JPH1197751A - 熱電変換材料及びその製造方法 - Google Patents
熱電変換材料及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH1197751A JPH1197751A JP9257390A JP25739097A JPH1197751A JP H1197751 A JPH1197751 A JP H1197751A JP 9257390 A JP9257390 A JP 9257390A JP 25739097 A JP25739097 A JP 25739097A JP H1197751 A JPH1197751 A JP H1197751A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thermoelectric conversion
- oxide
- conversion material
- sintered body
- porosity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims abstract description 72
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 72
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 17
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims abstract description 12
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 150000002910 rare earth metals Chemical group 0.000 claims abstract description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 28
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 19
- 239000011148 porous material Substances 0.000 abstract description 21
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 13
- 238000002156 mixing Methods 0.000 abstract description 2
- 239000012188 paraffin wax Substances 0.000 abstract description 2
- IATRAKWUXMZMIY-UHFFFAOYSA-N strontium oxide Inorganic materials [O-2].[Sr+2] IATRAKWUXMZMIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 18
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 14
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 13
- -1 selenide compounds Chemical class 0.000 description 11
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 10
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Inorganic materials [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 9
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 9
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 9
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 9
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 8
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 7
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 7
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 7
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 6
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 5
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 4
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 4
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 4
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 4
- 229940057995 liquid paraffin Drugs 0.000 description 4
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 4
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 4
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 3
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002918 waste heat Substances 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910017082 Fe-Si Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910017133 Fe—Si Inorganic materials 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005679 Peltier effect Effects 0.000 description 2
- 230000005678 Seebeck effect Effects 0.000 description 2
- 230000005680 Thomson effect Effects 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000005485 electric heating Methods 0.000 description 2
- VQCBHWLJZDBHOS-UHFFFAOYSA-N erbium(iii) oxide Chemical compound O=[Er]O[Er]=O VQCBHWLJZDBHOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 2
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000002440 industrial waste Substances 0.000 description 2
- 230000002427 irreversible effect Effects 0.000 description 2
- MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N lanthanum(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[La+3].[La+3] MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 2
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052574 oxide ceramic Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011224 oxide ceramic Substances 0.000 description 2
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 238000005057 refrigeration Methods 0.000 description 2
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 2
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010532 solid phase synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 2
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004772 tellurides Chemical class 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 2
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- LNAZSHAWQACDHT-XIYTZBAFSA-N (2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-dimethoxy-2-(methoxymethyl)-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-trimethoxy-6-(methoxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6r)-4,5,6-trimethoxy-2-(methoxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxane Chemical compound CO[C@@H]1[C@@H](OC)[C@H](OC)[C@@H](COC)O[C@H]1O[C@H]1[C@H](OC)[C@@H](OC)[C@H](O[C@H]2[C@@H]([C@@H](OC)[C@H](OC)O[C@@H]2COC)OC)O[C@@H]1COC LNAZSHAWQACDHT-XIYTZBAFSA-N 0.000 description 1
- INZDTEICWPZYJM-UHFFFAOYSA-N 1-(chloromethyl)-4-[4-(chloromethyl)phenyl]benzene Chemical compound C1=CC(CCl)=CC=C1C1=CC=C(CCl)C=C1 INZDTEICWPZYJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018516 Al—O Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007088 Archimedes method Methods 0.000 description 1
- 229910016339 Bi—Sb—Te Inorganic materials 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002134 Carboxymethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910005329 FeSi 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005900 GeTe Inorganic materials 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002665 PbTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 150000001299 aldehydes Chemical class 0.000 description 1
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 1
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001768 carboxy methyl cellulose Substances 0.000 description 1
- 235000010948 carboxy methyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 239000008112 carboxymethyl-cellulose Substances 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 150000001805 chlorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000000975 co-precipitation Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009694 cold isostatic pressing Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000113 differential scanning calorimetry Methods 0.000 description 1
- 229910003440 dysprosium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- NLQFUUYNQFMIJW-UHFFFAOYSA-N dysprosium(iii) oxide Chemical compound O=[Dy]O[Dy]=O NLQFUUYNQFMIJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 235000010944 ethyl methyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 229910001938 gadolinium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940075613 gadolinium oxide Drugs 0.000 description 1
- CMIHHWBVHJVIGI-UHFFFAOYSA-N gadolinium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Gd+3].[Gd+3] CMIHHWBVHJVIGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JYTUFVYWTIKZGR-UHFFFAOYSA-N holmium oxide Inorganic materials [O][Ho]O[Ho][O] JYTUFVYWTIKZGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OWCYYNSBGXMRQN-UHFFFAOYSA-N holmium(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ho+3].[Ho+3] OWCYYNSBGXMRQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008240 homogeneous mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 230000002706 hydrostatic effect Effects 0.000 description 1
- 238000001027 hydrothermal synthesis Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910003443 lutetium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 229920000609 methyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000001923 methylcellulose Substances 0.000 description 1
- 235000010981 methylcellulose Nutrition 0.000 description 1
- 229920003087 methylethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002823 nitrates Chemical class 0.000 description 1
- 231100000956 nontoxicity Toxicity 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- MPARYNQUYZOBJM-UHFFFAOYSA-N oxo(oxolutetiooxy)lutetium Chemical compound O=[Lu]O[Lu]=O MPARYNQUYZOBJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZARVOZCHNMQIBL-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-) titanium(4+) zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4] ZARVOZCHNMQIBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MMKQUGHLEMYQSG-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);praseodymium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Pr+3].[Pr+3] MMKQUGHLEMYQSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WKMKTIVRRLOHAJ-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);thallium(1+) Chemical compound [O-2].[Tl+].[Tl+] WKMKTIVRRLOHAJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UZLYXNNZYFBAQO-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);ytterbium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Yb+3].[Yb+3] UZLYXNNZYFBAQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 238000004663 powder metallurgy Methods 0.000 description 1
- 229910003447 praseodymium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 1
- IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N rubidium atom Chemical compound [Rb] IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001954 samarium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940075630 samarium oxide Drugs 0.000 description 1
- FKTOIHSPIPYAPE-UHFFFAOYSA-N samarium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Sm+3].[Sm+3] FKTOIHSPIPYAPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HYXGAEYDKFCVMU-UHFFFAOYSA-N scandium oxide Chemical compound O=[Sc]O[Sc]=O HYXGAEYDKFCVMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005204 segregation Methods 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N tellanylidenelead Chemical compound [Pb]=[Te] OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XSOKHXFFCGXDJZ-UHFFFAOYSA-N telluride(2-) Chemical compound [Te-2] XSOKHXFFCGXDJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003451 terbium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- SCRZPWWVSXWCMC-UHFFFAOYSA-N terbium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Tb+3].[Tb+3] SCRZPWWVSXWCMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003438 thallium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002341 toxic gas Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000001993 wax Substances 0.000 description 1
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 1
- 229910003454 ytterbium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940075624 ytterbium oxide Drugs 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】特に、高温域でも優れた熱電変換性能が安定し
て得られる熱電変換材料を提供することを主な目的とす
る。 【解決手段】仕事関数が4eV以下である無機酸化物
及びC稀土構造を有するA2O3型酸化物の少なくとも
1種を含有する焼結体からなり、気孔率が3〜90%で
ある熱電変換材料、及びその製造方法。
て得られる熱電変換材料を提供することを主な目的とす
る。 【解決手段】仕事関数が4eV以下である無機酸化物
及びC稀土構造を有するA2O3型酸化物の少なくとも
1種を含有する焼結体からなり、気孔率が3〜90%で
ある熱電変換材料、及びその製造方法。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、新規な熱電変換材
料及びその製造方法に関する。
料及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来技術】異なる二つの物質を接合し、二箇所の接合
部を有する閉回路を形成し、一方の接合部を加熱すると
ともに他方を冷却すると、両物質の種類の違い及び温度
差に基づき起電力が発生する(ゼーベック効果)。上記
閉回路を開き、外部から直流電流を通電すると、一方の
接合部は熱を吸収し、他方の接合部では熱を発生する
(ペルチェ効果)。さらに、均質な物質の両端に温度差
をつくり、この温度勾配に沿って電流を流すと、物質内
で熱の吸収又は発生が起こる(トムソン効果)。
部を有する閉回路を形成し、一方の接合部を加熱すると
ともに他方を冷却すると、両物質の種類の違い及び温度
差に基づき起電力が発生する(ゼーベック効果)。上記
閉回路を開き、外部から直流電流を通電すると、一方の
接合部は熱を吸収し、他方の接合部では熱を発生する
(ペルチェ効果)。さらに、均質な物質の両端に温度差
をつくり、この温度勾配に沿って電流を流すと、物質内
で熱の吸収又は発生が起こる(トムソン効果)。
【0003】これらゼーベック効果、ペルチェ効果、ト
ムソン効果等は、熱電変換効果と総称されるものであ
り、いずれの現象も可逆性である。すなわち、熱伝導、
ジュール効果(物質内に電流を流すと物質に固有の電気
抵抗に起因して発熱(ジュール熱)を起こす現象)等の
ような非可逆現象とは対象的なものである。
ムソン効果等は、熱電変換効果と総称されるものであ
り、いずれの現象も可逆性である。すなわち、熱伝導、
ジュール効果(物質内に電流を流すと物質に固有の電気
抵抗に起因して発熱(ジュール熱)を起こす現象)等の
ような非可逆現象とは対象的なものである。
【0004】これらの可逆現象と非可逆現象とを組み合
わせると熱電発電、熱電冷却等が可能となる。このた
め、熱電変換現象を生じる熱電変換材料は、熱電発電、
熱電冷却等を利用する分野においてその研究・開発が盛
んに行われている。
わせると熱電発電、熱電冷却等が可能となる。このた
め、熱電変換現象を生じる熱電変換材料は、熱電発電、
熱電冷却等を利用する分野においてその研究・開発が盛
んに行われている。
【0005】例えば、近年においては、地球環境問題か
らフロン化合物の使用規制が厳しくなっているが、この
規制をクリアーするために冷凍・冷蔵機器あるいは暖房
機器の構造の複雑化が強いられており、機器の小型化等
の障害となっている。このため、熱電変換材料の活用が
これらの問題を一挙に解決できる切り札として脚光を浴
びつつある。また、産業廃棄物等の増加に伴い、これら
焼却廃熱の有効利用が課題となっている。これらの廃熱
利用に関し、特に100℃前後の比較的低温の廃熱から
800℃以上の高温廃熱まで極めて広い温度領域にわた
って利用できる熱電変換材料の開発も急務とされてい
る。
らフロン化合物の使用規制が厳しくなっているが、この
規制をクリアーするために冷凍・冷蔵機器あるいは暖房
機器の構造の複雑化が強いられており、機器の小型化等
の障害となっている。このため、熱電変換材料の活用が
これらの問題を一挙に解決できる切り札として脚光を浴
びつつある。また、産業廃棄物等の増加に伴い、これら
焼却廃熱の有効利用が課題となっている。これらの廃熱
利用に関し、特に100℃前後の比較的低温の廃熱から
800℃以上の高温廃熱まで極めて広い温度領域にわた
って利用できる熱電変換材料の開発も急務とされてい
る。
【0006】従来からの熱電変換素子に用いられている
熱電変換材料として代表的な組成としては、Bi、S
b、Te、Se等を主構成成分とするテルライド化合物
又はセレナイド化合物、あるいはCu、Sn、S等を主
構成成分とする組成物がある。Bi−Sb−Te−Se
系では、例えば特開平5−48152号公報、特開平5
−155625号公報、特開平5−206525号公
報、特開平6−21518号公報、特開平6−8533
3号公報、特開平6−97513号公報、特開平6−1
07407号公報、特開平6−140674号公報、特
開平6−216414号公報、特開平6−216415
号公報、特開平6−231018号公報、特開平6−3
02866号公報、特開平7−273374号公報、特
開平7−211945号公報、特開平7−283442
号公報、特開平8−306970号公報、特開平9−1
8060号公報、特開平9−18061号公報、特開平
9−36440号公報等で開示されたものがあり、これ
らは単独のまま又は複合化したり、あるいは導電成分を
添加して利用されている。Cu−Sn−S系では、例え
ば特開平8−78733号公報等で開示されたものがあ
る。またZn−Al−O系では、例えば特開平8−18
6293号公報、特開平8ー204240号公報等に開
示されたものがある。
熱電変換材料として代表的な組成としては、Bi、S
b、Te、Se等を主構成成分とするテルライド化合物
又はセレナイド化合物、あるいはCu、Sn、S等を主
構成成分とする組成物がある。Bi−Sb−Te−Se
系では、例えば特開平5−48152号公報、特開平5
−155625号公報、特開平5−206525号公
報、特開平6−21518号公報、特開平6−8533
3号公報、特開平6−97513号公報、特開平6−1
07407号公報、特開平6−140674号公報、特
開平6−216414号公報、特開平6−216415
号公報、特開平6−231018号公報、特開平6−3
02866号公報、特開平7−273374号公報、特
開平7−211945号公報、特開平7−283442
号公報、特開平8−306970号公報、特開平9−1
8060号公報、特開平9−18061号公報、特開平
9−36440号公報等で開示されたものがあり、これ
らは単独のまま又は複合化したり、あるいは導電成分を
添加して利用されている。Cu−Sn−S系では、例え
ば特開平8−78733号公報等で開示されたものがあ
る。またZn−Al−O系では、例えば特開平8−18
6293号公報、特開平8ー204240号公報等に開
示されたものがある。
【0007】さらに、Fe、Mo、Co、Ge等を含む
Si化合物としては、例えば特開平5−152613号
公報、特開平5−283751号公報、特開平5−31
5655号公報、特開平5−343148号公報、特開
平6−37360号公報、特開平6−69548号公
報、特開平6−169110号公報、特開平6−177
436号公報、特開平6−204571号公報、特開平
6−244465号公報、特開平6−334226号公
報、特開平6−350142号公報、特開平7−458
69号公報、特開平7−45870号公報、特開平7−
48116号公報、特開平7−216401号公報、特
開平8−56020号公報、特開平8−18108号公
報、特開平8−74380号公報、特開平8−1393
69号公報、特開平8−172223号公報、特開平8
−236817号公報、特開平8−288556号公
報、特開平8−306963号公報等に開示されたもの
がある。
Si化合物としては、例えば特開平5−152613号
公報、特開平5−283751号公報、特開平5−31
5655号公報、特開平5−343148号公報、特開
平6−37360号公報、特開平6−69548号公
報、特開平6−169110号公報、特開平6−177
436号公報、特開平6−204571号公報、特開平
6−244465号公報、特開平6−334226号公
報、特開平6−350142号公報、特開平7−458
69号公報、特開平7−45870号公報、特開平7−
48116号公報、特開平7−216401号公報、特
開平8−56020号公報、特開平8−18108号公
報、特開平8−74380号公報、特開平8−1393
69号公報、特開平8−172223号公報、特開平8
−236817号公報、特開平8−288556号公
報、特開平8−306963号公報等に開示されたもの
がある。
【0008】また、Co、Sb等の化合物としては、例
えば特開平8−186294号公報等に開示されたもの
がある。SrO、BaO、TiO2等を主構成成分とす
る複合酸化物としては、例えば特開平5−129667
号公報、特開平5−218511号公報、特開平8−2
31223号公報等に開示されたものがある。
えば特開平8−186294号公報等に開示されたもの
がある。SrO、BaO、TiO2等を主構成成分とす
る複合酸化物としては、例えば特開平5−129667
号公報、特開平5−218511号公報、特開平8−2
31223号公報等に開示されたものがある。
【0009】ところで、熱電変換材料の熱電変換性能
は、一般に下式(1)で見積もられる性能指数Z(単
位:K-1)、あるいは下式(2)で示される出力因子
(単位:W/mK)によって評価される。これらの値が
大きいほど熱電変換性能に優れている。
は、一般に下式(1)で見積もられる性能指数Z(単
位:K-1)、あるいは下式(2)で示される出力因子
(単位:W/mK)によって評価される。これらの値が
大きいほど熱電変換性能に優れている。
【0010】 性能指数:Z=α2・σ/k …(1) 出力因子:log(α2・σ) …(2) (但し、αは熱起電率(単位:μv/k)、σは電気伝
導率(単位:mΩ-1)、kは熱伝導率(単位:W/m
k)である。) 従って、優れた熱電変換性能を有する熱電変換材料を得
るためには、理論上は熱起電率αと電気伝導率σが大き
く、熱伝導率kの小さな材料を選べば良いことになる。
しかし、一般に金属を主成分とする熱電変換材料におい
ては、熱伝導率kと電気伝導率σとの比は一定の温度下
では金属種によらず一定値になるというウィーデマン−
フランツの法則が成立することから、単に金属種を選択
するだけでは優れた熱電変換性能を得ることはできな
い。
導率(単位:mΩ-1)、kは熱伝導率(単位:W/m
k)である。) 従って、優れた熱電変換性能を有する熱電変換材料を得
るためには、理論上は熱起電率αと電気伝導率σが大き
く、熱伝導率kの小さな材料を選べば良いことになる。
しかし、一般に金属を主成分とする熱電変換材料におい
ては、熱伝導率kと電気伝導率σとの比は一定の温度下
では金属種によらず一定値になるというウィーデマン−
フランツの法則が成立することから、単に金属種を選択
するだけでは優れた熱電変換性能を得ることはできな
い。
【0011】これに対し、半導体材料では、上記法則が
必ずしも成り立たない。従って、電気伝導率は大きく、
熱伝導率が小さい材料を開発することは不可能ではな
く、例えば熱起電率の値が金属材料のそれに比べて10
倍〜数百倍も大きなものも開発可能である。このため、
熱電変換材料として半導体材料の研究が盛んに行われて
おり、実際に今までも新材料が種々開発されている。
必ずしも成り立たない。従って、電気伝導率は大きく、
熱伝導率が小さい材料を開発することは不可能ではな
く、例えば熱起電率の値が金属材料のそれに比べて10
倍〜数百倍も大きなものも開発可能である。このため、
熱電変換材料として半導体材料の研究が盛んに行われて
おり、実際に今までも新材料が種々開発されている。
【0012】例えば、高温発電用としてFe、あるいは
Co、Mo等を構成元素とするシリサイド等がある。ま
た、カルコゲナイト系材料では、Bi2Te3、Sb2T
e3、PbTe、GeTe等の室温付近で顕著な熱電変
換性能を示し、しかも性能指数Zの値が10-3を超える
ものもある。さらに、Cu−Sn−Sを主構成成分とす
る合金に半導体特性をもつCu4SnS4と高い電気伝導
率を有するCuとを共存させた熱電変換材料がある。さ
らには、チタン酸化物とストロンチウム酸化物を主要構
成成分とする酸化物系化合物を還元剤の存在下で水素を
含む還元性ガス雰囲気中で熱処理して還元し、酸素欠陥
を導入した電気伝導度100s/cm以上の熱電変換材
料も提案されている。
Co、Mo等を構成元素とするシリサイド等がある。ま
た、カルコゲナイト系材料では、Bi2Te3、Sb2T
e3、PbTe、GeTe等の室温付近で顕著な熱電変
換性能を示し、しかも性能指数Zの値が10-3を超える
ものもある。さらに、Cu−Sn−Sを主構成成分とす
る合金に半導体特性をもつCu4SnS4と高い電気伝導
率を有するCuとを共存させた熱電変換材料がある。さ
らには、チタン酸化物とストロンチウム酸化物を主要構
成成分とする酸化物系化合物を還元剤の存在下で水素を
含む還元性ガス雰囲気中で熱処理して還元し、酸素欠陥
を導入した電気伝導度100s/cm以上の熱電変換材
料も提案されている。
【0013】このように、熱電変換材料としては多岐組
成にわたり非常に多くの材料が従来から開発されている
が、その熱電変換性能あるいは他の物性については寿命
特性等も含めて必ずしも十分なものとは言えない。例え
ば、Bi−Sb−Te系材料、Bi−Sb−Te−Se
系材料等は、非常に脆く硬くて機械加工性に乏しい。
成にわたり非常に多くの材料が従来から開発されている
が、その熱電変換性能あるいは他の物性については寿命
特性等も含めて必ずしも十分なものとは言えない。例え
ば、Bi−Sb−Te系材料、Bi−Sb−Te−Se
系材料等は、非常に脆く硬くて機械加工性に乏しい。
【0014】熱電変換素子としては、通常数mm角のも
のが用いられていたが、ここ十年来薄型化が進み、数1
0〜数100μmの厚さのものがより性能を高めるのに
有効であることが確認されている。すなわち、従来のも
のよりも小型化かつ薄型化することが高性能化に必要不
可欠である(電気通信学会論文誌C-II J-75C-II (8)416
-424(1975))。
のが用いられていたが、ここ十年来薄型化が進み、数1
0〜数100μmの厚さのものがより性能を高めるのに
有効であることが確認されている。すなわち、従来のも
のよりも小型化かつ薄型化することが高性能化に必要不
可欠である(電気通信学会論文誌C-II J-75C-II (8)416
-424(1975))。
【0015】また、従来では数10素子対を1cm2内
に収納して1モジュールとしたものが一般的であった
が、温度差を利用する発電素子では起電力が素子対の数
に比例することから、取り出す電力の電圧を高めるため
により多く素子対を直列に接続することが最重要事項に
なっている。
に収納して1モジュールとしたものが一般的であった
が、温度差を利用する発電素子では起電力が素子対の数
に比例することから、取り出す電力の電圧を高めるため
により多く素子対を直列に接続することが最重要事項に
なっている。
【0016】さらに、これまでの熱電変換材料では、上
記のように硬くて脆いという物性に起因して製造時又は
実用時にクラック、欠損等が生じやすいことが耐熱衝撃
強度の向上の妨げもなっている。一方、最近では、前記
のごとく産業廃棄物の廃熱利用を図るために高温域で使
用できることが必要とされているが、これまでの金属化
合物、化合物半導体、酸化物半導体等では、高温下での
耐酸化性の低さが問題となる。このように、諸物性にお
ける信頼性に欠けるため、実用にあたっては一般に気密
封止処理が余儀なくされており、それ故に実用用途が大
幅に制約されているのが現状である。
記のように硬くて脆いという物性に起因して製造時又は
実用時にクラック、欠損等が生じやすいことが耐熱衝撃
強度の向上の妨げもなっている。一方、最近では、前記
のごとく産業廃棄物の廃熱利用を図るために高温域で使
用できることが必要とされているが、これまでの金属化
合物、化合物半導体、酸化物半導体等では、高温下での
耐酸化性の低さが問題となる。このように、諸物性にお
ける信頼性に欠けるため、実用にあたっては一般に気密
封止処理が余儀なくされており、それ故に実用用途が大
幅に制約されているのが現状である。
【0017】性能指数においても、これら従来の熱電変
換材料は、室温付近では2×10-3/Kと比較的大きい
ものの、300℃以上で低下するものがほとんどであ
る。
換材料は、室温付近では2×10-3/Kと比較的大きい
ものの、300℃以上で低下するものがほとんどであ
る。
【0018】そればかりでなく、TeあるいはSeは揮
発性が高いため、テルライド化合物又はセレナイド化合
物を高温域で使用する場合には、たとえ密封封止しても
Te、Se等の有毒ガスの発生が避けられない。また、
揮発によって組成変動が生じやすいため、所定の性能が
確保しにくいばかりでなく、性能指数のばらつき等も生
じる。さらに、テルライド化合物又はセレナイド化合物
は、急冷凝固して、アモルファス相又は微結晶化すると
熱電特性が向上するというのが一般的であるが(例え
ば、特開平1−276678号公報)、高温域で使用す
ると結晶化が進み、性能劣化を避けることができない。
発性が高いため、テルライド化合物又はセレナイド化合
物を高温域で使用する場合には、たとえ密封封止しても
Te、Se等の有毒ガスの発生が避けられない。また、
揮発によって組成変動が生じやすいため、所定の性能が
確保しにくいばかりでなく、性能指数のばらつき等も生
じる。さらに、テルライド化合物又はセレナイド化合物
は、急冷凝固して、アモルファス相又は微結晶化すると
熱電特性が向上するというのが一般的であるが(例え
ば、特開平1−276678号公報)、高温域で使用す
ると結晶化が進み、性能劣化を避けることができない。
【0019】一方、300℃以上の高温域でも化学的に
安定とされている材料としてGe−Si(ゲルマニウム
シリサイド)がある。しかしながら、Ge−Siの性能
指数Zもせいぜい1×10-3/Kであり、なお改善の余
地がある。
安定とされている材料としてGe−Si(ゲルマニウム
シリサイド)がある。しかしながら、Ge−Siの性能
指数Zもせいぜい1×10-3/Kであり、なお改善の余
地がある。
【0020】同様に、高温域でも安定している材料とし
て、Fe−Si2(鉄シリサイド)等のシリサイド化合
物も提案されている。Fe−Si2は、Sb、Mn、A
l、Co等の種々の元素を添加することによりとp型材
料とn型材料が製造できる。従って、これらを適当に組
み合わせることによりFeSi2熱電変換素子をつくる
ことができる。これは、例えば特開昭48−60018
号公報、特公昭52−47667号公報、特開昭59−
56781号公報、特開昭60−43882号公報、特
開平2−1380号公報、特開平2−1381号公報、
特公平2−8466号公報、特公平2−8467号公
報、特開平7−97206号公報等に開示されたものが
ある。また、その製造方法についても、例えば特開昭5
0−153977号公報、特開昭50−158380号
公報、特公昭54−41316号公報、特開昭54−4
1317号公報、特開昭57−63870号公報、特公
昭63−31954号公報等に開示されている。ところ
が、これらの方法の場合、原料粉末を成形してから大気
中で300〜500℃に加熱して脱樹脂し、次いで真空
中で数10〜数100時間以上もかけて熱処理しないと
半導体相であるβ相が生成せず、工業的生産に適したも
のとは言い難い。
て、Fe−Si2(鉄シリサイド)等のシリサイド化合
物も提案されている。Fe−Si2は、Sb、Mn、A
l、Co等の種々の元素を添加することによりとp型材
料とn型材料が製造できる。従って、これらを適当に組
み合わせることによりFeSi2熱電変換素子をつくる
ことができる。これは、例えば特開昭48−60018
号公報、特公昭52−47667号公報、特開昭59−
56781号公報、特開昭60−43882号公報、特
開平2−1380号公報、特開平2−1381号公報、
特公平2−8466号公報、特公平2−8467号公
報、特開平7−97206号公報等に開示されたものが
ある。また、その製造方法についても、例えば特開昭5
0−153977号公報、特開昭50−158380号
公報、特公昭54−41316号公報、特開昭54−4
1317号公報、特開昭57−63870号公報、特公
昭63−31954号公報等に開示されている。ところ
が、これらの方法の場合、原料粉末を成形してから大気
中で300〜500℃に加熱して脱樹脂し、次いで真空
中で数10〜数100時間以上もかけて熱処理しないと
半導体相であるβ相が生成せず、工業的生産に適したも
のとは言い難い。
【0021】スクツテルダイト型結晶構造を有するCo
−Sb3化合物については、エル.ダドキン(L.Dadki
n)による報告がある(J.Soviet Phys, Solid State I
126-133 (1959))。しかし、報告されている化合物の性
能指数は極めて小さく、この値では実用に供することは
できない。
−Sb3化合物については、エル.ダドキン(L.Dadki
n)による報告がある(J.Soviet Phys, Solid State I
126-133 (1959))。しかし、報告されている化合物の性
能指数は極めて小さく、この値では実用に供することは
できない。
【0022】比抵抗を低くすることによって性能指数Z
を改善したCu−Sn−S系熱電変換材料も提案されて
いる(特開平8−778733号公報)。これは、比抵
抗を小さくするためにCu、Ag、Ge等の金属をその
まま分散含有させたものである。しかし、この材料も、
従来の材料が有する性能指数0.8×10-4/Kに比べ
て室温における値が1.0〜1.3×10-3/Kとわず
かに改善されているにすぎず、未だ改善する余地があ
る。
を改善したCu−Sn−S系熱電変換材料も提案されて
いる(特開平8−778733号公報)。これは、比抵
抗を小さくするためにCu、Ag、Ge等の金属をその
まま分散含有させたものである。しかし、この材料も、
従来の材料が有する性能指数0.8×10-4/Kに比べ
て室温における値が1.0〜1.3×10-3/Kとわず
かに改善されているにすぎず、未だ改善する余地があ
る。
【0023】しかも、その製造方法は複雑であり、工業
的生産に適していない。まず構成元素の原料粉末を均一
に混合してから溶解して溶液とし、これを急冷凝固して
固体化した後、これを平均粒径300μm以下の粉末に
なるまで粉砕し、得られた粉末にAg、Cu、Ge等の
微粉末を混合して粉砕してから650℃、80kg/m
m2の条件で10分以上加熱加圧して成形し、さらに6
50℃で10時間以上加熱して仮焼体とする。引き続
き、この仮焼体を粉砕して粉末にし、650℃に加熱し
てホットプレス成形してようやく前記の熱電変換材料が
得られる。また、上記方法では、Cu、Ag、Ge等を
金属微粒子として内在させるため、高温域で使用すると
偏析しやすくなり、しかも酸化されやすい。酸化が進む
と電気伝導率が著しく低下してしまう。このため、実用
に際し、少なくとも真空気密封入する等の特別な加工を
施さない限り、性能指数が著しく劣化してしまう。この
点においては従来の熱電変換材料と変わるところがな
い。
的生産に適していない。まず構成元素の原料粉末を均一
に混合してから溶解して溶液とし、これを急冷凝固して
固体化した後、これを平均粒径300μm以下の粉末に
なるまで粉砕し、得られた粉末にAg、Cu、Ge等の
微粉末を混合して粉砕してから650℃、80kg/m
m2の条件で10分以上加熱加圧して成形し、さらに6
50℃で10時間以上加熱して仮焼体とする。引き続
き、この仮焼体を粉砕して粉末にし、650℃に加熱し
てホットプレス成形してようやく前記の熱電変換材料が
得られる。また、上記方法では、Cu、Ag、Ge等を
金属微粒子として内在させるため、高温域で使用すると
偏析しやすくなり、しかも酸化されやすい。酸化が進む
と電気伝導率が著しく低下してしまう。このため、実用
に際し、少なくとも真空気密封入する等の特別な加工を
施さない限り、性能指数が著しく劣化してしまう。この
点においては従来の熱電変換材料と変わるところがな
い。
【0024】チタン酸バリウムを主構成成分とする半導
体酸化物も熱電変換材料として開示されている(特開平
1−213383号公報)。また、ストロンチウムとチ
タンを主構成成分とする複合酸化物に還元性物質を混合
点在させた酸化物セラミックス半導体も知られている
(特開平5−129667号公報、特開平5−1988
47号公報、特開平5−218511号公報、Phys. Re
v. 134-2A44-(1964)、Phys. Rev. 157-2 358-(1967)な
ど)。
体酸化物も熱電変換材料として開示されている(特開平
1−213383号公報)。また、ストロンチウムとチ
タンを主構成成分とする複合酸化物に還元性物質を混合
点在させた酸化物セラミックス半導体も知られている
(特開平5−129667号公報、特開平5−1988
47号公報、特開平5−218511号公報、Phys. Re
v. 134-2A44-(1964)、Phys. Rev. 157-2 358-(1967)な
ど)。
【0025】ストロンチウム酸化物とチタン酸化物を主
成分とする複合酸化物(特開平8−231223号公
報)、主構成成分がチタン酸化物でストロンチウム酸化
物と金属チタンを混合し、熱処理した熱電変換材料も提
案されている(特開平8−247021号公報)。一般
に、各種酸化物セラミックス半導体は、テルライド化合
物、セレナイド化合物、シリサイド化合物に比べて基本
構成成分が酸化物であることから使用雰囲気環境に対し
て耐性が高いと予測されるため、盛んに研究が進められ
ている。
成分とする複合酸化物(特開平8−231223号公
報)、主構成成分がチタン酸化物でストロンチウム酸化
物と金属チタンを混合し、熱処理した熱電変換材料も提
案されている(特開平8−247021号公報)。一般
に、各種酸化物セラミックス半導体は、テルライド化合
物、セレナイド化合物、シリサイド化合物に比べて基本
構成成分が酸化物であることから使用雰囲気環境に対し
て耐性が高いと予測されるため、盛んに研究が進められ
ている。
【0026】しかしながら、導電成分として金属成分を
混合したり、酸素欠陥が半導体物性を派生させている等
の理由から、耐酸化性が全く問題にならないほど改善で
きたものはない。また、性能指数が各種テルライド、セ
レナイド化合物、シリサイド化合物を超えるものも未だ
見当たらない。
混合したり、酸素欠陥が半導体物性を派生させている等
の理由から、耐酸化性が全く問題にならないほど改善で
きたものはない。また、性能指数が各種テルライド、セ
レナイド化合物、シリサイド化合物を超えるものも未だ
見当たらない。
【0027】さらに、ストロンチウム酸化物とチタン酸
化物を主構成成分とする場合、熱電変換材料として実用
化するためにはn型半導体とp型半導体とし、両者を接
合する必要からバリウム、カリウム、ナトリウム、リシ
ウム、セシウム、ルビジウム、スカンジウム、イットリ
ウム、ランタノイド系元素等の少なくとも1種の元素を
ストロンチウム酸化物に均一に混合した複合酸化物と
し、さらにチタン酸化物にジルコニウム、ハフニウム、
スズ、ニオブ、タンタル、タングステン、モリブデン、
マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、インジ
ウム、マグネシウム、アンチモン等の元素の少なくとも
1種の元素を混合し、複合酸化物にする必要があり、さ
らにこれらの複合酸化物相には互いに連続しない還元性
物質相を共存させた状態とした上で、非酸化性雰囲気中
で焼成する必要がある。このため、工業的生産にあた
り、製造条件の設定が非常に複雑になる。しかも、本質
的に機械的強度に劣るために小型化・薄型化が難しいと
いう致命的な欠陥も有している(Cu系酸化物半導体を
用いた熱電変換材料についての報告は、MatSci & Eng B
7 111- (1990)参照)。
化物を主構成成分とする場合、熱電変換材料として実用
化するためにはn型半導体とp型半導体とし、両者を接
合する必要からバリウム、カリウム、ナトリウム、リシ
ウム、セシウム、ルビジウム、スカンジウム、イットリ
ウム、ランタノイド系元素等の少なくとも1種の元素を
ストロンチウム酸化物に均一に混合した複合酸化物と
し、さらにチタン酸化物にジルコニウム、ハフニウム、
スズ、ニオブ、タンタル、タングステン、モリブデン、
マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、インジ
ウム、マグネシウム、アンチモン等の元素の少なくとも
1種の元素を混合し、複合酸化物にする必要があり、さ
らにこれらの複合酸化物相には互いに連続しない還元性
物質相を共存させた状態とした上で、非酸化性雰囲気中
で焼成する必要がある。このため、工業的生産にあた
り、製造条件の設定が非常に複雑になる。しかも、本質
的に機械的強度に劣るために小型化・薄型化が難しいと
いう致命的な欠陥も有している(Cu系酸化物半導体を
用いた熱電変換材料についての報告は、MatSci & Eng B
7 111- (1990)参照)。
【0028】また、金属銅等の微粒子を混合して電気伝
導度を改善し、かつ、還元性雰囲気で焼成することで酸
素欠陥を導入して熱起電力を向上させることで性能指数
を改善する方法もある。ところが、この方法で得られる
熱電変換材料を実際に使用するには気密封止して酸化劣
化を抑制しない限りは、大気中で使用することはできな
い。
導度を改善し、かつ、還元性雰囲気で焼成することで酸
素欠陥を導入して熱起電力を向上させることで性能指数
を改善する方法もある。ところが、この方法で得られる
熱電変換材料を実際に使用するには気密封止して酸化劣
化を抑制しない限りは、大気中で使用することはできな
い。
【0029】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明は、特
に、高温域でも優れた熱電変換性能が安定して得られる
熱電変換材料を提供することを主な目的とする。
に、高温域でも優れた熱電変換性能が安定して得られる
熱電変換材料を提供することを主な目的とする。
【0030】
【課題を解決するための手段】本発明者は、特定の組成
及び構造を有するセラミックスを熱電変換材料として用
いることにより、上記目的を達成できることを見出し、
ついに本発明を完成するに至った。すなわち、本発明
は、下記の熱電変換材料及びその製造方法に係るもので
ある。
及び構造を有するセラミックスを熱電変換材料として用
いることにより、上記目的を達成できることを見出し、
ついに本発明を完成するに至った。すなわち、本発明
は、下記の熱電変換材料及びその製造方法に係るもので
ある。
【0031】1.仕事関数が4eV以下である無機酸
化物及びC稀土構造を有するA2O3型酸化物の少なく
とも1種を含有する焼結体からなり、気孔率が3〜90
%である熱電変換材料。
化物及びC稀土構造を有するA2O3型酸化物の少なく
とも1種を含有する焼結体からなり、気孔率が3〜90
%である熱電変換材料。
【0032】2.仕事関数が4eV以下である無機酸
化物及びC稀土構造を有するA2O3型酸化物の少なく
とも1種を含有する原料粉末に有機バインダーを添加混
合し、成形し、次いで焼成することを特徴とする熱電変
換材料の製造方法。
化物及びC稀土構造を有するA2O3型酸化物の少なく
とも1種を含有する原料粉末に有機バインダーを添加混
合し、成形し、次いで焼成することを特徴とする熱電変
換材料の製造方法。
【0033】
【発明の実施の形態】本発明の熱電変換材料は、仕事
関数が4eV以下である無機酸化物及びC稀土構造を
有するA2O3型酸化物の少なくとも1種を含有する焼結
体から構成される。
関数が4eV以下である無機酸化物及びC稀土構造を
有するA2O3型酸化物の少なくとも1種を含有する焼結
体から構成される。
【0034】上記に該当する酸化物としては、仕事関
数が4eV以下である無機酸化物であれば制限されず、
例えば酸化イットリウム、酸化カルシウム、酸化ストロ
ンチウム、酸化バリウム、窒化チタニウム、酸化ジルコ
ニウム、酸化マグネシウム、バナジウムカーバイド等が
挙げられる。これらの中でも、特に酸化イットリウム、
酸化カルシウム、酸化ストロンチウム、酸化バリウム、
酸化ジルコニウム、酸化マグネシウム等の酸化物を用い
ることが好ましい。
数が4eV以下である無機酸化物であれば制限されず、
例えば酸化イットリウム、酸化カルシウム、酸化ストロ
ンチウム、酸化バリウム、窒化チタニウム、酸化ジルコ
ニウム、酸化マグネシウム、バナジウムカーバイド等が
挙げられる。これらの中でも、特に酸化イットリウム、
酸化カルシウム、酸化ストロンチウム、酸化バリウム、
酸化ジルコニウム、酸化マグネシウム等の酸化物を用い
ることが好ましい。
【0035】上記に該当する酸化物は、C稀土構造
(C rare earth structure)を有するA2O3型酸化物で
あり、例えば酸化デイスプロシウム、酸化エルビウム、
酸化ユーロビウム、酸化ガドリウム、酸化ホロミウム、
酸化インジウム、酸化ランタン、酸化ルテチウム、酸化
マンガン、酸化ニオジウム、酸化プラセオジウム、酸化
スカンジウム、酸化サマリウム、酸化テリビウム、酸化
タリウム、酸化チウリウム、酸化イッテルビウム等が挙
げられる。
(C rare earth structure)を有するA2O3型酸化物で
あり、例えば酸化デイスプロシウム、酸化エルビウム、
酸化ユーロビウム、酸化ガドリウム、酸化ホロミウム、
酸化インジウム、酸化ランタン、酸化ルテチウム、酸化
マンガン、酸化ニオジウム、酸化プラセオジウム、酸化
スカンジウム、酸化サマリウム、酸化テリビウム、酸化
タリウム、酸化チウリウム、酸化イッテルビウム等が挙
げられる。
【0036】また、これら及びの酸化物を2種以上
併用しても良く、これらの割合は所望の特性等に応じて
適宜設定すれば良い。
併用しても良く、これらの割合は所望の特性等に応じて
適宜設定すれば良い。
【0037】なお、これら酸化物以外のものであって
も、本発明の効果を妨げない範囲内で含有していても良
い。例えば、焼結助剤、ガラス、カーボン、耐酸化性金
属(I族Bに属するAg、Au等、VII族Aに属するR
e等、白金族として総称されるRu、Rh、Pd、O
s、Ir、Pt等の酸化物)等が焼結体中に残存してい
ても良い。
も、本発明の効果を妨げない範囲内で含有していても良
い。例えば、焼結助剤、ガラス、カーボン、耐酸化性金
属(I族Bに属するAg、Au等、VII族Aに属するR
e等、白金族として総称されるRu、Rh、Pd、O
s、Ir、Pt等の酸化物)等が焼結体中に残存してい
ても良い。
【0038】本発明の熱電変換材料は、焼結体における
気孔率が通常3〜90%程度(理論密度10〜97%)
であり、好ましくは10〜80%であり、特に20〜7
0%であることが最も好ましい。気孔率が3%未満であ
ると、熱励起により飛び出す電子が少なすぎ、また連続
気孔の形成も不十分となるために満足できる熱電変換性
能が得られない。また、気孔率が90%を超えると、十
分に優れた熱電変換性能を得ることができるものの、機
械的強度が低く、加工時又は使用時に壊れやすくなるの
で実用上好ましくない。
気孔率が通常3〜90%程度(理論密度10〜97%)
であり、好ましくは10〜80%であり、特に20〜7
0%であることが最も好ましい。気孔率が3%未満であ
ると、熱励起により飛び出す電子が少なすぎ、また連続
気孔の形成も不十分となるために満足できる熱電変換性
能が得られない。また、気孔率が90%を超えると、十
分に優れた熱電変換性能を得ることができるものの、機
械的強度が低く、加工時又は使用時に壊れやすくなるの
で実用上好ましくない。
【0039】なお、本発明における気孔は、特に独立気
孔を含む連続気孔(以下「気孔」とともいう)であるこ
とが好ましい。本発明において連続気孔は、主として開
気孔と閉気孔からなる。その構成としては、本発明の効
果を損なわない範囲であれば特に限定されない。なお、
連続気孔の形成は、製造時に原料粉末に配合する有機バ
インダーの種類及び添加量を調節することによって達成
することができる。
孔を含む連続気孔(以下「気孔」とともいう)であるこ
とが好ましい。本発明において連続気孔は、主として開
気孔と閉気孔からなる。その構成としては、本発明の効
果を損なわない範囲であれば特に限定されない。なお、
連続気孔の形成は、製造時に原料粉末に配合する有機バ
インダーの種類及び添加量を調節することによって達成
することができる。
【0040】本発明の熱電変換材料の形状又は寸法は、
特に制限されず、最終製品の形状等に応じて適宜設定す
れば良い。例えば、フィルム状、シート状、棒状、その
他任意の形状で用いることができる。本発明の熱電変換
材料の使用方法は、公知の熱電変換材料における使用方
法と同様にすれば良い。
特に制限されず、最終製品の形状等に応じて適宜設定す
れば良い。例えば、フィルム状、シート状、棒状、その
他任意の形状で用いることができる。本発明の熱電変換
材料の使用方法は、公知の熱電変換材料における使用方
法と同様にすれば良い。
【0041】本発明の熱電変換材料は、例えば仕事関
数が4eV以下である無機酸化物及びC稀土構造を有
するA2O3型酸化物の少なくとも1種を含有する原料粉
末に有機バインダーを添加混合し、成形し、次いで焼成
することにより製造することができる。
数が4eV以下である無機酸化物及びC稀土構造を有
するA2O3型酸化物の少なくとも1種を含有する原料粉
末に有機バインダーを添加混合し、成形し、次いで焼成
することにより製造することができる。
【0042】上記及びの酸化物としては、前記で掲
げたものと同様の酸化物を使用することができる。これ
ら原料粉末の平均粒径は、原料粉末の種類、最終製品の
形態等に応じて適宜変更できるが、通常は0.05〜1
0μm程度、好ましくは0.1〜8μm、より好ましく
は0.2〜6μmとすれば良い。
げたものと同様の酸化物を使用することができる。これ
ら原料粉末の平均粒径は、原料粉末の種類、最終製品の
形態等に応じて適宜変更できるが、通常は0.05〜1
0μm程度、好ましくは0.1〜8μm、より好ましく
は0.2〜6μmとすれば良い。
【0043】本発明の製造方法で使用する有機バインダ
ーとしては、所望の連続気孔を形成できるものである限
り特に制限されず、一般の焼結体の製造において用いら
れている有機バインダーもそのまま使用できる。例え
ば、流動パラフィン、ワックス、ポリエチレン等のオレ
フィン類、メチルセルロース、エチルセルロース、カル
ボキシメチルセルロース等のセルロース誘導体、ポリス
チレン、ポリビニルブチラール等のビニル系樹脂あるい
はアルデヒド系樹脂等を用いることができる。有機バイ
ンダーの添加量は、用いる有機バインダーの種類、所望
の気孔率等に応じて適宜設定すれば良いが、通常は最終
的に得られる熱変換材料の気孔率が3〜90%となるよ
うに設定するのが好ましい。一般的には、上記原料粉末
中に3〜65重量%程度を配合すれば良いが、上記気孔
率との関係でこの範囲外となっても良い。
ーとしては、所望の連続気孔を形成できるものである限
り特に制限されず、一般の焼結体の製造において用いら
れている有機バインダーもそのまま使用できる。例え
ば、流動パラフィン、ワックス、ポリエチレン等のオレ
フィン類、メチルセルロース、エチルセルロース、カル
ボキシメチルセルロース等のセルロース誘導体、ポリス
チレン、ポリビニルブチラール等のビニル系樹脂あるい
はアルデヒド系樹脂等を用いることができる。有機バイ
ンダーの添加量は、用いる有機バインダーの種類、所望
の気孔率等に応じて適宜設定すれば良いが、通常は最終
的に得られる熱変換材料の気孔率が3〜90%となるよ
うに設定するのが好ましい。一般的には、上記原料粉末
中に3〜65重量%程度を配合すれば良いが、上記気孔
率との関係でこの範囲外となっても良い。
【0044】上記の原料粉末は、セラミックス分野等で
通常採用されている公知の粉末調製法(固相法、液相
法、気相法等)をいずれも適用することができる。例え
ば、固相法では、出発原料としてイットリウム、ストロ
ンチウム等を含む各種化合物を秤量・採取し、クラッシ
ャーミル、アトライター、ボールミル、振動ミル、サン
ドグラインドミル等の公知の粉砕機を用いて所定の平均
粒径となるように乾式又は湿式で粉砕した後、有機バイ
ンダー及び必要に応じて焼結助剤等を添加して混合し、
焼結温度よりも低い温度で仮焼して、目的とする相を有
する仮焼体を作製し、さらに粉砕することにより調製す
ることができる。この場合、出発原料は、酸化物に限ら
れず、仮焼等により最終的に酸化物になるものであれば
良く、特に粒径制御が容易であって混合性に優れている
ものであればより好ましい。
通常採用されている公知の粉末調製法(固相法、液相
法、気相法等)をいずれも適用することができる。例え
ば、固相法では、出発原料としてイットリウム、ストロ
ンチウム等を含む各種化合物を秤量・採取し、クラッシ
ャーミル、アトライター、ボールミル、振動ミル、サン
ドグラインドミル等の公知の粉砕機を用いて所定の平均
粒径となるように乾式又は湿式で粉砕した後、有機バイ
ンダー及び必要に応じて焼結助剤等を添加して混合し、
焼結温度よりも低い温度で仮焼して、目的とする相を有
する仮焼体を作製し、さらに粉砕することにより調製す
ることができる。この場合、出発原料は、酸化物に限ら
れず、仮焼等により最終的に酸化物になるものであれば
良く、特に粒径制御が容易であって混合性に優れている
ものであればより好ましい。
【0045】また、液相法でも、共沈法、水熱合成法等
の公知の方法を用いて、溶液原料から所望の化合物を沈
殿析出させたり、あるいは溶媒を蒸発させて蒸発固化物
を得ることにより最終的に原料粉末を得ることができ
る。溶液原料としては、例えば水を溶媒とし、出発原料
である塩化物、硝酸塩、有機酸塩等を溶解させたもの、
あるいは水以外の溶媒(アルコール等の有機溶媒)を用
い、アルコキシド等の溶液としたものも用いることもで
きる。液相法で合成される原料粉末は、特に原料組成の
均一化を図ることができる点で優れている。また、液相
法では、所定の基板上に溶液を塗布し、この塗膜を直接
焼結して焼結体とする方法により薄膜状の熱電変換材料
(あるいは熱電変換素子)を直接的に製造することもで
きる。
の公知の方法を用いて、溶液原料から所望の化合物を沈
殿析出させたり、あるいは溶媒を蒸発させて蒸発固化物
を得ることにより最終的に原料粉末を得ることができ
る。溶液原料としては、例えば水を溶媒とし、出発原料
である塩化物、硝酸塩、有機酸塩等を溶解させたもの、
あるいは水以外の溶媒(アルコール等の有機溶媒)を用
い、アルコキシド等の溶液としたものも用いることもで
きる。液相法で合成される原料粉末は、特に原料組成の
均一化を図ることができる点で優れている。また、液相
法では、所定の基板上に溶液を塗布し、この塗膜を直接
焼結して焼結体とする方法により薄膜状の熱電変換材料
(あるいは熱電変換素子)を直接的に製造することもで
きる。
【0046】気相法では、例えばCVD(Chemical Vap
or Deposition)法、液状原料を用いる気相分解法等が
利用できる。気相法は、特に薄膜状の熱電変換材料を直
接形成する場合、あるいは結晶性の高い原料粉末を用い
る場合に有利である。
or Deposition)法、液状原料を用いる気相分解法等が
利用できる。気相法は、特に薄膜状の熱電変換材料を直
接形成する場合、あるいは結晶性の高い原料粉末を用い
る場合に有利である。
【0047】次いで、原料粉末の成形を行う。成形方法
は、特に制限されず、例えば金型を用いる加圧成形法、
CIP(Cold Iso Press mould)(冷間等方圧成形)
法、押出し成形法、ドクターブレードテープ成形法、金
型鋳込み成形法等のセラミックス・粉末冶金等の分野で
汎用されている成形方法を用いることができる。成形条
件も、公知の各成形方法における成形条件内で調節すれ
ば良く、特に粉末の均一充填性が高くなるように適宜設
定することが好ましい。
は、特に制限されず、例えば金型を用いる加圧成形法、
CIP(Cold Iso Press mould)(冷間等方圧成形)
法、押出し成形法、ドクターブレードテープ成形法、金
型鋳込み成形法等のセラミックス・粉末冶金等の分野で
汎用されている成形方法を用いることができる。成形条
件も、公知の各成形方法における成形条件内で調節すれ
ば良く、特に粉末の均一充填性が高くなるように適宜設
定することが好ましい。
【0048】続いて、得られた成形体の焼結を行う。焼
結方法も、特に制限されず、公知の常圧焼結、加圧焼結
等の公知の焼結方法を採用することができる。焼結温度
は、用いる原料粉末の種類、組成等に応じて適宜変更す
れば良く、通常は1350〜1700℃程度の範囲とす
れば良い。焼結温度が低すぎると目的の緻密性を達成で
きず、また焼結体が具備すべき所定の特性が得られなく
なる。また、焼結温度が高すぎると組成変化あるいは粒
成長による微構造の変化が生じるので、焼結体の物性制
御が困難となるばかりでなく、エネルギー消費が増加し
たり、生産効率が低下する場合がある。
結方法も、特に制限されず、公知の常圧焼結、加圧焼結
等の公知の焼結方法を採用することができる。焼結温度
は、用いる原料粉末の種類、組成等に応じて適宜変更す
れば良く、通常は1350〜1700℃程度の範囲とす
れば良い。焼結温度が低すぎると目的の緻密性を達成で
きず、また焼結体が具備すべき所定の特性が得られなく
なる。また、焼結温度が高すぎると組成変化あるいは粒
成長による微構造の変化が生じるので、焼結体の物性制
御が困難となるばかりでなく、エネルギー消費が増加し
たり、生産効率が低下する場合がある。
【0049】焼結時における雰囲気は、特に制限され
ず、例えば還元処理の必要性に応じて選択することがで
きる。例えば、焼結と同時に還元処理が必要な場合に
は、還元雰囲気とすれば良い。また、還元処理を必要と
しない場合には、例えば大気中で常圧焼結すれば良い。
酸素雰囲気下における焼成は、焼結体の組成、微構造等
の制御が特に必要な場合において酸素分圧を制御するの
に有効である。本発明の製造方法では、酸化雰囲気であ
れば酸素分圧は特に制限されない。
ず、例えば還元処理の必要性に応じて選択することがで
きる。例えば、焼結と同時に還元処理が必要な場合に
は、還元雰囲気とすれば良い。また、還元処理を必要と
しない場合には、例えば大気中で常圧焼結すれば良い。
酸素雰囲気下における焼成は、焼結体の組成、微構造等
の制御が特に必要な場合において酸素分圧を制御するの
に有効である。本発明の製造方法では、酸化雰囲気であ
れば酸素分圧は特に制限されない。
【0050】なお、本発明の方法では、焼結に先立ち必
要に応じて成形体を仮焼しても良い。仮焼温度は、その
成形体における焼結温度よりも低い温度で適宜定めれば
良い。仮焼雰囲気も、上記焼結の場合と同様に適宜設定
することができる。
要に応じて成形体を仮焼しても良い。仮焼温度は、その
成形体における焼結温度よりも低い温度で適宜定めれば
良い。仮焼雰囲気も、上記焼結の場合と同様に適宜設定
することができる。
【0051】
【発明の効果】本発明によれば、一定の気孔率及び構成
成分を有する焼結体を熱電変換材料として用いるので、
優れた熱電変換性能を発揮する。特に、一定の気孔率を
有する特定の酸化物を焼結体としていることから、酸化
劣化、構成成分の揮発等のおそれがなく、高温域におけ
る熱起電力も安定で且つ大きいため、高温域での熱電変
換性能にも優れている。
成分を有する焼結体を熱電変換材料として用いるので、
優れた熱電変換性能を発揮する。特に、一定の気孔率を
有する特定の酸化物を焼結体としていることから、酸化
劣化、構成成分の揮発等のおそれがなく、高温域におけ
る熱起電力も安定で且つ大きいため、高温域での熱電変
換性能にも優れている。
【0052】また、上記のように、構成成分の揮発が起
こりにくく、耐酸化性にも優れているため、製造工程中
で組成変動しにくいことはもとより毒性もほとんどない
ので、従来技術のように気密封止処理等が不要であり、
生産性、安全性等にも優れており、工業的規模での大量
生産に適したものと言える。本発明における熱電変換材
料は、熱電変換素子等に有用である。
こりにくく、耐酸化性にも優れているため、製造工程中
で組成変動しにくいことはもとより毒性もほとんどない
ので、従来技術のように気密封止処理等が不要であり、
生産性、安全性等にも優れており、工業的規模での大量
生産に適したものと言える。本発明における熱電変換材
料は、熱電変換素子等に有用である。
【0053】
【作用】真空中における金属は、金属界面に仕事関数と
よばれる電位障壁が存在する。従って、金属内の電子が
外界に飛び出るには電圧を印加する方法等により電位障
壁以上のエネルギーを加える必要がある。この電位障壁
は、仕事関数Φ(eV:エレクトロンボルト)と総称し
ており、導体又は半導体について真空の電位とフェルミ
準位との差として定義している。
よばれる電位障壁が存在する。従って、金属内の電子が
外界に飛び出るには電圧を印加する方法等により電位障
壁以上のエネルギーを加える必要がある。この電位障壁
は、仕事関数Φ(eV:エレクトロンボルト)と総称し
ており、導体又は半導体について真空の電位とフェルミ
準位との差として定義している。
【0054】仕事関数は、導体又は半導体が電子を真空
中に放り出すために必要な電圧又は仕事に相当する。負
荷エネルギーとして光が関わる光電効果における仕事関
数は光電子仕事関数、熱エネルギーが関わる熱電子放出
効果における仕事関数は熱電子仕事関数として区別でき
る。これに基づき、仕事関数の低い材料からなり、か
つ、独立気孔を包含する連続気孔からなる多孔質材料に
熱を加えると物質表面及び気孔内表面では熱電子が飛び
出し、気孔内には電子が充満する。
中に放り出すために必要な電圧又は仕事に相当する。負
荷エネルギーとして光が関わる光電効果における仕事関
数は光電子仕事関数、熱エネルギーが関わる熱電子放出
効果における仕事関数は熱電子仕事関数として区別でき
る。これに基づき、仕事関数の低い材料からなり、か
つ、独立気孔を包含する連続気孔からなる多孔質材料に
熱を加えると物質表面及び気孔内表面では熱電子が飛び
出し、気孔内には電子が充満する。
【0055】さらに、多孔質材料内部に温度勾配があれ
ばその温度差により、気孔内に充満した電子は温度勾配
に従って濃度勾配を生じ、高温側から低温側に電子が移
動することになる。
ばその温度差により、気孔内に充満した電子は温度勾配
に従って濃度勾配を生じ、高温側から低温側に電子が移
動することになる。
【0056】本発明者らは、このような知見に基づき前
記課題を解決するために高い性能指数を備えた熱電変換
材料を開発することを目的とし、低仕事関数物質として
知られている酸化イットリウム(Y2O3:2.0e
V)、酸化カルシウム(CaO:1.6eV)、酸化ス
トロンチウム(SrO:1.25eV)、酸化バリウム
(BaO:1.6eV)等の焼結体に一定の気孔(特に
連続気孔)を導入することにより、優れた熱電変換材料
が製造できると考えた。そして、さらに詳細に検討した
ところ、例えば酸化イットリウムでは850〜1100
℃の高温で且つ広い温度範囲で優れた熱電変換性能を発
現することを見出した。また、酸化カルシウム、酸化ス
トロンチウム、酸化バリウム等についてもそれぞれ気孔
率、適用温度領域は異なり、性能指数も材料特有の値を
有するが、いずれも高温域で酸化イットリウムの性能指
数に近い優れた熱電変換性能を有し、その結果として低
仕事関数物質は焼結体の密度が低いほど(気孔率が高い
ほど)熱電変換性能が向上することを最終的に見出し
た。この理由は必ずしも明らかでないが、多孔体の内表
面積が大きくなった結果、飛び出す熱電子の量が増大
し、またこれまで緻密体では粒内や粒界を介してのみ移
動していた電子が気孔内に充満した熱電子ガスを通じた
移動に変わり、電気伝導度が向上したためと考えられ
る。そして、これらが相乗的に作用した結果、ゼーベッ
ク係数が導電率の向上と同様に大きくなったものと考え
られる。
記課題を解決するために高い性能指数を備えた熱電変換
材料を開発することを目的とし、低仕事関数物質として
知られている酸化イットリウム(Y2O3:2.0e
V)、酸化カルシウム(CaO:1.6eV)、酸化ス
トロンチウム(SrO:1.25eV)、酸化バリウム
(BaO:1.6eV)等の焼結体に一定の気孔(特に
連続気孔)を導入することにより、優れた熱電変換材料
が製造できると考えた。そして、さらに詳細に検討した
ところ、例えば酸化イットリウムでは850〜1100
℃の高温で且つ広い温度範囲で優れた熱電変換性能を発
現することを見出した。また、酸化カルシウム、酸化ス
トロンチウム、酸化バリウム等についてもそれぞれ気孔
率、適用温度領域は異なり、性能指数も材料特有の値を
有するが、いずれも高温域で酸化イットリウムの性能指
数に近い優れた熱電変換性能を有し、その結果として低
仕事関数物質は焼結体の密度が低いほど(気孔率が高い
ほど)熱電変換性能が向上することを最終的に見出し
た。この理由は必ずしも明らかでないが、多孔体の内表
面積が大きくなった結果、飛び出す熱電子の量が増大
し、またこれまで緻密体では粒内や粒界を介してのみ移
動していた電子が気孔内に充満した熱電子ガスを通じた
移動に変わり、電気伝導度が向上したためと考えられ
る。そして、これらが相乗的に作用した結果、ゼーベッ
ク係数が導電率の向上と同様に大きくなったものと考え
られる。
【0057】
【実施例】以下、実施例を示し、本発明の特徴とすると
ころをより一層明確にする。
ころをより一層明確にする。
【0058】実施例1 図1に示すフローチャートに従ってイットリウム酸化物
を主構成成分とする多孔体を作製し、熱電変換材料とし
ての物性を評価した。
を主構成成分とする多孔体を作製し、熱電変換材料とし
ての物性を評価した。
【0059】出発原料として市販の酸化イットリウム粉
末(試薬:純度99.9%、平均粒径2μm)を用い、
図2に示すような気孔率となるように流動パラフィンを
秤量し、これをバインダーとして上記粉末に加えた後、
ライカイ機で1時間混合し、均質な混合物を得た。
末(試薬:純度99.9%、平均粒径2μm)を用い、
図2に示すような気孔率となるように流動パラフィンを
秤量し、これをバインダーとして上記粉末に加えた後、
ライカイ機で1時間混合し、均質な混合物を得た。
【0060】次いで、上記混合物を成形用ゴム袋に装填
し、真空にひいて完全に脱気してから密封した。密封し
た混合物について196MPaの静水圧で1分間加圧処
理を行った。
し、真空にひいて完全に脱気してから密封した。密封し
た混合物について196MPaの静水圧で1分間加圧処
理を行った。
【0061】加圧成形した試料を昇温速度10℃/分、
最高温度1450℃で保持時間1時間の条件下で超高速
昇温電気炉((株)モトヤマ製)及び電気昇温炉(星和
理工(株)製:最高温度1450℃)を用いて焼成する
ことにより、多孔質焼結体を得た。得られた多孔質焼結
体について、結晶相をX線回折分析により調べたとこ
ろ、酸化イットリウム焼結体であることを確認した。
最高温度1450℃で保持時間1時間の条件下で超高速
昇温電気炉((株)モトヤマ製)及び電気昇温炉(星和
理工(株)製:最高温度1450℃)を用いて焼成する
ことにより、多孔質焼結体を得た。得られた多孔質焼結
体について、結晶相をX線回折分析により調べたとこ
ろ、酸化イットリウム焼結体であることを確認した。
【0062】試験例1 実施例1で得られた各焼結体について、流動パラフィン
の添加量と焼結体の密度との関係を調べた。その結果を
図2に示す。なお、焼結密度はアルキメデス法により測
定した。
の添加量と焼結体の密度との関係を調べた。その結果を
図2に示す。なお、焼結密度はアルキメデス法により測
定した。
【0063】図2より、流動パラフィンの添加量を変え
ることによって焼結体の密度を制御できることがわか
る。
ることによって焼結体の密度を制御できることがわか
る。
【0064】試験例2 図3に示す気孔率を有する焼結体を実施例1と同様にし
てそれぞれ作製し、得られた各焼結体について電気伝導
度を測定し、その気孔率との関係を調べた。その結果を
図3に示す。なお、電気伝導率は直流四端子法によって
測定した。熱起電力は上記焼結体を石英管内に配置し、
焼結体の片側のみにホットエアを流入した石英管を接触
させて高温側をつくり、その反対側を低温側として両縁
端の温度差Tcを測定して温度差を読みとり、同時にP
t・Pt/Rh熱電対により両縁端における起電力(Δ
V)を測定した。両縁端間の温度差はホットエアの流量
により調節した。
てそれぞれ作製し、得られた各焼結体について電気伝導
度を測定し、その気孔率との関係を調べた。その結果を
図3に示す。なお、電気伝導率は直流四端子法によって
測定した。熱起電力は上記焼結体を石英管内に配置し、
焼結体の片側のみにホットエアを流入した石英管を接触
させて高温側をつくり、その反対側を低温側として両縁
端の温度差Tcを測定して温度差を読みとり、同時にP
t・Pt/Rh熱電対により両縁端における起電力(Δ
V)を測定した。両縁端間の温度差はホットエアの流量
により調節した。
【0065】試験例3 図4に示す相対密度を有する焼結体を実施例1と同様に
してそれぞれ作製し、得られた各焼結体についてゼーベ
ック係数を測定し、その相対密度との関係をプロットし
た。その結果を図4に示す。ゼーベック係数は、熱起電
力と温度差のグラフの傾きから求めた。
してそれぞれ作製し、得られた各焼結体についてゼーベ
ック係数を測定し、その相対密度との関係をプロットし
た。その結果を図4に示す。ゼーベック係数は、熱起電
力と温度差のグラフの傾きから求めた。
【0066】試験例4 実施例1で用いた酸化イットリウムについて、熱伝導度
と温度との関係を図5に示す。熱伝導率kは、レーザー
フラッシュ法により熱拡散率から測定した。また、比熱
は、示差走査熱量測定法(Differencial Scanning Calo
rimetry)により測定した。
と温度との関係を図5に示す。熱伝導率kは、レーザー
フラッシュ法により熱拡散率から測定した。また、比熱
は、示差走査熱量測定法(Differencial Scanning Calo
rimetry)により測定した。
【0067】試験例5 試験例1〜4の結果に基づき、表1に示す各気孔率を有
する酸化イットリウム焼結体における電気伝導度、熱伝
導度及びゼーベック係数を求め、これらの結果から性能
指数Zを求めた。その結果を表1に示す。
する酸化イットリウム焼結体における電気伝導度、熱伝
導度及びゼーベック係数を求め、これらの結果から性能
指数Zを求めた。その結果を表1に示す。
【0068】
【表1】
【0069】表1の結果より、本発明の焼結体は、気孔
率が高いほど大きな性能指数を示し、熱電変換材料とし
て優れたものであることがわかる。
率が高いほど大きな性能指数を示し、熱電変換材料とし
て優れたものであることがわかる。
【0070】試験例6 実施例1と同様にして、相対密度68%(A)、相対密
度61%(B)の焼結体をそれぞれ作製した。これらの
焼結体について出力因子(パワーファクター)の温度依
存性、ゼーベック係数の温度依存性についてそれぞれ調
べた。その結果を図6及び図7にそれぞれ示す。なお、
図6及び図7中、○は相対密度68%(A)、△は相対
密度61%(B)を示す。
度61%(B)の焼結体をそれぞれ作製した。これらの
焼結体について出力因子(パワーファクター)の温度依
存性、ゼーベック係数の温度依存性についてそれぞれ調
べた。その結果を図6及び図7にそれぞれ示す。なお、
図6及び図7中、○は相対密度68%(A)、△は相対
密度61%(B)を示す。
【0071】図6及び図7の結果より、特に800℃以
上での出力因子やゼーベック係数が大きいことから、本
発明の熱電変換材料は高温域でも優れた熱電変換性能を
発揮できることがわかる。
上での出力因子やゼーベック係数が大きいことから、本
発明の熱電変換材料は高温域でも優れた熱電変換性能を
発揮できることがわかる。
【図1】本発明の製造方法の一例を示すフローチャート
である。
である。
【図2】本発明の焼結体におけるパラフィン添加量と気
孔率との関係を示す図である。
孔率との関係を示す図である。
【図3】本発明の焼結体における気孔率と電気伝導度と
の関係を示す図である。
の関係を示す図である。
【図4】本発明の焼結体における相対密度とゼーベック
係数との関係を示す図である。
係数との関係を示す図である。
【図5】酸化イットリウムの熱伝導率と温度との関係を
示す図である。
示す図である。
【図6】本発明の焼結体における出力因子の温度依存性
を示す図である。
を示す図である。
【図7】本発明の焼結体におけるゼーベック係数の温度
依存性を示す図である。
依存性を示す図である。
フロントページの続き (72)発明者 上山 竜祐 大阪府大阪市城東区放出西2丁目7番19号 大研化学工業株式会社内 (72)発明者 鎌田 和行 大阪府大阪市城東区放出西2丁目7番19号 大研化学工業株式会社内 (72)発明者 上山 守 大阪府大阪市城東区放出西2丁目7番19号 大研化学工業株式会社内
Claims (3)
- 【請求項1】仕事関数が4eV以下である無機酸化物
及びC稀土構造を有するA2O3型酸化物の少なくとも
1種を含有する焼結体からなり、かつ、気孔率が3〜9
0%である熱電変換材料。 - 【請求項2】仕事関数が4eV以下である無機酸化物
及びC稀土構造を有するA2O3型酸化物の少なくとも
1種を含有する原料粉末に有機バインダーを添加混合
し、成形し、次いで焼成することを特徴とする熱電変換
材料の製造方法。 - 【請求項3】得られる熱変換材料の気孔率が3〜90%
となるように有機バインダーを添加する請求項2記載の
製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9257390A JPH1197751A (ja) | 1997-09-22 | 1997-09-22 | 熱電変換材料及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9257390A JPH1197751A (ja) | 1997-09-22 | 1997-09-22 | 熱電変換材料及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1197751A true JPH1197751A (ja) | 1999-04-09 |
Family
ID=17305732
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9257390A Pending JPH1197751A (ja) | 1997-09-22 | 1997-09-22 | 熱電変換材料及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH1197751A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008047885A1 (fr) * | 2006-10-17 | 2008-04-24 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Matériau de conversion thermoélectrique, procédé de production de ce dernier, élément de conversion thermoélectrique et procédé d'augmentation de résistance d'un matériau de conversion thermoélectrique |
EP2447233A1 (en) | 2010-10-27 | 2012-05-02 | Corning Incorporated | Tin oxide-based thermoelectric materials |
US20120248386A1 (en) * | 2011-04-01 | 2012-10-04 | The Ohio State University | Thermoelectric materials having porosity |
JP2015053466A (ja) * | 2013-08-07 | 2015-03-19 | 株式会社Nttファシリティーズ | 熱電材料、熱電材料の製造方法及び熱電変換装置 |
JP2019533316A (ja) * | 2016-08-10 | 2019-11-14 | テルモ−イエヌデ ソシエテ アノニム | 活物質および活物質を含有する電力発生器 |
WO2020165510A3 (fr) * | 2019-02-15 | 2021-04-08 | Hutchinson | Dispositif thermoelectrique a effet seebeck |
-
1997
- 1997-09-22 JP JP9257390A patent/JPH1197751A/ja active Pending
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008047885A1 (fr) * | 2006-10-17 | 2008-04-24 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Matériau de conversion thermoélectrique, procédé de production de ce dernier, élément de conversion thermoélectrique et procédé d'augmentation de résistance d'un matériau de conversion thermoélectrique |
EP2447233A1 (en) | 2010-10-27 | 2012-05-02 | Corning Incorporated | Tin oxide-based thermoelectric materials |
WO2012057968A1 (en) | 2010-10-27 | 2012-05-03 | Corning Incorporated | Tin oxide-based thermoelectric material |
US20120248386A1 (en) * | 2011-04-01 | 2012-10-04 | The Ohio State University | Thermoelectric materials having porosity |
US8795545B2 (en) * | 2011-04-01 | 2014-08-05 | Zt Plus | Thermoelectric materials having porosity |
JP2015053466A (ja) * | 2013-08-07 | 2015-03-19 | 株式会社Nttファシリティーズ | 熱電材料、熱電材料の製造方法及び熱電変換装置 |
JP2019533316A (ja) * | 2016-08-10 | 2019-11-14 | テルモ−イエヌデ ソシエテ アノニム | 活物質および活物質を含有する電力発生器 |
WO2020165510A3 (fr) * | 2019-02-15 | 2021-04-08 | Hutchinson | Dispositif thermoelectrique a effet seebeck |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Lan et al. | Enhanced thermoelectric properties of Pb‐doped BiCuSeO ceramics | |
Cai et al. | Preparation and thermoelectric properties of Al-doped ZnO ceramics | |
KR101616109B1 (ko) | 열전재료 및 칼코게나이드 화합물 | |
JP2002270907A (ja) | 熱電変換材料とそれを用いた素子 | |
US8785762B2 (en) | Self-organising thermoelectric materials | |
US20090084422A1 (en) | Doped lead tellurides for thermoelectric applications | |
KR101902925B1 (ko) | 열전재료, 열전소자 및 열전모듈 | |
JP2007158191A (ja) | 熱電材料およびこの材料を用いた熱電変換素子 | |
He et al. | Thermoelectric properties of La1− xAxCoO3 (A= Pb, Na) | |
JP6873105B2 (ja) | 化合物、熱電変換材料及び化合物の製造方法 | |
KR20200095861A (ko) | 열전 복합체, 및 이를 포함하는 열전소자 및 열전장치 | |
Aversano et al. | Role of secondary phases and thermal cycling on thermoelectric properties of TiNiSn half-Heusler alloy prepared by different processing routes | |
JP2000106460A (ja) | 熱電半導体材料および熱電半導体材料の製造方法 | |
JP2000012915A (ja) | 熱電変換材料 | |
JPH1197751A (ja) | 熱電変換材料及びその製造方法 | |
JP3565503B2 (ja) | 酸化物熱電変換材料 | |
WO2020116366A1 (ja) | 化合物及び熱電変換材料 | |
JP3580778B2 (ja) | 熱電変換素子及びその製造方法 | |
JP2777508B2 (ja) | 電子冷却素子 | |
JP6865951B2 (ja) | p型熱電半導体、その製造方法及びそれを用いた熱電発電素子 | |
JPH08231223A (ja) | 熱電変換材料 | |
JPH09321347A (ja) | 熱電変換材料、及び、その製造方法 | |
EP0284438B1 (en) | Superconducting materials and methods of manufacturing the same | |
JP2018019014A (ja) | 熱電変換材料及びこれを用いた熱電変換モジュール | |
JP2007158192A (ja) | 熱電変換材料およびこの材料を用いた熱電変換素子 |