JPH1187916A - Laminated insulating structure - Google Patents

Laminated insulating structure

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JPH1187916A
JPH1187916A JP24405297A JP24405297A JPH1187916A JP H1187916 A JPH1187916 A JP H1187916A JP 24405297 A JP24405297 A JP 24405297A JP 24405297 A JP24405297 A JP 24405297A JP H1187916 A JPH1187916 A JP H1187916A
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JP
Japan
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glass
printed
ceramic
paste
layer
Prior art date
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JP24405297A
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Japanese (ja)
Inventor
Osamu Ikemoto
治 池本
Katsunori Tanaka
克典 田中
Takao Tani
恭男 谷
Teruo Uchikawa
晃夫 内川
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Proterial Ltd
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Hitachi Metals Ltd
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  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To simultaneously bake by interposing a composite layer which is obtained by sandwiching a glass layer between opposed electrodes via a ceramics layer, thereby preventing a short circuit or migration at the time of baking and integrating them. SOLUTION: A desired electrode 2 is formed by forming a ceramic board 1 by dry press molding, printing Ag paste on the electrode 2 by screen printing, and drying it. Ceramic paste 3 is printed on the entire electrode 3 and dried. Glass paste 4 is printed on the entire surface, and dried. Further, ceramic paste 5 is printed on the overall surface, and dried. Ag paste is printed on the surface and dried to form an electrode 6. Eventually, ceramic paste 7 is printed as a protective layer on the entire surface, and dried. Moreover, in the case of laminating, the step is repeated. After degreasing, it is baked at a predetermined temperature.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明が属する技術分野】本発明は、積層チップ部品お
よび多層配線基板等の対向する2つの電極間を絶縁して
いる絶縁構造部分において、マイグレーションを防止す
るための絶縁構造に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an insulating structure for preventing migration in an insulating structure for insulating two opposing electrodes, such as a laminated chip component and a multilayer wiring board.

【0002】[0002]

【従来の技術】最近の電子機器の小型、軽量化の要求に
伴って、基板上に電子部品、あるいはデバイス類をより
近接して高密度に組み込む、いわゆる高密度実装技術が
発達しており、その要求に応えて、積層チップ部品に見
られるように電子部品のチップ化と小型化、および複合
化が発展してきた。また、さらなる電子機器の小型化、
高密度化、高速化、高性能化の要求に応えるため、近
年、多層配線基板が注目を浴びている。
2. Description of the Related Art With the recent demand for smaller and lighter electronic devices, a so-called high-density mounting technology has been developed, in which electronic components or devices are more closely integrated on a substrate at a higher density. In response to this demand, electronic components have been developed into chips, miniaturized, and composited, as seen in multilayer chip components. In addition, further downsizing of electronic devices,
2. Description of the Related Art In order to meet demands for higher density, higher speed, and higher performance, multilayer wiring boards have recently been receiving attention.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】これら積層チップ部品
や多層配線基板において、電極材料としてAgやCuな
どが使用され、また絶縁材料としては樹脂などの有機
物、あるいはガラスおよびセラミックスなどが使用され
ている。特にセラミックスを用いた積層チップ部品や多
層配線基板は、価格と性能のバランスが最も良い方式と
考えられており、現在、主流になりつつある。このセラ
ミックスを用いた積層チップ部品や多層配線基板の製造
方法としては、シート状あるいはペースト状にしたセラ
ミックスと電極材料を交互に積層して一体焼成して作製
されるため、電極と電極の間にセラミック層が介在する
ことになる。
In these laminated chip components and multilayer wiring boards, Ag and Cu are used as electrode materials, and organic materials such as resins, glass and ceramics are used as insulating materials. . In particular, multilayer chip components and multilayer wiring boards using ceramics are considered to have the best balance between price and performance, and are currently becoming mainstream. As a method of manufacturing a laminated chip component or a multilayer wiring board using this ceramic, the ceramic or electrode material in the form of a sheet or paste is alternately laminated and fired integrally. The ceramic layer will be interposed.

【0004】しかしながら、一般にセラミックスはガラ
スのように焼成途中で融解しないため、ピンホールと呼
ばれる穴を発生しやすく、このピンホールを通して焼成
中に電極間で短絡したり、あるいは焼成後でも、水分の
介在と直流電圧の印可により、マイグレーションと呼ば
れる金属の移動現象を引き起こして短絡が発生する。こ
の対策として、水分の侵入を防止するために樹脂等で部
品をコーティングするという後処理が必要となり、工数
が多くなっていた。
However, in general, ceramics do not melt during firing like glass, so that holes called pinholes are likely to be generated. The interposition and the application of the DC voltage cause a metal movement phenomenon called migration, thereby causing a short circuit. As a countermeasure, a post-treatment of coating the component with a resin or the like is required to prevent intrusion of moisture, and the number of steps has been increased.

【0005】また従来のように、セラミックスの代わり
にガラスを使用して電極材料とガラスを同時焼成する
と、焼成時に電極材料とガラスが反応し電極材料がガラ
スに拡散して短絡してしまうため、電極材料とガラスを
各層毎に印刷・焼成しなければならず、例えば多層基板
を作製する場合には、焼成を印刷する層の数だけ行うた
めにコストが高くなってしまうという問題が生じてい
た。
[0005] In addition, if the electrode material and the glass are simultaneously fired using glass instead of ceramics as in the prior art, the electrode material and the glass react during firing, and the electrode material diffuses into the glass and short-circuits. The electrode material and glass must be printed and fired for each layer. For example, in the case of manufacturing a multilayer substrate, there is a problem that the cost is increased because firing is performed by the number of layers to be printed. .

【0006】本発明は、上記の事を鑑みて、積層チップ
部品および多層基板等の対向する2つの電極間を絶縁し
ている絶縁構造部分において、焼成時の短絡やマイグレ
ーションを防止することができ、しかも、一体化して同
時に焼成することが可能な絶縁構造を提供することを目
的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION In view of the above, the present invention can prevent short-circuiting and migration during firing in an insulating structure that insulates two opposing electrodes, such as a laminated chip component and a multilayer substrate. Moreover, an object of the present invention is to provide an insulating structure that can be integrated and fired simultaneously.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明は、絶縁材料と電
極材料とを適宜積層し、該絶縁材料と電極材料を同時焼
成して構成された積層構造において、対向する電極間に
ガラス層をセラミック層で挟んだ複合層を介在させたこ
とを特徴とする積層絶縁構造である。
According to the present invention, a glass layer is provided between opposing electrodes in a laminated structure formed by appropriately laminating an insulating material and an electrode material and simultaneously firing the insulating material and the electrode material. A laminated insulating structure characterized by interposing a composite layer sandwiched between ceramic layers.

【0008】また本発明は、前記電極間の複合層に使用
されるセラミックスが、フェライトであることを特徴と
する積層絶縁構造である。このフェライトには、ガラス
の成分が20重量%以下含まれていても良い。
Further, the present invention provides the laminated insulating structure, wherein the ceramic used for the composite layer between the electrodes is ferrite. The ferrite may contain a glass component of 20% by weight or less.

【0009】また本発明は、前記電極間の複合層に使用
されるガラスが、非晶質または結晶質ガラスであること
を特徴とする積層絶縁構造である。このガラスの成分と
しては、 Li、 B、Na、Mg、 Al、 Si、K、
Ca、Ti、Cr、Mn、Co、Cu、Zn、Ge、
Zr、Ba、Pb、Biなどの酸化物である。
Further, the present invention is the laminated insulating structure, wherein the glass used for the composite layer between the electrodes is an amorphous or crystalline glass. The components of this glass include Li, B, Na, Mg, Al, Si, K,
Ca, Ti, Cr, Mn, Co, Cu, Zn, Ge,
Oxides such as Zr, Ba, Pb and Bi.

【0010】また本発明は、前記電極材料が、Agまた
はAgを含む合金であることを特徴とする積層絶縁構造
である。
Further, the present invention is the laminated insulating structure, wherein the electrode material is Ag or an alloy containing Ag.

【0011】また本発明は、前記絶縁材料および電極材
料を、スクリーン印刷で形成したことを特徴とする積層
絶縁構造である。
Further, the present invention provides a laminated insulating structure wherein the insulating material and the electrode material are formed by screen printing.

【0012】また本発明は、複合層において、焼成後の
セラミック層の厚みがそれぞれ20μm以上、ガラス層
の厚みが10μm以上であることを特徴とする請求項1
に記載の積層絶縁構造である。
Further, in the present invention, the thickness of the ceramic layer after firing is 20 μm or more and the thickness of the glass layer is 10 μm or more in the composite layer.
The laminated insulating structure described in the above.

【0013】[0013]

【発明の実施の形態】以下に本発明の実施例および比較
例を詳細に説明する。本発明において、絶縁構造を限定
した理由は、以下の通りである。絶縁材料としてセラミ
ックスを使用した場合、電極材料と同時焼成が可能であ
るが、セラミックスはガラスのように焼成途中で融解し
ないためピンホールと呼ばれる穴を発生しやすく、この
ピンホールを通して電極間で短絡したり、あるいはマイ
グレーションを引き起こしてしまう。また、絶縁材料と
してガラスを使用した場合、焼成時に電極材料とガラス
が反応し電極材料がガラスに拡散して短絡してしまう。
このため、電極材料とガラスを別々に焼成しなければな
らず、コストが高くなってしまう。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Examples and comparative examples of the present invention will be described below in detail. The reason for limiting the insulating structure in the present invention is as follows. When ceramics is used as the insulating material, it can be fired simultaneously with the electrode material, but since ceramics do not melt during firing like glass, holes called pinholes are likely to occur, and short-circuits between the electrodes through these pinholes Or cause migration. In addition, when glass is used as the insulating material, the electrode material and the glass react during firing, and the electrode material diffuses into the glass and causes a short circuit.
For this reason, the electrode material and the glass must be separately fired, which increases the cost.

【0014】本発明によれば、絶縁構造としてはガラス
層をセラミック層で挟んだ複合層とすることにより、挟
み込まれたガラス層が焼成の途中で融解するためピンホ
ールの発生を防ぎ、また、ガラス層を覆っているセラミ
ック層が電極材料とガラスの反応を防ぐため、同時焼成
が可能となる。これにより、電極間の短絡及びマイグレ
ーションを防止することができる。
According to the present invention, as the insulating structure, a glass layer is sandwiched between ceramic layers to form a composite layer, so that the sandwiched glass layer is melted during firing, thereby preventing the generation of pinholes. Since the ceramic layer covering the glass layer prevents the reaction between the electrode material and the glass, simultaneous firing is possible. Thereby, short circuit between electrodes and migration can be prevented.

【0015】このセラミック層には、焼成途中でガラス
が拡散する可能性があるが、セラミックス中のガラス成
分の含有量が20重量%以下であれば問題はない。ま
た、比抵抗が低い金属としてはAgとCuが挙げられる
が、Cuは窒素中で焼成しなければならないためコスト
が高くなってしまう。よって電極材料としてはAgまた
はAgを含む合金が望ましい。また、これらの絶縁層お
よび電極層を形成する方法は特に限定はないが、一般的
な方法としては、スクリーン印刷による形成方法があ
る。また、焼成後の各セラミック層の厚みが20μm未
満だと、ガラスがセラミックス中に拡散した場合に電極
と反応する恐れがある。よって各セラミック層の厚みは
20μm以上が望ましい。さらに好ましくは30μm以
上である。ガラス層の厚みが10μm未満だと、ピンホ
ールが発生する可能性が高くなる。よって、ガラス層の
厚みは10μm以上が望ましい。さらに好ましくは20
μm以上である。
Glass may diffuse into the ceramic layer during firing, but there is no problem if the content of the glass component in the ceramic is 20% by weight or less. Ag and Cu are mentioned as metals having low specific resistance. However, since Cu must be fired in nitrogen, the cost increases. Therefore, Ag or an alloy containing Ag is desirable as the electrode material. The method for forming the insulating layer and the electrode layer is not particularly limited, but a general method includes screen printing. If the thickness of each ceramic layer after firing is less than 20 μm, the glass may react with the electrodes when diffused into the ceramics. Therefore, the thickness of each ceramic layer is desirably 20 μm or more. More preferably, it is 30 μm or more. When the thickness of the glass layer is less than 10 μm, the possibility of pinholes increases. Therefore, the thickness of the glass layer is desirably 10 μm or more. More preferably, 20
μm or more.

【0016】実施例1、2 本発明に係る、実施例の断面図を図1に示す。この実施
例は、乾式のプレス成形によりセラミック基板1を成形
し、この上にスクリーン印刷によりAgペーストを、焼
成後の寸法で幅200μm、厚さ15μmのとなるよう
に印刷して乾燥し、所望の電極2を形成する。この電極
2の上にセラミックペースト3を、焼成後の寸法で厚さ
20μmとなるように全面に印刷して乾燥する。その上
にガラスペースト4を、焼成後の寸法で厚さ10μmと
なるように全面に印刷して乾燥する。さらにその上にセ
ラミックペースト5を、焼成後の寸法で厚さ20μmと
なるように全面に印刷して乾燥する。この上にAgペー
ストを、焼成後の寸法で幅200μm、厚さ15μmの
となるように印刷して乾燥し、電極6を形成する。最後
にその上に保護層としてセラミックペースト7を、焼成
後の寸法で厚さ25μmとなるように全面に印刷して乾
燥する。さらに積層する場合には、上記の工程を繰り返
せば良い。このようにして作製した多層基板を脱脂後、
890℃で焼成した。表1には、これらの試料の焼成後
の短絡およびマイグレーションテストの結果を示す。ガ
ラスとして非晶質ガラスを用いたものを実施例1とし、
結晶質ガラスを用いたものを実施例2とする。また、セ
ラミックスにはフェライトを用いたが、誘電体あるいは
これらの混合体等を使用しても良い。
Embodiments 1 and 2 FIG. 1 is a sectional view of an embodiment according to the present invention. In this embodiment, the ceramic substrate 1 is formed by dry press molding, and an Ag paste is printed thereon by screen printing so as to have a width after firing of 200 μm and a thickness of 15 μm, and is dried. Is formed. A ceramic paste 3 is printed on the entire surface of the electrode 2 so as to have a thickness of 20 μm after firing and dried. A glass paste 4 is printed on the entire surface so as to have a thickness after firing of 10 μm and dried. Further, a ceramic paste 5 is printed on the entire surface so as to have a thickness after firing of 20 μm and dried. On this, an Ag paste is printed so as to have a size after firing of 200 μm in width and 15 μm in thickness, and dried to form an electrode 6. Finally, a ceramic paste 7 as a protective layer is printed on the entire surface so as to have a thickness of 25 μm after firing and dried. In the case of further lamination, the above steps may be repeated. After degreasing the multilayer substrate thus manufactured,
It was fired at 890 ° C. Table 1 shows the results of short-circuit and migration tests after firing these samples. A glass using amorphous glass as Example 1
Example 2 using crystalline glass is described as Example 2. Although ferrite is used for ceramics, a dielectric or a mixture thereof may be used.

【0017】比較例1、2 比較例の断面図を図2に示す。乾式のプレス成形により
セラミック基板1を成形し、この上にスクリーン印刷に
よりAgペーストを、焼成後の寸法で幅200μm、厚
さ15μmのとなるように印刷して乾燥し、所望の電極
2を形成する。この電極2の上にガラスペースト4を、
焼成後の寸法で厚さ50μmとなるように全面に印刷し
て乾燥する。この上にAgペーストを、焼成後の寸法で
幅200μm、厚さ15μmのとなるように印刷して乾
燥し、電極6を形成する。最後にその上に保護層として
ガラスペースト8を、焼成後の寸法で厚さ25μmとな
るように印刷して乾燥する。さらに積層する場合には、
上記の工程を繰り返せば良い。このようにして作製した
多層基板を脱脂後、890℃で焼成した。表1には、こ
れらの試料の焼成後の短絡およびマイグレーションテス
トの結果を示す。ガラスとして非晶質ガラスを用いたも
のを比較例1とし、結晶質ガラスを用いたものを比較例
2とする。
Comparative Examples 1 and 2 FIG. 2 is a sectional view of a comparative example. The ceramic substrate 1 is formed by dry press molding, and an Ag paste is printed thereon by screen printing so that the dimensions after firing are 200 μm in width and 15 μm in thickness, and dried to form a desired electrode 2. I do. A glass paste 4 is placed on the electrode 2
The whole surface is printed and dried so as to have a thickness after firing of 50 μm. On this, an Ag paste is printed so as to have a size after firing of 200 μm in width and 15 μm in thickness, and dried to form an electrode 6. Finally, a glass paste 8 is printed thereon as a protective layer so as to have a thickness after firing of 25 μm and dried. When further laminating,
The above steps may be repeated. The multilayer substrate thus produced was degreased and then fired at 890 ° C. Table 1 shows the results of short-circuit and migration tests after firing these samples. The glass using amorphous glass is referred to as Comparative Example 1, and the glass using crystalline glass is referred to as Comparative Example 2.

【0018】比較例3 比較例3の断面図を図3に示す。乾式のプレス成形によ
りセラミック基板1を成形し、この上にスクリーン印刷
によりAgペーストを、焼成後の寸法で幅200μm、
厚さ15μmのとなるように印刷して乾燥し、所望の電
極2を形成する。この電極2の上にセラミックペースト
3を、焼成後の寸法で厚さ25μmとなるように全面に
印刷して乾燥する。さらにその上にセラミックペースト
5を、焼成後の寸法で厚さ25μmとなるように全面に
印刷して乾燥する。この上にAgペーストを、焼成後の
寸法で幅200μm、厚さ15μmのとなるように印刷
して乾燥し、電極6を形成する。最後にその上に保護層
としてセラミックペースト7を、焼成後の寸法で厚さ2
5μmとなるように印刷して乾燥する。さらに積層する
場合には、上記の工程を繰り返せば良い。このようにし
て作製した多層基板を脱脂後、890℃で焼成した。表
1に、この比較例3の焼成後の短絡およびマイグレーシ
ョンテストの結果を示す。セラミックスとしては、フェ
ライトを用いた。
Comparative Example 3 FIG. 3 shows a sectional view of Comparative Example 3. The ceramic substrate 1 is formed by dry press molding, and an Ag paste is screen-printed on the ceramic substrate 1, and the width after firing is 200 μm in width.
A desired electrode 2 is formed by printing and drying to a thickness of 15 μm. A ceramic paste 3 is printed on the entire surface of the electrode 2 so as to have a thickness of 25 μm after firing and dried. Further, a ceramic paste 5 is printed and dried on the entire surface so as to have a thickness of 25 μm after firing. On this, an Ag paste is printed so as to have a size after firing of 200 μm in width and 15 μm in thickness, and dried to form an electrode 6. Finally, a ceramic paste 7 is formed thereon as a protective layer and has a thickness of 2 mm after firing.
Print and dry to 5 μm. In the case of further lamination, the above steps may be repeated. The multilayer substrate thus produced was degreased and then fired at 890 ° C. Table 1 shows the results of the short circuit and migration tests after firing in Comparative Example 3. Ferrite was used as ceramics.

【0019】この表1からわかるとおり、本発明の実施
例は、焼成後の短絡が発生しないので同時焼成が可能で
ある。また本発明の実施例は、マイグレーションも発生
せず、信頼性が高いことがわかる。これに対し、例えば
比較例1および2のように絶縁層をガラスのみで構成し
た場合、短絡が発生してしまい、同時焼成ができない。
また、例えば比較例3のように絶縁層をフェライトのみ
で構成した場合、マイグレーションが起きてしまい、不
適当であった。
As can be seen from Table 1, in the embodiment of the present invention, simultaneous firing is possible because no short circuit occurs after firing. Further, it can be seen that the embodiment of the present invention does not cause migration and has high reliability. On the other hand, when the insulating layer is made of only glass as in Comparative Examples 1 and 2, a short circuit occurs and simultaneous firing cannot be performed.
Further, for example, when the insulating layer was composed of only ferrite as in Comparative Example 3, migration occurred, which was inappropriate.

【0020】[0020]

【表1】 [Table 1]

【0021】上記のとおり、本発明に係る積層絶縁構造
は、対向する電極間にガラス層をセラミック層で挟んだ
複合層を介在させているため同時焼成が可能であり、ま
たマイグレーションの問題がなく、信頼性が高いことが
わかる。このことは、積層チップ部品および多層基板等
の絶縁構造に極めて適しており、この積層絶縁構造を用
いることにより、低コストで優れた積層チップ部品およ
び多層基板を得ることができる。なお、ガラス層をセラ
ミック層で挟んだ複合層は、マイグレーションを防止す
る部分のみに部分的に形成しても良い。
As described above, the laminated insulating structure according to the present invention can be fired at the same time because the composite layer in which the glass layer is sandwiched between the ceramic layers is interposed between the opposing electrodes, and has no migration problem. It can be seen that the reliability is high. This is extremely suitable for an insulating structure such as a multilayer chip component and a multilayer substrate. By using this multilayer insulating structure, an excellent multilayer chip component and an excellent multilayer substrate can be obtained at low cost. Note that the composite layer in which the glass layer is sandwiched between the ceramic layers may be partially formed only in a portion where migration is prevented.

【0022】[0022]

【発明の効果】本発明によれば、積層チップ部品および
多層基板等の対向する2つの電極間を絶縁している絶縁
構造部分において、焼成時の短絡やマイグレーションを
防止することができ、しかも、一体化して同時に焼成す
ることが可能であるため安価に製造することができ、非
常に有用である。
According to the present invention, short-circuiting and migration during firing can be prevented in an insulating structure portion between two opposing electrodes, such as a laminated chip component and a multilayer substrate, and furthermore, Since they can be integrated and fired at the same time, they can be manufactured at low cost and are very useful.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係る一実施例の断面図である。FIG. 1 is a sectional view of an embodiment according to the present invention.

【図2】本発明に係る比較例の断面図である。FIG. 2 is a sectional view of a comparative example according to the present invention.

【図3】本発明に係る比較例3の断面図である。FIG. 3 is a sectional view of Comparative Example 3 according to the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 セラミック基板 2、6 電極 3、5、7 セラミック 4 ガラス DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Ceramic substrate 2, 6 Electrode 3, 5, 7 Ceramic 4 Glass

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 内川 晃夫 鳥取県鳥取市南栄町70番地2号日立金属株 式会社鳥取工場内 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (72) Inventor Akio Uchikawa 70-2 Minamisakaemachi, Tottori City, Tottori Prefecture Tottori Factory, Hitachi Metals, Ltd.

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 絶縁材料と電極材料とを適宜積層し、該
絶縁材料と電極材料を同時焼成して構成された積層構造
において、対向する電極間にガラス層をセラミック層で
挟んだ複合層を介在させたことを特徴とする積層絶縁構
造。
In a laminated structure in which an insulating material and an electrode material are appropriately laminated and the insulating material and the electrode material are simultaneously fired, a composite layer in which a glass layer is sandwiched between ceramic electrodes between opposing electrodes is provided. A laminated insulating structure characterized by being interposed.
【請求項2】 前記セラミックスが、フェライトである
ことを特徴とする請求項1に記載の積層絶縁構造。
2. The laminated insulating structure according to claim 1, wherein the ceramic is ferrite.
【請求項3】 前記ガラスが、非晶質または結晶質ガラ
スであることを特徴とする請求項1に記載の積層絶縁構
造。
3. The laminated insulating structure according to claim 1, wherein the glass is an amorphous or crystalline glass.
【請求項4】 前記電極が、AgまたはAgを含む合金
であることを特徴とする請求項1に記載の積層絶縁構
造。
4. The laminated insulating structure according to claim 1, wherein the electrode is made of Ag or an alloy containing Ag.
【請求項5】 前記絶縁材料および電極材料を、スクリ
ーン印刷で形成したことを特徴とする請求項1に記載の
積層絶縁構造。
5. The laminated insulating structure according to claim 1, wherein the insulating material and the electrode material are formed by screen printing.
【請求項6】 前記複合層において、焼成後のセラミッ
ク層の厚みがそれぞれ20μm以上、ガラス層の厚みが
10μm以上であることを特徴とする請求項1に記載の
積層絶縁構造。
6. The laminated insulating structure according to claim 1, wherein in the composite layer, the thickness of the fired ceramic layer is 20 μm or more, and the thickness of the glass layer is 10 μm or more.
JP24405297A 1997-09-09 1997-09-09 Laminated insulating structure Pending JPH1187916A (en)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010251691A (en) * 2009-03-27 2010-11-04 Kyocera Corp Wiring board

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JP2010251691A (en) * 2009-03-27 2010-11-04 Kyocera Corp Wiring board

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