JPH1190666A - レーザ加工装置 - Google Patents

レーザ加工装置

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JPH1190666A
JPH1190666A JP9252045A JP25204597A JPH1190666A JP H1190666 A JPH1190666 A JP H1190666A JP 9252045 A JP9252045 A JP 9252045A JP 25204597 A JP25204597 A JP 25204597A JP H1190666 A JPH1190666 A JP H1190666A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 レーザ加工装置に関し、レーザの出力の不安
定性による加工への影響を回避し、均一な加工を行うこ
とができるようにすることを目的とする。 【解決手段】 被加工物18を支持するためのステージ
20と、被加工物を加工するためのレーザ光源14と、
該レーザ光源の発振光の強度を検出する検出手段26
と、該検出手段の出力に基づいて該ステージを制御する
ための制御手段30とを備えた構成とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はレーザを利用したレ
ーザ加工装置に関する。
【0002】
【従来の技術】レーザ光はコヒーレンス性がよいため、
ビーム形状の制御がしやすいことや、単一波長域での発
光が可能なこと、レーザ媒体を選択することで赤外領域
から紫外領域にわたってエネルギー密度の大きい発光を
得られることなどから、近年、機械加工や半導体加工等
の分野を問わず、広く使われるようになっている。例え
ば、半導体加工においては、レーザ加工装置はアニール
装置や、表面改質装置や、露光装置等として使用され
る。
【0003】最近では、紫外領域での高効率発光や、赤
外領域での大出力レーザとして、エキシマレーザ等のガ
スレーザなどが、レーザ媒体を構成する上で簡便なこと
で広く用いられている。例えばエキシマレーザでは、反
応容器中に充填されたガスを高圧グロー放電させること
で稀ガスとハロゲンガスの準安定化合物であるエキシマ
等の励起種を形成することにより、ポンピングを行って
いる。
【0004】大きなレーザ出力を得るには、反応容器中
に励起状態にある分子をより多く生成する必要がある。
そのためには、反応容器を大きくするか、または、容器
内のガス圧力を上げるか等の方法で大きな出力を得るこ
とができる。しかし、実際のレーザ加工機で大面積の加
工を行うためには、レーザ光源の発振強度が不十分であ
るため、被加工物をステージに固定し、ステージの移動
と同期してレーザを発振させることで、大面積のレーザ
加工を行うことが多い。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】ところが、反応容器を
大きくした場合、レーザ作用をする空間が大きくなって
しまうために、共振によるコヒーレンス性が悪くなる上
に、レーザの特性の経時変化を生じるという問題があっ
た。また、ガス圧を上げる場合にも、放電に伴う温度上
昇や電極表面の履歴などによって、レーザ出力やビーム
形状が経時変化してしまうという問題があった。例え
ば、パルスレーザであるエキシマレーザの場合、各パル
ス毎のビーム強度と波形形状の安定性が問題になること
は一般的に認識されている。
【0006】このため、ステージ上に載った被加工物を
移動させながらレーザ照射を行うと、ビーム強度や波形
形状の変動によって加工の程度が変化してしまうため
に、レーザによる加工が均一に行えないという問題があ
った。本発明の目的は、レーザの出力の不安定性による
加工への影響を回避し、均一な加工を行うことができる
ようにしたレーザ加工装置を提供することである。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明によるレーザ加工
装置は、被加工物を支持するためのステージと、被加工
物を加工するためのレーザ光源と、該レーザ光源から出
射するレーザ光の強度を検出する検出手段と、該検出手
段の出力に基づいて該ステージを制御するための制御手
段とを備えたことを特徴とするものである。好ましく
は、レーザ光源はエキシマレーザからなる。
【0008】上記構成においては、レーザ光源から出射
するレーザ光の強度を検出手段を通じてモニタし、発振
光の強度分布が変化しりして実効的な強度が低下あるい
は上昇することを検知できる。そこで、例えばレーザ光
源から出射するレーザ光の強度が低下した場合には、ス
テージの移動を抑えてその位置で再度レーザ照射を行
い、加工の程度が低下するのを補償する。こうして、レ
ーザにより均一な加工を行うことができる。
【0009】上記構成とともに下記の構成を採用するこ
とができる。該レーザ光源を第1のレーザ光源とし、さ
らに第2のレーザ光源を備え、該第1のレーザ光源は該
第2のレーザ光源により励起される。これにより、第1
のレーザ光源をより適切に制御することができる。該第
2のレーザ光源から該第1のレーザ光源へ入射するレー
ザ光の光路と、該第1のレーザ光源から出射するレーザ
光の光路とが概略平行になるように配置され、該レーザ
光が光路からずれた場合に該第1のレーザ光源の発振出
力を弱めるための第2の制御手段を有する。これによ
り、第1のレーザ光源はビーム形状や出力方向が整った
レーザ光を出射することができる。
【0010】該第2の制御手段は、該第2のレーザ光源
から該第1のレーザ光源に入射するレーザ光の非平行成
分を遮蔽するように設置された遮蔽板である。これによ
り、第2の制御手段を簡単に構成することができる。該
第2の制御手段は、該第2のレーザ光源から該第1のレ
ーザ光源に入射するレーザ光の非平行成分の強度を制御
信号とし、非平行成分の強度により該第1のレーザ光源
の出力を弱める手段を有する。これにより、第1のレー
ザ光源を容易に且つ確実に制御することができる。
【0011】
【発明の実施の形態】図1は本発明の原理図である。レ
ーザ加工装置10は、レーザ媒体12を含むレーザ光源
14と、ハーフミラー16と、被加工物18を支持して
被加工物18を移動させるステージ20とを備える。ハ
ーフミラー16は、レーザ光源14から出射するレーザ
光22の進路を変えて、被加工物18に導く働きをする
とともに、一部の光24を透過させてセンサ26に照射
する働きもする。センサ26はレーザ光源14から出射
するレーザ光22の強度を検出することができる。ステ
ージ20はステージ駆動装置28により駆動される。ス
テージ駆動装置28は制御装置30を含む。センサ26
の出力は制御装置30へ送られ、制御装置30はセンサ
26の出力に基づいてステージ20をフィードバック制
御する。
【0012】レーザ加工装置10は、通常は、ステージ
18を動作させながらレーザ光22を被加工物18に対
して走査しながら加工を行う。この場合、ステージ20
の移動速度が機械的な遊び、摩擦などにより厳密に一定
ではないため、ステージ20の移動量を制御量としてレ
ーザに対して、連続発振レーザの場合はレーザ照射エネ
ルギー強度を変調させたり、パルスレーザの場合はトリ
ガを与える等の手法を取っている。
【0013】しかし、レーザ自身の経時変化等の不安定
性があると、レーザ出力の変化がそのまま、被加工物1
8の加工状態の変化となってあらわれてしまう。そこ
で、本発明においては、レーザ光源14から出射される
レーザ光22の強度をセンサ26を通じてモニタし、レ
ーザ光22の強度分布が変化しりして実効的な強度が落
ちたことを検知し、その場合にはステージ20の移動を
抑え(速度を落とし、あるいは停止し)てその位置で再
度レーザ照射を行い、加工の程度が低下するのを補償す
る。このため、レーザ強度が弱くなるなどの変化を示し
た場合にも、被加工物18に入射されるレーザ光22の
強度を実質的に一定に保つ働きをするため、大面積の被
加工物18に対しても、一定の品質でレーザ加工を行う
ことが可能となっている。
【0014】図2は本発明の第1実施例を示す図であ
る。図1の原理図に示したのと同様に、レーザ加工装置
10は、レーザ媒体12を含むレーザ光源14と、ハー
フミラー16と、被加工物18を支持して被加工物18
を移動させるステージ20と、センサ26と、制御装置
30とを含む。さらに、図2においては、レーザ加工装
置10は、レーザ媒体32を含む第2のレーザ光源34
を含む。前に述べたレーザ光源14を第1のレーザ光源
と言う。
【0015】第1のレーザ光源14は第2のレーザ光源
34により励起されるようになっている。すなわち、第
2のレーザ光源34から出射するレーザ光36はハーフ
ミラー38及びミラー40を経て遅延回路42へ向けら
れ、遅延回路42を通過した後、ミラー44を経て第1
のレーザ光源14のレーザ媒体12に導かれる。従っ
て、第1のレーザ光源14のレーザ媒体12は第2のレ
ーザ光源34から出射されるレーザ光36によって励起
され、さらに増幅される。第1のレーザ光源14から出
射されるレーザ光22は第1のレーザ光源14からステ
ージ20上の被加工物18を照射する。
【0016】第1のレーザ光源14から出射されるレー
ザ光の一部の光24はレーザ光源14から出射するレー
ザ光22の強度を検出するセンサ26に入射し、センサ
26の出力は制御装置30へ送られる。センサ26の出
力は、ステージの制御信号の一つとなっている。第2の
レーザ光源34から出射されるレーザ光の一部のレーザ
光46はハーフミラー38によってセンサ48に導かれ
る。センサ48の出力は第1のレーザ光源14の制御回
路50へ入力され、制御信号の一つとなっている。
【0017】図3を用いて図2の実施例の作用を説明す
る。図中、横軸は時間を示し、縦軸はレーザのエネルギ
ーを模式的に示している。アニール装置での加工を行う
場合、例えば、エキシマレーザによるアモルファスシリ
コンの結晶化を行う場合を例として説明する。アモルフ
ァスシリコンを結晶化するためには、ある程度以上の尖
頭出力が必要である。一方、過剰なエネルギーが与えら
れるとシリコンが蒸発してしまい、不良となる。
【0018】図3(A)は理想的な加工状態を示す。こ
の場合、パルスレーザ出力は、設定された上限Aと下限
Bの範囲内にあり、問題なく加工を進めることができ
る。しかし、実際には、図3(B)に示すように、パル
スレーザ出力は、エネルギー変動があるため、エネルギ
ーの上限Aあるいは下限Bを越えてしまうことがある。
このような場合、被加工物18を一定の速度で移動させ
ながら加工を行うと、被加工物18の加工状態にレーザ
発振光のエネルギー変動の履歴がそのまま残ってしま
う。例えば、aのパルスレーザ出力では十分な加工が行
われず、bのパルスレーザ出力では過剰な加工が行わ
れ、あるいはシリコンが蒸発してしまうことがある。
【0019】そこで、図3(C)に示すように、センサ
26の出力が、第1のレーザ光源14の出力のエネルギ
ー不足をセンサで検知すると、ステージ20の走査を止
めて再照射を行うため、cで示すようなエネルギー不足
の加工不良を生じない。また、第2のレーザ光源34に
より第1のレーザ光源14の励起を行う構成になってい
るので、センサ48でレーザ光36が過剰出力あるいは
不足出力であることを検知すると、遅延回路42による
遅延時間内に、第1のレーザ光源14の制御回路50が
第1のレーザ光源14の発振を停止し、励起光のエネル
ギー過剰、不足の双方に対して、レーザの打ち直しを行
い、不良を生じることはない。
【0020】図4は本発明の第2実施例を示す図であ
る。図4は前の実施例と同様な第1のレーザ光源14及
び第2のレーザ光源34を含む。第1のレーザ光源14
の出力はセンサ(図示せず)でモニタされる。大出力レ
ーザの中でもガスレーザは発振するレーザ光の出力方向
がずれやすく、特にエキシマレーザでは、ビームのエネ
ルギー分布が変化することが知られている。これはレー
ザ媒体中のポンピングがコロナ放電によって行われるた
めにチャンバ内の励起種等の分布にむらがあるためであ
る。
【0021】そこで本実施例では、第2のレーザ光源3
4のレーザ媒体32の励起したレーザ光36が第1のレ
ーザ光源14のレーザ媒体12に対して、できるだけ平
行に入射されるように装置を配置した上で、第1のレー
ザ光源14のレーザ媒体12の入口に、レーザ光36の
非平行成分を除去するための遮蔽板52を設けてある。
従って、第1のレーザ光源14のレーザ媒体12の励起
を第2のレーザ光源34の励起光で一部行っているた
め、第2のレーザ光源34のレーザ光の出力方向が破線
で示すようにずれたとしても、第2のレーザ光源34か
ら発振された励起レーザ光36のうち、ビームの形状及
び出力方向が一定の成分のみが、第1のレーザ光源14
のレーザ媒体12に進入できる。このため、第1のレー
ザ光源14のポンピング及び誘導放出は、ビーム形状が
一定で出力方向が一定なレーザ光で行われるため、第1
のレーザ光源14の出力レーザ光22はビーム形状や出
力方向が整った光として発振されるようになる。
【0022】また、第2のレーザ光源34の励起レーザ
光のビーム形状や出力方向に異常がある場合には、第1
のレーザ光源14の出力は大きく低下するが、第1の実
施例で示したような構成をとれば、常に均一な発振レー
ザ光のみを加工に利用することが可能である。図5は本
発明のさらに他の実施例を示す図である。本実施例で
は、第2の実施例に加えて、第2のレーザ光源34の出
力レーザ光36を遮蔽板52に設けられたセンサ54に
よりレーザ光36の非平行成分を検知する構成になって
いる。第2の実施例に比べて、非平行成分の出力を検知
し、非平行成分を生じた場合には、第1のレーザ光源3
4の出力を停止できるため、非平行成分による励起をさ
らに抑えることが可能となる。また、センサ54の出力
をステージ移動制御装置30のモニタ信号として利用し
ているので、これを前の実施例のセンサ26からの信号
の代わりに使用することができる。従って、出力の大き
い、第1のレーザ光源14の励起レーザ光22を直接に
モニタする必要がない。
【0023】以上説明した実施例では、エキシマレーザ
等のガスレーザを用いて説明したが、本発明はこれに限
るものではなく、YAGレーザ、半導体レーザ等を用い
てもよい。特に、第2のレーザとしては、YAGレーザ
等の高次高調波等の発振を利用することも可能である。
【0024】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
レーザ出力の不安定性を補償するようにステージを制御
することができるという効果を奏し、レーザ出力によら
ず均一な加工を行うことができ、レーザ加工装置の信頼
性向上に寄与するところが大きい。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の原理図である。
【図2】本発明の第1実施例を示す図である。
【図3】図2の実施例の作動を説明する図である。
【図4】本発明の第2実施例を示す図である。
【図5】本発明の第3実施例を示す図である。
【符号の説明】
10…レーザ加工装置 12…第1のレーザ光源 16…ハーフミラー 18…被加工物 20…ステージ 26…センサ 30…制御装置 34…第2のレーザ光源 38…ハーフミラー 40、44…ミラー 46…遅延回路 48…センサ 50…制御回路 52…遮蔽板 54…センサ

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 被加工物を支持するためのステージと、
    被加工物を加工するためのレーザ光源と、該レーザ光源
    から出射するレーザ光の強度を検出する検出手段と、該
    検出手段の出力に基づいて該ステージを制御するための
    制御手段とを備えたことを特徴とするレーザ加工装置。
  2. 【請求項2】 該レーザ光源を第1のレーザ光源とし、
    さらに第2のレーザ光源を備え、該第1のレーザ光源は
    該第2のレーザ光源により励起されることを特徴とする
    請求項1に記載のレーザ加工装置。
  3. 【請求項3】 該第2のレーザ光源から該第1のレーザ
    光源へ入射するレーザ光の光路と、該第1のレーザ光源
    から出射するレーザ光の光路とが概略平行になるように
    配置され、該第1のレーザ光源から出射するレーザ光が
    光路からずれた場合に該第1のレーザ光源の発振出力を
    弱めるための第2の制御手段を有することを特徴とする
    請求項2に記載のレーザ加工装置。
  4. 【請求項4】 該第2の制御手段は、該第2のレーザ光
    源から該第1のレーザ光源に入射するレーザ光の非平行
    成分を遮蔽するように設置された遮蔽板であることを特
    徴とする請求項3に記載のレーザ加工装置。
  5. 【請求項5】 該第2の制御手段は、該第2のレーザ光
    源から該第1のレーザ光源に入射するレーザ光の非平行
    成分の強度を制御信号とし、非平行成分の強度により該
    第1のレーザ光源の出力を弱める手段を有することを特
    徴とする請求項3に記載のレーザ加工装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2009131885A (ja) * 2007-11-30 2009-06-18 Sunx Ltd レーザ加工システム
CN114514084A (zh) * 2019-12-13 2022-05-17 松下知识产权经营株式会社 激光器装置

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JP2009131885A (ja) * 2007-11-30 2009-06-18 Sunx Ltd レーザ加工システム
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