JPH1197807A - 回路基板 - Google Patents
回路基板Info
- Publication number
- JPH1197807A JPH1197807A JP25307697A JP25307697A JPH1197807A JP H1197807 A JPH1197807 A JP H1197807A JP 25307697 A JP25307697 A JP 25307697A JP 25307697 A JP25307697 A JP 25307697A JP H1197807 A JPH1197807 A JP H1197807A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal
- circuit
- substrate
- copper
- ceramic substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0271—Arrangements for reducing stress or warp in rigid printed circuit boards, e.g. caused by loads, vibrations or differences in thermal expansion
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/05—Insulated conductive substrates, e.g. insulated metal substrate
- H05K1/053—Insulated conductive substrates, e.g. insulated metal substrate the metal substrate being covered by an inorganic insulating layer
Landscapes
- Laminated Bodies (AREA)
- Structure Of Printed Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】耐ヒートサイクル性に優れた高信頼性の回路基
板を提供すること。 【解決手段】セラミックス基板の一方の面に金属回路、
他方の面に金属放熱板が設けられてなるものであって、
金属回路及び／又は金属放熱板が異なる３種以上の金属
が層状に重なったクラッド箔であることを特徴とする回
路基板である。更に、この回路基板において、セラミッ
クス基板の材質が窒化アルミニウムであり、金属回路及
び／又は金属放熱板が窒化アルミニウム基板側からアル
ミニウム、チタニウム、銅の順で層状に重なったクラッ
ド箔であることを特徴とする回路基板。
板を提供すること。 【解決手段】セラミックス基板の一方の面に金属回路、
他方の面に金属放熱板が設けられてなるものであって、
金属回路及び／又は金属放熱板が異なる３種以上の金属
が層状に重なったクラッド箔であることを特徴とする回
路基板である。更に、この回路基板において、セラミッ
クス基板の材質が窒化アルミニウムであり、金属回路及
び／又は金属放熱板が窒化アルミニウム基板側からアル
ミニウム、チタニウム、銅の順で層状に重なったクラッ
ド箔であることを特徴とする回路基板。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、セラミックス基板
に金属回路と金属放熱板とが設けられてなる回路基板の
改良に関するものであって、回路基板の信頼性を向上す
ることを目的とするものである。本発明の回路基板は、
電子部品のパワーモジュール等の組立に好適なものであ
る。
に金属回路と金属放熱板とが設けられてなる回路基板の
改良に関するものであって、回路基板の信頼性を向上す
ることを目的とするものである。本発明の回路基板は、
電子部品のパワーモジュール等の組立に好適なものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、ロボットやモーター等の産業機器
の高性能化に伴い、大電力・高能率インバーター等パワ
ーモジュールの変遷が進んでおり、半導体素子から発生
する熱も増加の一途をたどっている。この熱を効率よく
放散させるため、パワーモジュール基板では従来より様
々な方法が取られてきた。特に最近、良好な熱伝導を有
するセラミックス基板が利用できるようになったため、
その基板上に銅板等の金属板を接合し、回路を形成後、
そのままあるいはＮｉメッキ等の処理を施してから半導
体素子を実装する構造も採用されつつある。
の高性能化に伴い、大電力・高能率インバーター等パワ
ーモジュールの変遷が進んでおり、半導体素子から発生
する熱も増加の一途をたどっている。この熱を効率よく
放散させるため、パワーモジュール基板では従来より様
々な方法が取られてきた。特に最近、良好な熱伝導を有
するセラミックス基板が利用できるようになったため、
その基板上に銅板等の金属板を接合し、回路を形成後、
そのままあるいはＮｉメッキ等の処理を施してから半導
体素子を実装する構造も採用されつつある。
【０００３】このようなモジュールは、当初、簡単な工
作機械に使用されてきたが、ここ数年、溶接機、電車の
駆動部、電気自動車に使用されるようになり、より厳し
い環境条件下における耐久性と更なる小型化が要求され
るようになってきた。そこで、セラミックス基板に対し
ても、電流密度を上げるための金属回路厚の増加、熱衝
撃等に対する耐久性の向上が要求され、セラミックス焼
結体の新たな製造研究により対応している。
作機械に使用されてきたが、ここ数年、溶接機、電車の
駆動部、電気自動車に使用されるようになり、より厳し
い環境条件下における耐久性と更なる小型化が要求され
るようになってきた。そこで、セラミックス基板に対し
ても、電流密度を上げるための金属回路厚の増加、熱衝
撃等に対する耐久性の向上が要求され、セラミックス焼
結体の新たな製造研究により対応している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来、汎用されている
回路基板は、アルミナ基板又は窒化アルミニウム基板に
銅回路を形成させてなる構造のものであるが、更なる耐
ヒートサイクル性に対する信頼性を向上させるため、最
近では窒化アルミニウム基板にアルミニウム回路を形成
させたものが開発されている。しかしながら、アルミニ
ウムは電流密度等の電気的特性が銅よりも劣るので、そ
のような回路基板は広く普及されるまでには至っていな
い。
回路基板は、アルミナ基板又は窒化アルミニウム基板に
銅回路を形成させてなる構造のものであるが、更なる耐
ヒートサイクル性に対する信頼性を向上させるため、最
近では窒化アルミニウム基板にアルミニウム回路を形成
させたものが開発されている。しかしながら、アルミニ
ウムは電流密度等の電気的特性が銅よりも劣るので、そ
のような回路基板は広く普及されるまでには至っていな
い。
【０００５】本発明は、上記に鑑みてなされたものであ
り、その目的は耐ヒートサイクル性に優れた高信頼性の
回路基板を提供することである。
り、その目的は耐ヒートサイクル性に優れた高信頼性の
回路基板を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は、セ
ラミックス基板の一方の面に金属回路、他方の面に金属
放熱板が設けられてなるものであって、金属回路及び／
又は金属放熱板が異なる３種以上の金属が層状に重なっ
たクラッド箔であることを特徴とする回路基板である。
更に、本発明は、この回路基板において、セラミックス
基板の材質が窒化アルミニウムであり、金属回路及び／
又は金属放熱板が窒化アルミニウム基板側からアルミニ
ウム、チタニウム、銅の順で層状に重なったクラッド箔
であることを特徴とするものである。
ラミックス基板の一方の面に金属回路、他方の面に金属
放熱板が設けられてなるものであって、金属回路及び／
又は金属放熱板が異なる３種以上の金属が層状に重なっ
たクラッド箔であることを特徴とする回路基板である。
更に、本発明は、この回路基板において、セラミックス
基板の材質が窒化アルミニウムであり、金属回路及び／
又は金属放熱板が窒化アルミニウム基板側からアルミニ
ウム、チタニウム、銅の順で層状に重なったクラッド箔
であることを特徴とするものである。
【０００７】
【発明の実施の形態】更に詳しく本発明について説明す
ると、回路基板の金属回路部分には数百アンペア、数千
ボルトの高電圧、高電流が流れるため、現在、銅回路が
主として用いられている。しかし、使用時の環境の変化
や、スイッチングによる熱等によって熱衝撃を繰り返し
て受けるため、銅とセラミックスの熱膨張差による熱応
力により、セラミックス基板の界面より銅回路が剥離す
る問題が生じていた。
ると、回路基板の金属回路部分には数百アンペア、数千
ボルトの高電圧、高電流が流れるため、現在、銅回路が
主として用いられている。しかし、使用時の環境の変化
や、スイッチングによる熱等によって熱衝撃を繰り返し
て受けるため、銅とセラミックスの熱膨張差による熱応
力により、セラミックス基板の界面より銅回路が剥離す
る問題が生じていた。
【０００８】銅とセラミックスの熱膨張差による熱応力
は、熱膨張率だけではなく、その金属自体が持つ機械的
性質、主に引張強度や耐力でその大きさが決まる。した
がって、熱応力を軽減させるには、銅よりも引張強度や
耐力の小さい金属を用いればよいが、そのような特性を
持ち、しかも銅と同程度の電気的特性を有する金属は、
今のところ現存しない。
は、熱膨張率だけではなく、その金属自体が持つ機械的
性質、主に引張強度や耐力でその大きさが決まる。した
がって、熱応力を軽減させるには、銅よりも引張強度や
耐力の小さい金属を用いればよいが、そのような特性を
持ち、しかも銅と同程度の電気的特性を有する金属は、
今のところ現存しない。
【０００９】そこで、本発明者らは、種々検討した結
果、引張強度や耐力が小さい金属ａをセラミックス基板
と接合する面に配置することによって、金属ａとセラミ
ックス間の熱膨張差による熱応力を低減させ、その上に
電気的特性の良好な金属ｂを重ね合わせるが、その際
に、セラミックスと金属の接合時の熱によって金属ａと
金属ｂとが反応、拡散しあわないように、金属ａと金属
ｂとの間に金属ｃを介在さて金属回路を形成すればよい
ことを見いだしたものである。
果、引張強度や耐力が小さい金属ａをセラミックス基板
と接合する面に配置することによって、金属ａとセラミ
ックス間の熱膨張差による熱応力を低減させ、その上に
電気的特性の良好な金属ｂを重ね合わせるが、その際
に、セラミックスと金属の接合時の熱によって金属ａと
金属ｂとが反応、拡散しあわないように、金属ａと金属
ｂとの間に金属ｃを介在さて金属回路を形成すればよい
ことを見いだしたものである。
【００１０】本発明で使用されるセラミックス基板の材
質としては、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、アルミナ
等であるが、パワーモジュールには窒化アルミニウムが
適している。セラミックス基板の厚みとしては、厚すぎ
ると熱抵抗が大きくなり、薄すぎると耐久性がなくなる
ため、０．５〜０．８ｍｍ程度が好ましい。
質としては、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、アルミナ
等であるが、パワーモジュールには窒化アルミニウムが
適している。セラミックス基板の厚みとしては、厚すぎ
ると熱抵抗が大きくなり、薄すぎると耐久性がなくなる
ため、０．５〜０．８ｍｍ程度が好ましい。
【００１１】セラミックス基板の表面性状は重要であ
り、微少な欠陥や窪み等は、金属回路、金属放熱板ある
いはそれらの前駆体である金属板をセラミックス基板に
接合する際に悪影響を与えるため、平滑であることが望
ましい。従って、セラミックス基板は、ホーニング処理
や機械加工等による研磨処理が施されていることが好ま
しい。
り、微少な欠陥や窪み等は、金属回路、金属放熱板ある
いはそれらの前駆体である金属板をセラミックス基板に
接合する際に悪影響を与えるため、平滑であることが望
ましい。従って、セラミックス基板は、ホーニング処理
や機械加工等による研磨処理が施されていることが好ま
しい。
【００１２】金属回路及び金属放熱板を形成するクラッ
ド箔の材質は、引張強度や耐力が小さく、セラミックス
との熱膨張差による熱応力を低減する役割を持つ金属ａ
としては、アルミニウム、鉛、白金等が好ましく、中で
もアルミニウムが特に好ましい。また、電気的特性の良
好な金属ｂとしては、銅、銀、金、アルミニウム等が好
ましく、中でも銅が特に好ましい。金属ｃとしては、チ
タン、ジルコニウム、モリブデン、タングステン等が好
ましいが、特に好適な金属は、金属ａと金属ｂとの共晶
点温度や反応性によって選択する。場合によっては、金
属ｃの部分はチタンとジルコニウムからなる構造であっ
ても良い。
ド箔の材質は、引張強度や耐力が小さく、セラミックス
との熱膨張差による熱応力を低減する役割を持つ金属ａ
としては、アルミニウム、鉛、白金等が好ましく、中で
もアルミニウムが特に好ましい。また、電気的特性の良
好な金属ｂとしては、銅、銀、金、アルミニウム等が好
ましく、中でも銅が特に好ましい。金属ｃとしては、チ
タン、ジルコニウム、モリブデン、タングステン等が好
ましいが、特に好適な金属は、金属ａと金属ｂとの共晶
点温度や反応性によって選択する。場合によっては、金
属ｃの部分はチタンとジルコニウムからなる構造であっ
ても良い。
【００１３】クラッド箔を構成するそれぞれの金属の厚
みは、金属ａが３０〜２００μｍ、金属ｂが１００〜５
００μｍ、金属ｃが５〜３０μｍであることが好まし
い。
みは、金属ａが３０〜２００μｍ、金属ｂが１００〜５
００μｍ、金属ｃが５〜３０μｍであることが好まし
い。
【００１４】セラミックス基板にクラッド箔の回路及び
／又は放熱板を形成する方法としては、セラミックス基
板とクラッド箔との接合体をエッチングする方法、クラ
ッド箔から打ち抜かれた回路及び／又は放熱板のパター
ンをセラミックス基板に接合する方法等によって行うこ
とができ、これらの際における接合方法としては、活性
金属ろう付け法が好ましい。
／又は放熱板を形成する方法としては、セラミックス基
板とクラッド箔との接合体をエッチングする方法、クラ
ッド箔から打ち抜かれた回路及び／又は放熱板のパター
ンをセラミックス基板に接合する方法等によって行うこ
とができ、これらの際における接合方法としては、活性
金属ろう付け法が好ましい。
【００１５】活性金属ろう付け法については、例えば特
開昭６０−１７７６３４号公報に記載されている。活性
金属ろう付け法におけるろう材の金属成分は、アルミニ
ウムとシリコンを主成分とし、溶融時のセラミックス基
板との濡れ性を確保するために活性金属を副成分とした
ものが好ましい。活性金属成分は、セラミックス基板と
反応して酸化物や窒化物を生成し、ろう材とセラミック
ス基板との結合を強固なものにする。活性金属の具体例
をあげれば、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、ニオ
ブ、タンタル、バナジウムやこれらの化合物である。本
発明におけるこれらの比率としては、アルミニウム７０
〜９５重量部、シリコン３０〜５重量部及び銅０〜５重
量部の合計量１００重量部あたり、活性金属１〜３０重
量部である。接合温度は、５６０〜６４０℃が望まし
い。
開昭６０−１７７６３４号公報に記載されている。活性
金属ろう付け法におけるろう材の金属成分は、アルミニ
ウムとシリコンを主成分とし、溶融時のセラミックス基
板との濡れ性を確保するために活性金属を副成分とした
ものが好ましい。活性金属成分は、セラミックス基板と
反応して酸化物や窒化物を生成し、ろう材とセラミック
ス基板との結合を強固なものにする。活性金属の具体例
をあげれば、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、ニオ
ブ、タンタル、バナジウムやこれらの化合物である。本
発明におけるこれらの比率としては、アルミニウム７０
〜９５重量部、シリコン３０〜５重量部及び銅０〜５重
量部の合計量１００重量部あたり、活性金属１〜３０重
量部である。接合温度は、５６０〜６４０℃が望まし
い。
【００１６】
【実施例】以下、本発明を実施例と比較例をあげて具体
的に説明する。
的に説明する。
【００１７】実施例１〜１０ 表１に示したろう材組成１００重量部にテルピネオール
１５部を配合し、ポリイソブチルメタアクリレートのト
ルエン溶液を加えて混練し、ろう材ペーストを調製し
た。このろう材ペーストを窒化アルミニウム基板（サイ
ズ：６０ｍｍ×３６ｍｍ×０．６５ｍｍ 曲げ強さ：４
０ｋｇ／ｍｍ2 熱伝導率：１３５Ｗ／ｍＫ）の両面に
スクリーン印刷によって回路パターン状に塗布した。そ
の際の塗布量（乾燥後）は３ｍｇ／ｃｍ2 とした。
１５部を配合し、ポリイソブチルメタアクリレートのト
ルエン溶液を加えて混練し、ろう材ペーストを調製し
た。このろう材ペーストを窒化アルミニウム基板（サイ
ズ：６０ｍｍ×３６ｍｍ×０．６５ｍｍ 曲げ強さ：４
０ｋｇ／ｍｍ2 熱伝導率：１３５Ｗ／ｍＫ）の両面に
スクリーン印刷によって回路パターン状に塗布した。そ
の際の塗布量（乾燥後）は３ｍｇ／ｃｍ2 とした。
【００１８】次に、窒化アルミニウム基板の両面に、表
１に示した各種クラッド箔（５６ｍｍ×３２ｍｍ×０．
３ｍｍ）のパターンを接触配置してから、真空度１×１
０-5Ｔｏｒｒ以下の真空下、６２０℃で３０分加熱した
後、２℃／分の降温速度で冷却して回路基板を製造し
た。
１に示した各種クラッド箔（５６ｍｍ×３２ｍｍ×０．
３ｍｍ）のパターンを接触配置してから、真空度１×１
０-5Ｔｏｒｒ以下の真空下、６２０℃で３０分加熱した
後、２℃／分の降温速度で冷却して回路基板を製造し
た。
【００１９】比較例１ 重量割合で、銀粉末９０部、銅粉末１０部、ジルコニウ
ム粉末３部、チタン粉末３部及びテルピネオール１５部
を配合し、ポリイソブチルメタアクリレートのトルエン
溶液を加えて混練し、ろう材ペーストを調製した。この
ろう材ペーストを実施例１と同様の窒化アルミニウム基
板の両面にスクリーン印刷によって回路パターン状に塗
布した。その際の塗布量（乾燥後）は９ｍｇ／ｃｍ2 と
した。
ム粉末３部、チタン粉末３部及びテルピネオール１５部
を配合し、ポリイソブチルメタアクリレートのトルエン
溶液を加えて混練し、ろう材ペーストを調製した。この
ろう材ペーストを実施例１と同様の窒化アルミニウム基
板の両面にスクリーン印刷によって回路パターン状に塗
布した。その際の塗布量（乾燥後）は９ｍｇ／ｃｍ2 と
した。
【００２０】次に、金属回路形成面に５６ｍｍ×３２ｍ
ｍ×０．３ｍｍの銅回路パターンを、また金属放熱板形
成面に５６ｍｍ×３２ｍｍ×０．１５ｍｍ銅放熱板のパ
ターンを接触配置してから、真空度１×１０-5Ｔｏｒｒ
以下の真空下、８３０℃で３０分加熱した後、２℃／分
の降温速度で冷却して回路基板を製造した。
ｍ×０．３ｍｍの銅回路パターンを、また金属放熱板形
成面に５６ｍｍ×３２ｍｍ×０．１５ｍｍ銅放熱板のパ
ターンを接触配置してから、真空度１×１０-5Ｔｏｒｒ
以下の真空下、８３０℃で３０分加熱した後、２℃／分
の降温速度で冷却して回路基板を製造した。
【００２１】これら一連の処理を経て製作された回路基
板について、気中、−４０℃×３０分保持後、２５℃×
１０分間放置を１サイクルとするヒートサイクル試験を
行い、金属回路又は金属放熱板が剥離するサイクル数を
測定した。それらの結果を表１に示す。
板について、気中、−４０℃×３０分保持後、２５℃×
１０分間放置を１サイクルとするヒートサイクル試験を
行い、金属回路又は金属放熱板が剥離するサイクル数を
測定した。それらの結果を表１に示す。
【００２２】
【表１】
【００２３】
【発明の効果】本発明によれば、耐ヒートサイクル性に
優れた高信頼性の回路基板が提供される。
優れた高信頼性の回路基板が提供される。
Claims (2)
- 【請求項１】 セラミックス基板の一方の面に金属回
路、他方の面に金属放熱板が設けられてなるものであっ
て、金属回路及び／又は金属放熱板が異なる３種以上の
金属が層状に重なったクラッド箔であることを特徴とす
る回路基板。 - 【請求項２】 セラミックス基板の材質が窒化アルミニ
ウムであり、金属回路及び／又は金属放熱板が窒化アル
ミニウム基板側からアルミニウム、チタニウム、銅の順
で層状に重なったクラッド箔であることを特徴とする請
求項１記載の回路基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25307697A JPH1197807A (ja) | 1997-09-18 | 1997-09-18 | 回路基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25307697A JPH1197807A (ja) | 1997-09-18 | 1997-09-18 | 回路基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1197807A true JPH1197807A (ja) | 1999-04-09 |
Family
ID=17246166
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25307697A Pending JPH1197807A (ja) | 1997-09-18 | 1997-09-18 | 回路基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1197807A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012248697A (ja) * | 2011-05-27 | 2012-12-13 | Showa Denko Kk | 絶縁基板用積層材の製造方法 |
-
1997
- 1997-09-18 JP JP25307697A patent/JPH1197807A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012248697A (ja) * | 2011-05-27 | 2012-12-13 | Showa Denko Kk | 絶縁基板用積層材の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3012835B2 (ja) | 基板とその製造法、基板に好適な金属接合体 | |
| KR100374379B1 (ko) | 기판 | |
| JP3449458B2 (ja) | 回路基板 | |
| JP4104429B2 (ja) | モジュール構造体とそれを用いたモジュール | |
| JP3308883B2 (ja) | 基 板 | |
| JP3933287B2 (ja) | ヒートシンク付き回路基板 | |
| JPH08102570A (ja) | セラミックス回路基板 | |
| JP3257869B2 (ja) | 回路基板 | |
| JP3190282B2 (ja) | 回路基板の製造方法 | |
| JPH1197807A (ja) | 回路基板 | |
| JP3155874B2 (ja) | 回路基板 | |
| JP3537320B2 (ja) | 回路基板 | |
| JP3260224B2 (ja) | 回路基板の製造方法 | |
| JP3729637B2 (ja) | 電子部品 | |
| JP3260213B2 (ja) | 回路基板 | |
| JP2000031609A (ja) | 回路基板 | |
| JP3734359B2 (ja) | 回路基板 | |
| JP3529085B2 (ja) | ヒートシンク付き回路基板 | |
| WO2021054316A1 (ja) | 回路基板及びこれを備えるモジュール | |
| JP4111253B2 (ja) | 回路基板 | |
| JP3260222B2 (ja) | 回路基板の製造方法 | |
| JP3797784B2 (ja) | 回路基板 | |
| JPH04170089A (ja) | セラミックス回路基板 | |
| JP3155885B2 (ja) | 回路基板 | |
| JP3561197B2 (ja) | 配線基板 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060925 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20061003 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20070313 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070319 |
|
| A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20070427 |
|
| A912 | Removal of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20070518 |