成され、上記ダイオー
    ドのアノードは上記第1の主電流スイッチ回路のゲート
    端子に接続されるとともにそOカソードが上記NPN)
    jンジスタのコレクタに接続されている仁とを特徴とす
    る特許請求の範囲第1項、第2項および第3項記載のl
    −ト・ターンオツ!I交流スイッ1警
JP19858681A 1981-12-11 1981-12-11 呼出し信号送出回路 Granted JPS58100540A (ja)

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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5233467A (en) * 1975-09-10 1977-03-14 Hitachi Ltd Semiconductor switch circuit
JPS5271162A (en) * 1975-12-11 1977-06-14 Toshiba Corp Thyristor gate circuit

Patent Citations (2)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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