JPS5810012B2 - ジヨウタイヘンスウガタタイイキツウカロハキ - Google Patents
ジヨウタイヘンスウガタタイイキツウカロハキInfo
- Publication number
- JPS5810012B2 JPS5810012B2 JP6240475A JP6240475A JPS5810012B2 JP S5810012 B2 JPS5810012 B2 JP S5810012B2 JP 6240475 A JP6240475 A JP 6240475A JP 6240475 A JP6240475 A JP 6240475A JP S5810012 B2 JPS5810012 B2 JP S5810012B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- resistor
- capacitor
- affairs
- ceramic substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H11/00—Networks using active elements
- H03H11/02—Multiple-port networks
- H03H11/04—Frequency selective two-port networks
- H03H11/12—Frequency selective two-port networks using amplifiers with feedback
- H03H11/1217—Frequency selective two-port networks using amplifiers with feedback using a plurality of operational amplifiers
- H03H11/1252—Two integrator-loop-filters
Landscapes
- Networks Using Active Elements (AREA)
- Digital Transmission Methods That Use Modulated Carrier Waves (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、個別選択呼出しシステム等において。
個有周波数の判別を行なうときに用いられる単同調Ｐ波
器に関するもので、抵抗Ｒと静電容量Ｃと演算増幅器（
ＯＰＥＲＡＴＩＯＮＡＬ ＡＭＰＬＩＦＩＥＲ）あるい
はこれと同等の機能を有する増幅器とで構成された状態
変数回路を、ハイブリツーＩＣ化する際に、帯域通過泥
波器としての特性を決定するコンデンサＣ１抵抗Ｒから
成る受動ＲＣ回路部分と、帯域通過Ｐ波器としての特性
に影響を与えない抵抗および演算増幅器から構成、され
る回路部分をそれぞれ別のセラミック基板上に厚膜ある
いは薄膜技術を用いて装置し、受動ＲＣ回路部分のコン
デンサの容量変化、および抵抗のトリミングによって、
種々の特性の帯域通過ｐ波器を小型構造で且つ歩留りよ
く製造しうる状態変数型回路を提供しようとするのであ
る。
器に関するもので、抵抗Ｒと静電容量Ｃと演算増幅器（
ＯＰＥＲＡＴＩＯＮＡＬ ＡＭＰＬＩＦＩＥＲ）あるい
はこれと同等の機能を有する増幅器とで構成された状態
変数回路を、ハイブリツーＩＣ化する際に、帯域通過泥
波器としての特性を決定するコンデンサＣ１抵抗Ｒから
成る受動ＲＣ回路部分と、帯域通過Ｐ波器としての特性
に影響を与えない抵抗および演算増幅器から構成、され
る回路部分をそれぞれ別のセラミック基板上に厚膜ある
いは薄膜技術を用いて装置し、受動ＲＣ回路部分のコン
デンサの容量変化、および抵抗のトリミングによって、
種々の特性の帯域通過ｐ波器を小型構造で且つ歩留りよ
く製造しうる状態変数型回路を提供しようとするのであ
る。
以下、本発明を図面に基づき説明する。
第１図に単同調帯域通過流波器の周波数振幅特性を示す
。
。
この特性は次式の伝達関数で実現される。
ω。
＝２πｆｏ、ｆｏ：中心周波数、ωｂ−２πｆｂ。ｆｂ
：３ｄＢ降下通過帯域幅、Ｓ−ｊω、ω−２πｆである
。
：３ｄＢ降下通過帯域幅、Ｓ−ｊω、ω−２πｆである
。
（１）式の特性は第２図に示す状態変数型帯域通過ろ波
器として知られている回路で実現される。
器として知られている回路で実現される。
以下、該回路動作について説明する。Ｑ、。Ｃ２，Ｃ３
は演算増幅器であり、説明の都合上その特性は理想的な
ものとする。
は演算増幅器であり、説明の都合上その特性は理想的な
ものとする。
その理想的な特性とは、
■）電圧利得〉■
■）入力抵抗〉■
■）出力抵抗〉０
■）入力オフセット電圧、電流２０
■）入力バイアス電流さＯ
■）周波数帯域は直流から無限大まで
等の特性を有するものである。
まず、Ｑｌは加減算回路としての回路機能を有し、Ｑ、
の入力Ｖ１．Ｖ３．Ｖ４と出力ｖ２との関係は次式で表
わされる。
の入力Ｖ１．Ｖ３．Ｖ４と出力ｖ２との関係は次式で表
わされる。
Ｖ２−に１Ｖ４＋に２Ｖ１＋に３Ｖ３・・・・・・・・
・・・・（２）Ｃ２は積分回路としての回路機能を有し
、Ｃ２の入力Ｖ２と出力Ｖ３の関係は次式で表わされる
。
・・・・（２）Ｃ２は積分回路としての回路機能を有し
、Ｃ２の入力Ｖ２と出力Ｖ３の関係は次式で表わされる
。
同様に、Ｃ３は積分回路としての回路機能を有し、Ｃ３
の入力■３と出力Ｖ４の関係は次式で表わされる。
の入力■３と出力Ｖ４の関係は次式で表わされる。
となる。
さらにに１〜に４に（２′）（３′）（４′）式を代入
すると、が得られる。
すると、が得られる。
該（６）式において、Ｒ１−Ｒ２とし、且つ（６）式と
（１）式の各項の係数比較を行なうことにより、（１）
式の各定数ω。
（１）式の各項の係数比較を行なうことにより、（１）
式の各定数ω。
、Ｑ、Ｈは次のように求められる。
ここで、（７）式は時定数、即ちＲ４Ｒ１およびＲ５Ｃ
２の可変によって尖鋭度Ｑ１および利得Ｈに対して中心
周波数ｆｏを独立的に可変できることを示し、（９）式
はＲ，＝Ｒ２の条件でＲ１，Ｒ２を可変することによっ
て中心周波数ｆｏおよび利得Ｈには独立に尖鋭度Ｑを変
えることが可能なことを示している。
２の可変によって尖鋭度Ｑ１および利得Ｈに対して中心
周波数ｆｏを独立的に可変できることを示し、（９）式
はＲ，＝Ｒ２の条件でＲ１，Ｒ２を可変することによっ
て中心周波数ｆｏおよび利得Ｈには独立に尖鋭度Ｑを変
えることが可能なことを示している。
従来、個別選択呼び出しシステム等において用いられる
単同調帯域通過Ｐ波器としては、中心周波数、利得、尖
鋭度等の異なる多種類のＰ波器が必要とされていて、多
品種少量生産に対応しているのが現状である。
単同調帯域通過Ｐ波器としては、中心周波数、利得、尖
鋭度等の異なる多種類のＰ波器が必要とされていて、多
品種少量生産に対応しているのが現状である。
同様に本構成でハイブリットＩＣ化を計った場合も多品
種少量生産に対応せざるを得ない。
種少量生産に対応せざるを得ない。
本発明はかかる点を解決し、多品種少量生産に効率よく
対応できるハイブリットＩＣ化の方法を与えようとする
ものである。
対応できるハイブリットＩＣ化の方法を与えようとする
ものである。
以下、本発明の一実施例を第３図および第４図に基づき
説明する。
説明する。
第３図において、抵抗Ｒ７゜Ｒ８は演算増幅器Ｑ１．Ｑ
２．Ｑ３を単一電源で動作させるために、Ｃ２，Ｃ３の
■入力端子に電源電圧の１／２の直流電位を与える分割
抵抗であり、Ｃ３はバイパスコンデンサである。
２．Ｑ３を単一電源で動作させるために、Ｃ２，Ｃ３の
■入力端子に電源電圧の１／２の直流電位を与える分割
抵抗であり、Ｃ３はバイパスコンデンサである。
本実施例においては、先に説明したように、主要特性は
コンデンサＣ１゜Ｃ２、抵抗Ｒ１〜Ｒ６の値によって決
定される。
コンデンサＣ１゜Ｃ２、抵抗Ｒ１〜Ｒ６の値によって決
定される。
そこで、比等のＣＲ，９素子を第４図に示す如くセラミ
ック基板１上に、コンデンサは積層セラミックコンデン
サを用い、また抵抗は厚膜技術を用いて構成し、演算増
幅器Ｑ１．Ｑ２．Ｑ３および抵抗Ｒ７，Ｒ８から成る部
分を同じく厚膜技術を用いてセラミック基板２上に構成
し、此等をプリント基板３で接続結線することにより回
路機能をもたせる構造としている。
ック基板１上に、コンデンサは積層セラミックコンデン
サを用い、また抵抗は厚膜技術を用いて構成し、演算増
幅器Ｑ１．Ｑ２．Ｑ３および抵抗Ｒ７，Ｒ８から成る部
分を同じく厚膜技術を用いてセラミック基板２上に構成
し、此等をプリント基板３で接続結線することにより回
路機能をもたせる構造としている。
以上の如く成せば。
■）主要特性がセラミック基板１の９素子の各定数値に
よって決定され、セラミック基板１のパターンは同一で
も積層セラミックコンデンサの容量の変更、あるいは厚
膜抵抗のトリミングによる抵抗値の変化、あるいはセラ
ミック基板１そのものの変更によって種々の帯域通過ろ
波器が短期間に製造可能となり、多品種少量生産に対し
て効率的に対応できるようになる。
よって決定され、セラミック基板１のパターンは同一で
も積層セラミックコンデンサの容量の変更、あるいは厚
膜抵抗のトリミングによる抵抗値の変化、あるいはセラ
ミック基板１そのものの変更によって種々の帯域通過ろ
波器が短期間に製造可能となり、多品種少量生産に対し
て効率的に対応できるようになる。
２）一枚のセラミック基板上に第３図の回路全てを構成
した場合に比較し、小型化が可能になる。
した場合に比較し、小型化が可能になる。
という効果がもたらされるのである。
第１図は単同調帯域通過ろ波器の周波数振幅特性図、第
２図は第１図特性を有する状態変数型帯賊通過Ｐ波器の
回路、第３図は本発明の一実施例を示す回路、第４図は
第３図回路の組立図である。 Ｑ１〜Ｑ３・・・・・・演算増幅器、Ｒ１−Ｒ８・・・
・・・抵抗、Ｃ１−Ｃ５・・・・・・コンデンサ、１，
２・・・・・・セラミック基板、３・・・・・・プリン
ト基板。
２図は第１図特性を有する状態変数型帯賊通過Ｐ波器の
回路、第３図は本発明の一実施例を示す回路、第４図は
第３図回路の組立図である。 Ｑ１〜Ｑ３・・・・・・演算増幅器、Ｒ１−Ｒ８・・・
・・・抵抗、Ｃ１−Ｃ５・・・・・・コンデンサ、１，
２・・・・・・セラミック基板、３・・・・・・プリン
ト基板。
Claims (1)
- １ 帯域通過ろ波器としての特性を決定するコンデンサ
および抵抗から成る受動ＲＣ回路部分と、帯域通過泥波
器としての特性に影響を与えない抵抗および演算増幅器
から構成される回路部分とに回路構成を分割し、それぞ
れ別のセラミック基板上に厚膜あるいは薄膜技術を用い
て装置したことを特徴とするハイブリツーＩＣ化した状
態変数型帯域通過流波器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6240475A JPS5810012B2 (ja) | 1975-05-23 | 1975-05-23 | ジヨウタイヘンスウガタタイイキツウカロハキ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6240475A JPS5810012B2 (ja) | 1975-05-23 | 1975-05-23 | ジヨウタイヘンスウガタタイイキツウカロハキ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS51138144A JPS51138144A (en) | 1976-11-29 |
| JPS5810012B2 true JPS5810012B2 (ja) | 1983-02-23 |
Family
ID=13199155
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6240475A Expired JPS5810012B2 (ja) | 1975-05-23 | 1975-05-23 | ジヨウタイヘンスウガタタイイキツウカロハキ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5810012B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58172009A (ja) * | 1982-04-02 | 1983-10-08 | Nec Corp | 能動フイルタ |
-
1975
- 1975-05-23 JP JP6240475A patent/JPS5810012B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS51138144A (en) | 1976-11-29 |
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