JPH1187832A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
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- JPH1187832A JPH1187832A JP23859897A JP23859897A JPH1187832A JP H1187832 A JPH1187832 A JP H1187832A JP 23859897 A JP23859897 A JP 23859897A JP 23859897 A JP23859897 A JP 23859897A JP H1187832 A JPH1187832 A JP H1187832A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 レーザ特性を悪化させることなく、素子抵抗
を低減できる半導体レーザ装置を提供する。 【解決手段】 ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層とｎ型Ａ
ｌＧａＩｎＰクラッド層との間に活性層を備え、上記ｐ
型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層上にｐ型ＧａＩｎＰバンド
不連続緩和層を介してｐ型ＧａＡｓキャップ層が形成さ
れた半導体レーザ装置であって、上記ｐ型ＡｌＧａＩｎ
Ｐクラッド層と上記ｐ型ＧａＩｎＰバンド不連続緩和層
との間にさらに、ポテンシャル障壁が段階的に変化する
ように複数のＡｌＧａＩｎＰポテンシャルバリヤ抑制層
を形成し、かつ上記各ＡｌＧａＩｎＰポテンシャルバリ
ヤ抑制層の膜厚を上記ｐ型ＧａＩｎＰバンド不連続緩和
層の膜厚より薄く設定した
を低減できる半導体レーザ装置を提供する。 【解決手段】 ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層とｎ型Ａ
ｌＧａＩｎＰクラッド層との間に活性層を備え、上記ｐ
型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層上にｐ型ＧａＩｎＰバンド
不連続緩和層を介してｐ型ＧａＡｓキャップ層が形成さ
れた半導体レーザ装置であって、上記ｐ型ＡｌＧａＩｎ
Ｐクラッド層と上記ｐ型ＧａＩｎＰバンド不連続緩和層
との間にさらに、ポテンシャル障壁が段階的に変化する
ように複数のＡｌＧａＩｎＰポテンシャルバリヤ抑制層
を形成し、かつ上記各ＡｌＧａＩｎＰポテンシャルバリ
ヤ抑制層の膜厚を上記ｐ型ＧａＩｎＰバンド不連続緩和
層の膜厚より薄く設定した
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体レーザ装
置、特にＡｌＧａＩｎＰ系半導体を用いた赤色半導体レ
ーザ装置に関するものである。
置、特にＡｌＧａＩｎＰ系半導体を用いた赤色半導体レ
ーザ装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、光ディスクやＤＶＤ（Ｄｉｇｉｔ
ａｌ Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ Ｄｉｓｋ：デジタル・ヴァ
ーサタイル・ディスク）といった情報処理分野での高密
度化が進み、それに伴い光による書き込み・読みとりに
用いられる情報処理用半導体レーザのより一層の短波長
化が要求されている。半導体レーザの波長・構成材料も
これまでの７８０ｍｍ帯ＡｌＧａＡｓ系半導体レーザか
ら６８５ｎｍ帯ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザへ開発・
量産が移行し始めている。今後、さらにＡｌＧａＩｎＰ
系半導体レーザも６８５ｎｍ帯から６５０ｎｍあるいは
６３５ｎｍ帯へ短波長化が要求されている。
ａｌ Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ Ｄｉｓｋ：デジタル・ヴァ
ーサタイル・ディスク）といった情報処理分野での高密
度化が進み、それに伴い光による書き込み・読みとりに
用いられる情報処理用半導体レーザのより一層の短波長
化が要求されている。半導体レーザの波長・構成材料も
これまでの７８０ｍｍ帯ＡｌＧａＡｓ系半導体レーザか
ら６８５ｎｍ帯ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザへ開発・
量産が移行し始めている。今後、さらにＡｌＧａＩｎＰ
系半導体レーザも６８５ｎｍ帯から６５０ｎｍあるいは
６３５ｎｍ帯へ短波長化が要求されている。
【０００３】ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザを作製する
場合の一般的手法として、有機金属気相成長法（Ｍｅｔ
ａｌｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ
Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＭＯＣＶＤ）がある、この手法
は、例えばＡｌＧａＩｎＰ系半導体材料では、III族元
素であるアルミニウム（Ａｌ），ガリウム（Ｇａ）とイ
ンジウム（Ｉｎ）の原料としてそれぞれトリメチルアル
ミニウム（Ｔｒｉｍｅｔｈｙｌａｌｍｉｎｉｕｍ：ＴＭ
Ａ）、トリエチルガリウム（Ｔｒｉｅｔｈｙｌｇａｌｌ
ｉｕｍ：ＴＥＧ）、トリメチルインジウム（Ｔｒｉｍｅ
ｔｈｙｌｉｎｄｉｕｍ：ＴＭＩ）を用い、V族元素であ
るリン（Ｐ）の原料としてフォスフィン（Ｐｈｏｓｐｈ
ｉｎｅ：ＰＨ3）を用い、これらを熱分解させ結晶格子
定数がほぼ同じであるＧａＡｓ基板上に結晶を成長させ
る手法である。ＡｌＧａＩｎＰ系半導体材料では、光を
発生・伝搬する活性層（（Ａｌ）ＧａＩｎＰ層）を活性
層よりもエネルギー禁制帯幅（バンドギャップ）の広い
ｎ型とｐ型のＡｌＧａＩｎＰ層で挟み込んだダブルヘテ
ロ（Ｄｏｕｂｌｅｈｅｔｅｒｏ：ＤＨ）構造を作製す
る。このようなＤＨ構造を用いてレーザを作製するとき
には、このＤＨ構造の両側にｐ型とｎ型のオーミック性
電極を形成する。オーミック性電極を形成するために
は、高濃度にドーピングでき、比抵抗の小さなＧａＡｓ
層が電極形成層として一般的に用いられる。
場合の一般的手法として、有機金属気相成長法（Ｍｅｔ
ａｌｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ
Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＭＯＣＶＤ）がある、この手法
は、例えばＡｌＧａＩｎＰ系半導体材料では、III族元
素であるアルミニウム（Ａｌ），ガリウム（Ｇａ）とイ
ンジウム（Ｉｎ）の原料としてそれぞれトリメチルアル
ミニウム（Ｔｒｉｍｅｔｈｙｌａｌｍｉｎｉｕｍ：ＴＭ
Ａ）、トリエチルガリウム（Ｔｒｉｅｔｈｙｌｇａｌｌ
ｉｕｍ：ＴＥＧ）、トリメチルインジウム（Ｔｒｉｍｅ
ｔｈｙｌｉｎｄｉｕｍ：ＴＭＩ）を用い、V族元素であ
るリン（Ｐ）の原料としてフォスフィン（Ｐｈｏｓｐｈ
ｉｎｅ：ＰＨ3）を用い、これらを熱分解させ結晶格子
定数がほぼ同じであるＧａＡｓ基板上に結晶を成長させ
る手法である。ＡｌＧａＩｎＰ系半導体材料では、光を
発生・伝搬する活性層（（Ａｌ）ＧａＩｎＰ層）を活性
層よりもエネルギー禁制帯幅（バンドギャップ）の広い
ｎ型とｐ型のＡｌＧａＩｎＰ層で挟み込んだダブルヘテ
ロ（Ｄｏｕｂｌｅｈｅｔｅｒｏ：ＤＨ）構造を作製す
る。このようなＤＨ構造を用いてレーザを作製するとき
には、このＤＨ構造の両側にｐ型とｎ型のオーミック性
電極を形成する。オーミック性電極を形成するために
は、高濃度にドーピングでき、比抵抗の小さなＧａＡｓ
層が電極形成層として一般的に用いられる。
【０００４】しかしながら、ＡｌＧａＩｎＰ層を備えた
半導体レーザでは、特に、ｐ型ＧａＡｓ層とｐ型ＡｌＧ
ａＩｎＰ層との間には大きなバンドギャップ差が存在
し、かつ、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ層はバンドギャップが大
きく、高濃度のドーピングが難しいことからｐ型ＧａＡ
ｓ層との間にバンド不連続によるポテンシャルバリアが
形成される。このため、レーザ駆動時に正孔（ｈｏｌ
ｅ）の注入がうまくいかず動作電圧の上昇および素子抵
抗の上昇を引き起こし、実使用上大きな問題となる。そ
こで、このような問題を解決するために一般的に良く用
いられているのがｐ型ＧａＡｓ層とｐ型ＡｌＧａＩｎＰ
層の間にその中間的なバンドギャップを有するｐ型Ｇａ
ＩｎＰ層を挿入し、バンド不連続を緩和する構造が提案
されている。
半導体レーザでは、特に、ｐ型ＧａＡｓ層とｐ型ＡｌＧ
ａＩｎＰ層との間には大きなバンドギャップ差が存在
し、かつ、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ層はバンドギャップが大
きく、高濃度のドーピングが難しいことからｐ型ＧａＡ
ｓ層との間にバンド不連続によるポテンシャルバリアが
形成される。このため、レーザ駆動時に正孔（ｈｏｌ
ｅ）の注入がうまくいかず動作電圧の上昇および素子抵
抗の上昇を引き起こし、実使用上大きな問題となる。そ
こで、このような問題を解決するために一般的に良く用
いられているのがｐ型ＧａＡｓ層とｐ型ＡｌＧａＩｎＰ
層の間にその中間的なバンドギャップを有するｐ型Ｇａ
ＩｎＰ層を挿入し、バンド不連続を緩和する構造が提案
されている。
【０００５】図８は、このようなｐ型ＧａＩｎＰバンド
不連続緩和層が形成された従来例のＡｌＧａＩｎＰ系半
導体レーザの構成を模式的に示す断面図である。この従
来例のＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザは、ｎ型ＧａＡｓ
基板１上に図８に示す各層が、ＭＯＣＶＤ法で成長形成
されて構成される。ここで、図８において、２は、ｎ型
ＧａＡｓバッファ層（２×１０18ｃｍ-3，０．５μ
ｍ）、３は、ｎ型（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラ
ッド層３（４×１０17ｃｍ-3，１．５μｍ、４は、６５
０ｎｍ帯アンドープ（Ａｌ0.5Ｇａ0.5）0.5Ｉｎ0.5Ｐ／
ＧａＩｎＰ三重量子井戸活性層（井戸層６ｎｍ×３、障
壁層４ｎｍ×２，光ガイド層３５ｎｍ×２の計９６ｎ
ｍ）、５は、ｐ型（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐ第１
クラッド層５（４×１０17ｃｍ-3，０．２μｍ）、６
は、ｐ型Ｇａ0.5Ｉｎ0.5Ｐエッチングストッパ層（１×
１０18ｃｍ-3，５ｎｍ）、７は、ｐ型（Ａｌ0.7Ｇ
ａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐ第２クラッド層（７×１０17ｃｍ
-3，１．２５μｍ）、８は、ｐ型Ｇａ0.5Ｉｎ0.5Ｐバン
ド不連続緩和層（１．５×１０18ｃｍ-3，０．１μ
ｍ）、９は、ｐ型ＧａＡｓキャップ層（２×１０19ｃｍ
-3，０．４μｍ）、１２は、アンドープＧａＡｓブロッ
ク層（０．３μｍ）、１３は、ｎ型ＧａＡｓブロック層
（４×１０18ｃｍ-3，０．７μｍ）、１４は、ｐ型Ｇａ
Ａｓコンタクト層（２×１０19ｃｍ-3，２．５μｍ）で
ある。
不連続緩和層が形成された従来例のＡｌＧａＩｎＰ系半
導体レーザの構成を模式的に示す断面図である。この従
来例のＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザは、ｎ型ＧａＡｓ
基板１上に図８に示す各層が、ＭＯＣＶＤ法で成長形成
されて構成される。ここで、図８において、２は、ｎ型
ＧａＡｓバッファ層（２×１０18ｃｍ-3，０．５μ
ｍ）、３は、ｎ型（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラ
ッド層３（４×１０17ｃｍ-3，１．５μｍ、４は、６５
０ｎｍ帯アンドープ（Ａｌ0.5Ｇａ0.5）0.5Ｉｎ0.5Ｐ／
ＧａＩｎＰ三重量子井戸活性層（井戸層６ｎｍ×３、障
壁層４ｎｍ×２，光ガイド層３５ｎｍ×２の計９６ｎ
ｍ）、５は、ｐ型（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐ第１
クラッド層５（４×１０17ｃｍ-3，０．２μｍ）、６
は、ｐ型Ｇａ0.5Ｉｎ0.5Ｐエッチングストッパ層（１×
１０18ｃｍ-3，５ｎｍ）、７は、ｐ型（Ａｌ0.7Ｇ
ａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐ第２クラッド層（７×１０17ｃｍ
-3，１．２５μｍ）、８は、ｐ型Ｇａ0.5Ｉｎ0.5Ｐバン
ド不連続緩和層（１．５×１０18ｃｍ-3，０．１μ
ｍ）、９は、ｐ型ＧａＡｓキャップ層（２×１０19ｃｍ
-3，０．４μｍ）、１２は、アンドープＧａＡｓブロッ
ク層（０．３μｍ）、１３は、ｎ型ＧａＡｓブロック層
（４×１０18ｃｍ-3，０．７μｍ）、１４は、ｐ型Ｇａ
Ａｓコンタクト層（２×１０19ｃｍ-3，２．５μｍ）で
ある。
【０００６】ここで、ｎ型ＧａＡｓ基板１の上面の面方
向は、（００１）から［１１０］方向に１０°傾斜する
ように形成されている。また、ｐ型（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）
0.5Ｉｎ0.5Ｐ第２クラッド層７、ｐ型Ｇａ0.5Ｉｎ0.5Ｐ
バンド不連続緩和層８、ｐ型ＧａＡｓキャップ層９によ
って、峰状のリッジ部１１が形成され、リッジ部１１の
底部は、例えば５．５μｍの幅に設定される。尚、リッ
ジ部１１は、その長手方向が［１１０］方向に一致する
ように形成される。その後、表・裏面に電極が形成さ
れ、所定の長さに劈開された後、端面がコーティングさ
れて従来例の半導体レーザが作製される。
向は、（００１）から［１１０］方向に１０°傾斜する
ように形成されている。また、ｐ型（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）
0.5Ｉｎ0.5Ｐ第２クラッド層７、ｐ型Ｇａ0.5Ｉｎ0.5Ｐ
バンド不連続緩和層８、ｐ型ＧａＡｓキャップ層９によ
って、峰状のリッジ部１１が形成され、リッジ部１１の
底部は、例えば５．５μｍの幅に設定される。尚、リッ
ジ部１１は、その長手方向が［１１０］方向に一致する
ように形成される。その後、表・裏面に電極が形成さ
れ、所定の長さに劈開された後、端面がコーティングさ
れて従来例の半導体レーザが作製される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来例
のバンド不連続緩和層を挿入した半導体レーザでは、素
子抵抗を十分低減することはできなかった。素子抵抗を
低減するためにはｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層のキャ
リア濃度を高くすることも考えられるが、ｐ型不純物で
あるＺｎを高ドーピングした場合には、活性層へのＺｎ
の拡散が進み、レーザ特性が悪化するという新たな問題
を生じる。そのため、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ層のキャリア
濃度は７×１０17ｃｍ-3が限界であり、このＺｎを高ド
ーピングする方法でも素子抵抗を十分低下させることは
できなかった。
のバンド不連続緩和層を挿入した半導体レーザでは、素
子抵抗を十分低減することはできなかった。素子抵抗を
低減するためにはｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層のキャ
リア濃度を高くすることも考えられるが、ｐ型不純物で
あるＺｎを高ドーピングした場合には、活性層へのＺｎ
の拡散が進み、レーザ特性が悪化するという新たな問題
を生じる。そのため、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ層のキャリア
濃度は７×１０17ｃｍ-3が限界であり、このＺｎを高ド
ーピングする方法でも素子抵抗を十分低下させることは
できなかった。
【０００８】本発明の目的は、以上の問題点を解決し
て、レーザ特性を悪化させることなく、素子抵抗を低減
できる半導体レーザ装置を提供することにある。
て、レーザ特性を悪化させることなく、素子抵抗を低減
できる半導体レーザ装置を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記ｐ型Ａｌ
ＧａＩｎＰクラッド層上にｐ型ＧａＩｎＰバンド不連続
緩和層を介してｐ型ＧａＡｓキャップ層が形成された半
導体レーザ装置において、中間的なバンドギャップエネ
ルギーを有する複数のＡｌＧａＩｎＰ半導体ポテンシャ
ルバリヤ抑制層を形成することにより、活性層へのホー
ルの注入をスムースにでき、かつ該バリヤ抑制層の膜厚
をバンド不連続緩和層より薄くすることにより発生した
レーザ光を吸収しないようにできることを見いだして完
成させたものである。すなわち、本発明に係る半導体レ
ーザ装置は、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ半導体クラッド層とｎ
型ＡｌＧａＩｎＰ半導体クラッド層との間に活性層を備
え、上記ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ半導体クラッド層上にｐ型
ＧａＩｎＰバンド不連続緩和層を介してｐ型ＧａＡｓキ
ャップ層が形成された半導体レーザ装置であって、上記
ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ半導体クラッド層と上記ｐ型ＧａＩ
ｎＰバンド不連続緩和層との間にさらに、ポテンシャル
障壁が段階的に変化するように複数のＡｌＧａＩｎＰ半
導体ポテンシャルバリヤ抑制層を形成し、かつ上記各Ａ
ｌＧａＩｎＰ半導体ポテンシャルバリヤ抑制層の膜厚を
上記ｐ型ＧａＩｎＰバンド不連続緩和層の膜厚より薄く
設定したことを特徴とする。ここで、ＡｌＧａＩｎＰ半
導体とは、一般式（ＡｌxＧａx-1）yＩｎy-1Ｐで表され
る半導体のことである。但し、０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１
である。
ＧａＩｎＰクラッド層上にｐ型ＧａＩｎＰバンド不連続
緩和層を介してｐ型ＧａＡｓキャップ層が形成された半
導体レーザ装置において、中間的なバンドギャップエネ
ルギーを有する複数のＡｌＧａＩｎＰ半導体ポテンシャ
ルバリヤ抑制層を形成することにより、活性層へのホー
ルの注入をスムースにでき、かつ該バリヤ抑制層の膜厚
をバンド不連続緩和層より薄くすることにより発生した
レーザ光を吸収しないようにできることを見いだして完
成させたものである。すなわち、本発明に係る半導体レ
ーザ装置は、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ半導体クラッド層とｎ
型ＡｌＧａＩｎＰ半導体クラッド層との間に活性層を備
え、上記ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ半導体クラッド層上にｐ型
ＧａＩｎＰバンド不連続緩和層を介してｐ型ＧａＡｓキ
ャップ層が形成された半導体レーザ装置であって、上記
ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ半導体クラッド層と上記ｐ型ＧａＩ
ｎＰバンド不連続緩和層との間にさらに、ポテンシャル
障壁が段階的に変化するように複数のＡｌＧａＩｎＰ半
導体ポテンシャルバリヤ抑制層を形成し、かつ上記各Ａ
ｌＧａＩｎＰ半導体ポテンシャルバリヤ抑制層の膜厚を
上記ｐ型ＧａＩｎＰバンド不連続緩和層の膜厚より薄く
設定したことを特徴とする。ここで、ＡｌＧａＩｎＰ半
導体とは、一般式（ＡｌxＧａx-1）yＩｎy-1Ｐで表され
る半導体のことである。但し、０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１
である。
【００１０】また、本発明に係る半導体レーザ装置にお
いては、上記ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ半導体クラッド層及び
上記各ＡｌＧａＩｎＰ半導体ポテンシャルバリヤ抑制層
のＡｌの含有量を、上記ｐ型ＧａＩｎＰバンド不連続緩
和層の近くに形成される層ほど少なくなるように設定す
ることにより、上記ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ半導体クラッド
層と上記ｐ型ＧａＩｎＰバンド不連続緩和層の間のポテ
ンシャル障壁を段階的に変化するようにできる。
いては、上記ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ半導体クラッド層及び
上記各ＡｌＧａＩｎＰ半導体ポテンシャルバリヤ抑制層
のＡｌの含有量を、上記ｐ型ＧａＩｎＰバンド不連続緩
和層の近くに形成される層ほど少なくなるように設定す
ることにより、上記ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ半導体クラッド
層と上記ｐ型ＧａＩｎＰバンド不連続緩和層の間のポテ
ンシャル障壁を段階的に変化するようにできる。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る実施の形態に
ついて説明する。本発明は、それぞれ一般式（ＡｌxＧ
ａx-1）yＩｎy-1Ｐで表されるｐ型クラッド層とｎ型ク
ラッド層との間に活性層を備え、ｐ型クラッド層上にｐ
型ＧａＩｎＰバンド不連続緩和層を介してｐ型ＧａＡｓ
キャップ層が形成された半導体レーザ装置において、
（１）上記ｐ型クラッド層と上記ｐ型ＧａＩｎＰバンド
不連続緩和層との間に、上記ｐ型クラッド層と上記ｐ型
ＧａＩｎＰバンド不連続緩和層との中間的なバンドギャ
ップエネルギーを有する複数のＡｌＧａＩｎＰ系半導体
からなるポテンシャルバリヤ抑制層を形成することによ
り、ｐ型クラッド層と不連続緩和層との間のバンドギャ
ップエネルギーが段階的に変化するようにし、かつ
（２）上記各ＡｌＧａＩｎＰ系半導体ポテンシャルバリ
ヤ抑制層の膜厚を上記ｐ型ＧａＩｎＰバンド不連続緩和
層の膜厚より薄く設定することにより、リッジ部の高さ
を従来と実質的に同等に保ち、リッジ部の高さが高くな
ることによるデバイス作製上の問題の発生を防止してい
る。これによって、ｐ型クラッド層のキャリヤ濃度を高
くすることなく、素子抵抗を低減、言い換えると、レー
ザ発振特性を損なうことなく、素子抵抗を低減すること
ができる。
ついて説明する。本発明は、それぞれ一般式（ＡｌxＧ
ａx-1）yＩｎy-1Ｐで表されるｐ型クラッド層とｎ型ク
ラッド層との間に活性層を備え、ｐ型クラッド層上にｐ
型ＧａＩｎＰバンド不連続緩和層を介してｐ型ＧａＡｓ
キャップ層が形成された半導体レーザ装置において、
（１）上記ｐ型クラッド層と上記ｐ型ＧａＩｎＰバンド
不連続緩和層との間に、上記ｐ型クラッド層と上記ｐ型
ＧａＩｎＰバンド不連続緩和層との中間的なバンドギャ
ップエネルギーを有する複数のＡｌＧａＩｎＰ系半導体
からなるポテンシャルバリヤ抑制層を形成することによ
り、ｐ型クラッド層と不連続緩和層との間のバンドギャ
ップエネルギーが段階的に変化するようにし、かつ
（２）上記各ＡｌＧａＩｎＰ系半導体ポテンシャルバリ
ヤ抑制層の膜厚を上記ｐ型ＧａＩｎＰバンド不連続緩和
層の膜厚より薄く設定することにより、リッジ部の高さ
を従来と実質的に同等に保ち、リッジ部の高さが高くな
ることによるデバイス作製上の問題の発生を防止してい
る。これによって、ｐ型クラッド層のキャリヤ濃度を高
くすることなく、素子抵抗を低減、言い換えると、レー
ザ発振特性を損なうことなく、素子抵抗を低減すること
ができる。
【００１２】ここで、ＡｌＧａＩｎＰ系半導体は、Ａｌ
の含有量を減少させることによりバンドギャップエネル
ギーを大きくできる。従って、本願発明では、第１ポテ
ンシャルバリヤ抑制層の半導体の組成を（Ａｌx1Ｇａ
x1-1）yＩｎy-1Ｐ、第２ポテンシャルバリヤ抑制層の半
導体の組成を（Ａｌx2Ｇａx2-1）yＩｎy-1Ｐ、…第ｎポ
テンシャルバリヤ抑制層の半導体の組成を（ＡｌxnＧａ
xn-1）yＩｎy-1Ｐとし、ｐ型クラッド層の半導体の組成
を（Ａｌx0Ｇａx0-1）yＩｎy-1Ｐとしたときに、ｘ０＞
ｘ１＞ｘ２…＞ｘｎとなるように設定することにより、
ｐ型クラッド層と不連続緩和層との間のバンドギャップ
エネルギーが段階的に変化するようにできる。
の含有量を減少させることによりバンドギャップエネル
ギーを大きくできる。従って、本願発明では、第１ポテ
ンシャルバリヤ抑制層の半導体の組成を（Ａｌx1Ｇａ
x1-1）yＩｎy-1Ｐ、第２ポテンシャルバリヤ抑制層の半
導体の組成を（Ａｌx2Ｇａx2-1）yＩｎy-1Ｐ、…第ｎポ
テンシャルバリヤ抑制層の半導体の組成を（ＡｌxnＧａ
xn-1）yＩｎy-1Ｐとし、ｐ型クラッド層の半導体の組成
を（Ａｌx0Ｇａx0-1）yＩｎy-1Ｐとしたときに、ｘ０＞
ｘ１＞ｘ２…＞ｘｎとなるように設定することにより、
ｐ型クラッド層と不連続緩和層との間のバンドギャップ
エネルギーが段階的に変化するようにできる。
【００１３】本実施の形態では、リッジ部を形成する上
でのデバイス製作上の制約もあり、ｐ型ＧａＩｎＰバン
ド不連続緩和層及び上記複数のＡｌＧａＩｎＰポテンシ
ャルバリヤ抑制層の合計の膜厚を、０．１μｍ以下に設
定することが好ましい。
でのデバイス製作上の制約もあり、ｐ型ＧａＩｎＰバン
ド不連続緩和層及び上記複数のＡｌＧａＩｎＰポテンシ
ャルバリヤ抑制層の合計の膜厚を、０．１μｍ以下に設
定することが好ましい。
【００１４】図１は本発明に係る一実施の形態の半導体
レーザの構成を示す模式断面図であり、図８の従来例の
半導体レーザに比較して、ｐ型（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5
Ｉｎ0.5Ｐ第２クラッド層７とｐ型Ｇａ0.5Ｉｎ0.5Ｐバ
ンド不連続緩和層８との間に、ｐ型（Ａｌ0.5Ｇａ0.5）
0.5Ｉｎ0.5Ｐ第１ポテンシャルバリア抑制層１５及び、
ｐ型（Ａｌ0.3Ｇａ0.7）0.5Ｉｎ0.5Ｐ第２ポテンシャル
バリア抑制層１６を形成したことを特徴とし、これによ
って従来例に比較して素子抵抗が低減される。尚、 本
発明に係る実施の形態のＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザ
は、従来例と同様、ダブルヘテロ（ＤＨ）構造であっ
て、図１において、従来例と同様のものには同様の符号
を付して示している。
レーザの構成を示す模式断面図であり、図８の従来例の
半導体レーザに比較して、ｐ型（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5
Ｉｎ0.5Ｐ第２クラッド層７とｐ型Ｇａ0.5Ｉｎ0.5Ｐバ
ンド不連続緩和層８との間に、ｐ型（Ａｌ0.5Ｇａ0.5）
0.5Ｉｎ0.5Ｐ第１ポテンシャルバリア抑制層１５及び、
ｐ型（Ａｌ0.3Ｇａ0.7）0.5Ｉｎ0.5Ｐ第２ポテンシャル
バリア抑制層１６を形成したことを特徴とし、これによ
って従来例に比較して素子抵抗が低減される。尚、 本
発明に係る実施の形態のＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザ
は、従来例と同様、ダブルヘテロ（ＤＨ）構造であっ
て、図１において、従来例と同様のものには同様の符号
を付して示している。
【００１５】以下、図１のＡｌＧａＩｎＰ系半導体レー
ザの製造方法について説明する。該製造方法においては
まず、図２に示すように、ｎ型ＧａＡｓ基板１の面方位
が（００１）から［１１０］方向に１０°傾斜した上面
に、例えばｎ型ＧａＡｓバッファ層２（２×１０18ｃｍ
-3）を０．５μｍ、ｎ型（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5
Ｐクラッド層３（４×１０17ｃｍ-3）を１．５μｍ、６
５０ｎｍ帯アンドープ（Ａｌ0.5Ｇａ0.5）0.5Ｉｎ0.5Ｐ
／ＧａＩｎＰ三重量子井戸活性層４（井戸層６ｎｍ×
３、障壁層４ｎｍ×２，光ガイド層３５ｎｍ×２の計９
６ｎｍ）、ｐ型（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐ第１ク
ラッド層５（４×１０17ｃｍ-3）を０．２μｍ、ｐ型Ｇ
ａ0.5Ｉｎ0.5Ｐエッチングストッパ層６（１×１０18ｃ
ｍ-3）を５ｎｍ、ｐ型（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐ
第２クラッド層７ａ（７×１０17ｃｍ-3）を１．２５μ
ｍ、ｐ型（Ａｌ0.5Ｇａ0.5）0.5Ｉｎ0.5Ｐ第１ポテンシ
ャルバリア抑制層１５ａ（８×１０17ｃｍ-3）を０．０
２μｍ、ｐ型（Ａｌ0.3Ｇａ0.7）0.5Ｉｎ0.5Ｐ第２ポテ
ンシャルバリア抑制層１６ａ（１×１０18ｃｍ-3）を
０．０２μｍ、Ｐ−Ｇａ0.5Ｉｎ0.5Ｐバンド不連続緩和
層８ａ（１．５×１０18ｃｍ-3）を０．０６μｍ、ｐ型
ＧａＡｓキャップ層９ａ（２×１０19ｃｍ-3）を０．４
μｍ順次ＭＯＣＶＤ法などにより成長する。
ザの製造方法について説明する。該製造方法においては
まず、図２に示すように、ｎ型ＧａＡｓ基板１の面方位
が（００１）から［１１０］方向に１０°傾斜した上面
に、例えばｎ型ＧａＡｓバッファ層２（２×１０18ｃｍ
-3）を０．５μｍ、ｎ型（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5
Ｐクラッド層３（４×１０17ｃｍ-3）を１．５μｍ、６
５０ｎｍ帯アンドープ（Ａｌ0.5Ｇａ0.5）0.5Ｉｎ0.5Ｐ
／ＧａＩｎＰ三重量子井戸活性層４（井戸層６ｎｍ×
３、障壁層４ｎｍ×２，光ガイド層３５ｎｍ×２の計９
６ｎｍ）、ｐ型（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐ第１ク
ラッド層５（４×１０17ｃｍ-3）を０．２μｍ、ｐ型Ｇ
ａ0.5Ｉｎ0.5Ｐエッチングストッパ層６（１×１０18ｃ
ｍ-3）を５ｎｍ、ｐ型（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐ
第２クラッド層７ａ（７×１０17ｃｍ-3）を１．２５μ
ｍ、ｐ型（Ａｌ0.5Ｇａ0.5）0.5Ｉｎ0.5Ｐ第１ポテンシ
ャルバリア抑制層１５ａ（８×１０17ｃｍ-3）を０．０
２μｍ、ｐ型（Ａｌ0.3Ｇａ0.7）0.5Ｉｎ0.5Ｐ第２ポテ
ンシャルバリア抑制層１６ａ（１×１０18ｃｍ-3）を
０．０２μｍ、Ｐ−Ｇａ0.5Ｉｎ0.5Ｐバンド不連続緩和
層８ａ（１．５×１０18ｃｍ-3）を０．０６μｍ、ｐ型
ＧａＡｓキャップ層９ａ（２×１０19ｃｍ-3）を０．４
μｍ順次ＭＯＣＶＤ法などにより成長する。
【００１６】次に、［１１０］方向に例えばＳｉＯＮか
らなる選択成長マスク１０を所定の幅（例えば、幅３．
０μｍ）に形成する。この選択成長マスク１０をエッチ
ングマスクとして用いて、選択成長マスク１０の両側の
各層を、例えばＨ2ＳＯ4：Ｈ2Ｏなどのエッチング液を
用いたウェットプロセスによってｐ型Ｇａ0.5Ｉｎ0.5Ｐ
エッチングストッパ層６上面まで除去することにより、
リッジ部１１を［１１０］方向に形成する（図３）。こ
こで、リッジ部１１の底部の幅は例えば５．５μｍに設
定する。次に、リッジ部１１の両側に、それぞれ埋込成
長層と呼ばれるアンドープＧａＡｓブロック層１２を例
えば０．３μｍ、ｎ型ＧａＡｓブロック層１３（４×１
０18ｃｍ-3）を例えば０．７μｍ順次成長させる（図
４）。さらに、ＳｉＯＮからなる選択成長マスク１０を
除去した後（図５）、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層１４
（２×１０19ｃｍ-3）を２．５μｍの厚さに成長するこ
とにより、図１に示す各層が形成される。その後、表・
裏面に電極を形成し、所定の共振器長になるように、リ
ッジ部１１の長手方向に垂直な面で劈開し、劈開面をコ
ーティングすることにより本実施の形態の半導体レーザ
を作製する。
らなる選択成長マスク１０を所定の幅（例えば、幅３．
０μｍ）に形成する。この選択成長マスク１０をエッチ
ングマスクとして用いて、選択成長マスク１０の両側の
各層を、例えばＨ2ＳＯ4：Ｈ2Ｏなどのエッチング液を
用いたウェットプロセスによってｐ型Ｇａ0.5Ｉｎ0.5Ｐ
エッチングストッパ層６上面まで除去することにより、
リッジ部１１を［１１０］方向に形成する（図３）。こ
こで、リッジ部１１の底部の幅は例えば５．５μｍに設
定する。次に、リッジ部１１の両側に、それぞれ埋込成
長層と呼ばれるアンドープＧａＡｓブロック層１２を例
えば０．３μｍ、ｎ型ＧａＡｓブロック層１３（４×１
０18ｃｍ-3）を例えば０．７μｍ順次成長させる（図
４）。さらに、ＳｉＯＮからなる選択成長マスク１０を
除去した後（図５）、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層１４
（２×１０19ｃｍ-3）を２．５μｍの厚さに成長するこ
とにより、図１に示す各層が形成される。その後、表・
裏面に電極を形成し、所定の共振器長になるように、リ
ッジ部１１の長手方向に垂直な面で劈開し、劈開面をコ
ーティングすることにより本実施の形態の半導体レーザ
を作製する。
【００１７】以上のように構成された実施の形態の半導
体レーザは、ｐ型（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐ第２
クラッド層７とｐ型Ｇａ0.5Ｉｎ0.5Ｐバンド不連続緩和
層８との間に、ｐ型（Ａｌ0.5Ｇａ0.5）0.5Ｉｎ0.5Ｐ第
１ポテンシャルバリア抑制層１５及び、ｐ型（Ａｌ0.3
Ｇａ0.7）0.5Ｉｎ0.5Ｐ第２ポテンシャルバリア抑制層
１６が形成されている。これによって、ｐ型（Ａｌ0.7
Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐ第２クラッド層７とｐ型Ｇａ0.5
Ｉｎ0.5Ｐバンド不連続緩和層８との間のポテンシャル
障壁を段階的に変化させることができるので、第２クラ
ッド層７とバンド不連続緩和層８間の抵抗を小さくで
き、半導体レーザ全体の素子抵抗を小さくできる。
体レーザは、ｐ型（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐ第２
クラッド層７とｐ型Ｇａ0.5Ｉｎ0.5Ｐバンド不連続緩和
層８との間に、ｐ型（Ａｌ0.5Ｇａ0.5）0.5Ｉｎ0.5Ｐ第
１ポテンシャルバリア抑制層１５及び、ｐ型（Ａｌ0.3
Ｇａ0.7）0.5Ｉｎ0.5Ｐ第２ポテンシャルバリア抑制層
１６が形成されている。これによって、ｐ型（Ａｌ0.7
Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐ第２クラッド層７とｐ型Ｇａ0.5
Ｉｎ0.5Ｐバンド不連続緩和層８との間のポテンシャル
障壁を段階的に変化させることができるので、第２クラ
ッド層７とバンド不連続緩和層８間の抵抗を小さくで
き、半導体レーザ全体の素子抵抗を小さくできる。
【００１８】このようにして作製したＤＨ構造でのバン
ド不連続緩和層８からｐ型クラッド層７までのポテンシ
ャルバリアをＣ−Ｖ測定を用いて測定した結果を図６に
示す。比較のため図８の従来例のポテンシャルバリアの
測定例も図７に合わせて示す。図６、図７から明らかな
ように、従来例では非常に高く幅の広いポテンシャルバ
リアが存在しているが、本発明によればポテンシャルバ
リア高さも低く、幅も狭くなっていることがわかる。次
に、実際に作製した図１のＡｌＧａＩｎＰ系半導体レー
ザのレーザ特性を表１に示す。
ド不連続緩和層８からｐ型クラッド層７までのポテンシ
ャルバリアをＣ−Ｖ測定を用いて測定した結果を図６に
示す。比較のため図８の従来例のポテンシャルバリアの
測定例も図７に合わせて示す。図６、図７から明らかな
ように、従来例では非常に高く幅の広いポテンシャルバ
リアが存在しているが、本発明によればポテンシャルバ
リア高さも低く、幅も狭くなっていることがわかる。次
に、実際に作製した図１のＡｌＧａＩｎＰ系半導体レー
ザのレーザ特性を表１に示す。
【００１９】
【表１】
【００２０】表１に示すように、本願発明では、素子抵
抗が従来の７〜８Ωから１Ω程度低減されていることが
わかる。さらに、素子抵抗低減効果により、他のレーザ
特性、例えば発振閾電流値（Ｉth）や駆動電流（Ｉop）
も若干下がっていることがわかる。
抗が従来の７〜８Ωから１Ω程度低減されていることが
わかる。さらに、素子抵抗低減効果により、他のレーザ
特性、例えば発振閾電流値（Ｉth）や駆動電流（Ｉop）
も若干下がっていることがわかる。
【００２１】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明に係る半導
体レーザ装置は、上記ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ系半導体クラ
ッド層と上記ｐ型ＧａＩｎＰバンド不連続緩和層との間
に、複数のＡｌＧａＩｎＰ系半導体ポテンシャルバリヤ
抑制層を形成しているので、上記ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ系
半導体クラッド層と上記ｐ型ＧａＩｎＰバンド不連続緩
和層との間のポテンシャル障壁が段階的に変化するよう
にでき、素子抵抗を低減できる。すなわち、本発明によ
れば、ｐ型クラッド層のキャリヤ濃度を高くすることな
く素子抵抗を低減できるので、レーザ特性が良好でかつ
素子抵抗の低い半導体レーザ装置を提供することができ
る。
体レーザ装置は、上記ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ系半導体クラ
ッド層と上記ｐ型ＧａＩｎＰバンド不連続緩和層との間
に、複数のＡｌＧａＩｎＰ系半導体ポテンシャルバリヤ
抑制層を形成しているので、上記ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ系
半導体クラッド層と上記ｐ型ＧａＩｎＰバンド不連続緩
和層との間のポテンシャル障壁が段階的に変化するよう
にでき、素子抵抗を低減できる。すなわち、本発明によ
れば、ｐ型クラッド層のキャリヤ濃度を高くすることな
く素子抵抗を低減できるので、レーザ特性が良好でかつ
素子抵抗の低い半導体レーザ装置を提供することができ
る。
【００２２】また、本発明に係る半導体レーザ装置にお
いては、上記ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ系半導体クラッド層及
び上記各ＡｌＧａＩｎＰ系半導体ポテンシャルバリヤ抑
制層のＡｌの含有量を、上記ｐ型ＧａＩｎＰバンド不連
続緩和層の近くに形成される層ほど少なくなるように設
定することにより、上記ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ半導体クラ
ッド層と上記ｐ型ＧａＩｎＰバンド不連続緩和層の間の
ポテンシャル障壁を容易に段階的に変化させることがで
きる。
いては、上記ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ系半導体クラッド層及
び上記各ＡｌＧａＩｎＰ系半導体ポテンシャルバリヤ抑
制層のＡｌの含有量を、上記ｐ型ＧａＩｎＰバンド不連
続緩和層の近くに形成される層ほど少なくなるように設
定することにより、上記ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ半導体クラ
ッド層と上記ｐ型ＧａＩｎＰバンド不連続緩和層の間の
ポテンシャル障壁を容易に段階的に変化させることがで
きる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明に係る一実施の形態の半導体レーザの
構成を示す模式断面図である。
構成を示す模式断面図である。
【図２】 実施の形態の半導体レーザの製造方法におい
て、各層が形成された後の模式断面図である。
て、各層が形成された後の模式断面図である。
【図３】 実施の形態の半導体レーザの製造方法におい
て、リッジ部が形成された後の模式断面図である。
て、リッジ部が形成された後の模式断面図である。
【図４】 実施の形態の半導体レーザの製造方法におい
て、リッジ部の両側に埋め込み層が形成された後の模式
断面図である。
て、リッジ部の両側に埋め込み層が形成された後の模式
断面図である。
【図５】 実施の形態の半導体レーザの製造方法におい
て、リッジ部の両側に埋め込み層が形成し、選択成長マ
スクを除去した後の模式断面図である。
て、リッジ部の両側に埋め込み層が形成し、選択成長マ
スクを除去した後の模式断面図である。
【図６】 図１の半導体レーザにおけるＣ−Ｖ測定結果
を示すグラフである。
を示すグラフである。
【図７】 従来例の半導体レーザにおけるＣ−Ｖ測定結
果を示すグラフである。
果を示すグラフである。
【図８】 従来例の半導体レーザの構成を示す模式断面
図である。
図である。
１ ｎ型ＧａＡｓ基板、２ ｎ型ＧａＡｓバッファ層、
３ ｎ型（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層、
４ （Ａｌ0.5Ｇａ0.5）0.5Ｉｎ0.5Ｐ／ＧａＩｎＰ三重
量子井戸活性層、５ ｐ型（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ
0.5Ｐ第１クラッド層、６ ｐ型Ｇａ0.5Ｉｎ0.5Ｐエッ
チングストッパ層、７ ｐ型（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉ
ｎ0.5Ｐ第２クラッド層、８ ｐ型Ｇａ0.5Ｉｎ0.5Ｐバ
ンド不連続緩和層、９ ｐ型ＧａＡｓキャップ層、１０
ＳｉＯＮからなる選択成長マスク、１１ リッジ部
分、１２ アンドープＧａＡｓブロック層、１３ ｎ型
ＧａＡｓブロック層、１４ ｐ型ＧａＡｓコンタクト
層、１５ ｐ型（Ａｌ0.5Ｇａ0.5）0.5Ｉｎ0.5Ｐ第１ポ
テンシャルバリア抑制層、１６ ｐ型（Ａｌ0.3Ｇ
ａ0.7）0.5Ｉｎ0.5Ｐ第２ポテンシャル抑制層。
３ ｎ型（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層、
４ （Ａｌ0.5Ｇａ0.5）0.5Ｉｎ0.5Ｐ／ＧａＩｎＰ三重
量子井戸活性層、５ ｐ型（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ
0.5Ｐ第１クラッド層、６ ｐ型Ｇａ0.5Ｉｎ0.5Ｐエッ
チングストッパ層、７ ｐ型（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉ
ｎ0.5Ｐ第２クラッド層、８ ｐ型Ｇａ0.5Ｉｎ0.5Ｐバ
ンド不連続緩和層、９ ｐ型ＧａＡｓキャップ層、１０
ＳｉＯＮからなる選択成長マスク、１１ リッジ部
分、１２ アンドープＧａＡｓブロック層、１３ ｎ型
ＧａＡｓブロック層、１４ ｐ型ＧａＡｓコンタクト
層、１５ ｐ型（Ａｌ0.5Ｇａ0.5）0.5Ｉｎ0.5Ｐ第１ポ
テンシャルバリア抑制層、１６ ｐ型（Ａｌ0.3Ｇ
ａ0.7）0.5Ｉｎ0.5Ｐ第２ポテンシャル抑制層。
Claims (2)
- 【請求項１】 ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ半導体クラッド層と
ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ半導体クラッド層との間に活性層を
備え、上記ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ半導体クラッド層上にｐ
型ＧａＩｎＰバンド不連続緩和層を介してｐ型ＧａＡｓ
キャップ層が形成された半導体レーザ装置であって、 上記ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ半導体クラッド層と上記ｐ型Ｇ
ａＩｎＰバンド不連続緩和層との間にさらに、バンドギ
ャップエネルギーが段階的に変化するように複数のＡｌ
ＧａＩｎＰ半導体ポテンシャルバリヤ抑制層を形成し、
かつ上記各ＡｌＧａＩｎＰ半導体ポテンシャルバリヤ抑
制層の膜厚を上記ｐ型ＧａＩｎＰバンド不連続緩和層の
膜厚より薄く設定したことを特徴とする半導体レーザ装
置。 - 【請求項２】 上記ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ半導体クラッド
層及び上記各ＡｌＧａＩｎＰ半導体ポテンシャルバリヤ
抑制層のＡｌの含有量を、上記ｐ型ＧａＩｎＰバンド不
連続緩和層の近くに形成される層ほど少なくした請求項
１記載の半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23859897A JP3777027B2 (ja) | 1997-09-03 | 1997-09-03 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23859897A JP3777027B2 (ja) | 1997-09-03 | 1997-09-03 | 半導体レーザ装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006006353A Division JP2006108715A (ja) | 2006-01-13 | 2006-01-13 | 半導体レーザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1187832A true JPH1187832A (ja) | 1999-03-30 |
| JP3777027B2 JP3777027B2 (ja) | 2006-05-24 |
Family
ID=17032580
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23859897A Expired - Lifetime JP3777027B2 (ja) | 1997-09-03 | 1997-09-03 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3777027B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7436870B2 (en) | 2004-06-08 | 2008-10-14 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device and method for manufacturing the same |
-
1997
- 1997-09-03 JP JP23859897A patent/JP3777027B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7436870B2 (en) | 2004-06-08 | 2008-10-14 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device and method for manufacturing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3777027B2 (ja) | 2006-05-24 |
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