JPH1196078A - 半導体メモリ装置 - Google Patents
半導体メモリ装置Info
- Publication number
- JPH1196078A JPH1196078A JP9257406A JP25740697A JPH1196078A JP H1196078 A JPH1196078 A JP H1196078A JP 9257406 A JP9257406 A JP 9257406A JP 25740697 A JP25740697 A JP 25740697A JP H1196078 A JPH1196078 A JP H1196078A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体メモリ装置のメモリ部の複数のデータ
エリアごとの機密保護および偽造防止することを目的と
する。 【解決手段】 複数のデータエリアと、この各データエ
リアごとにパスワードが設定されたパスワードエリア
と、前記データのうちのアクセス対象エリアに対応して
前記パスワードエリアから読み出されたパスワードと外
部から入力された入力パスワードとを照合してアクセス
の可否を判定する照合部８とを設けたものである。
エリアごとの機密保護および偽造防止することを目的と
する。 【解決手段】 複数のデータエリアと、この各データエ
リアごとにパスワードが設定されたパスワードエリア
と、前記データのうちのアクセス対象エリアに対応して
前記パスワードエリアから読み出されたパスワードと外
部から入力された入力パスワードとを照合してアクセス
の可否を判定する照合部８とを設けたものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、メモリ部に設けら
れた複数のデータエリアに記憶したデータの読み出しま
たは書き込みを行う半導体メモリ装置に関するものであ
る。
れた複数のデータエリアに記憶したデータの読み出しま
たは書き込みを行う半導体メモリ装置に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、銀行のキャッシュカードや病院の
診察券等に用いられている磁気カードが普及し、日常生
活に欠かせないものとなっている。
診察券等に用いられている磁気カードが普及し、日常生
活に欠かせないものとなっている。
【０００３】磁気カードは記憶容量が小さく、偽造や変
造が容易であることから、前記磁気カードと同形状であ
るが、カード本体にマイクロプロセッサとＩＣメモリと
を内蔵したＩＣカードや前記ＩＣメモリのみを内蔵した
メモリカード等の半導体メモリ装置が開発されている。
造が容易であることから、前記磁気カードと同形状であ
るが、カード本体にマイクロプロセッサとＩＣメモリと
を内蔵したＩＣカードや前記ＩＣメモリのみを内蔵した
メモリカード等の半導体メモリ装置が開発されている。
【０００４】このＩＣカードは、磁気カードに比べて非
常に記憶容量が大きく、偽造や変造が困難で安全性に優
れたものである。従来の半導体メモリ装置は、図２に示
すように、メモリ部１とカラムデコーダ部２とロウデコ
ーダ部３と読み出し・書き込み部４とパスワード照合部
５とで構成されている。
常に記憶容量が大きく、偽造や変造が困難で安全性に優
れたものである。従来の半導体メモリ装置は、図２に示
すように、メモリ部１とカラムデコーダ部２とロウデコ
ーダ部３と読み出し・書き込み部４とパスワード照合部
５とで構成されている。
【０００５】メモリ部１には、データを記憶するための
複数のデータエリアとパスワードを記憶したパスワード
エリア７が設けられている。パスワードを外部から入力
すると、メモリ部１のパスワードエリア７のパスワード
が読み出し・書き込み部４を介してパスワード照合部５
に読み出され、外部から入力したパスワードとパスワー
ドエリア７のパスワードとをパスワード照合部５で照合
を行う。
複数のデータエリアとパスワードを記憶したパスワード
エリア７が設けられている。パスワードを外部から入力
すると、メモリ部１のパスワードエリア７のパスワード
が読み出し・書き込み部４を介してパスワード照合部５
に読み出され、外部から入力したパスワードとパスワー
ドエリア７のパスワードとをパスワード照合部５で照合
を行う。
【０００６】外部から入力したパスワードとパスワード
エリア７のパスワードとが一致した場合には、許可フラ
グがオンとなり、読み出しまたは書き込み動作が可能と
なる。
エリア７のパスワードとが一致した場合には、許可フラ
グがオンとなり、読み出しまたは書き込み動作が可能と
なる。
【０００７】また、外部から入力したパスワードとパス
ワードエリア７のパスワードとが不一致の場合には、許
可フラグがオフのままで、読み出しまたは書き込み動作
が不可能のままとなる。
ワードエリア７のパスワードとが不一致の場合には、許
可フラグがオフのままで、読み出しまたは書き込み動作
が不可能のままとなる。
【０００８】従来の半導体メモリ装置は、パスワードの
照合をして一致しなければデータエリアのデータの読み
出しまたは書き込みを禁止する機能を有している。
照合をして一致しなければデータエリアのデータの読み
出しまたは書き込みを禁止する機能を有している。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の半導体
メモリ装置では、入力されたパスワードがメモリ部１の
パスワードエリア７のパスワードと一致しさえすれば、
メモリ部１のすべてのデータエリアのデータの読み出し
または書き込みが可能となるために、メモリ部１の一部
のデータエリアを他の用途に用いた場合には、他の用途
に用いたデータエリアのデータについても読み出しまた
は書き込みが可能となり、他の用途に用いたデータエリ
アの機密保護や偽造防止ができないという問題がある。
メモリ装置では、入力されたパスワードがメモリ部１の
パスワードエリア７のパスワードと一致しさえすれば、
メモリ部１のすべてのデータエリアのデータの読み出し
または書き込みが可能となるために、メモリ部１の一部
のデータエリアを他の用途に用いた場合には、他の用途
に用いたデータエリアのデータについても読み出しまた
は書き込みが可能となり、他の用途に用いたデータエリ
アの機密保護や偽造防止ができないという問題がある。
【００１０】本発明は、メモリ部に複数設けられたデー
タエリアごとの機密保護および偽造防止を有する半導体
メモリ装置を提供することを目的とする。
タエリアごとの機密保護および偽造防止を有する半導体
メモリ装置を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体メモリ装
置は、複数のデータエリアと、この各データエリアごと
にパスワードが設定されたパスワードエリアと、前記デ
ータのうちのアクセス対象エリアに対応して前記パスワ
ードエリアから読み出されたパスワードと外部から入力
された入力パスワードとを照合してアクセスの可否を判
定する照合部とを設けたものである。
置は、複数のデータエリアと、この各データエリアごと
にパスワードが設定されたパスワードエリアと、前記デ
ータのうちのアクセス対象エリアに対応して前記パスワ
ードエリアから読み出されたパスワードと外部から入力
された入力パスワードとを照合してアクセスの可否を判
定する照合部とを設けたものである。
【００１２】本発明によると、メモリ部の複数のデータ
エリアごとの機密保護および偽造防止ができる。
エリアごとの機密保護および偽造防止ができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、複数のデータエリアと、この各データエリアごとに
パスワードが設定されたパスワードエリアと、前記デー
タのうちのアクセス対象エリアに対応して前記パスワー
ドエリアから読み出されたパスワードと外部から入力さ
れた入力パスワードとを照合してアクセスの可否を判定
する照合部とを設けた半導体メモリ装置としたものであ
り、各データエリアに１対１で対応するパスワードをそ
れぞれ設けたことにより、メモリ部の複数のデータエリ
アごとの機密保護および偽造防止ができる。
は、複数のデータエリアと、この各データエリアごとに
パスワードが設定されたパスワードエリアと、前記デー
タのうちのアクセス対象エリアに対応して前記パスワー
ドエリアから読み出されたパスワードと外部から入力さ
れた入力パスワードとを照合してアクセスの可否を判定
する照合部とを設けた半導体メモリ装置としたものであ
り、各データエリアに１対１で対応するパスワードをそ
れぞれ設けたことにより、メモリ部の複数のデータエリ
アごとの機密保護および偽造防止ができる。
【００１４】本発明の請求項２に記載の発明は、複数の
データエリアと、この各データエリアの各グループごと
にパスワードが設定されたパスワードエリアと、前記デ
ータのうちのアクセス対象エリアに対応して前記パスワ
ードエリアから読み出されたパスワードと外部から入力
された入力パスワードとを照合してアクセスの可否を判
定する照合部とを設けた半導体メモリ装置としたもので
あり、複数のデータエリアを１つのグループとしてグル
ープごとにパスワードをそれぞれ設けたことにより、各
グループごとの機密保護や偽造防止ができる。
データエリアと、この各データエリアの各グループごと
にパスワードが設定されたパスワードエリアと、前記デ
ータのうちのアクセス対象エリアに対応して前記パスワ
ードエリアから読み出されたパスワードと外部から入力
された入力パスワードとを照合してアクセスの可否を判
定する照合部とを設けた半導体メモリ装置としたもので
あり、複数のデータエリアを１つのグループとしてグル
ープごとにパスワードをそれぞれ設けたことにより、各
グループごとの機密保護や偽造防止ができる。
【００１５】以下、本発明の半導体メモリ装置を具体的
な実施の形態に基づいて説明する。 （実施の形態）本発明の実施の形態における半導体メモ
リ装置は、図１に示すように、メモリ部１とカラムデコ
ーダ部２とロウデコーダ部３と読み出し・書き込み部４
と照合部８とで構成されている。
な実施の形態に基づいて説明する。 （実施の形態）本発明の実施の形態における半導体メモ
リ装置は、図１に示すように、メモリ部１とカラムデコ
ーダ部２とロウデコーダ部３と読み出し・書き込み部４
と照合部８とで構成されている。
【００１６】照合部８は、パスワード照合部５とアドレ
ス判定部６とで構成されている。特定のデータエリアに
対して読み出しまたは書き込みするに際しては、パスワ
ード照合コマンドとアドレス（データエリアの指定）と
パスワードとを外部から入力する。
ス判定部６とで構成されている。特定のデータエリアに
対して読み出しまたは書き込みするに際しては、パスワ
ード照合コマンドとアドレス（データエリアの指定）と
パスワードとを外部から入力する。
【００１７】特定のデータエリアは、例えばａデータエ
リアとする。本実施の形態では、ａデータエリアのパス
ワードはＡパスワードエリアのパスワードＡに対応し、
ｂデータエリアのパスワードはＢパスワードエリアのパ
スワードＢに対応しているものとする。
リアとする。本実施の形態では、ａデータエリアのパス
ワードはＡパスワードエリアのパスワードＡに対応し、
ｂデータエリアのパスワードはＢパスワードエリアのパ
スワードＢに対応しているものとする。
【００１８】入力したアドレスがａデータエリアである
ことをアドレス判定部６で判定してａデータエリアのパ
スワードを記憶しているアドレス（Ａパスワードエリ
ア）をカラムデコーダ部２とロウデコーダ部３とを介し
て選択する。
ことをアドレス判定部６で判定してａデータエリアのパ
スワードを記憶しているアドレス（Ａパスワードエリ
ア）をカラムデコーダ部２とロウデコーダ部３とを介し
て選択する。
【００１９】読み出し・書き込み部４により、Ａパスワ
ードエリアのパスワードＡを読み出してパスワード照合
部５に送る。パスワード照合部５では、外部から入力し
たパスワードとＡパスワードエリアのパスワードＡとを
照合する。
ードエリアのパスワードＡを読み出してパスワード照合
部５に送る。パスワード照合部５では、外部から入力し
たパスワードとＡパスワードエリアのパスワードＡとを
照合する。
【００２０】照合した結果をアドレス判定部６に送り、
パスワードが一致した場合はアドレス判定部６の許可フ
ラグをオンする。メモリ部１の中のａデータエリアの読
み出しを行う場合は、読み出しコマンドアドレスを入力
して、ａデータエリアのどの部分を読み出すのかを指定
する。
パスワードが一致した場合はアドレス判定部６の許可フ
ラグをオンする。メモリ部１の中のａデータエリアの読
み出しを行う場合は、読み出しコマンドアドレスを入力
して、ａデータエリアのどの部分を読み出すのかを指定
する。
【００２１】アドレス判定部６では、ａデータエリアの
許可フラグがオンであるかをチェックする。そのａデー
タエリアの許可フラグがオンである場合は、ａデータエ
リアの指定した部分をカラムデコーダ部２とロウデコー
ダ部３とにより選択し、読み出し・書き込み部４を介し
てａデータエリアの指定した部分のデータを読み出して
出力する。
許可フラグがオンであるかをチェックする。そのａデー
タエリアの許可フラグがオンである場合は、ａデータエ
リアの指定した部分をカラムデコーダ部２とロウデコー
ダ部３とにより選択し、読み出し・書き込み部４を介し
てａデータエリアの指定した部分のデータを読み出して
出力する。
【００２２】メモリ部１の中のａデータエリアの書き込
みを行う場合は、書き込みコマンドアドレスを入力し
て、ａデータエリアのどの部分を書き込むのかを指定す
る。アドレス判定部６では、ａデータエリアの許可フラ
グがオンであるかをチェックする。
みを行う場合は、書き込みコマンドアドレスを入力し
て、ａデータエリアのどの部分を書き込むのかを指定す
る。アドレス判定部６では、ａデータエリアの許可フラ
グがオンであるかをチェックする。
【００２３】そのａデータエリアの許可フラグがオンで
ある場合は、ａデータエリアの指定した部分をカラムデ
コーダ部２とロウデコーダ部３とにより選択し、書き込
むデータを読み出し・書き込み部４に送り、メモリ部１
のａデータエリアの指定した部分に前記データを書き込
む。
ある場合は、ａデータエリアの指定した部分をカラムデ
コーダ部２とロウデコーダ部３とにより選択し、書き込
むデータを読み出し・書き込み部４に送り、メモリ部１
のａデータエリアの指定した部分に前記データを書き込
む。
【００２４】許可フラグがオフの場合には、読み出しお
よび書き込みはできず、動作を停止する。パスワードが
不一致の場合には、許可フラグがオフのままでａデータ
エリアの読み出しまたは書き込み動作が不可能のままと
なる。
よび書き込みはできず、動作を停止する。パスワードが
不一致の場合には、許可フラグがオフのままでａデータ
エリアの読み出しまたは書き込み動作が不可能のままと
なる。
【００２５】以上のことから、各データエリアに１対１
で対応するパスワードをそれぞれ設けたことにより、入
力したデータエリアのパスワードとメモリ部のパスワー
ドエリアに記憶しているそのデータエリアのパスワード
とを照合して一致しなければそのデータエリアの読み出
しまたは書き込みをすることができない。
で対応するパスワードをそれぞれ設けたことにより、入
力したデータエリアのパスワードとメモリ部のパスワー
ドエリアに記憶しているそのデータエリアのパスワード
とを照合して一致しなければそのデータエリアの読み出
しまたは書き込みをすることができない。
【００２６】また、各データエリアに１対１で対応する
パスワードをそれぞれ設けたことにより、入力したデー
タエリアのパスワードとメモリ部のパスワードエリアに
記憶しているそのデータエリアのパスワードとを照合し
て一致した場合は、指定したデータエリアに対しては読
み出しまたは書き込みをすることができるが、指定した
以外のデータエリアに対しては読み出しまたは書き込み
をすることができないので、指定した以外のデータエリ
アについて機密保護や偽造防止ができる。
パスワードをそれぞれ設けたことにより、入力したデー
タエリアのパスワードとメモリ部のパスワードエリアに
記憶しているそのデータエリアのパスワードとを照合し
て一致した場合は、指定したデータエリアに対しては読
み出しまたは書き込みをすることができるが、指定した
以外のデータエリアに対しては読み出しまたは書き込み
をすることができないので、指定した以外のデータエリ
アについて機密保護や偽造防止ができる。
【００２７】また、この実施の形態では、各データエリ
アに１対１で対応するパスワードをメモリ部のパスワー
ドエリアにそれぞれ設けているが、複数のデータエリア
を１つのグループとしてグループごとにパスワードをそ
れぞれ設けた場合であっても、入力したパスワードと指
定したグループのパスワードとが一致した場合は、指定
したグループのデータエリアに対しては読み出しまたは
書き込みをすることができるが、指定したグループ以外
のデータエリアに対しては読み出しまたは書き込みをす
ることができず、指定したグループ以外のデータエリア
について機密保護や偽造防止ができる。
アに１対１で対応するパスワードをメモリ部のパスワー
ドエリアにそれぞれ設けているが、複数のデータエリア
を１つのグループとしてグループごとにパスワードをそ
れぞれ設けた場合であっても、入力したパスワードと指
定したグループのパスワードとが一致した場合は、指定
したグループのデータエリアに対しては読み出しまたは
書き込みをすることができるが、指定したグループ以外
のデータエリアに対しては読み出しまたは書き込みをす
ることができず、指定したグループ以外のデータエリア
について機密保護や偽造防止ができる。
【００２８】
【発明の効果】以上のように本発明の半導体メモリ装置
によれば、各データエリアに１対１で対応するパスワー
ドをそれぞれ設けたことにより、メモリ部の一部のデー
タエリアを他の用途に用いた場合であっても、入力した
パスワードと他の用途に用いたデータエリアのパスワー
ドとが一致しなければそのデータエリアの読み出しまた
は書き込みをすることができないので、他の用途に用い
たデータエリアの機密保護や偽造防止ができる。
によれば、各データエリアに１対１で対応するパスワー
ドをそれぞれ設けたことにより、メモリ部の一部のデー
タエリアを他の用途に用いた場合であっても、入力した
パスワードと他の用途に用いたデータエリアのパスワー
ドとが一致しなければそのデータエリアの読み出しまた
は書き込みをすることができないので、他の用途に用い
たデータエリアの機密保護や偽造防止ができる。
【００２９】また、各データエリアに１対１で対応する
パスワードをそれぞれ設けたことにより、入力したデー
タエリアのパスワードとメモリ部に記憶しているそのデ
ータエリアのパスワードとを照合して一致した場合は、
指定したデータエリアに対して読み出しまたは書き込み
をすることができるが、指定した以外のデータエリアに
対しては読み出しまたは書き込みをすることができない
ので、指定した以外のデータエリアについて機密保護や
偽造防止ができる。
パスワードをそれぞれ設けたことにより、入力したデー
タエリアのパスワードとメモリ部に記憶しているそのデ
ータエリアのパスワードとを照合して一致した場合は、
指定したデータエリアに対して読み出しまたは書き込み
をすることができるが、指定した以外のデータエリアに
対しては読み出しまたは書き込みをすることができない
ので、指定した以外のデータエリアについて機密保護や
偽造防止ができる。
【００３０】また、複数のデータエリアを１つのグルー
プとしてグループごとにパスワードをそれぞれ設けたこ
とにより、各グループごとの機密保護や偽造防止ができ
る。
プとしてグループごとにパスワードをそれぞれ設けたこ
とにより、各グループごとの機密保護や偽造防止ができ
る。
【図１】本発明の実施の形態の半導体メモリ装置のブロ
ック図
ック図
【図２】従来の半導体メモリ装置のブロック図
１ メモリ部 ２ カラムデコーダ部 ３ ロウデコーダ部 ４ 読み出し・書き込み部 ５ パスワード照合部 ６ アドレス判定部 ７ パスワードエリア ８ 照合部
Claims (2)
- 【請求項１】複数のデータエリアと、 この各データエリアごとにパスワードが設定されたパス
ワードエリアと、 前記データのうちのアクセス対象エリアに対応して前記
パスワードエリアから読み出されたパスワードと外部か
ら入力された入力パスワードとを照合してアクセスの可
否を判定する照合部とを設けた半導体メモリ装置。 - 【請求項２】複数のデータエリアと、 この各データエリアの各グループごとにパスワードが設
定されたパスワードエリアと、 前記データのうちのアクセス対象エリアに対応して前記
パスワードエリアから読み出されたパスワードと外部か
ら入力された入力パスワードとを照合してアクセスの可
否を判定する照合部とを設けた半導体メモリ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9257406A JPH1196078A (ja) | 1997-09-24 | 1997-09-24 | 半導体メモリ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9257406A JPH1196078A (ja) | 1997-09-24 | 1997-09-24 | 半導体メモリ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1196078A true JPH1196078A (ja) | 1999-04-09 |
Family
ID=17305944
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9257406A Pending JPH1196078A (ja) | 1997-09-24 | 1997-09-24 | 半導体メモリ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1196078A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012141993A (ja) * | 1999-12-17 | 2012-07-26 | Qualcomm Inc | 集積化埋込型フラッシュ及びｓｒａｍメモリを有する移動通信装置 |
-
1997
- 1997-09-24 JP JP9257406A patent/JPH1196078A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012141993A (ja) * | 1999-12-17 | 2012-07-26 | Qualcomm Inc | 集積化埋込型フラッシュ及びｓｒａｍメモリを有する移動通信装置 |
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