JPH1186249A - 磁気ヘッドスライダおよびその製造方法 - Google Patents
磁気ヘッドスライダおよびその製造方法Info
- Publication number
- JPH1186249A JPH1186249A JP23681097A JP23681097A JPH1186249A JP H1186249 A JPH1186249 A JP H1186249A JP 23681097 A JP23681097 A JP 23681097A JP 23681097 A JP23681097 A JP 23681097A JP H1186249 A JPH1186249 A JP H1186249A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- substrate
- film
- magnetic head
- sacrificial layer
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- Adjustment Of The Magnetic Head Position Track Following On Tapes (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】磁気ヘッドスライダおよびその製造方法に関
し、製造時における反りを防止することにより製造歩留
まりを向上させることを目的とする。 【解決手段】基板１上で成膜した後、該基板１から剥離
して得られる磁気ヘッドスライダにおいて、側面が、成
膜工程で形成される反り防止層２により覆われる。
し、製造時における反りを防止することにより製造歩留
まりを向上させることを目的とする。 【解決手段】基板１上で成膜した後、該基板１から剥離
して得られる磁気ヘッドスライダにおいて、側面が、成
膜工程で形成される反り防止層２により覆われる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は磁気ヘッドスライダ
およびその製造方法に関するものである。
およびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、磁気ヘッドの製造コストの低減化
の一手段としてホリゾンタルスライダが注目されてい
る。従来、このスライダは図４に示すように、基板１上
にアルミニウム犠牲層３を成膜し、この後、アルミニウ
ム犠牲層３の上に蒸着あるいはメッキ工程によりホリゾ
ンタルスライダを膜形成し（図４（ａ）参照）、次い
で、アルミニウム犠牲層３をエッチングして前記ホリゾ
ンタルスライダを基板１から剥離する（図４（ｂ）参
照）。
の一手段としてホリゾンタルスライダが注目されてい
る。従来、このスライダは図４に示すように、基板１上
にアルミニウム犠牲層３を成膜し、この後、アルミニウ
ム犠牲層３の上に蒸着あるいはメッキ工程によりホリゾ
ンタルスライダを膜形成し（図４（ａ）参照）、次い
で、アルミニウム犠牲層３をエッチングして前記ホリゾ
ンタルスライダを基板１から剥離する（図４（ｂ）参
照）。
【０００３】かかる工程を経て得られた磁気ヘッドスラ
イダは、例えば図４（ｂ）に示すように、Ｎｉメッキ層
からなる本体層４の底面、すなわち浮上面５にＳｉＯ2
膜を形成して構成される。
イダは、例えば図４（ｂ）に示すように、Ｎｉメッキ層
からなる本体層４の底面、すなわち浮上面５にＳｉＯ2
膜を形成して構成される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述した従来
例において得られた磁気ヘッドスライダは浮上面５のＳ
ｉＯ2や本体層４のＮｉメッキ層の成膜時の残留応力の
解消によって反りが発生しやすく、磁気ヘッド装置に使
用した場合には安定した浮上量を得られないという欠点
を有する。
例において得られた磁気ヘッドスライダは浮上面５のＳ
ｉＯ2や本体層４のＮｉメッキ層の成膜時の残留応力の
解消によって反りが発生しやすく、磁気ヘッド装置に使
用した場合には安定した浮上量を得られないという欠点
を有する。
【０００５】本発明は、以上の欠点を解消すべくなされ
たもので、製造時における反りを防止することにより製
造歩留まりが良好な磁気ヘッドスライダを提供すること
により達成される。
たもので、製造時における反りを防止することにより製
造歩留まりが良好な磁気ヘッドスライダを提供すること
により達成される。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明によれば上記目的
は、基板１上で成膜した後、該基板１から剥離して得ら
れる磁気ヘッドスライダにおいて、側面が、成膜工程で
形成される反り防止層２により覆われる磁気ヘッドスラ
イダを提供することにより達成される。
は、基板１上で成膜した後、該基板１から剥離して得ら
れる磁気ヘッドスライダにおいて、側面が、成膜工程で
形成される反り防止層２により覆われる磁気ヘッドスラ
イダを提供することにより達成される。
【０００７】磁気ヘッドスライダは薄膜プロセスを使用
して基板１上に成膜されたものを基板１から分離して得
られるいわゆるホリゾンタルスライダであり、成膜工程
において側面に形成される反り防止層２は、薄膜プロセ
スにおいて発生した残留応力の解消に伴う反りの発生を
防止する。
して基板１上に成膜されたものを基板１から分離して得
られるいわゆるホリゾンタルスライダであり、成膜工程
において側面に形成される反り防止層２は、薄膜プロセ
スにおいて発生した残留応力の解消に伴う反りの発生を
防止する。
【０００８】また、このような磁気ヘッドスライダは、
請求項４に記載されるように、基板１上にアルミニウム
犠牲層３を成膜した後、該アルミニウム犠牲層３上にホ
リゾンタルスライダを膜形成し、次いで、ホリゾンタル
スライダ上にＳｉＯ2膜を全面に渡って成膜して反り防
止層２を形成し、この後、アルミニウム犠牲層３をエッ
チングして少なくとも側壁に反り防止層２が残存するス
ライダを得る磁気ヘッドスライダの製造方法によって得
られる。
請求項４に記載されるように、基板１上にアルミニウム
犠牲層３を成膜した後、該アルミニウム犠牲層３上にホ
リゾンタルスライダを膜形成し、次いで、ホリゾンタル
スライダ上にＳｉＯ2膜を全面に渡って成膜して反り防
止層２を形成し、この後、アルミニウム犠牲層３をエッ
チングして少なくとも側壁に反り防止層２が残存するス
ライダを得る磁気ヘッドスライダの製造方法によって得
られる。
【０００９】
【発明の実施の形態】図１ないし図３に本発明に係る磁
気ヘッドスライダの製造工程を示す。磁気ヘッドスライ
ダの製造工程は、レール型形成工程、Ａｌ犠牲層形成工
程、浮上面形成工程、本体層形成工程、側面層形成工程
および分離工程からなる。
気ヘッドスライダの製造工程を示す。磁気ヘッドスライ
ダの製造工程は、レール型形成工程、Ａｌ犠牲層形成工
程、浮上面形成工程、本体層形成工程、側面層形成工程
および分離工程からなる。
【００１０】図３（ａ）ないし（ｃ）に示すレール型形
成工程は基板１上にＡｌレール層７を形成する工程で、
まず、基板１上にＡｌ７’を蒸着し（図３（ａ）参
照）、次いで、所定位置にマスクレジスト６をプリント
した後（図３（ｂ）参照）、ケミカルエッチングで残余
のＡｌ層７’を除去する（図３（ｃ）参照）。この後、
図３（ｄ）に示すように、基板１表面、およびＡｌレー
ル層７にＡｌを蒸着して１μｍ程度の厚さのアルミニウ
ム犠牲層３を成膜するＡｌ犠牲層形成工程が続けられ
る。
成工程は基板１上にＡｌレール層７を形成する工程で、
まず、基板１上にＡｌ７’を蒸着し（図３（ａ）参
照）、次いで、所定位置にマスクレジスト６をプリント
した後（図３（ｂ）参照）、ケミカルエッチングで残余
のＡｌ層７’を除去する（図３（ｃ）参照）。この後、
図３（ｄ）に示すように、基板１表面、およびＡｌレー
ル層７にＡｌを蒸着して１μｍ程度の厚さのアルミニウ
ム犠牲層３を成膜するＡｌ犠牲層形成工程が続けられ
る。
【００１１】次いで、図３（ｅ）ないし（ｇ）に示す浮
上面形成工程においてアルミニウム犠牲層３上にＳｉＯ
2浮上面５を形成する。浮上面５の形成のために、ま
ず、アルミニウム犠牲層３上に３μｍ程度の厚みのＳｉ
Ｏ2層５’をスパッタリングにより成膜し（図３（ｅ）
参照）、次いで、マスクレジスト８を形成した後（図３
（ｆ）参照）、ＣＦ4で周辺のＳｉＯ2層５’を除去し、
さらに、マスクレジスト８を除去する（図３（ｇ）参
照）。
上面形成工程においてアルミニウム犠牲層３上にＳｉＯ
2浮上面５を形成する。浮上面５の形成のために、ま
ず、アルミニウム犠牲層３上に３μｍ程度の厚みのＳｉ
Ｏ2層５’をスパッタリングにより成膜し（図３（ｅ）
参照）、次いで、マスクレジスト８を形成した後（図３
（ｆ）参照）、ＣＦ4で周辺のＳｉＯ2層５’を除去し、
さらに、マスクレジスト８を除去する（図３（ｇ）参
照）。
【００１２】図３（ｈ）ないし（ｋ）に示す本体層形成
工程は、メッキ工程により本体層４を形成する工程で、
まず、浮上面５、およびアルミニウム犠牲層３の上面に
ＮｉＦｅメッキベース９を蒸着した後（図３（ｈ）参
照）、浮上面５を包囲するようにメッキ用レジスト１０
をパターニングする（図３（ｉ）参照）。次いで、浮上
面５上にＮｉメッキ層をほぼ６０μｍ程度成長させた後
（図３（ｊ）参照）、メッキ用レジスト１０を除去し本
体層４を形成する（図３（ｋ）参照）。
工程は、メッキ工程により本体層４を形成する工程で、
まず、浮上面５、およびアルミニウム犠牲層３の上面に
ＮｉＦｅメッキベース９を蒸着した後（図３（ｈ）参
照）、浮上面５を包囲するようにメッキ用レジスト１０
をパターニングする（図３（ｉ）参照）。次いで、浮上
面５上にＮｉメッキ層をほぼ６０μｍ程度成長させた後
（図３（ｊ）参照）、メッキ用レジスト１０を除去し本
体層４を形成する（図３（ｋ）参照）。
【００１３】図１（ａ）ないし（ｃ）に示す側面層形成
工程は本体層４の側面に反り防止層２を形成する工程
で、まず、アルミニウム犠牲層３上のＮｉＦｅメッキベ
ース９上、および本体層４の表層をＳｉＯ2スパッタ膜
２’で覆い（図１（ａ）参照）、次いで、全面イオンミ
リングで本体層４上面、およびアルミニウム犠牲層３上
のＳｉＯ2スパッタ膜２’を除去し（図１（ｂ）参
照）、この後、アルミニウム犠牲層３上のＮｉＦｅメッ
キベース９を除去して側面に反り防止層２を残存させる
（図１（ｃ）参照）。
工程は本体層４の側面に反り防止層２を形成する工程
で、まず、アルミニウム犠牲層３上のＮｉＦｅメッキベ
ース９上、および本体層４の表層をＳｉＯ2スパッタ膜
２’で覆い（図１（ａ）参照）、次いで、全面イオンミ
リングで本体層４上面、およびアルミニウム犠牲層３上
のＳｉＯ2スパッタ膜２’を除去し（図１（ｂ）参
照）、この後、アルミニウム犠牲層３上のＮｉＦｅメッ
キベース９を除去して側面に反り防止層２を残存させる
（図１（ｃ）参照）。
【００１４】なお、上述した側面層形成工程において
は、反り防止層２は本体の側面にのみ形成されるが、図
２に示す工程をとって本体層の上面にも反り防止層２を
形成してもよい。すなわち、図２に示す変形例におい
て、図１（ａ）と同様にアルミニウム犠牲層３上のＮｉ
Ｆｅメッキベース９上、および本体層４の表層をＳｉＯ
2スパッタ膜２’で覆った後（図２（ａ）参照）、Ｓｉ
Ｏ2スパッタ膜２’の天井壁面にマスクレジスト１１を
塗布する（図２（ｂ）参照）。この後、イオンミリング
により本体層４上面、およびアルミニウム犠牲層３上の
ＳｉＯ2スパッタ膜２’を除去し、さらにアルミニウム
犠牲層３上のＮｉＦｅメッキベース９を除去した後（図
１（ｃ）参照）、マスクレジスト１１を除去して上面、
および側面に反り防止層２を残存させる（図１（ｄ）参
照）。
は、反り防止層２は本体の側面にのみ形成されるが、図
２に示す工程をとって本体層の上面にも反り防止層２を
形成してもよい。すなわち、図２に示す変形例におい
て、図１（ａ）と同様にアルミニウム犠牲層３上のＮｉ
Ｆｅメッキベース９上、および本体層４の表層をＳｉＯ
2スパッタ膜２’で覆った後（図２（ａ）参照）、Ｓｉ
Ｏ2スパッタ膜２’の天井壁面にマスクレジスト１１を
塗布する（図２（ｂ）参照）。この後、イオンミリング
により本体層４上面、およびアルミニウム犠牲層３上の
ＳｉＯ2スパッタ膜２’を除去し、さらにアルミニウム
犠牲層３上のＮｉＦｅメッキベース９を除去した後（図
１（ｃ）参照）、マスクレジスト１１を除去して上面、
および側面に反り防止層２を残存させる（図１（ｄ）参
照）。
【００１５】この後、アルミニウム犠牲層３を介して基
板１上に固定されているホリゾンタルスライダは、分離
工程においてアルミニウム犠牲層３をエッチングして基
板１から分離される（図１（ｄ）、図２（ｅ）参照）。
板１上に固定されているホリゾンタルスライダは、分離
工程においてアルミニウム犠牲層３をエッチングして基
板１から分離される（図１（ｄ）、図２（ｅ）参照）。
【００１６】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、成膜工程における残留応力の解消による反り
が防止されるために、製造歩留まりを向上させることが
できる。
によれば、成膜工程における残留応力の解消による反り
が防止されるために、製造歩留まりを向上させることが
できる。
【図１】本発明を示す図である。
【図２】図１の変形例を示す図である。
【図３】側面層形成工程までを示す図である。
【図４】従来例を示す図である。
１ 基板 ２ 反り防止層 ３ アルミニウム犠牲層
Claims (4)
- 【請求項１】基板上で成膜した後、該基板から剥離して
得られる磁気ヘッドスライダにおいて、 側面が、成膜工程で形成される反り防止層により覆われ
る磁気ヘッドスライダ。 - 【請求項２】前記反り防止層が媒体対向面の形成材質と
同一である請求項１記載の磁気ヘッドスライダ。 - 【請求項３】前記反り防止層がＳｉＯ2である請求項１
または２記載の磁気ヘッドスライダ。 - 【請求項４】基板上にアルミニウム犠牲層を成膜した
後、 該アルミニウム犠牲層上にホリゾンタルスライダを膜形
成し、 次いで、ホリゾンタルスライダ上にＳｉＯ2膜を全面に
渡って成膜して反り防止層を形成し、 この後、アルミニウム犠牲層をエッチングして少なくと
も側壁に反り防止層が残存するスライダを得る磁気ヘッ
ドスライダの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23681097A JPH1186249A (ja) | 1997-09-02 | 1997-09-02 | 磁気ヘッドスライダおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23681097A JPH1186249A (ja) | 1997-09-02 | 1997-09-02 | 磁気ヘッドスライダおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1186249A true JPH1186249A (ja) | 1999-03-30 |
Family
ID=17006124
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23681097A Withdrawn JPH1186249A (ja) | 1997-09-02 | 1997-09-02 | 磁気ヘッドスライダおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1186249A (ja) |
-
1997
- 1997-09-02 JP JP23681097A patent/JPH1186249A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20041102 |