JPH1197467A - 半導体装置の製法 - Google Patents

半導体装置の製法

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JPH1197467A
JPH1197467A JP12145398A JP12145398A JPH1197467A JP H1197467 A JPH1197467 A JP H1197467A JP 12145398 A JP12145398 A JP 12145398A JP 12145398 A JP12145398 A JP 12145398A JP H1197467 A JPH1197467 A JP H1197467A
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sealing resin
resin layer
semiconductor element
circuit board
printed circuit
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Makoto Kuwamura
誠 桑村
Masanori Mizutani
昌紀 水谷
Koji Noro
弘司 野呂
Tatsushi Ito
達志 伊藤
Shinichiro Shudo
伸一朗 首藤
Takashi Fukushima
喬 福島
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Original Assignee
Nitto Denko Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】半導体素子とボードとの空隙に容易に封止樹脂
層を形成することができ、しかもその樹脂封止作業が容
易となる半導体装置の製法を提供する。 【解決手段】複数の球状の接続用電極部２が設けられた
配線回路基板１上に、上記接続用電極部２を介して封止
用樹脂シート１０を載置し、ついで、上記封止用樹脂シ
ート１０上の所定位置に、半導体素子３を載置する。そ
の後、上記封止用樹脂シート１０を加熱溶融して溶融状
態とし、上記半導体素子３と上記配線回路基板１との間
の空隙内に上記溶融状態の樹脂を充填し、硬化させるこ
とにより上記空隙を樹脂封止して封止樹脂層を形成す
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子をフェ
ースダウン構造でマザーボード、あるいはドーターボー
ドに実装する方式による半導体装置の製法に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】最近の半導体デバイスの性能向上に伴う
要求として、半導体素子をフェースダウン構造で、配線
回路が形成されたマザーボード、あるいはドーターボー
ドに実装される方法（フリップチップ方式、ダイレクト
チップアタッチ方式等）が注目されている。これは、従
来から用いられている方式、例えば、半導体素子から金
ワイヤーでリードフレーム上にコンタクトをとりパッケ
ージングされた形態でマザーボード、あるいはドーター
ボードに実装する方法では、配線による情報伝達の遅
れ、クロストークによる情報伝達エラー等が生ずるとい
う問題が発生していることに起因する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】一方、上記フリップチ
ップ方式、ダイレクトチップアタッチ方式においては、
互いの線膨脹係数が異なる半導体素子と上記ボードをダ
イレクトに電気接続を行うことから、接続部分の信頼性
が問題となっている。この対策としては、半導体素子と
上記ボードとの空隙に液状樹脂材料を注入し硬化させて
樹脂硬化体を形成し、電気接続部に集中する応力を上記
樹脂硬化体にも分散させることにより接続信頼性を向上
させる方法が採られている。しかしながら、上記液状樹
脂材料は、超低温（−４０℃）での保管が必要であるこ
とに加えて、上記半導体素子とボードとの空隙への注入
においては注射器で行う必要があり、注入ポジション、
注入量コントロールが困難である等の問題を抱えてい
る。また、常温で液状であることが制約条件となるた
め、信頼性の高いフェノール樹脂等の固形材料の使用が
困難な状況であった。
【０００４】本発明は、このような事情に鑑みなされた
もので、上記半導体素子とボードとの空隙に容易に封止
樹脂層を形成することができ、しかもその樹脂封止作業
が容易となる半導体装置の製法の提供をその目的とす
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明の半導体装置の製法は、配線回路基板上に、
複数の接続用電極部を介して半導体素子が搭載され、上
記配線回路基板と半導体素子との間の空隙が封止樹脂層
によって封止されてなる半導体装置の製法であって、上
記封止樹脂層を、上記配線回路基板と半導体素子との間
に層状の固形樹脂を介在させてこの固形樹脂を溶融させ
ることにより形成するという構成をとる。
【０００６】すなわち、本発明では、複数の接続用電極
部を介在して接続された、配線回路基板と半導体素子と
の間の空隙を封止樹脂層によって樹脂封止して半導体装
置を製造するに際して、上記封止樹脂層を、上記配線回
路基板と半導体素子との間に層状の固形樹脂を介在させ
この固形樹脂を溶融させることにより形成する。このよ
うに、上記層状の固形樹脂を溶融させるとともに、好適
には加圧することにより、上記配線回路基板と半導体素
子との接合を完了させるため、従来、配線回路基板と半
導体素子とを接続した後に、上記空隙に封止用樹脂を注
入するという煩雑な工程と比べて、上記配線回路基板と
半導体素子との接続および樹脂封止の工程が一度になさ
れ、製造工程の大幅な簡略化が図れる。また、封止用樹
脂として液状樹脂を用いず保存性に優れた固形樹脂を用
いるため、上記空隙内に注入する際の上記種々の問題が
生じることもない。
【０００７】さらに、本発明者らは、本発明を見出す過
程において、上記固形樹脂として、最大粒径が１００μ
ｍ以下に設定された無機質充填剤を、特定割合含有する
エポキシ樹脂組成物を用いることにより、上記基板と半
導体素子の空隙内への充填がボイド等が生じることなく
良好に行われることを突き止めた。
【０００８】そして、上記固形樹脂を溶融させることに
より形成される封止樹脂層は、例えば、上記配線回路基
板上に、封止用樹脂シートを搭載した後、さらに、上記
封止用樹脂シート上に半導体素子を載置し、ついで、上
記封止用樹脂シートを加熱溶融することにより、上記配
線回路基板と半導体素子との間の空隙に、上記溶融状態
の封止用樹脂を充填し硬化させることにより容易に形成
することができる。
【０００９】さらに、上記固形樹脂を溶融させることに
より形成された封止樹脂層は、上記配線回路基板面に設
けられた接続用電極部の一部が露出するよう封止用樹脂
層を形成した後、さらに、上記接続用電極部に半導体素
子の電極部が当接するよう半導体素子を上記配線回路基
板に載置し、ついで、上記封止用樹脂層を加熱溶融す
る。あるいは、上記半導体素子面に設けられた接続用電
極部の一部が露出するよう封止用樹脂層を形成した後、
さらに、上記接続用電極部に配線回路基板の電極部が当
接するよう半導体素子を配線回路基板に載置し、つい
で、上記封止用樹脂層を加熱溶融する。このようにし
て、上記配線回路基板と半導体素子との間の空隙に、上
記溶融状態の封止用樹脂を充填し硬化させることにより
容易に形成することができる。
【００１０】加えて、上記固形樹脂を溶融させることに
より形成された封止樹脂層は、予め、上記半導体素子の
片面に封止用樹脂層を設けたものを準備し、複数の接続
用電極部が設けられた配線回路基板上に、上記封止用樹
脂層が上記接続用電極部と当接するよう半導体素子を載
置する。あるいは、予め、上記配線回路基板の片面に封
止用樹脂層を設けたものを準備し、上記配線回路基板上
に、複数の接続用電極部が設けられた半導体素子の上記
接続用電極部が上記封止用樹脂層と当接するよう半導体
素子を載置する。ついで、上記封止用樹脂層を加熱溶融
することにより、上記配線回路基板と半導体素子との間
の空隙に、上記溶融状態の封止用樹脂を充填し硬化させ
ることにより容易に形成することができる。
【００１１】特に、上記各製法において、配線回路基板
と半導体素子との間の空隙を樹脂封止するための封止材
料である、封止用樹脂シート，封止用樹脂層を所定時間
加熱するとともに、上記封止用樹脂シート，封止用樹脂
層が下記の物性（イ）〜（ハ）の少なくとも一つを備え
た状態になるまで加圧し、その状態で上記配線回路基板
と半導体素子との間の空隙に溶融状態の封止用樹脂を充
填すると、充填した封止用樹脂部分に細かなボイドを巻
き込むことなく、均質で良好な封止樹脂層を形成するこ
とができる。 （イ）樹脂粘度が５０００ｐｏｉｓｅ以上。 （ロ）封止用樹脂シートまたは封止用樹脂層の加熱前の
初期ゲル化時間を１００％とした場合、ゲル化時間が初
期ゲル化時間の３０％以下である。 （ハ）示差走査熱量計（以下「ＤＳＣ」と略す）により
測定される、封止用樹脂シートまたは封止樹脂層の加熱
前の初期残存反応熱量を１００％とした場合、残存反応
熱量が初期残存反応熱量の７０％以下である。
【００１２】
【発明の実施の形態】つぎに、本発明の実施の形態を詳
しく説明する。
【００１３】本発明の半導体装置の製法により製造され
る半導体装置は、図１に示すように、配線回路基板１の
片面に、複数の接続用電極部２を介して半導体素子３が
搭載された構造をとる。そして、上記配線回路基板１と
半導体素子３との間に封止樹脂層４が形成されている。
【００１４】なお、上記配線回路基板１と半導体素子３
とを電気的に接続する上記複数の接続用電極部２は、予
め配線回路基板１面に配設されていてもよいし、半導体
素子３面に配設されていてもよい。さらには、予め配線
回路基板１面および半導体素子３面の双方にそれぞれ配
設されていてもよい。
【００１５】本発明において、接続用電極部とは、周知
の電極のみでもよいが、電極とジョイントボール等の電
極に配備される導電体を含む概念である。したがって、
一般的に配線回路基板の接続用電極部と半導体素子の接
続用電極部とは、両者とも電極のみで連絡されていても
よいが、通常、少なくとも一方が電極とジョイントボー
ルからなる電極部であるようにして両者の電極部が連絡
される。
【００１６】したがって、通常の形態では上記配線回路
基板１と半導体素子３とを電気的に接続する上記複数の
接続用電極部２は、予め配線回路基板１面にジョイント
ボール等が配設されていてもよいし、半導体素子３面に
ジョイントボール等が配設されていてもよい。さらに
は、予め配線回路基板１面および半導体素子３面の双方
にそれぞれにジョイントボール等が配設されていてもよ
く、また、両者の電極部は電極のみであってもよい。
【００１７】上記複数の接続用電極部（ジョイントバン
プ）２の材質としては、特に限定するものではないが、
例えば、金のスタッドバンプ、半田による低融点および
高融点バンプ、銅・ニッケルコアの金めっきバンプ等が
あげられる。さらに、本発明での層状の固形樹脂を使用
することにより、上記低融点半田のような、ある一定の
温度で半田の形状が崩れてしまうような材質のものに対
して、上記層状の固形樹脂は、接続用電極部２の高さを
制御するための目的としても使用が可能である。
【００１８】また、上記配線回路基板１の材質として
は、特に限定するものではないが、大別してセラミック
基板、プラスチック基板があり、上記プラスチック基板
としては、例えば、エポキシ基板、ビスマレイミドトリ
アジン基板等があげられる。そして、本発明の層状の固
形樹脂は、プラスチック基板と、低融点半田による接続
用電極部２との組み合わせにおいて接合温度を高温に設
定することができないような場合においても特に限定さ
れることなく好適に用いられる。
【００１９】本発明において、上記封止樹脂層４形成材
料としては、層状の固形樹脂が用いられ、例えば、固体
のエポキシ樹脂組成物が用いられる。
【００２０】上記エポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂
（ａ成分）と、硬化剤（ｂ成分）と、無機質充填剤（ｃ
成分）とを用いて得られるものであり、常温で固体を示
す。なお、上記常温とは２０℃である。
【００２１】上記エポキシ樹脂（ａ成分）としては、常
温で固体であれば特に限定するものではなく従来公知の
もの、例えば、ビフェニル型エポキシ樹脂、クレゾール
ノボラック型エポキシ樹脂等が用いられ、さらには溶融
時に濡れ性が良好な低粘度のものを用いることが好まし
い。特に好ましくは、濡れ性が良くなるという観点か
ら、具体的に、下記の一般式（１），式（２），式
（３）で表される構造のエポキシ樹脂があげられる。こ
れらは単独でもしくは２種以上併せて用いられる。
【００２２】
【化１】
【００２３】
【化２】
【００２４】
【化３】
【００２５】上記式（１）〜（３）で表される構造のエ
ポキシ樹脂において、特にエポキシ当量１５０〜２３０
ｇ／ｅｑで、融点６０〜１６０℃のものを用いることが
好ましい。また、樹脂成分の濡れ性向上のために一部液
状エポキシ樹脂を用いることもできる。
【００２６】上記エポキシ樹脂（ａ成分）とともに用い
られる硬化剤（ｂ成分）としては、特に限定するもので
はなく通常用いられている各種硬化剤、例えば、フェノ
ール樹脂、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸等の酸無水
物系硬化剤があげられ、なかでもフェノール樹脂が好適
に用いられる。上記フェノール樹脂としては、フェノー
ルノボラック等が用いられ、特に低粘度のものを用いる
ことが好ましい。なかでも、水酸基当量が８０〜１２０
ｇ／ｅｑで、軟化点が８０℃以下のものを用いることが
好ましい。より好ましくは、水酸基当量９０〜１１０ｇ
／ｅｑで、軟化点５０〜７０℃である。特に好ましくは
水酸基当量１００〜１１０ｇ／ｅｑで、軟化点５５〜６
５℃である。
【００２７】上記エポキシ樹脂（ａ成分）と硬化剤（ｂ
成分）の配合割合は、硬化剤としてフェノール樹脂を用
いた場合、エポキシ樹脂中のエポキシ基１当量に対して
フェノール樹脂中の水酸基当量を０．５〜１．６の範囲
に設定することが好ましい。より好ましくは０．８〜
１．２の範囲に設定することである。
【００２８】上記ａ成分およびｂ成分とともに用いられ
る無機質充填剤（ｃ成分）としては、従来から用いられ
ている各種無機質充填剤、例えば、シリカ粉末、炭酸カ
ルシウム、チタン白等があげられる。なかでも、球状シ
リカ粉末、破砕状シリカ粉末が好ましく用いられ、特に
球状シリカを用いることが好ましい。そして、上記無機
質充填剤（ｃ成分）としては、最大粒径が１００μｍ以
下のものを用いることが好ましい。特に好ましくは最大
粒径が５０μｍ以下である。すなわち、最大粒径が１０
０μｍを超えると、配線回路基板と半導体素子間（封止
用樹脂層を用いて樹脂封止される空隙）の充填が不可能
になる場合があるからである。また、上記最大粒径とと
もに、平均粒径が１〜２０μｍのものを用いることが好
ましく、特に好ましくは２〜１０μｍである。したがっ
て、このような観点から、上記無機質充填剤（ｃ成分）
の最大粒径は、配線回路基板と半導体素子間（封止用樹
脂層を用いて樹脂封止される空隙）の距離の１／２以下
に設定することが好ましい。より好ましくは１／１０〜
１／３である。すなわち、最大粒径を１／２以下に設定
することにより、上記配線回路基板と半導体素子間への
溶融した封止用樹脂層の充填が、ボイド等が生じず良好
になされるようになるからである。
【００２９】上記無機質充填剤（ｃ成分）の含有割合
は、エポキシ樹脂組成物全体の９０重量％（以下「％」
と略す）以下の範囲に設定することが好ましい。より好
ましくは２０〜９０％であり、特に好ましくは５５〜７
５％である。すなわち、無機質充填剤（ｃ成分）の含有
量が２０％未満では、封止用樹脂硬化物の特性、特に線
膨張係数が大きくなり、このため、半導体素子と上記係
数との差が大きくなって、樹脂硬化物や半導体素子にク
ラック等の欠陥を発生させるおそれがある。また、９０
％を超えると、封止用樹脂の溶融粘度が高くなることか
ら充填性が悪くなるからである。
【００３０】本発明に用いられるエポキシ樹脂組成物に
は、上記ａ〜ｃ成分以外に、必要に応じて、シリコーン
化合物（側鎖エチレングライコールタイプジメチルシロ
キサン等），アクリロニトリル−ブタジエンゴム等の低
応力化剤、難燃剤、ポリエチレン、カルナバ等のワック
ス、シランカップリング剤（γ−グリシドキシプロピル
トリメトキシシラン等）等のカップリング剤等を適宜に
配合してもよい。
【００３１】上記難燃剤としては、ブロム化エポキシ樹
脂等があげられ、これに三酸化二アンチモン等の難燃助
剤等が用いられる。
【００３２】本発明に用いられる上記エポキシ樹脂組成
物は、例えばつぎのようにして得られる。すなわち、上
記樹脂成分であるａ成分およびｂ成分を混合溶融し、こ
の溶融状態の樹脂成分中に上記ｃ成分および必要に応じ
て他の添加剤を配合し混合する。この後、反応性調整の
ための触媒を加えて均一系とした後、パレット上に受入
れし、これを冷却後、例えば、プレス圧延してシート状
化することにより得られる。
【００３３】上記反応性調整のために配合される触媒と
しては、特に限定するものではなく従来から硬化促進剤
として用いられるものがあげられる。例えば、トリフェ
ニルホスフィン、テトラフェニルホスフェート、テトラ
フェニルボレート、２−メチルイミダゾール等があげら
れる。
【００３４】上記各成分の混合およびシートの作製方法
については上記方法に限定するものではなく、例えば、
上記混合においては、２軸ロール、３軸ロール等を用い
ることも可能である。また、上記シートの作製方法につ
いても、ロール圧延によるシート化、あるいは溶媒を混
合したものを塗工してシート化する方法も可能である。
また、上記エポキシ樹脂組成物の供給形態において、テ
ープ状の形態をとることにより、いわゆる、リール・ト
ゥ・リールによる大量生産形式の適用が可能となる。
【００３５】本発明において、シート、すなわち封止用
樹脂シートの厚みは、通常、５〜２００μｍ、好ましく
は１０〜１２０μｍ程度である。
【００３６】本発明の半導体装置の製法は、先に述べた
ように、配線回路基板上に、複数の接続用電極部を介し
て半導体素子が搭載され、上記配線回路基板と半導体素
子との間の空隙が封止樹脂層によって封止された半導体
装置を製造する際、上記封止樹脂層を、上記配線回路基
板と半導体素子との間に層状の固形樹脂を介在させ、こ
の固形樹脂を溶融させることにより形成することを特徴
とする。このような半導体装置の製法としては、具体的
には大別して３つの態様があげられる。
【００３７】（１）まず、本発明の半導体装置の製法の
第１の態様を図面に基づき順を追って説明する。この製
法（第１の態様）では、上記層状の固形樹脂として、シ
ート状のもの、すなわち、封止用樹脂シートが用いられ
る。
【００３８】まず、図２に示すように、複数の球状の接
続用電極部（ジョイントボール）２が設けられた配線回
路基板１上に、上記接続用電極部２を介して固形の封止
用樹脂シート１０を載置する。ついで、図３に示すよう
に、上記封止用樹脂シート１０上の所定位置に、半導体
素子３を載置し仮接着した後、上記封止用樹脂シート１
０を加熱溶融して溶融状態とし、加圧して上記半導体素
子３と上記配線回路基板１との間の空隙内に上記溶融状
態の樹脂を充填し、硬化させることにより上記空隙を樹
脂封止して封止樹脂層４を形成する。このようにして、
図１に示す半導体装置を製造する。
【００３９】なお、上記半導体装置の製法では、複数の
球状の接続用電極部（ジョイントボール）２が設けられ
た配線回路基板１を用いた場合について述べたが、これ
に限定するものではなく、予め半導体素子３の片面（接
続面側）に上記複数の球状の接続用電極部（ジョイント
ボール）２が配設されたものを用いてもよい。この場合
（予め半導体素子３面に接続用電極部２が配設されたも
のを使用）は、図４に示すように、配線回路基板１面に
固形の封止用樹脂シート１０を載置して、その上に、配
線回路基板１と接続用電極部２配設面とが対峙するよう
接続用電極部２が設けられた半導体素子３を載置する。
さらに、接続用電極部２が、配線回路基板１および半導
体素子３の双方に設けられたものを用いる場合は、図５
に示すように、両者の接続用電極部２の間に封止用樹脂
シート１０を配置する。後の工程は、上記と同様であ
る。
【００４０】上記封止用樹脂シート１０としては、半導
体素子３もしくは配線回路基板１に封止用樹脂シート１
０を仮接着する場合には、タック性を備えたシート状の
エポキシ樹脂組成物とすることが好ましい。そして、上
記封止用樹脂シート１０の大きさとしては、上記搭載さ
れる半導体素子３の大きさ（面積）により適宜に設定さ
れ、通常、半導体素子３の大きさ（面積）より少し小さ
くなるように設定することが好ましい。また、上記封止
用樹脂シート１０の厚みおよび重量は、上記と同様、搭
載される半導体素子３の大きさおよび上記配線回路基板
１に設けられた球状の接続用電極部２の大きさ、すなわ
ち、半導体素子３と配線回路基板１との空隙を充填し樹
脂封止することにより形成される封止樹脂層４の占める
容積により適宜に設定される。
【００４１】上記タック性を備えたシート状エポキシ樹
脂組成物を得るには、例えば、エポキシ樹脂組成物中に
アクリロニトリル−ブタジエン系共重合体等のゴム成分
を添加しておくことにより達成される。
【００４２】また、上記半導体装置の製造方法におい
て、上記封止用樹脂シート１０を加熱溶融して溶融状態
とする際の加熱温度としては、半導体素子３および配線
回路基板１の劣化等を考慮して７０〜３００℃の範囲に
設定することが好ましく、特に好ましくは１２０〜２０
０℃である。そして、加熱方法としては、赤外線リフロ
ー炉、乾燥機、温風機、熱板等があげられる。
【００４３】さらに、上記溶融状態とした封止用樹脂を
上記半導体素子３と上記配線回路基板１との間の空隙内
に充填する際には、上記のように加圧することが好まし
く、その加圧条件としては、接続用電極部（ジョイント
ボール）２の個数等によって適宜に設定されるが、具体
的には０．０２〜０．５ｋｇ／個の範囲に設定され、好
ましくは０．０４〜０．２ｋｇ／個の範囲に設定され
る。
【００４４】また、上記第１の態様の製法において、上
記配線回路基板１上に封止用樹脂シート１０を載置し、
さらにこの封止用樹脂シート１０上に半導体素子３を載
置した後、あるいは、上記半導体素子３上に封止用樹脂
シート１０を載置し、さらにこの封止用樹脂シート１０
上に配線回路基板１を載置した後、所定時間加熱すると
ともに、上記封止用樹脂シート１０が下記の物性（イ）
〜（ハ）の少なくとも一つを備えた状態になるまで加圧
し、その状態で上記配線回路基板１と半導体素子３との
間の空隙に、溶融状態の封止用樹脂を充填するという工
程を経由させることが特に好ましい。このように、上記
加圧によって封止用樹脂シート１０が下記の物性を有す
る（加圧終了時点）ことにより、充填された封止樹脂層
部分に細かなボイドを巻き込むことなく、均質で良好な
封止樹脂層が形成される。すなわち、封止用樹脂シート
１０の樹脂粘度が５０００ｐｏｉｓｅ未満、ゲル化時間
が初期ゲル化時間の３０％を超える、残存反応熱量が初
期残存反応熱量の７０％を超える場合のように、単に配
線回路基板１と半導体素子３を加圧して圧着させた際に
は、空隙部分に充填された封止用樹脂、つまり封止樹脂
層部分に細かなボイドが形成される恐れがある。
【００４５】（イ）樹脂粘度が５０００ｐｏｉｓｅ以
上。 （ロ）封止用樹脂シートの加熱前の初期ゲル化時間を１
００％とした場合、ゲル化時間が初期ゲル化時間の３０
％以下である。 （ハ）示差走査熱量計（ＤＳＣ）により測定される封止
用樹脂シートの加熱前の初期残存反応熱量を１００％と
した場合、残存反応熱量が初期残存反応熱量の７０％以
下である。
【００４６】上記特性（イ）における樹脂粘度は、上記
のように、５０００ｐｏｉｓｅ以上であることが好まし
く、特に好ましくは１００００ｐｏｉｓｅ以上の範囲で
あり、その樹脂粘度の測定は、島津製作所社製のフロー
テスターを用いて１７５℃にて測定した。
【００４７】また、上記特性（ロ）において、ゲル化時
間が初期ゲル化時間の３０％以下に達したものが好まし
く、特に好ましくは初期ゲル化時間の２０％以下であ
り、そのゲル化時間の測定は、例えば、つぎのようにし
て行われる。すなわち、熱板上に測定対象となる試料を
載せ、この試料が溶融した時点（初期ゲル化時間）か
ら、薄く広がった試料の表面上を針先で線をいれ、その
線が広がり乱れた時点を終点としてゲル化時間を測定す
る。
【００４８】そして、上記特性（ハ）において、残存反
応熱量が初期残存反応熱量の７０％以下に達したものが
好ましく、特に好ましくは初期残存反応熱量の６５％以
下である。そして、その残存反応熱量の測定は、上記の
ように、ＤＳＣを用い、昇温速度５℃／ｍｉｎで、６０
〜２００℃まで昇温させ、９０〜１８０℃の反応熱量を
測定する。
【００４９】（２）つぎに、本発明の半導体装置の製法
の第２の態様を図面に基づき順を追って説明する。この
製法（第２の態様）では、上記層状の固形樹脂として、
接続用電極部が設けられた、配線回路基板面および半導
体素子面の少なくとも一方に直接形成された封止用樹脂
層が用いられる。
【００５０】まず、図６に示すように、複数の球状の接
続用電極部（ジョイントボール）２が設けられた配線回
路基板１面上に、上記球状の接続用電極部２の頭頂部が
露出するよう封止用樹脂層１３を形成する。つぎに、図
７に示すように、上記封止用樹脂層１３からその頭頂部
が露出した接続用電極部２と、半導体素子３の電極部が
当接するよう上記配線回路基板１に半導体素子３を搭載
する。ついで、全体を加熱して上記封止用樹脂層１３を
溶融して溶融状態とし、加圧して半導体素子３と上記配
線回路基板１との間の空隙内に上記溶融状態の封止用樹
脂層１３を充填し、硬化させることにより上記空隙を樹
脂封止して封止樹脂層４を形成する。このようにして、
図１に示す半導体装置を製造する。
【００５１】上記図６に示す、球状の接続用電極部２が
設けられた配線回路基板１面に、上記接続用電極部２の
頭頂部が露出するよう形成される封止用樹脂層１３は、
例えば、つぎのようにして作製することができる。すな
わち、図２に示すように、複数の球状の接続用電極部２
が設けられた配線回路基板１上に、上記接続用電極部２
を介して固形の封止用樹脂シート１０を載置する（前述
の半導体装置の製法の第１の態様）。ついで、上記封止
用樹脂シート１０を加熱溶融することにより、図６に示
すように、球状の接続用電極部２が設けられた配線回路
基板１面に、上記接続用電極部２の頭頂部が露出するよ
う封止用樹脂層１３が形成される。
【００５２】さらに、上記のような封止用樹脂層１３の
形成方法以外に、例えば、つぎのようにして作製するこ
とができる。すなわち、図８に示すように、予め、接続
用電極部２が設けられた配線回路基板１を準備する。つ
ぎに、上記接続用電極部２が設けられた配線回路基板１
面上に、エポキシ樹脂組成物を用い、印刷塗工法によ
り、封止用樹脂層１３を形成する。このようにして、上
記図６に示す、接続用電極部２の頭頂部が露出するよう
封止用樹脂層１３が形成される。
【００５３】なお、上記半導体装置の製法では、複数の
球状の接続用電極部（ジョイントボール）２が設けられ
た配線回路基板１を用いた場合について述べたが、これ
に限定するものではなく、先に述べた第１の態様と同
様、予め半導体素子３の片面（接続面側）に上記複数の
球状の接続用電極部（ジョイントボール）２が配設され
たものを用いてもよい。この場合は、図９に示すよう
に、複数の球状の接続用電極部（ジョイントボール）２
が設けられた半導体素子３面上に、上記球状の接続用電
極部２の頭頂部が露出するよう封止用樹脂層１３を形成
する。ついで、上記封止用樹脂層１３からその頭頂部が
露出した接続用電極部２と、配線回路基板１の電極部が
当接するよう上記配線回路基板１を搭載する。
【００５４】さらに、接続用電極部２が、配線回路基板
１および半導体素子３の双方に設けられたものを用いる
場合は、両者のうちの少なくとも一方の接続用電極部２
形成面に、上記接続用電極部２の頭頂部が露出するよう
封止用樹脂層１３を形成する。例えば、図１０に示すよ
うに、複数の球状の接続用電極部（ジョイントボール）
２が設けられた半導体素子３面上に、上記球状の接続用
電極部２の頭頂部が露出するよう封止用樹脂層１３を形
成する。ついで、上記封止用樹脂層１３からその頭頂部
が露出した接続用電極部２を有する半導体素子３を、接
続用電極部を有する配線回路基板１に搭載する。あるい
は、図１１に示すように、複数の球状の接続用電極部２
が設けられた配線回路基板１面に、上記球状の接続用電
極部２の頭頂部が露出するよう封止用樹脂層１３を形成
する。つぎに、上記封止用樹脂層１３からその頭頂部が
露出した接続用電極部２を有する配線回路基板１に、接
続用電極部２を有する半導体素子３を搭載する。また、
図１２に示すように、複数の球状の接続用電極部２が設
けられた半導体素子３面上に、上記球状の接続用電極部
２の頭頂部が露出するよう封止用樹脂層１３を形成す
る。一方、複数の球状の接続用電極部２が設けられた配
線回路基板１面に、上記球状の接続用電極部２の頭頂部
が露出するよう封止用樹脂層１３を形成する。つぎに、
上記封止用樹脂層１３からその頭頂部が露出した接続用
電極部２を有する配線回路基板１に、上記封止用樹脂層
１３からその頭頂部が露出した接続用電極部２を有する
半導体素子３を搭載する。後の工程は、上記と同様であ
る。
【００５５】上記図１０〜図１２において、接続用電極
部２が設けられた配線回路基板１に封止用樹脂層１３を
形成する方法は、先に述べた配線回路基板１に接続用電
極部１３が設けられた場合の形成方法と同様の方法に従
って形成される。また、接続用電極部２が設けられた半
導体素子３に封止用樹脂層１３を形成する方法は、上記
形成方法と同様、封止用樹脂シート１０を用いて加熱溶
融する、あるいは、接続用電極部２が設けられた半導体
素子３面に、印刷塗工する方法に従って形成される。
【００５６】そして、上記第２の態様において、上記形
成された封止用樹脂層１３は、融点を超える温度におい
て、半導体素子３と配線回路基板１との間を越えて、流
出しないよう設計された封止用樹脂層１３とすることが
好ましい。
【００５７】また、上記第２の態様の製法において、封
止用樹脂層１３の加熱温度としては、先に述べた第１の
態様と同様、半導体素子３および配線回路基板１の劣化
等を考慮して７０〜３００℃の範囲に設定することが好
ましい。そして、加熱方法も上記と同様、赤外線リフロ
ー炉、乾燥機、温風機、熱板等があげられる。さらに、
上記加圧条件も、先に述べた第１の態様と同様、接続用
電極部（ジョイントボール）２の個数等によって適宜に
設定されるが、具体的には０．０２〜０．５ｋｇ／個の
範囲に設定され、好ましくは０．０４〜０．２ｋｇ／個
の範囲に設定される。
【００５８】なお、上記第２の態様において、図１０〜
図１２に示すように、接続用電極部２が配線回路基板１
および半導体素子３の双方に設けられたものを用い、両
者のうちの少なくとも一方の接続用電極部２形成面に、
上記接続用電極部２の頭頂部が露出するよう封止用樹脂
層１３が形成された場合において、さらに他の態様があ
げられる。これは、上記封止用樹脂層１３に加えて、配
線回路基板１と半導体素子３との間に、さらに封止用樹
脂シートを介在させるものである。
【００５９】すなわち、図１０に示すタイプのさらに他
の態様では、図１３に示すように、複数の球状の接続用
電極部２が設けられた半導体素子３面上に、上記球状の
接続用電極部２の頭頂部が露出するよう封止用樹脂層１
３を形成する。ついで、上記封止用樹脂層１３からその
頭頂部が露出した接続用電極部２を有する半導体素子３
を、封止用樹脂シート１８を介して接続用電極部を有す
る配線回路基板１に搭載する。
【００６０】また、図１１に示すタイプのさらに他の態
様では、図１４に示すように、複数の球状の接続用電極
部２が設けられた配線回路基板１面に、上記球状の接続
用電極部２の頭頂部が露出するよう封止用樹脂層１３を
形成する。つぎに、上記封止用樹脂層１３からその頭頂
部が露出した接続用電極部２を有する配線回路基板１
に、封止用樹脂シート１８を介して接続用電極部２を有
する半導体素子３を搭載する。
【００６１】そして、図１２に示すタイプのさらに他の
態様では、図１５に示すように、複数の球状の接続用電
極部２が設けられた半導体素子３面上に、上記球状の接
続用電極部２の頭頂部が露出するよう封止用樹脂層１３
を形成する。一方、複数の球状の接続用電極部２が設け
られた配線回路基板１面に、上記球状の接続用電極部２
の頭頂部が露出するよう封止用樹脂層１３を形成する。
つぎに、上記封止用樹脂層１３からその頭頂部が露出し
た接続用電極部２を有する配線回路基板１に、封止用樹
脂シート１８を介して、上記封止用樹脂層１３からその
頭頂部が露出した接続用電極部２を有する半導体素子３
を搭載する。後の工程は、上記と同様である。
【００６２】上記図１３〜図１５に示すさらに他の態様
における製法においても、封止用樹脂層１３および封止
用樹脂シート１８の加熱温度は、上記と同様、半導体素
子３および配線回路基板１の劣化等を考慮して７０〜３
００℃の範囲に設定することが好ましい。そして、加熱
方法も上記と同様の方法があげられる。さらに、上記加
圧条件も、先に述べた条件と同様、接続用電極部２の個
数等によって適宜に設定されるが、具体的には０．０２
〜０．５ｋｇ／個の範囲に設定され、好ましくは０．０
４〜０．２ｋｇ／個の範囲に設定される。
【００６３】また、上記第２の態様の製法において、上
記配線回路基板１面に設けられた接続用電極部２に半導
体素子３の接続用電極部２が当接するよう半導体素子３
を上記配線回路基板１に載置した後、あるいは、上記半
導体素子３面に設けられた接続用電極部２に配線回路基
板１の接続用電極部２が当接するよう配線回路基板１を
上記半導体素子３に載置した後、所定時間加熱するとと
もに、上記封止用樹脂層１３が下記の物性（イ）〜
（ハ）の少なくとも一つを備えた状態になるまで加圧
し、その状態で上記配線回路基板１と半導体素子３との
間の空隙に、溶融状態の封止用樹脂を充填するという工
程を経由させることが特に好ましい。このように、先の
第１の態様で述べた理由と同様、封止用樹脂層１３が下
記の物性を有することにより、充填された封止樹脂層部
分に細かなボイドを巻き込むことなく、均質で良好な封
止樹脂層が形成される。
【００６４】（イ）樹脂粘度が５０００ｐｏｉｓｅ以
上。 （ロ）封止用樹脂層の加熱前の初期ゲル化時間を１００
％とした場合、ゲル化時間が初期ゲル化時間の３０％以
下である。 （ハ）示差走査熱量計（ＤＳＣ）により測定される封止
用樹脂層の加熱前の初期残存反応熱量を１００％とした
場合、残存反応熱量が初期残存反応熱量の７０％以下で
ある。
【００６５】また、上記特性（イ）における樹脂粘度の
特に好適な範囲、上記特性（ロ）におけるゲル化時間の
特に好適な範囲、および、上記特性（ハ）における残存
反応熱量の特に好適な範囲は、前記の第１の態様で述べ
た特に好ましい範囲と同じである。さらに、上記樹脂粘
度、ゲル化時間および残存反応熱量の各測定方法も前記
第１の態様と同じである。
【００６６】（３）つぎに、本発明の半導体装置の製法
の第３の態様を図面に基づき説明する。この製法（第３
の態様）では、上記層状の固形樹脂がそれ単独ではな
く、予め、球状の接続用電極部の設けられていない半導
体素子面あるいは配線回路基板面に封止用樹脂層を設け
た状態のものを使用する。ただし、半導体素子および配
線回路基板の双方ともに電極は設けられている。
【００６７】まず、予め、封止用樹脂層を半導体素子面
に貼着した状態のものを使用した例について述べる。す
なわち、図１６に示すように、予め、半導体素子３の片
面に封止用樹脂層１４を形成した状態のものを準備す
る。ついで、複数の球状の接続用電極部（ジョイントボ
ール）２が設けられた配線回路基板１上の所定位置に、
上記貼着された封止用樹脂層１４が上記接続用電極部２
と当接するよう半導体素子３を載置する。載置した後、
上記封止用樹脂層１４を加熱溶融して溶融状態とし、加
圧して上記半導体素子３と上記配線回路基板１との間の
空隙内に上記溶融状態の樹脂を充填し、硬化させること
により上記空隙を樹脂封止して封止樹脂層を形成する。
このようにして、図１に示す半導体装置を製造する。
【００６８】一方、上記第３の態様の他の例として、予
め、封止用樹脂層を配線回路基板面に貼着した状態のも
のを使用した例について述べる。すなわち、図１７に示
すように、予め、配線回路基板１の片面に封止用樹脂層
１５を形成した状態のものを準備する。ついで、複数の
球状の接続用電極部（ジョイントボール）２が設けられ
た半導体素子３を、上記接続用電極部２と封止用樹脂層
１５とが当接するよう、上記配線回路基板１面の封止用
樹脂層１５上に載置する。載置した後、上記封止用樹脂
層１５を加熱溶融して溶融状態とし、加圧して上記半導
体素子３と上記配線回路基板１との間の空隙内に上記溶
融状態の樹脂を充填し、硬化させることにより上記空隙
を樹脂封止して封止樹脂層を形成する。このようにし
て、図１に示す半導体装置を製造する。
【００６９】上記図１６および図１７における、封止用
樹脂層１４，１５の形成方法としては、半導体素子３面
あるいは配線回路基板１面に封止用樹脂シートを貼着す
る、封止用樹脂層形成材料を印刷塗工により形成する方
法等があげられる。
【００７０】上記封止用樹脂層１４，１５としては、前
記第１の態様と同様、その大きさは半導体素子３の大き
さ（面積）により適宜に設定され、通常、半導体素子３
の大きさ（面積）より少し小さくなるように設定するこ
とが好ましい。また、上記封止用樹脂層１４，１５の厚
みおよび重量（封止用樹脂シートの場合）は、上記と同
様、半導体素子３の大きさおよび上記接続用電極部２の
大きさ、すなわち、半導体素子３と配線回路基板１との
空隙を充填し樹脂封止することにより形成される封止樹
脂層４の占める容積により適宜に設定される。
【００７１】また、上記第３の態様の製法において、上
記封止用樹脂層１４，１５を加熱溶融して溶融状態とす
る際の加熱温度としては、先に述べた第１および第２の
態様と同様、半導体素子３および配線回路基板１の劣化
等を考慮して７０〜３００℃の範囲に設定することが好
ましく、特に好ましくは１２０〜２００℃である。そし
て、加熱方法としては、赤外線リフロー炉、乾燥機、温
風機、熱板等があげられる。さらに、上記溶融状態とし
た封止用樹脂を上記半導体素子３と上記配線回路基板１
との間の空隙内に充填する際には、上記のように加圧す
ることが好ましく、その加圧条件としては、接続用電極
部（ジョイントボール）２の個数等によって適宜に設定
されるが、具体的には０．０２〜０．５ｋｇ／個の範囲
に設定され、好ましくは０．０４〜０．２ｋｇ／個の範
囲に設定される。
【００７２】さらに、上記第３の態様の製法において、
半導体素子３の片面に設けられた封止用樹脂層１４と配
線回路基板１の接続用電極部とを当接した後、あるいは
配線回路基板１の片面に設けられた封止用樹脂層１５と
半導体素子３の接続用電極部とを当接した後、所定時間
加熱するとともに、上記各封止用樹脂層１４，１５がそ
れぞれ下記の物性（イ）〜（ハ）の少なくとも一つを備
えた状態になるまで加圧し、その状態で上記配線回路基
板１と半導体素子３との間の空隙に、溶融状態の封止用
樹脂を充填するという工程を経由させることが特に好ま
しい。このように、封止用樹脂層１４，１５が下記の物
性を有することにより、充填された封止樹脂層部分に細
かなボイドを巻き込むことなく、均質で良好な封止樹脂
層が形成される。
【００７３】（イ）樹脂粘度が５０００ｐｏｉｓｅ以
上。 （ロ）封止用樹脂層の加熱前の初期ゲル化時間を１００
％とした場合、ゲル化時間が初期ゲル化時間の３０％以
下である。 （ハ）示差走査熱量計（ＤＳＣ）により測定される封止
用樹脂層の加熱前の初期残存反応熱量を１００％とした
場合、残存反応熱量が初期残存反応熱量の７０％以下で
ある。
【００７４】また、上記特性（イ）における樹脂粘度の
特に好適な範囲、上記特性（ロ）におけるゲル化時間の
特に好適な範囲、および、上記特性（ハ）における残存
反応熱量の特に好適な範囲は、前記の第１の態様で述べ
た特に好ましい範囲と同じである。さらに、上記樹脂粘
度、ゲル化時間および残存反応熱量の各測定方法も前記
第１の態様と同じである。
【００７５】上記第１〜第３の態様に従って製造される
半導体装置の一例としては、前述の図１に示すように、
形成された封止樹脂層４が、搭載された半導体素子３の
周囲からはみ出さないよう形成されたタイプがあげられ
るが、半導体装置の用途等によっては、図１８に示すよ
うに、形成された封止樹脂層４′が、搭載された半導体
素子３の周囲からはみ出すよう形成されたタイプであっ
てもよい。
【００７６】そして、上記のようにして製造された半導
体装置において、半導体素子３の大きさは、通常、幅２
〜２０ｍｍ×長さ２〜３０ｍｍ×厚み０．１〜０．６ｍ
ｍに設定される。また、半導体素子３を搭載する配線回
路が形成された配線回路基板１の大きさは、通常、幅１
０〜７０ｍｍ×長さ１０〜７０ｍｍ×厚み０．０５〜
３．０ｍｍに設定される。そして、溶融した封止用樹脂
が充填される、半導体素子３と配線回路基板１の空隙の
両者間の距離は、通常、５〜１００μｍである。特に、
本発明に用いられる封止用樹脂の特性等を考慮すると、
上記両者間の距離は、１０〜７０μｍに設定することが
好ましい。
【００７７】上記封止用樹脂を用いて封止することによ
り形成された封止樹脂層４、すなわち、上記封止用樹脂
の特性としては、各使用温度での溶融粘度が１〜１００
０ｐｏｉｓｅ、ゲルタイムが１５０℃において０．５〜
３０分、その硬化物としては、線膨脹係数が７〜５０ｐ
ｐｍであることが好ましい。より好ましくは溶融粘度が
１〜５００ｐｏｉｓｅ、ゲルタイムが１５０℃において
１．０〜１５分間、線膨脹係数が１２〜４０ｐｐｍであ
る。すなわち、溶融粘度が上記範囲内に設定されること
により、充填性が良好となる。また、ゲルタイムが上記
範囲内に設定されることにより、成形作業性、特に硬化
時間の短縮が可能となる。さらに、線膨脹係数が上記範
囲内に設定されることにより、樹脂硬化体や半導体素子
にクラック等の応力による欠陥防止が可能となる。な
お、上記溶融粘度は、フローテスター粘度計により測定
し、上記ゲルタイムは熱板上にて測定した。また、線膨
脹係数は、熱機械分析（ＴＭＡ）により測定した。
【００７８】本発明において、上記第１〜第３のいずれ
の態様においても、封止用樹脂シートもしくは封止用樹
脂層を介して、半導体素子と配線回路基板の両電極部を
当接させ、上記シート（または樹脂層）を加熱して、好
ましくは加熱とともに加圧して硬化させることは前述の
とおりである。
【００７９】上記加圧は、好ましくは半田等の接続用電
極部（ジョイントボール）を偏平化しつつ、または偏平
化した後、封止用樹脂を硬化させる。
【００８０】このとき、一般的には、上記接続用電極部
を構成する材料としては、熱時流動可能な材料、例え
ば、半田により形成されている。そして、封止用樹脂層
硬化後は、好ましくは接続用電極部を構成する半田を溶
融させるために、上記半導体素子と配線回路基板の接着
体は２１５℃程度に加温され、本発明の半導体装置とす
るのが一般的である。封止用樹脂シート（封止用樹脂
層）硬化後に、接続用電極部を構成する半田等の材料を
このように溶融させる工程は、先に述べたそれぞれの製
法において述べていないが、本願においては通常行われ
るものである。
【００８１】本発明による封止用樹脂シート（封止用樹
脂層）による封止では、たいていの場合、つぎに示すこ
とが言える。
【００８２】すなわち、接続用電極部として半田を用い
た場合には、フラックスが無くても、前記の半導体素子
電極部と配線回路基板電極部（ランド部）の両者の溶融
・結合が好適に行われるのが一般的である。
【００８３】上記理由は明らかではないが、前記半導体
素子と配線回路基板の接合体が得られた段階では、接続
用電極部である半田の周りは、たいていの場合、硬化樹
脂で覆われて酸素と遮断された状態となっていること、
および電極部の圧力による前記の偏平化時に半田表面に
クラックが生じて半田の地肌表面（酸化されていない
面）が露出しているためではないかと考えられる。ま
た、極微量の塩素成分および有機酸成分の少なくとも一
方を含有する封止用樹脂シート、例えば、エポキシ樹脂
組成物よりなるシートを用いた場合には、これら塩素成
分および有機酸成分の少なくとも一方が半田製の接続用
電極部表面に形成する酸化膜除去に効果があり、この酸
化膜が除去されるためではないかと考えられる。つい
で、このような環境下で、２１５℃程度に加温すること
により、上述の半導体素子電極部および配線回路基板電
極部の両電極部が溶融する。
【００８４】つぎに、実施例について比較例と併せて説
明する。
【００８５】まず、実施例に先立って、下記に示す各成
分を準備した。
【００８６】〔エポキシ樹脂ａ１〕下記の式（４）で表
される構造のビフェニル型エポキシ樹脂である。
【００８７】
【化４】
【００８８】〔エポキシ樹脂ａ２〕クレゾールノボラッ
ク型エポキシ樹脂（エポキシ当量：１９５ｇ／ｅｑ、融
点：６０〜９０℃）である。
【００８９】〔硬化剤ｂ〕フェノールノボラック樹脂
（水酸基当量：１０５ｇ／ｅｑ、軟化点６０℃）であ
る。
【００９０】〔無機質充填剤ｃ１〜ｃ５〕下記の表１に
示す球状シリカ粉末である。
【００９１】
【表１】
【００９２】〔触媒ｄ１〕トリフェニルホスフィンであ
る。
【００９３】〔触媒ｄ２〕テトラフェニルホスフェート
およびテトラフェニルボレートの混合物（モル混合比１
／１）である。
【００９４】〔低応力化剤〕アクリロニトリル−ブタジ
エンゴムである。
【００９５】〔難燃剤〕ブロム化エポキシフェノールノ
ボラックである。
【００９６】〔難燃助剤〕三酸化二アンチモンである。
【００９７】〔ワックス〕ポリエチレンである。
【００９８】〔カップリング剤〕γ−グリシドキシプロ
ピルトリメトキシシランである。
【００９９】
【実施例１〜１３】上記各成分を用い、下記の表２〜表
３に示す割合で各成分を混合した。これをパレット上に
受入れし、これを冷却後プレス圧延してシート状化する
ことにより目的のシート状エポキシ樹脂組成物を作製し
た。
【０１００】
【表２】
【０１０１】
【表３】
【０１０２】このようにして得られた各実施例のシート
状エポキシ樹脂組成物（封止用樹脂シート）を用い、前
述の半導体装置の製法における第１の態様（先の段落番
号００３８に記載）に従って半導体装置を製造した。す
なわち、図２に示すように、ボード１に設けられた球状
のジョイントボール２を介して、上記ボード１上に上記
各封止用樹脂シート１０を載置した後、図３に示すよう
に、上記封止用樹脂シート１０上に半導体チップ３を載
置した。その後、加熱温度１８０℃×荷重０．０６ｋｇ
／個の条件で封止用樹脂シート１０を加熱溶融して、ボ
ード１と半導体チップ３との空隙内に溶融状態の樹脂を
充填し、熱硬化（条件：２００℃×２０分硬化）させる
ことにより、図１に示すように、上記空隙が封止樹脂層
４で樹脂封止された半導体装置を作製した。得られた半
導体装置について、初期の通電チェックを行い、さら
に、その半導体装置を用いて、プレッシャークッカーテ
スト〔ＰＣＴテスト（条件：１２１℃×２ａｔｍ×１０
０％ＲＨで２００時間放置）〕を行った後に通電チェッ
クを行った。そして、不良が発生した割合（不良発生
率）を算出した。この不良発生率とともに、不良が発生
したものを×、全く不良が発生しなかったものを○とし
て表示した。その結果を下記の表４〜表５に示す。
【０１０３】
【表４】
【０１０４】
【表５】
【０１０５】上記表４〜表５の結果、初期の通電チェッ
クおよびＰＣＴテスト２００時間後の通電チェックにお
いて不良が全く発生しなかった。このことから、全ての
実施例では、ボードと半導体チップとの空隙に封止樹脂
層が形成されており、上記空隙内の封止用樹脂の充填が
良好に行われていることが明らかである。
【０１０６】また、上記各実施例１〜１３のエポキシ樹
脂組成物を用い、前述の半導体装置の製法の第２の態様
（先の段落番号００５０に記載）に従って半導体装置を
製造した。すなわち、図２に示すように、ジョイントボ
ール２が設けられたボード１上に、上記ジョイントボー
ル２を介して各封止用樹脂シート１０を載置した。つい
で、この封止用樹脂シート１０を１８０℃で加熱溶融す
ることにより、図６に示すように、上記ジョイントボー
ル２の頭頂部が露出するよう、ボード１面に封止用樹脂
層１３を形成した。つぎに、図７に示すように、上記封
止用樹脂層１３からその頭頂部が露出したジョイントボ
ール２と、半導体チップ３の電極部が当接するよう上記
ボード１に半導体チップ３を搭載した。ついで、全体を
加熱（１８０℃）して上記ボード１面に設けられた封止
用樹脂層１３を溶融して溶融状態とし、加圧により半導
体チップ３と上記ボード１とを接合（条件：２００℃×
２０分で熱硬化）させることにより、図１に示すよう
に、上記空隙が封止樹脂層４で樹脂封止された半導体装
置を作製した。得られた半導体装置について、上記と同
様、初期の通電チェックおよびＰＣＴテスト２００時間
放置後の通電チェックを行った。その結果、先の評価結
果と同様、初期の通電チェックおよびＰＣＴテスト２０
０時間後の通電チェックにおいて不良が全く発生しなか
った。したがって、ボード１と半導体チップ３との空隙
に封止樹脂層４が形成されており、上記空隙内の封止用
樹脂の充填が良好に行われていることが明らかである。
【０１０７】さらに、上記各実施例１〜１３のエポキシ
樹脂組成物を用い、前述の半導体装置の製法の第３の態
様（先の段落番号００６７に記載）に従って半導体装置
を製造した。すなわち、図１６に示すように、予め、半
導体チップ３の片面に各封止用樹脂シート１４を貼着し
たものを準備した。ついで、複数のジョイントボール２
が設けられたボード１上に、上記貼着された封止用樹脂
シート１４が上記ジョイントボール２と当接するよう半
導体チップ３を載置した。ついで、全体を加熱（１８０
℃）することにより上記封止用樹脂シート１４を溶融し
て溶融状態とし、加圧により半導体チップ３と上記ボー
ド１とを接合（条件：２００℃×２０分で熱硬化）させ
て、図１に示すように、半導体チップ３とボード１との
空隙が封止樹脂層４で樹脂封止された半導体装置を作製
した。得られた半導体装置について、上記と同様、初期
の通電チェックおよびＰＣＴテスト２００時間放置後の
通電チェックを行った。その結果、先の評価結果と同
様、初期の通電チェックおよびＰＣＴテスト２００時間
後の通電チェックにおいて不良が全く発生しなかった。
したがって、ボード１と半導体チップ３との空隙に封止
樹脂層４が形成されており、上記空隙内の封止用樹脂の
充填が良好に行われていることが明らかである。
【０１０８】〔封止用樹脂シートの作製〕つぎに、下記
の表６に示す各成分を用い、同表に示す割合で各成分を
混合した。これをパレット上に受入れし、これを冷却後
プレス圧延してシート状化することにより目的のシート
状エポキシ樹脂組成物（封止用樹脂シート）を作製し
た。
【０１０９】
【表６】
【０１１０】
【実施例１４〜２０】このようにして得られた上記各実
施例のシート状エポキシ樹脂組成物（封止用樹脂シー
ト）を用い、前述の半導体装置の製法における第１の態
様（先の段落番号００３８に記載）に従って半導体装置
を製造した。すなわち、図２に示すように、ボード１に
設けられた球状のジョイントボール２を介して、上記ボ
ード１上に上記各封止用樹脂シート１０を載置した後、
図３に示すように、上記封止用樹脂シート１０上に半導
体チップ３を載置した。ついで、全体を加熱（１８０℃
×荷重０．０８ｋｇｆ／個）して所定時間保持する（上
記表６に昇温後の保持時間を示す）とともに加圧し（溶
融時粘度、加圧時間、加圧終了時の粘度、ゲルタイム、
ゲルタイム保持率およびＤＳＣ残存反応熱量を上記表６
に示す）、その状態で半導体チップ３と上記ボード１と
を接合（条件：２００℃×２０分で熱硬化）させて、図
１に示すように、半導体チップ３とボード１との空隙が
封止樹脂層４で樹脂封止された半導体装置を作製した。
【０１１１】
【実施例２１〜２７】また、上記各実施例のシート状エ
ポキシ樹脂組成物（封止用樹脂シート）を用い、前述の
半導体装置の製法の第２の態様（先の段落番号００５０
に記載）に従って半導体装置を製造した。すなわち、図
２に示すように、ジョイントボール２が設けられたボー
ド１上に、上記ジョイントボール２を介して各封止用樹
脂シート１０を載置した。ついで、この封止用樹脂シー
ト１０を１８０℃で加熱溶融することにより、図６に示
すように、上記ジョイントボール２の頭頂部が露出する
よう、ボード１面に封止用樹脂層１３を形成した。つぎ
に、図７に示すように、上記封止用樹脂層１３からその
頭頂部が露出したジョイントボール２と、半導体チップ
３の電極部が当接するよう上記ボード１に半導体チップ
３を搭載した。ついで、全体を加熱（１８０℃×荷重
０．０８ｋｇｆ／個）して所定時間保持する（上記表６
に昇温後の保持時間を示す）とともに加圧し（溶融時粘
度、加圧時間、加圧終了時の粘度、ゲルタイム、ゲルタ
イム保持率およびＤＳＣ残存反応熱量を上記表６に示
す）、その状態で半導体チップ３と上記ボード１とを接
合（条件：２００℃×２０分で熱硬化）させて、図１に
示すように、半導体チップ３とボード１との空隙が封止
樹脂層４で樹脂封止された半導体装置を作製した。
【０１１２】
【実施例２８〜３４】ついで、上記各実施例のシート状
エポキシ樹脂組成物（封止用樹脂シート）を用い、前述
の半導体装置の製法の第３の態様（先の段落番号００６
７に記載）に従って半導体装置を製造した。すなわち、
図１６に示すように、予め、半導体チップ３の片面に各
封止用樹脂シート１４を貼着したものを準備した。つい
で、複数のジョイントボール２が設けられたボード１上
に、上記貼着された封止用樹脂シート１４が上記ジョイ
ントボール２と当接するよう半導体チップ３を載置し
た。ついで、全体を加熱（１８０℃×荷重０．０８ｋｇ
ｆ／個）して所定時間保持する（上記表６に昇温後の保
持時間を示す）とともに加圧し（溶融時粘度、加圧時
間、加圧終了時の粘度、ゲルタイム、ゲルタイム保持率
およびＤＳＣ残存反応熱量を上記表６に示す）、その状
態で半導体チップ３と上記ボード１とを接合（条件：２
００℃×２０分で熱硬化）させて、図１に示すように、
半導体チップ３とボード１との空隙が封止樹脂層４で樹
脂封止された半導体装置を作製した。
【０１１３】〔粘度〕フローテスターの粘度曲線から粘
度を読み取った。
【０１１４】〔ゲルタイム保持率〕下記の数式（１）に
より算出した。
【０１１５】
【数１】 （ゲルタイム−昇温時保持時間＋加熱時間）／ゲルタイム …（１）
【０１１６】〔残存反応熱量〕熱板上に樹脂シートを載
せ、経時毎にサンプリングし、ＤＳＣにより残存反応熱
量を測定した。
【０１１７】上記各態様によって得られた半導体装置に
ついて、上記と同様、初期の通電チェックおよびＰＣＴ
テスト２００時間放置後の通電チェックを行った。その
結果、先の評価結果と同様、初期の通電チェックおよび
ＰＣＴテスト２００時間後の通電チェックにおいて不良
が全く発生しなかった。したがって、ボード１と半導体
チップ３との空隙に封止樹脂層４が形成されており、上
記空隙内の封止用樹脂の充填が良好に行われていること
が明らかである。
【０１１８】さらに、上記得られた各半導体装置につい
て、下記の条件における通電テスト〔吸湿ベーパーフェ
イズソルダリング（ＶＰＳ）前後〕を行った。さらに、
下記の条件における半導体素子と配線回路基板の密着性
評価（吸湿ＶＰＳ前後）を行った。その結果を後記の表
７〜表９に併せて示す。
【０１１９】〔通電テスト条件・密着性評価条件〕 吸湿ＶＰＳ条件：３０℃／６０ＲＨ％×１６８時間＋２
１５℃×９０秒間
【０１２０】なお、上記通電テストにおける吸湿ＶＰＳ
前の初期値（抵抗値）を基準の１００とし、それに対す
る吸湿ＶＰＳ後の抵抗値を相対値として示した。また、
上記密着性評価は、超音波探傷法により測定して、封止
樹脂層部分のボイドの有無およびジョイントボール周辺
の剥離状態の有無を中心に評価した。
【０１２１】
【表７】
【０１２２】
【表８】
【０１２３】
【表９】
【０１２４】上記表７〜表９において、溶融粘度が５０
００ｐｏｉｓｅ以上、ゲルタイム保持率が３０％以下、
あるいは反応残存熱量が初期値に対して７０％以下とな
るよう封止用樹脂シートを一定時間加熱するとともに加
圧することにより空隙に充填され封止樹脂層が形成され
た実施例品は、吸湿ＶＰＳ前後の通電テスト結果からも
信頼性の高いものであることがわかる。また、吸湿ＶＰ
Ｓ前後の密着性評価の結果において、いずれも剥離が確
認されず、封止樹脂層部分に細かなボイド等も形成され
ず、良好な封止樹脂層が形成されていた。これらのこと
から、導通特性に関して問題のない信頼性に優れた半導
体装置が得られていることがわかる。
【０１２５】
【発明の効果】以上のように、本発明の半導体装置の製
法は、複数の接続用電極部を介在して接続された、配線
回路基板と半導体素子との間の空隙を封止樹脂層によっ
て樹脂封止する際に、上記封止樹脂層を、上記配線回路
基板と半導体素子との間に層状の固形樹脂を介在させ、
この固形樹脂を溶融させることにより形成することを特
徴とする。このように、上記溶融した樹脂が、上記配線
回路基板と半導体素子との間の空隙に充填されて両者が
接合されるため、従来の煩雑な製造工程と比べて、上記
配線回路基板と半導体素子との接続および樹脂封止の工
程を一度で行うことができ、製造工程の大幅な簡略化が
実現する。また、封止用樹脂として液状樹脂を用いず保
存性に優れた固形樹脂を用いるため、上記空隙内に注入
する際の問題が生じることもない。
【０１２６】さらに、上記固形樹脂として、最大粒径が
１００μｍ以下に設定された無機質充填剤を、特定割合
含有するエポキシ樹脂組成物を用いることにより、上記
基板と半導体素子の空隙内への充填がボイド等が生じる
ことなく良好に行われる。
【０１２７】そして、上記固形樹脂を溶融させることに
より形成された封止樹脂層としては、上記配線回路基板
上に、封止用樹脂シートを搭載し、ついで、上記封止用
樹脂シート上に半導体素子を載置した後、上記封止用樹
脂シートを加熱溶融することにより、上記配線回路基板
と半導体素子との間の空隙に、上記溶融状態の樹脂を充
填し硬化させることにより形成することができる。この
ように、上記層状の固形樹脂として封止用樹脂シートを
用いることにより、半導体装置の製造効率が著しく向上
する。
【０１２８】また、上記固形樹脂を溶融させることによ
り形成された封止樹脂層としては、上記配線回路基板上
に、上記接続用電極部の一部が露出するよう封止用樹脂
層を形成し、ついで、上記接続用電極部に半導体素子の
電極部が当接するよう上記半導体素子搭載用基板に半導
体素子を載置した後、上記封止用樹脂層を加熱溶融す
る。あるいは、上記半導体素子面に設けられた接続用電
極部の一部が露出するよう封止用樹脂層を形成した後、
さらに、上記接続用電極部に配線回路基板の電極部が当
接するよう半導体素子を配線回路基板に載置し、つい
で、上記封止用樹脂層を加熱溶融する。このようにし
て、上記配線回路基板と半導体素子との間の空隙に、上
記溶融状態の封止用樹脂を充填し硬化させることにより
形成することができる。このように、上記層状の固形樹
脂として封止用樹脂層を用いることにより、半導体装置
の製造効率が著しく向上する。
【０１２９】そして、上記接続用電極部の一部が露出す
るよう形成された封止用樹脂層は、接続用電極部が設け
られた配線回路基板上あるいは半導体素子上に、上記接
続用電極部を介して封止用樹脂シートを搭載した後、こ
の封止用樹脂シートを加熱溶融して容易に形成すること
ができる。または、接続用電極部が設けられた配線回路
基板面あるいは半導体素子面に、封止用樹脂層形成材料
を印刷塗工して容易に封止用樹脂層を形成することがで
きる。
【０１３０】さらに、上記固形樹脂を溶融させることに
より形成された封止樹脂層は、予め、上記半導体素子の
片面に封止用樹脂層を設けたものを準備し、複数の接続
用電極部が設けられた配線回路基板上に、上記封止用樹
脂層が上記接続用電極部と当接するよう半導体素子を載
置する。あるいは、予め、上記配線回路基板の片面に封
止用樹脂層を貼着したものを準備し、上記配線回路基板
上に、複数の接続用電極部が設けられた半導体素子の上
記接続用電極部が上記封止用樹脂層と当接するよう半導
体素子を載置する。ついで、上記封止用樹脂層を加熱溶
融することにより、上記配線回路基板と半導体素子との
間の空隙に、上記溶融状態の封止用樹脂を充填し硬化さ
せることにより容易に形成することができる。
【０１３１】特に、上記各製法において、配線回路基板
と半導体素子との間の空隙を樹脂封止するための封止材
料である、封止用樹脂シート，封止用樹脂層を所定時間
加熱するとともに、上記封止用樹脂シート，封止用樹脂
層が下記の物性（イ）〜（ハ）の少なくとも一つを備え
た状態になるまで加圧し、その状態で上記配線回路基板
と半導体素子との間の空隙に溶融状態の封止用樹脂を充
填した場合、充填した封止用樹脂部分に細かなボイドを
巻き込むことなく、均質で良好な封止樹脂層が形成され
るため、素子と基板のジョイント部分の信頼性（導通特
性等）に優れた半導体装置が得られる。 （イ）樹脂粘度が５０００ｐｏｉｓｅ以上。 （ロ）封止用樹脂シートまたは封止樹脂層の加熱前の初
期ゲル化時間を１００％とした場合、ゲル化時間が初期
ゲル化時間の３０％以下である。 （ハ）示差走査熱量計（ＤＳＣ）により測定される、封
止用樹脂シートまたは封止樹脂層の加熱前の初期残存反
応熱量を１００％とした場合、残存反応熱量が初期残存
反応熱量の７０％以下である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体装置の製法により得られた半導
体装置の一例を示す断面図である。
【図２】第１の態様における半導体装置の製造工程を示
す説明断面図である。
【図３】第１の態様における半導体装置の製造工程を示
す説明断面図である。
【図４】第１の態様における半導体装置の製造工程を示
す説明断面図である。
【図５】第１の態様における半導体装置の製造工程を示
す説明断面図である。
【図６】第２の態様における半導体装置の製造工程を示
す説明断面図である。
【図７】第２の態様における半導体装置の製造工程を示
す説明断面図である。
【図８】第２の態様における半導体装置の製造工程に用
いる半導体素子搭載用基板の製造工程を示す説明断面図
である。
【図９】第２の態様における半導体装置の製造工程を示
す説明断面図である。
【図１０】第２の態様における半導体装置の製造工程を
示す説明断面図である。
【図１１】第２の態様における半導体装置の製造工程を
示す説明断面図である。
【図１２】第２の態様における半導体装置の製造工程を
示す説明断面図である。
【図１３】第２の態様のさらに他の例における半導体装
置の製造工程を示す説明断面図である。
【図１４】第２の態様のさらに他の例における半導体装
置の製造工程を示す説明断面図である。
【図１５】第２の態様のさらに他の例における半導体装
置の製造工程を示す説明断面図である。
【図１６】第３の態様における半導体装置の製造工程を
示す説明断面図である。
【図１７】第３の態様における半導体装置の製造工程を
示す説明断面図である。
【図１８】本発明の半導体装置の製法により得られた半
導体装置の他の例を示す断面図である。
【符号の説明】
１ 配線回路基板 ２ 接続用電極部 ３ 半導体素子 ４ 封止樹脂層 １０ 封止用樹脂シート １４，１５ 封止用樹脂層 １３ 封止用樹脂層 １８ 封止用樹脂シート
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 伊藤 達志 大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号 日東 電工株式会社内 (72)発明者 首藤 伸一朗 大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号 日東 電工株式会社内 (72)発明者 福島 喬 大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号 日東 電工株式会社内

Claims (16)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 配線回路基板上に、複数の接続用電極部
    を介して半導体素子が搭載され、上記配線回路基板と半
    導体素子との間の空隙が封止樹脂層によって封止されて
    なる半導体装置の製法であって、上記封止樹脂層を、上
    記配線回路基板と半導体素子との間に層状の固形樹脂を
    介在させてこの固形樹脂を溶融させることにより形成す
    ることを特徴とする半導体装置の製法。
  2. 【請求項２】 上記固形樹脂が、下記のエポキシ樹脂組
    成物（Ａ）からなるものである請求項１記載の半導体装
    置の製法。 （Ａ）下記の（ａ）〜（ｃ）成分を含有し、上記（ｃ）
    成分の含有割合がエポキシ樹脂組成物（Ａ）全体の９０
    重量％以下に設定されたエポキシ樹脂組成物。 （ａ）エポキシ樹脂。 （ｂ）フェノール樹脂。 （ｃ）最大粒径が１００μｍ以下に設定された無機質充
    填剤。
  3. 【請求項３】 上記固形樹脂を溶融させることにより形
    成された封止樹脂層が、上記配線回路基板上に封止用樹
    脂シートを載置した後、さらに、上記封止用樹脂シート
    上に半導体素子を載置し、ついで、上記封止用樹脂シー
    トを加熱溶融することにより、上記配線回路基板と半導
    体素子との間の空隙に、上記溶融状態の封止用樹脂を充
    填し硬化させることにより形成されたものである請求項
    １または２記載の半導体装置の製法。
  4. 【請求項４】 請求項３記載の半導体装置の製法におい
    て、上記配線回路基板上に封止用樹脂シートを載置し、
    さらに、上記封止用樹脂シート上に半導体素子を載置し
    た後、所定時間加熱するとともに、上記封止用樹脂シー
    トが下記の物性（イ）〜（ハ）の少なくとも一つを備え
    た状態になるまで加圧し、その状態で上記配線回路基板
    と半導体素子との間の空隙に、溶融状態の封止用樹脂を
    充填する請求項３記載の半導体装置の製法。 （イ）樹脂粘度が５０００ｐｏｉｓｅ以上。 （ロ）封止用樹脂シートの加熱前の初期ゲル化時間を１
    ００％とした場合、ゲル化時間が初期ゲル化時間の３０
    ％以下である。 （ハ）示差走査熱量計（ＤＳＣ）により測定される封止
    用樹脂シートの加熱前の初期残存反応熱量を１００％と
    した場合、残存反応熱量が初期残存反応熱量の７０％以
    下である。
  5. 【請求項５】 上記固形樹脂を溶融させることにより形
    成された封止樹脂層が、上記配線回路基板面に設けられ
    た接続用電極部の一部が露出するよう封止用樹脂層を形
    成した後、上記接続用電極部に半導体素子の電極部が当
    接するよう半導体素子を上記配線回路基板に載置し、つ
    いで、上記封止用樹脂層を加熱溶融することにより、上
    記配線回路基板と半導体素子との間の空隙に、上記溶融
    状態の封止用樹脂を充填し硬化させることにより形成さ
    れたものである請求項１または２記載の半導体装置の製
    法。
  6. 【請求項６】 請求項５記載の半導体装置の製法におい
    て、上記配線回路基板面に設けられた接続用電極部に半
    導体素子の電極部が当接するよう半導体素子を上記配線
    回路基板に載置した後、所定時間加熱するとともに、上
    記封止用樹脂層が下記の物性（イ）〜（ハ）の少なくと
    も一つを備えた状態になるまで加圧し、その状態で上記
    配線回路基板と半導体素子との間の空隙に、溶融状態の
    封止用樹脂を充填する請求項５記載の半導体装置の製
    法。 （イ）樹脂粘度が５０００ｐｏｉｓｅ以上。 （ロ）封止用樹脂層の加熱前の初期ゲル化時間を１００
    ％とした場合、ゲル化時間が初期ゲル化時間の３０％以
    下である。 （ハ）示差走査熱量計（ＤＳＣ）により測定される封止
    用樹脂層の加熱前の初期残存反応熱量を１００％とした
    場合、残存反応熱量が初期残存反応熱量の７０％以下で
    ある。
  7. 【請求項７】 請求項５または６記載の上記接続用電極
    部の一部が露出するよう形成された封止用樹脂層が、接
    続用電極部が設けられた配線回路基板上に、上記接続用
    電極部を介して封止用樹脂シートを搭載した後、この封
    止用樹脂シートを加熱溶融して形成されたものである請
    求項５または６記載の半導体装置の製法。
  8. 【請求項８】 請求項５または６記載の上記接続用電極
    部の一部が露出するよう形成された封止用樹脂層が、接
    続用電極部が設けられた配線回路基板面に、封止用樹脂
    層形成材料を印刷塗工して形成されたものである請求項
    ５または６記載の半導体装置の製法。
  9. 【請求項９】 上記固形樹脂を溶融させることにより形
    成された封止樹脂層が、上記半導体素子面に設けられた
    接続用電極部の一部が露出するよう封止用樹脂層を形成
    した後、上記接続用電極部に配線回路基板の電極部が当
    接するよう半導体素子を配線回路基板に載置し、つい
    で、上記封止用樹脂層を加熱溶融することにより、上記
    配線回路基板と半導体素子との間の空隙に、上記溶融状
    態の封止用樹脂を充填し硬化させることにより形成され
    たものである請求項１または２記載の半導体装置の製
    法。
  10. 【請求項１０】 請求項９記載の半導体装置の製法にお
    いて、上記半導体素子面に設けられた接続用電極部に配
    線回路基板の電極部が当接するよう配線回路基板を上記
    半導体素子に載置した後、所定時間加熱するとともに、
    上記封止用樹脂層が下記の物性（イ）〜（ハ）の少なく
    とも一つを備えた状態になるまで加圧し、その状態で上
    記配線回路基板と半導体素子との間の空隙に、溶融状態
    の封止用樹脂を充填する請求項９記載の半導体装置の製
    法。 （イ）樹脂粘度が５０００ｐｏｉｓｅ以上。 （ロ）封止用樹脂層の加熱前の初期ゲル化時間を１００
    ％とした場合、ゲル化時間が初期ゲル化時間の３０％以
    下である。 （ハ）示差走査熱量計（ＤＳＣ）により測定される封止
    用樹脂層の加熱前の初期残存反応熱量を１００％とした
    場合、残存反応熱量が初期残存反応熱量の７０％以下で
    ある。
  11. 【請求項１１】 請求項９または１０記載の上記接続用
    電極部の一部が露出するよう形成された封止用樹脂層
    が、接続用電極部が設けられた半導体素子面に、上記接
    続用電極部を介して封止用樹脂シートを搭載した後、こ
    の封止用樹脂シートを加熱溶融して形成されたものであ
    る請求項９または１０記載の半導体装置の製法。
  12. 【請求項１２】 請求項９または１０記載の上記接続用
    電極部の一部が露出するよう形成された封止用樹脂層
    が、接続用電極部が設けられた半導体素子面に、封止用
    樹脂層形成材料を印刷塗工して形成されたものである請
    求項９または１０記載の半導体装置の製法。
  13. 【請求項１３】 上記固形樹脂を溶融させることにより
    形成された封止樹脂層が、上記半導体素子の片面に封止
    用樹脂層を形成した後、複数の接続用電極部が設けられ
    た配線回路基板上に、上記封止用樹脂層が上記接続用電
    極部と当接するよう半導体素子を載置し、ついで、上記
    封止用樹脂層を加熱溶融することにより、上記配線回路
    基板と半導体素子との間の空隙に、上記溶融状態の封止
    用樹脂を充填し硬化させることにより形成されたもので
    ある請求項１または２記載の半導体装置の製法。
  14. 【請求項１４】 請求項１３記載の半導体装置の製法に
    おいて、半導体素子の片面に形成された封止用樹脂層と
    配線回路基板の接続用電極部とが当接するよう半導体素
    子を載置した後、所定時間加熱するとともに、上記封止
    用樹脂層が下記の物性（イ）〜（ハ）の少なくとも一つ
    を備えた状態になるまで加圧し、その状態で上記配線回
    路基板と半導体素子との間の空隙に、溶融状態の封止用
    樹脂を充填する請求項１３記載の半導体装置の製法。 （イ）樹脂粘度が５０００ｐｏｉｓｅ以上。 （ロ）封止用樹脂層の加熱前の初期ゲル化時間を１００
    ％とした場合、ゲル化時間が初期ゲル化時間の３０％以
    下である。 （ハ）示差走査熱量計（ＤＳＣ）により測定される封止
    用樹脂層の加熱前の初期残存反応熱量を１００％とした
    場合、残存反応熱量が初期残存反応熱量の７０％以下で
    ある。
  15. 【請求項１５】 上記固形樹脂を溶融させることにより
    形成された封止樹脂層が、上記配線回路基板の片面に封
    止用樹脂層を形成した後、上記配線回路基板上に、複数
    の接続用電極部が設けられた半導体素子の上記接続用電
    極部が上記封止用樹脂層と当接するよう半導体素子を載
    置し、ついで、上記封止用樹脂層を加熱溶融することに
    より、上記配線回路基板と半導体素子との間の空隙に、
    上記溶融状態の封止用樹脂を充填し硬化させることによ
    り形成されたものである請求項１または２記載の半導体
    装置の製法。
  16. 【請求項１６】 請求項１５記載の半導体装置の製法に
    おいて、配線回路基板の片面に形成された封止用樹脂層
    と半導体素子の接続用電極部とが当接するよう半導体素
    子を載置した後、所定時間加熱するとともに、上記封止
    用樹脂層が下記の物性（イ）〜（ハ）の少なくとも一つ
    を備えた状態になるまで加圧し、その状態で上記配線回
    路基板と半導体素子との間の空隙に、溶融状態の封止用
    樹脂を充填する請求項１５記載の半導体装置の製法。 （イ）樹脂粘度が５０００ｐｏｉｓｅ以上。 （ロ）封止用樹脂層の加熱前の初期ゲル化時間を１００
    ％とした場合、ゲル化時間が初期ゲル化時間の３０％以
    下である。 （ハ）示差走査熱量計（ＤＳＣ）により測定される封止
    用樹脂層の加熱前の初期残存反応熱量を１００％とした
    場合、残存反応熱量が初期残存反応熱量の７０％以下で
    ある。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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