JPH1196947A

JPH1196947A - 平面型表示装置

Info

Publication number: JPH1196947A
Application number: JP25898897A
Authority: JP
Inventors: Tomoichirou Oota; 智市郎太田; Toshiyuki Sekiya; 利幸関谷
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1997-09-24
Filing date: 1997-09-24
Publication date: 1999-04-09

Abstract

(57)【要約】【課題】ベース基板上に高電圧発生手段を配置し、小
型軽量化を図った平面型表示装置を提供する。【解決手段】ベース基板上に配置された表面伝導型放
出素子１０２により蛍光体を発光させて表示を行う平面
型表示装置において、ベース基板上に、表面伝導型放出
素子１０２に高電圧を印加するための圧電トランス１０
０と、その高電圧を整流する整流回路１０１とが配置さ
れている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ベース基板上に配
置された表面伝導型放出素子により蛍光体を発光させて
表示を行う平面型表示装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、情報機器や家庭用テレビジョン受
像機用の表示装置として、ブラウン管ディスプレイが広
く使用されている。

【０００３】この種のブラウン管ディスプレイを使用し
た表示装置においては、カソードにて発生させた熱電子
を各グリッドにてフォーカッシングし、電磁コイルにて
偏向を行い陽極となるアノードに１０〜３０ＫＶ程度の
アノード電圧を印可することにより、カソードから放出
した熱電子を加速して蛍光体にぶつけ、蛍光体を発光さ
せて可視画像を表示させている。

【０００４】この電子を加速して蛍光体にぶつけて発光
させる高電圧発生手段として、通常フライバックトラン
スによる高圧電源が用いられ、ブラウン管のアノードに
供給されている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ブラウン管を使用した表示装置においては、その構造上
表示画面に対する奥行きが長くディスプレイ装置の小型
化を阻害しており、薄型の自発光ディスプレイ装置用に
各種の考案がなされている。

【０００６】これら平面型発光ディスプレイ用の電子放
出素子として、熱陰極素子と冷陰極素子の２種類が知ら
れている。このうち冷陰極素子としては、例えば表面伝
導型放出素子（ＳＣＥ素子）や電界放出型素子（以下Ｆ
Ｅ型と記す）、或いは金属／絶縁層／金属型放出素子
（以下ＭＩＭ型と記す）、などが知られている。

【０００７】この表面伝導型放出素子として、例えばM.
I.Elinson, Radio E-ng. ElectronPhys.,10,1290,(196
5)や、後述する他の例が知られている。

【０００８】表面伝導型放出素子は、基板上に形成され
た小面積の薄膜面に、平行に電流を流すことにより電子
放出が生ずる現象を利用するものである。この表面伝導
型放出素子としては、エリンソン等によるＳｎＯ2薄膜
を用いたものの他に、Ａｕ薄膜によるもの［G.Dittmer:
“Thin Solid Films”,9,317(1972)］や、Ｉｎ2Ｏ3／Ｓ
ｎＯ2薄膜によるもの［M.Hartwell and C.G.Fonstad:
“IEEE Trans.ED Conf.”,519(1975)］や、カーボン薄
膜によるもの［荒木久他：真空、第26巻、第１号、22
(1983)］等が報告されている。

【０００９】上述の表面伝導型放出素子の素子構成の典
型的な例として、図８にM.Hartwellらによる素子の平面
図を示す。同図において、３００１は基板であり、３０
０４はスパッタで形成された金属酸化物よりなる導電性
薄膜である。この導電性薄膜３００４は図示のようにＨ
字形の平面形状に形成されている。また、導電性薄膜３
００４に後述の通電フォーミングと呼ばれる通電処理を
施すことにより、電子放出部３００５が形成される。図
中の間隔Ｌは、０．５〜１［ｍｍ］に設定されており，
Ｗは、０．１［ｍｍ］に設定されている。

【００１０】尚、図示の便宣から、電子放出部３００５
は導電性薄膜３００４の中央に矩形の形状で示したが、
これは模式的なものであり、実際の電子放出部の位置や
形状を忠実に表現しているわけではない。

【００１１】M.Hartwellらによる素子をはじめとして上
述の表面伝導型放出素子においては、電子放出を行う前
に導電性薄膜３００４に通電フォーミングと呼ばれる通
電処理を施すことにより電子放出部３００５を形成する
のが一般的であった。即ち、通電フォーミングとは、導
電性薄膜３００４の両端に一定の直流電圧、若しくは、
例えば１Ｖ／分程度の非常にゆっくりとしたレートで昇
圧する直流電圧を印加して通電し、導電性薄膜３００４
を局所的に破壊或いは変形若しくは変質させ、電気的に
高抵抗な状態の電子放出部３００５を形成することであ
る。尚、局所的に破壊或いは変形若しくは変質させた導
電性薄膜３００４の一部には亀裂が発生する。通電フォ
ーミング後に導電性薄膜３００４に適宜の電圧を印加し
た場合には、亀裂付近において電子放出が行われる。

【００１２】また、ＦＥ型の例は、例えばW.P.Dyke&W.
W.Dolan,“Field emission”,Advancein Electron Phys
ics, 8.89(1956)や、或いはC.A.Spindt,“Physical pro
perties of thin-film field emission cathodes with
molybdenum cones”,J.Appl.Phys.,47,5248(1976)など
が知られている。

【００１３】上述のＦＥ型の素子構成の典型的な例とし
て、図９にC.A.Spindtらによる素子の断面図を示す。同
図において、３０１０は基板、３０１１は導電材料より
なるエミッタ配線、３０１２はエミッタコーン、３０１
３は絶縁層、３０１４はゲート電極である。本素子は、
エミッタコーン３０１２とゲート電極３０１４の問に適
宜の電圧を印加することにより、エミッタコーン３０１
２の先端部より電界放出を起こさせるものである。

【００１４】また、ＦＥ型の他の素子構成として、図９
のような積層構造ではなく、基板上に基板平面とほぼ平
行にエミッタとゲート電極を配置しても良い。

【００１５】更に、ＭＩＭ型の例としては、例えばC.A.
Mead,“operation of tunnel-emission Devices”,J.Ap
pl.Phys.,32,646(1961)などが知られている。このＭＩ
Ｍ型の素子構成の典型的な例を図１０に示す。同図は断
面図であり、３０２０は基板、３０２１は金属よりなる
下電極、３０２２は厚さ１００オングストローム程度の
薄い絶縁層、３０２３は厚さ８０〜３００オングストロ
ーム程度の金属よりなる上電極である。また、ＭＩＭ型
においては、上電極３０２３と下電極３０２１の間に適
宜の電圧を印加することにより、上電極３０２３の表面
より電子放出を起こさせるものである。

【００１６】このように、上述した冷陰極素子は、熱陰
極素子と比較して低温で電子放出を得ることができるた
め、加熱用ヒーターを必要としない。したがって、熱陰
極素子よりも構造が単純であり、微細な素子を作成可能
である。また、基板上に多数の素子を高い密度で配置し
ても基板の熱溶融などの問題が発生しにくい。更に、熱
陰極素子がヒーターの加熱により動作するため応答速度
が遅いのとは異なり、冷陰極素子の場合には応答速度が
速いという利点もある。

【００１７】このため、冷陰極素子を応用するための研
究が盛んに行われてきている。

【００１８】例えば、表面伝導型放出素子は、冷陰極素
子のなかでも特に構造が単純で製造も容易であることか
ら、大面積にわたり多数の素子を形成できる利点があ
る。そこで、例えば本出願人による特開昭６４−３１３
３２号において開示されるように、多数の素子を配列し
て駆動するための方法が研究されている。

【００１９】また、表面伝導型放出素子の応用について
は、例えば画像表示装置、画像記録装置などの画像形成
装置や、荷電ビーム源、等が研究されている。

【００２０】特に、画像表示装置への応用としては、例
えば本出願人によるＵＳＰ５，０６６，８８３、特開平
２−２５７５５１号、特開平４−２８１３７号に開示さ
れているように、表面伝導型放出素子と電子ビームの照
射により発光する蛍光体とを組み合わせて用いた画像表
示装置が研究されている。表面伝導型放出素子と蛍光体
とを組み合わせて用いた画像表示装置は、従来の他の方
式の画像表示装置よりも優れた特性が期待されている。
例えば、近年普及してきた液晶表示装置と比較しても、
自発光型であるためバックライトを必要としない点や、
視野角が広い点が優れていると言える。

【００２１】また、ＦＥ型を多数個並べて駆動する方法
は、例えば本出願人によるＵＳＰ４，９０４，８９５に
開示されている。また、ＦＥ型を画像表示装置に応用し
た例として、例えばR.Meyerらにより報告された平板型
表示装置が知られている。［R.Meyer:“Recent Develop
ment on Microtips Display at LET1”,Tech.Digest of
4th int. Vacuum Microele-ctronics Conf.,Nagahama,
pp.6-9(1991)］また、ＭＩＭ型を多数個並べて画像表示
装置に応用した例は、特開平３−５５７３８号に開示さ
れている。

【００２２】この画像表示装置に用いられるマルチ電子
ビーム源は、冷陰極素子を単純マトリックス配線した電
子源であれば、冷陰極素子の材料や形状或いは製法に制
限はない。したがって、例えば表面伝導型放出素子やＦ
Ｅ型、或いはＭＩＭ型などの冷陰極素子を用いることが
できる。

【００２３】但し、表示画面が大きく、しかも安価な表
示装置が求められる状況の下では、これらの冷陰極素子
の中でも、表面伝導型放出素子が特に好ましい。即ち、
ＦＥ型では、エミッタコーンとゲート電極の相対位置や
形状が電子放出特性を大きく左右するため、極めて高精
度の製造技術を必要とし、これは大面積化や製造コスト
の低減を達成するには不利な要因となる。また、ＭＩＭ
型では、絶縁層と上電極の膜厚を薄く、しかも均一にす
る必要があり、これも大面積化や製造コストの低減を達
成するには不利な要因となる。

【００２４】その点、表面伝導型放出素子は比較的製造
方法が単純なため、大面積化や製造コストの低減が容易
である。また、発明者らは、表面伝導型放出素子の中で
も、電子放出部若しくはその周辺部を微粒子膜から形成
したものがとりわけ電子放出特性に優れ、しかも、製造
が容易に行えることを見い出している。したがって、高
輝度で大画面の画像表示装置のマルチ電子ビーム源に用
いるには、最も好適であると言える。そこで、表示パネ
ルにおいては、電子放出部若しくはその周辺部を微粒子
膜から形成した表面伝導型放出素子を用いた画像表示装
置なども考案されている。

【００２５】このように、各種考案されている表面発光
型の平面ディスプレイ装置においても、従来のブラウン
管を使用したディスプレイ装置と同様に電子を加速して
蛍光体にぶつけて発光させる高電圧発生手段が必要であ
るが、ブラウン管を使用したディスプレイ装置ではブラ
ウン管の物理的寸法が大きくもあるため、通常のフライ
バックトランスを使用した高圧電源でも制約事項は少な
かったが、近年開発された平面型表示装置用の平面表示
パネルにおいてはフライバックトランスの寸法の小型
化、薄型形状化が難しいため、ディスプレイ装置全体の
寸法を持ち上げていた。

【００２６】また、例えば、フライバックトランスのみ
小型薄型化が実現できたとしても、当然の事ながら高電
圧を印加するための特別に安全性を確保された絶縁層が
厚くできてる太い接続ケーブルを使用し、且つ、それら
の高電圧を印加されても放電現象等を発生させないだけ
の沿面距離や絶縁材料の厚さが要求される特殊な高圧コ
ネクタ等を使用して平面表示パネルに接続する必要があ
るため、表示パネルの小型化が実現できても周辺部材や
電子回路による制約で小型薄型化が制限されていた。

【００２７】本発明は、上記課題を解決するためになさ
れたもので、ベース基板上に高電圧発生手段を配置し、
小型軽量化を図った平面型表示装置を提供することを目
的とする。

【００２８】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、ベース基板上に配置された表面伝導型放
出素子により蛍光体を発光させて表示を行う平面型表示
装置において、前記ベース基板上に、前記表面伝導型放
出素子に高電圧を印加するための高電圧発生手段と、前
記高電圧発生手段により発生する高電圧を制御する制御
手段とを備えることを特徴とする。

【００２９】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら本発明
に係る実施の形態を詳細に説明する。

【００３０】図１は、第１の実施形態における平面型表
示装置の構造を示す正面図である。また、図２は、図１
に示す平面型表示装置を下面から見たときの断面図であ
る。図１及び図２において、１は第１の実施形態におけ
るＳＣＥ表示パネルである。１００は圧電トランスであ
り、後述するアノード電極に印加される高電圧を発生す
る。尚、この圧電トランス１００については更に詳述す
る。１０１は整流回路であり、圧電トランス１００の高
圧出力を整流する。１０２は表面伝導型放出素子（ＳＣ
Ｅ素子）であり、電子を放出するカソードである。１０
３はベース基板であり、ＳＣＥ素子１０２が印刷されて
いる。１０４は表面封止ガラスであり、ＳＣＥパネルを
封止している表面ガラス板である。この表面封止ガラス
１０４とベース基板１０３との間の空間は、ＳＣＥ素子
１０２から放出された電子が通過し易いように高度に真
空化されている。そして、１０５は発光する蛍光体が塗
布された透明電極（アノード電極）であり、ＳＣＥ素子
１０２から放出された電子のターゲットである。

【００３１】図３は、図１及び図２に示す圧電トランス
１００の構造を示す模式図である。図示するように、圧
電トランス１００は、２０１の圧電性セラミックなどに
代表される圧電歪み材料が素材として用いられ、その圧
電素子の一方の端面の両側に２０２の駆動用電極が配置
され、その反対側の端部に高圧出力を取り出すための２
０３の出力電極が配置されている。この圧電トランス１
００の素体は、２０４の支持部材が圧電素子の共振点の
節の部位に接合されることで、１０３のベース基板に固
定されている。

【００３２】また、２０５の駆動用リード線と２０６の
高圧出力用のリード線が駆動用電極２０２と出力用電極
２０３にそれぞれ接合されており、そこからベース基板
上の電子回路に接続されている。

【００３３】図４は、第１の実施形態における圧電トラ
ンスの駆動回路を示すブロック図である。図４におい
て、３０２の駆動回路は圧電トランス１００に交流の駆
動電圧を印加するものであり、駆動トランジスタをプッ
シュブル動作させるべく上側にＰＮＰ素子、下側にＮＰ
Ｎ素子が配置され、上下の各トランジスタを交互にＯＮ
−ＯＦＦさせることにより方形波の波形を生成する。ま
た、圧電トランス１００の各電極に印加される電圧波形
を反転させるため、３０４の制御回路から各トランジス
タに駆動信号が出力され、各電極毎の駆動素子が交互に
ＯＮ−ＯＦＦするように襷掛けの状態にトランジスタが
スイッチングされ、圧電トランス１００に効果的な交流
の駆動電圧波形が印加される。

【００３４】次に、第１の実施形態による動作について
説明する。まず、低圧入力部３０１に電源が投入される
と圧電トランス制御回路３０４が動作し、駆動信号出力
から各トランジスタに駆動パルスが出力される。これに
より、圧電トランス１００の駆動用電極２０３に交流電
圧が印加され、振動することで出力端子２０２に交流の
高電圧が発生する。

【００３５】この交流電圧を電圧整流回路１０１にて整
流し平滑化することでＳＣＥパネル１のアノード電極に
要求されている直流６ＫＶ前後の高電圧を発生させてい
る。ここで、アノード電極に印加される直流高電圧が低
下すると、パネルの発光効率が低下し、また印加電圧が
高いとＳＣＥ素子とアノード電極との間で放電現象が発
生したりする。これを防止するために、直流高電圧はパ
ネルの発光状態などによらず一定に保たれている必要が
ある。

【００３６】そこで、本実施形態では、整流後の高圧出
力部３０３の直流高電圧を抵抗にて分圧し圧電トランス
制御回路３０４に入力するように構成されている。この
圧電トランス制御回路３０４においては、整流後の高圧
分圧電圧を検出し、その値が目標値からずれたときは各
トランジスタに印可する駆動パルス幅を調節するか、又
はその駆動発振周波数を調節することにより出力電圧を
調整する機能を有しており、最終的な高圧出力電圧を一
定に保つことを実現している。

【００３７】このような構成とすることで、高電圧発生
部分をＳＣＥパネル１内に実装することが可能となり、
高電圧回路部分を表示パネルの外部に持つ必要がなくな
り、ＳＣＥパネルを用いた薄型表示装置としての小型軽
量化が実現できる。

【００３８】［第２の実施形態］次に、図面を参照しな
がら本発明に係る第２の実施形態を詳細に説明する。

【００３９】前述した第１の実施形態では、平面型表示
パネル内に高電圧発生用トランスと整流回路を実装する
ことにより、ＳＣＥパネルを用いた薄型表示装置の小型
化を実現しているが、圧電トランスを駆動するための配
線が各トランス毎に２本ずつ必要であり、複数の圧電ト
ランスが必要な場合にはその給電配線及び平面型表示パ
ネルと接続するためのコネクタが大型化してしまい、平
面パネルの周囲が煩雑になってしまう。

【００４０】第２の実施形態は、この問題を解決するた
めになされたもので、圧電トランス駆動電力給電方法を
改良したものである。図５は、第２の実施形態における
平面型表示装置の構造を示す正面図である。尚、第１の
実施形態と同じものには同一の符号を付し、その説明は
省略する。

【００４１】図５に示すように、第２の実施形態では、
圧電トランス１００の電力駆動回路４０１を平面型表示
パネル内の圧電トランス近傍に配置し、この回路４０１
から直接圧電トランス駆動電極に結線することで、圧電
トランス１００の駆動電力を表示パネル内から直接給電
でき、配線などによる電力損失がほば無くなり、電力効
率が向上する。

【００４２】このような構成とすることで、表示パネル
ヘの結線として、駆動回路への電源と駆動トランジスタ
のスイッチング信号のみを供給する配線で済み、配線部
分やコネクタ等を簡略化でき、製品としての信頼性等も
向上させることができる。

【００４３】また、特に電源系は複数の回路への配線が
共通で済むため、コネクタの小型化も可能になる。

【００４４】［第３の実施形態］次に、図面を参照しな
がら本発明に係る第３の実施形態を詳細に説明する。

【００４５】本平面型表示パネルなどでは、特に小型化
が要求されるが、そのような中でも高電圧整流後の平滑
コンデンサは、特に高電圧が印加された状態でも沿面放
電等を発生させないために十分な沿面、及び空間絶縁距
離を保つ必要があり、小型化しにくく、平面型表示パネ
ルの小型化を阻害する要因の一つになっていた。

【００４６】そのため、第３の実施形態では、整流後の
脈流を平滑させる容量成分として、図６に示す表示パネ
ルの発光面である表側封止ガラスの表面に対向電極を付
加し、この電極を接地することで、パネル内面のアノー
ド電極とパネル表側接地電極との間の封止ガラスを誘電
体とした平面コンデンサを形成するものである。

【００４７】この表面封止ガラスの対向容量を圧電トラ
ンスの交流高電圧出力高圧整流後の平滑コンデンサとし
て利用することにより、図７に示すように、高電圧整流
回路１０８以後の平滑コンデンサを不要として、高電圧
整流平滑回路の小型簡易化を実現するものである。

【００４８】また、表示パネル表面にアース電極３０５
を設けることにより、パネル内部のアノード電極に５Ｋ
Ｖ〜１０ＫＶ以上の高電圧をアノード電極に印加しても
表示パネル表面に静電気が発生しなくなるため、パネル
表面の静電力により空気中の挨が吸い寄せられてパネル
表面が汚れ表示が見難くなることも防止できる。

【００４９】尚、本発明は複数の機器（例えば、ホスト
コンピュータ，インタフェイス機器，リーダ，プリンタ
など）から構成されるシステムに適用しても、一つの機
器からなる装置（例えば、複写機，ファクシミリ装置な
ど）に適用してもよい。

【００５０】また、本発明の目的は前述した実施形態の
機能を実現するソフトウェアのプログラムコードを記録
した記憶媒体を、システム或いは装置に供給し、そのシ
ステム或いは装置のコンピュータ（ＣＰＵ若しくはＭＰ
Ｕ）が記憶媒体に格納されたプログラムコードを読出し
実行することによっても、達成されることは言うまでも
ない。

【００５１】この場合、記憶媒体から読出されたプログ
ラムコード自体が前述した実施形態の機能を実現するこ
とになり、そのプログラムコードを記憶した記憶媒体は
本発明を構成することになる。

【００５２】プログラムコードを供給するための記憶媒
体としては、例えばフロッピーディスク，ハードディス
ク，光ディスク，光磁気ディスク，ＣＤ−ＲＯＭ，ＣＤ
−Ｒ，磁気テープ，不揮発性のメモリカード，ＲＯＭな
どを用いることができる。

【００５３】また、コンピュータが読出したプログラム
コードを実行することにより、前述した実施形態の機能
が実現されるだけでなく、そのプログラムコードの指示
に基づき、コンピュータ上で稼働しているＯＳ（オペレ
ーティングシステム）などが実際の処理の一部又は全部
を行い、その処理によって前述した実施形態の機能が実
現される場合も含まれることは言うまでもない。

【００５４】更に、記憶媒体から読出されたプログラム
コードが、コンピュータに挿入された機能拡張ボードや
コンピュータに接続された機能拡張ユニットに備わるメ
モリに書込まれた後、そのプログラムコードの指示に基
づき、その機能拡張ボードや機能拡張ユニットに備わる
ＣＰＵなどが実際の処理の一部又は全部を行い、その処
理によって前述した実施形態の機能が実現される場合も
含まれることは言うまでもない。

【００５５】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ＳＣＥ素子を用いた平面型表示装置の高電圧発生回路及
び昇圧に用いる圧電トランスを表示装置内に設けること
により、表示パネルの小型化、軽量化が可能となる。

【００５６】また、高電圧回路部分が表示パネル内に全
て封止されるため、平面型表示装置に高電圧を給電する
ための特殊な高圧コネクタなども不要となり、小型、軽
量化も実現できる。

【００５７】更に、高電圧回路部を平面型表示装置内に
封止することにより、危険な高電圧回路を空気中に露出
させることなく、表示装置としての信頼性及び製品とし
ての安全性も確保できる。

【００５８】

【図面の簡単な説明】

【図１】第１の実施形態における平面型表示装置の構造
を示す正面図である。

【図２】図１に示す平面型表示装置を下面から見たとき
の断面図である。

【図３】図１及び図２に示す圧電トランス１００の構造
を示す模式図である。

【図４】第１の実施形態における圧電トランスの駆動回
路を示すブロック図である。

【図５】第２の実施形態における平面型表示装置の構造
を示す正面図である。

【図６】第３の実施形態における平面型表示装置を下面
から見たときの断面図である。

【図７】第３の実施形態における圧電トランスの駆動回
路を示すブロック図である。

【図８】表面伝導型放出素子の構成を示す平面図であ
る。

【図９】ＦＥ型の電荷放出電極を説明するための図であ
る。

【図１０】ＭＩＭ型の電荷放出素子を説明するための図
である。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ベース基板上に配置された表面伝導型放
出素子により蛍光体を発光させて表示を行う平面型表示
装置において、前記ベース基板上に、前記表面伝導型放出素子に高電圧を印加するための高電
圧発生手段と、前記高電圧発生手段により発生する高電圧を制御する制
御手段とを備えることを特徴とする平面型表示装置。
【請求項２】前記高電圧発生手段は、高電圧を発生す
る圧電素子と、前記圧電素子が発生した高圧を整流する
整流回路とを含むことを特徴とする請求項１記載の平面
型表示装置。
【請求項３】前記高電圧発生手段は、更に前記圧電素
子を駆動するための駆動回路を含むことを特徴とする請
求項２記載の平面型表示装置。
【請求項４】前記蛍光体の発光を外部に取り出す表面
封止ガラスの目視面に設けられた透明電極を接地するこ
とにより、前記整流回路の出力を平滑化することを特徴
とする請求項２記載の平面型表示装置。
【請求項５】前記制御手段は、前記高電圧発生手段に
より発生する高電圧が所定の出力電圧になるように前記
高電圧発生手段を制御することを特徴とする請求項１記
載の平面型表示装置。
【請求項６】前記制御手段は、前記高電圧発生手段に
含まれる駆動回路の駆動パルス幅を調節することを特徴
とする請求項５記載の平面型表示装置。
【請求項７】前記制御手段は、前記高電圧発生手段に
含まれる駆動回路の駆動発振周波数を調節することを特
徴とする請求項５記載の平面型表示装置。