JPH118451A - プリント配線板およびその製法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高絶縁性および微細化パタ−ンが形成された
転写法によるプリント配線板を提供する。 【解決手段】 銅パタ−ンと不銹性金属基板とがパタ−
ン化した光硬化ポリイミドシロキサンによって接合され
た積層体で、転写法によって積層されてなるプリント配
線板。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、パタ−ン化され
た光硬化ポリイミドシロキサンを使用した高絶縁性およ
び微細パタ−ンの形成が可能なプリント配線板およびそ
の製法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、プリント配線板の銅回路の形成法
として、一般的には銅張り積層板にメッキレジストを形
成させエッチングにより銅回路の形成がなされている。
この方法ではエッチングによるため微細パタ−ンの形成
に限界がある。そこで、メッキレジストをステンレス板
上に形成して銅メッキし、次いでメッキレジストを除去
後、樹脂基板に形成銅回路を圧着して埋め込み、ステン
レス板より剥離するいわゆる転写法が提案されている。
しかし、この方法によっても基板がガラスエポキシのよ
うな樹脂基板であために、基板自身の寸法安定性が悪く
微細パタ−ンの形成には限界があった。

【０００３】このため、従来の転写法の問題点である樹
脂基板に代えてステンレス基板を用いた寸法安定性のよ
い転写基板が提案されている。この場合、銅配線とステ
ンレス基板とを絶縁材料で積層する必要がある。絶縁層
の形成法として、印刷法、塗布法、レジスト製版法（例
えば、特開昭５４−７１７０号公報）などが提案されて
いる。そして絶縁材料としては、エポキシ系樹脂、アク
リル系樹脂、フェノ−ル系樹脂、塩化ビニル系樹脂、フ
ッ素系樹脂、イミド系樹脂、アミド系樹脂などがあげら
れている。しかし、このようにして得られるプリント配
線板では絶縁材料の耐熱性あるいは吸水性に問題があ
り、高精度の配線板が得られない。

【０００４】また、上記の絶縁材料として電着物質を使
用することも提案されており（例えば、特開平６−１６
４１０８号公報）、電着物質としてアクリル系樹脂が使
用されている。しかし、アクリル系樹脂は耐熱性が劣る
という問題点がある。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】この発明の目的は、転
写法による上記の問題点を解決するため、基板として不
銹性金属基板を使用し、高絶縁性および微細パタ−ンの
形成が可能なプリント配線板およびその製法を提供する
ことである。

【０００６】

【課題を解決するための手段】すなわち、この発明は、
銅パタ−ンと不銹性金属基板とがパタ−ン化した光硬化
ポリイミドシロキサンによって接合されてなる転写法に
よるプリント配線板に関する。また、この発明は、感光
性ポリイミドシロキサンを使用した転写法によるプリン
ト配線板の製法に関する。

【０００７】この発明のプリント配線板は、銅パタ−ン
と不銹性金属基板とがパタ−ン化した光硬化ポリイミド
シロキサンによって接合されてなる積層体であって、該
光硬化ポリイミドシロキサンは５〜１５０ｋｇ／ｍ
ｍ² 、好適には１０〜１３０ｋｇ／ｍｍ² の初期弾性率
を有し、積層体が転写法によって形成されてなる。

【０００８】この発明のプリント配線板を、この発明の
一実施例の断面概略図である図１を用いて説明する。図
１において、プリント配線板１は銅パタ−ン２と不銹性
金属基板３とがパタ−ン化した光硬化ポリイミドシロキ
サン４によって接合されている。

【０００９】この発明の方法を、この発明の方法の一実
施例の各工程の断面概略図である図２−図８を用いて説
明する。図２において、鏡面仕上げしたステンレス基板
５にメッキレジスト６を設け、図３において、この基板
に電気銅メッキを施して銅パタ−ン２を形成し、図４に
おいて、その上に感光性ポリイミドシロキサンの溶液を
塗布、乾燥して感光性ポリイミドシロキサン層７を形成
し、図５において、ネガマスク８を用いて露光し、図６
において、アルカリ現像液で現像して光硬化パタ−ン９
を形成し、さらに加熱してポストベ−クし、図７におい
て、形成されたパタ−ン化した光硬化ポリイミドシロキ
サン４の上に不銹性金属基板３をのせて、好適には１５
０〜３００℃の温度、１０〜１００ｋｇ／ｍｍ² の圧
力、５〜６０秒間程度熱圧着し、最後に、図８におい
て、鏡面仕上げしたステンレス基板からメッキ銅を剥離
して転写プリント配線板１が形成される。

【００１０】この発明においては、感光性ポリイミドシ
ロキサンとして、好適には下記一般式で表される芳香族
テトラカルボン酸二無水物と、

【化４】 （ただし、式中、ＸはＯ、ＣＯまたは直接結合を示
す。） 下記一般式で表される芳香族ジアミンおよび

【化５】 （ただし、式中、ＹはＯ、ＣＨ₂ 、ＳＯ₂ またはＯ−Ｂ
ｚ−Ｃ（ＣＨ₃ ）₂ −Ｂｚ−Ｏまたは直接結合を示し、
ＺはＯＨ、ＣＯＯＨ、ＮＨ₂ 又はＳＨを示し、ｍ ₁ およ
びｍ₂ は各々１である。） および下記一般式で示されるジアミノポリシロキサン

【化６】 （ただし、式中、Ｒ₁ は２価の炭化水素残基を示し、Ｒ
₂ は独立に炭素数１〜３のアルキル基またはフェニル基
を示し、ｎは３〜５０の整数を示す。）からなるジアミ
ンとの実質的に等モル量を重合およびイミド化して得ら
れるポリイミドシロキサンに、（メタ）アクリロイル基
を有する化合物を付加または縮合反応させてなる有機溶
媒可溶性の感光性ポリイミドシロキサンが使用される。

【００１１】上記の感光性ポリイミドシロキサンは、好
適には前記一般式で示される多環の芳香族テトラカルボ
ン酸二無水物と、前記一般式で示されるアミノ基を有す
る２つのベンゼン環にＯＨ、ＣＯＯＨ、ＮＨ₂ 又はＳＨ
が最低１個ずつ結合した芳香族ジアミンとジアミノポリ
シロキサンとの二種類のジアミン成分との実質的等モル
量を、有機溶媒中でランダムあるいはブロック重合させ
てポリアミック酸とした後、熱イミド化または化学イミ
ド化させることにより得られるポリイミドシロキサン
に、（メタ）アクリロイル基を有する化合物を付加また
は縮合反応させることによって製造することができる。

【００１２】この発明における前記一般式で示される多
環の芳香族テトラカルボン二無水物としては、ビフェニ
ルテトラカルボン酸二無水物、ベンゾフェノンテトラカ
ルボン酸二無水物、オキシジフタル酸無水物などが挙げ
られ、好適には３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテ
トラカルボン酸二無水物、２，３，３’，４’−ビフェ
ニルテトラカルボン酸二無水物（ａ−ＢＰＤＡ）を挙げ
ることができる。溶解性を損なわない範囲内で多環の芳
香族テトラカルボン酸二無水物の一部を１環の芳香族テ
トラカルボン酸二無水物あるいは芳香族ジカルボン酸で
置き換えてもよい。

【００１３】また、前記の一般式で示される芳香族ジア
ミンであるアミノ基を有する２つのベンゼン環に別々に
ＯＨ、ＣＯＯＨ、ＮＨ₂ 又はＳＨが１個ずつ結合した芳
香族ジアミンとしては、例えば３，３’−ジヒドロキシ
−４，４’−ジアミノビフェニル、４，４’−ジヒドロ
キシ−３，３’−ジアミノビフェニル、５，５’−メチ
レンビス〔２−アミノ安息香酸〕、４，４’−ジヒドロ
キシ−３、３’−ジアミノジフェニルエ−テル、３，
３’−ジヒドロキシ−４、４’−ジアミノジフェニルエ
−テル、３，３’−ジヒドロキシ−４，４’−ジアミノ
ジフェニルスルフィド、３，３’−ジヒドロキシ−４，
４’−ジアミノジフェニルスルホキシド、３，３’−ジ
ヒドロキシ−４，４’−ジアミノジフェニルスルホン、
１，１−ビス〔４−（３−ヒドロキシ−４−アミノフェ
ノキシ）フェニル〕メタン、１，３−ビス（３−ヒドロ
キシ−４−アミノフェノキシ）ベンゼン、ビス〔４−
（３−ヒドロキシ−４−アミノフェノキシ）フェニル〕
スルホンなどを挙げることができ、この芳香族ジアミン
は１種のみ使用してもよく、２種以上を組み合わせて使
用してもよい。前記の芳香族ジアミンとして、入手し易
さの観点から３，３’−ジヒドロキシ−４，４’−ジア
ミノビフェニル、５，５’−メチレンビス〔２−アミノ
安息香酸〕が好適に使用される。

【００１４】また、前記の一般式で示されるジアミノポ
リシロキサンとしては、一般式中のＲ₁ が２価の炭化水
素残基、好ましくは炭素数２〜６、特に炭素数３〜５の
「複数のメチレン基」またはフェニレン基であり、Ｒ₂
が独立にメチル基、エチル基、プロピル基などの炭素数
１〜３のアルキル基またはフェニル基であることが好ま
しく、さらに、ｌが３〜５０、好ましくは３〜３０、特
に５〜２０であることが好ましい。また、前記のジアミ
ノポリシロキサンは、ｌが前記の範囲内（３〜５０）で
あれば単一の化合物であってもよく、ｌの異なる化合物
の混合物であってもよい。混合物である場合は、アミノ
当量から計算される平均値のｌが３〜５０、特に３〜３
０、その中でも特に５〜２０の範囲内であることが好ま
しい。

【００１５】この発明において、ジアミン成分として前
記一般式の芳香族ジアミンおよび前記ジアミノポリシロ
キサンを使用することが好ましく、その使用割合はジア
ミン成分中前記の芳香族ジアミンが５〜８０モル％、特
に２０〜７０モル％、前記のジアミノポリシロキサンが
９５〜２０モル％、特に８０〜３０モル％であることが
好ましい。前記の芳香族ジアミンの割合が少ないと、得
られる感光性ポリイミドシロキサンの光感度が低下し、
光硬化後の解像度が低くなり、また感光性ポリイミドシ
ロキサンの熱分解温度が低くなる傾向にある。前記の芳
香族ジアミンの割合が多いと、得られるポリイミドシロ
キサンの有機溶媒溶解性が低下する傾向にある。

【００１６】前記の芳香族ジアミン、ジアミノポリシロ
キサンとともに、他の芳香族ジアミンを併用してもよ
い。その使用割合は、ジアミン成分の３０モル％以下で
あることが好ましい。他の芳香族ジアミンとしては、例
えば４，４’−ジアミノジフェニルエ−テル、４，４’
−ジアミノジフェニルメタン、４，４’−ジアミノジフ
ェニルスルホン、ｏ−トリジンなどのベンゼン環を２個
有する芳香族ジアミン、１，４−ビス（４−アミノフェ
ノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（４−アミノフェニ
ル）ベンゼンなどのベンゼン環を３個有する芳香族ジア
ミン、あるいはビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フ
ェニル〕スルホン、２，２−ビス〔４−（４−アミノフ
ェノキシ）フェニル〕プロパンなどのベンゼン環を４個
有する芳香族ジアミンを好適に挙げることができる。前
記のジアミン成分の割合は有機溶媒溶解性、感光性（露
光しやすさ）から決定されるが、感光性のポリイミドシ
ロキサン分子中に少なくとも２個の光重合性不飽和基含
有化合物が結合している割合にすることが好ましい。

【００１７】前記の感光性ポリイミドシロキサンは、芳
香族テトラカルボン酸二無水物成分と実質的に等モル量
のジアミン成分とを、先ず、有機溶媒中で１００℃以下
の反応温度、好ましくは１０〜８０℃の反応温度で１〜
４８時間程度ランダムあるいはブロック重合反応、好ま
しくはランダム重合反応を行い、次いで、この重合反応
によって得られたポリアミック酸溶液を有機溶媒で希釈
した後、１００℃以下の温度、好ましくは１０〜５０℃
の反応温度で化学イミド化剤、例えば無水酢酸のような
無水カルボン酸およびピリジンのような第３級アミンな
どのイミド化剤を加えて０．１〜５時間程度イミド化反
応を行ってポリイミドシロキサンとした後、（メタ）ア
クリロイル基を有する化合物を付加反応させることによ
って好適に得ることができる。

【００１８】あるいは、芳香族テトラカルボン酸二無水
物と、ジアミノポリシロキサンと、（メタ）アクリロイ
ル基を有する化合物と付加反応する芳香族ジアミンと
を、実質的に等モルなるように先ずジアミノポリシロキ
サンを加えて１６０〜２００℃で１〜５時間程度反応さ
せた後、前記芳香族ジアミンを加え、前記反応温度で１
０〜４０時間程度反応させてポリイミドシロキサンを合
成した後、（メタ）アクリロイル基を有する化合物を付
加反応させることによってもこの発明の感光性ポリイミ
ドシロキサンを好適に得ることができる。

【００１９】前記のエポキシ基を有する（メタ）アクリ
ロイル化合物は反応終了後のポリイミドシロキサン溶液
に直接（必要であれば冷却後）加えてもよく、あるいは
一旦ポリイミドシロキサンを単離した後、反応に使用し
た有機溶媒と同じまたは異なった有機溶媒の溶液に加え
てもよい（あるいはその逆であってもよい）。

【００２０】前記のエポキシ基を有する（メタ）アクリ
ロイル化合物としては、グリシジル基とメタアクリロイ
ルまたはアクリロイル基とを有する有機化合物、例えば
グリシジルメタクリレ−ト、グリシジルアクリレ−ト、
グリシジルポリシロキシメタアクリレ−ト、ハ−フエポ
キシアクリレ−ト（例えば１０個程度のエポキシ基のう
ち５個程度がアクリレ−ト基で置換されている化合物で
ある。例えば、商品名：昭和高分子製 ビニルエステル
樹脂リポキシ６３０Ｘ−５０１）などを挙げることがで
きる。

【００２１】前記の（メタ）アクリロイル基を有する化
合物の使用量は、アミノ基を有するベンゼン環に別々に
ＯＨ、ＣＯＯＨ又はＳＨが１個ずつ結合した芳香族ジア
ミンのＯＨ、ＣＯＯＨ又はＳＨ基に対して当モル量以
上、通常は１〜１０モル倍であることが好ましい。

【００２２】上記の重合反応、イミド化反応および（メ
タ）アクリロイル基を有する化合物の付加反応における
有機溶媒としては、例えばＮ，Ｎ−ジメチルスルホキシ
ド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチル
ホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ
−ジエチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン
（ＮＭＰ）、ヘキサメチレンホスホアミドなどが用いら
れる。

【００２３】上記の感光性ポリイミドシロキサンは、反
応終了後の溶液をそのまま（必要であれば他の添加剤を
加えた後）使用してもよいが、用途によって、例えばパ
タ−ン形成材料として使用する場合には、単離したもの
を有機溶媒に溶解した溶液として使用してもよい。

【００２４】前記の有機溶媒としては、ジメチルスルホ
キシド、ジエチルスルホキシドなどのスルホキシド系溶
媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチル
ホルムアミドなどのホルムアミド系溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメ
チルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミドなど
のアセトアミド系溶媒、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、
Ｎ−エチル−２−ピロリドン、Ｎ−ビニル−２−ピロリ
ドンなどのピロリドン系溶媒、メチルジグライム、メチ
ルトリジグライムなどのグライム系溶媒、ヘキサメチル
ホスホリックトリアミド、γ−ブチルラクトン、シクロ
ヘキサノンなどを挙げることができる。

【００２５】前記の感光性ポリイミドシロキサンの溶液
組成物は、ポリマ−である固形分濃度が２０〜５０重量
％であることが好ましい。前記の感光性ポリイミドシロ
キサン溶液に、増感剤および光重合開始剤を添加するこ
とが好ましい。また、光硬化後の絶縁膜の物性を損なわ
ない範囲でエチレン性不飽和基を有する光により重合可
能な化合物を架橋剤として添加することが好ましい。

【００２６】前記の増感剤および光重合開始剤として
は、ミヒラ−ケトン、ベンゾイン、ベンゾインメチルエ
−テル、ベンゾインエチルエ−テル、ベンゾインイソプ
ロピルエ−テル、２−ｔ−ビチルアントラキノン、１，
２−ベンゾ−９，１０−アントラキノン、４，４’−ビ
ス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン、アセトフェノ
ン、ベンゾフェノン、チオキサントン、１，５−アセナ
フテン、１−ヒドロキシ−シクロヘキシルフェニルケト
ン、２−ベンジル−１，２−ジメチルアミノ−１−（４
−モルホリノフェニル）ブタン−１、１ーヒドロキシー
シクロヘキシルフェニルケトンなどを挙げることがで
き、その添加量は合計でポリイミドシロキサン１００重
量部に対して１〜５０重量部、特に２〜３０重量部が好
ましい。

【００２７】前記の架橋剤としては、エチレングリコ−
ルジメタ（ア）クリレ−ト、プロピレングリコ−ルジメ
タ（ア）クリレ−ト、トリメチロ−ルプロパントリメタ
（ア）クリレ−ト、テトラメチロ−ルメタンテトラメタ
（ア）クリレ−ト、Ｎ，Ｎ’−メチレンビスメタ（ア）
クリレ−ト、ジエチルアミノエチルメタ（ア）クロレ−
ト、トリス（ヒドロキシエチルアクリロイル）イソシア
ヌレ−トなどをあげることができる。その添加量は感光
性ポリイミドシロキサン１００重量部に対して、５〜１
００重量部、特に１０〜６０重量部添加することが好ま
しい。

【００２８】また、前記の感光性ポリイミドシロキサン
の溶液組成物は、アエロジル（使用量は、感光性ポリイ
ミドシロキサン１００重量部に対して１０〜５０重量部
が好ましい）、マイカ、タルク、硫酸バリウム、ワラス
トナイトなどの微細な無機充填剤（使用量は、感光性ポ
リイミドシロキサン１００重量部に対して１０〜１００
重量部が好ましい）、微細なポリマ−充填剤、あるいは
微細なあるいは可溶性の無機あるいは有機染料・顔料を
含有させてもよい。そして溶液組成物は無色あるいはフ
タロシアニングリ−ン、フタロシアニンブル−などを含
有させて着色してもよい。

【００２９】前記の感光性ポリイミドシロキサンを使用
し、上記のようにして得られる感光性ポリイミドシロキ
サン溶液組成物によって、以下のようにして銅パタ−ン
上への感光性ポリイミド層を形成することができる。す
なわち、先ず上記の感光性ポリイミドシロキサン溶液を
銅パタ−ン上に塗布し、乾燥して有機溶媒を除去する。
銅パタ−ン上への塗布はスクリ−ン印刷、カ−テンロ−
ル、リバ−スロ−ル等により行うことができる。塗布膜
（好ましくは厚み：２〜２００μｍ、特に５〜１００μ
ｍ）の乾燥は９０℃以下、好ましくは４０〜８０℃で行
う。乾燥後、乾燥塗布膜にネガ型のフォトマスクを置
き、紫外線、可視光線、電子線などの活性光線を照射す
る。次いで、現像処理、例えば、未露光部分をシャワ−
または超音波を用い、現像液で洗い出すことによりポリ
イミドシロキサン製のパタ−ンである光硬化パタ−ンを
得ることができる。硬化膜は厚みが２〜５０μｍ程度で
あることが好ましい。前記の現像処理は、ＮａＯＨ、Ｋ
ＯＨ、Ｎａ₂ ＣＯ₃ 、Ｎａ₂ Ｂ₄ Ｏ₇ などの水溶液つい
で有機溶媒との組み合わせ、または有機アルカリ、例え
ばテトラエチルアンモニウムヒドロキシドと水または有
機溶媒との混合溶液をアルカリ現像液として使用するこ
とができる。

【００３０】上記の現像液の有機溶媒としては、Ｎ，Ｎ
−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミ
ド、ジメチルスルホキシド、Ｎ−メチル−２−ピロリド
ン、ヘキサメチレンホスホアミド、ジグライム、トリグ
ライム、エチレングリコ−ルモノエチルエ−テル、エチ
レングリコ−ルモノブチルエ−テル、ジエチレングリコ
−ルモノブチルエ−テル、メタノ−ル、エタノ−ルなど
の有機溶媒またはこれらの混合液を使用することができ
る。

【００３１】前記の感光性ポリイミドシロキサンを使用
すると、溶解性が優れているため未露光部分のポリイミ
ドシロキサンを容易に除去でき、これによりパタ−ンを
容易に形成することができる。

【００３２】また、前記の感光性ポリイミドシロキサン
は、高い感光性を有し、光透過性及び光架橋性に優れて
いるため、従来の非感光ポリイミドのように画像形成用
のレジストを別途必要とせず、また感光性ポリアミック
酸のように画像形成後のイミド化のための高温加熱（２
５０〜４００℃）を必要とせず、１５０〜２００℃の後
加熱工程で充分なことから高信頼性・低コストをもたら
すのみならず基板の熱的ダメ−ジを与えない。

【００３３】この発明のプリント配線板は、パタ−ン化
された光硬化ポリイミドシロキサンを使用するため、高
絶縁性および微細パタ−ンの形成が可能である。

【実施例】以下、この発明の実施例を示す。以下の各例
において、評価は以下のようにして行った。

【００３４】（物性試験） １．ポリイミドの粘度 感光性ポリイミドシロキサンを０．５ｇ精秤し、１００
ｍｌのメスフラスコにとりＮ−メチル−２−ピロリドン
を加えて溶解し、キャノンフェンスケの粘度計を用い３
０℃にて液の落下時間を計る方法で対数粘度を測定し
た。

【００３５】２．感光性ポリイミドシロキサンの製膜性 感光性ポリイミドシロキサンの２０ｇを１００ｍｌのＮ
−メチル−２−ピロリドンに溶解した溶液をポリイミド
シロキサンの膜が厚さ約２０μｍとなるようにテフロン
板（１．０ｍｍ）上に塗布し６０℃で６０分間乾燥し、
高圧水銀灯で１Ｊ／ｃｍ² の照射を行い、更に１６０℃
で６０分間熱処理し１ｍｍφの丸棒に巻き、折り曲げ、
クラッカの発生を観察した。クラックの発生の無い場合
を○、クラックのあるものを×とした。

【００３６】３．ポリイミドシロキサンのＮＭＰに対す
る溶解性 ポリイミドシロキサン０．２ｇを０．８ｇのＮ−メチル
−２−ピロリドンに加え、ポリイミドシロキサンの溶解
状態を観察し、１時間以内に溶解した場合を◎、１日以
内に溶解した場合を○、膨潤のみの場合を△、不溶の場
合を×として評価した。

【００３７】４．熱分解温度 熱重量分析計を用いて測定した。

【００３８】５．光硬化特性評価 ポリイミドフィルム（宇部興産製、ポリイミドフィルム
ユ−ピレックスＳ）をスペ−サ−とするダムを設け、
銅箔（３５μｍ）上にインキをバ−コ−タ−を用いて均
一に流延し、６０℃で６０分間乾燥して得た乾燥膜につ
いて、下記の光感度及び解像力の試験に供した。

【００３９】６．光感度 ３５μｍの銅箔に、乾燥膜厚が約２５μｍになるように
塗布し、６０℃で６０分間乾燥した。ミカサ（株）製の
ミカサマスクアライメント装置（ＭＡ−１０型）を用い
て、ガラスマスクを通して露光し、テトラエチルアンモ
ニウムハイドロキサイドの２％水溶液およびメタノ−ル
中で超音波浸漬し現像し、２００μｍピッチの１００μ
ｍライン＆スペ−スのパタ−ンを得ることのできる露光
量を持って光感度とした。

【００４０】７．機械的物性測定 感光性ポリイミドシロキサン溶液組成物をテフロン塗布
し、６０℃で６０分間乾燥後、１Ｊ／ｃｍ² 紫外線露
光、引き続き１６０℃で１時間加熱した後、膜を剥離
し、ダンベル状にテストピ−スを切り出し、引張試験機
を用いてＡＳＴＭＤ８８２に準じて測定し、引張強度、
伸び率、初期弾性率を求めた。

【００４１】８．電気物性測定 ０．３ｍｍ厚の銅板上に乾燥膜厚が８０μｍとなるよう
に感光性ポリイミドシロキサン溶液組成物を塗布し、６
０℃で６０分間乾燥後、１Ｊ／ｃｍ² 紫外線露光、引き
続き１６０℃で１時間加熱して得たサンプルについてＪ
ＩＳ−Ｃ ２１０３（電気絶縁用ワニス試験法）に基づ
き試験を行って、体積抵抗値を測定した。

【００４２】参考例１ （ポリイミドシロキサン合成工程）２，３，３’，４’
−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（ａ−ＢＰＤ
Ａ）１７．４９４ｇ（０．０５９モル）をＮ−メチル−
２−ピロリドン（ＮＭＰ）５４ｇに加えて溶解し、ジア
ミノポリシロキサン（Ｒ₁ ＝プロプル、Ｒ₂ ＝メチル、
ｌ＝１０、アミノ当量＝４５０）３６．５４０ｇを加え
１８０℃で２時間反応した。引き続き３，３’−ジヒド
ロキシ−４，４’−ジアミノビフェニル３．７４０ｇ
（０．０１７モル）を加え３０時間反応した。次いで温
度１００℃にて、グリシジルメタクリレ−ト９．８９３
ｇ（０．０７０モル）を加え０．５時間反応させて感光
性ポリイミドシロキサンを得た（溶液として）。

【００４３】（インキ化工程）上記の感光性ポリイミド
シロキサンの溶液全量にＮＭＰ１８ｇを加えて希釈し、
アエロジル（平均粒径：約０．０２μｍ）７．８ｇ、タ
ルク（平均粒径：１．５μｍ）１３．４ｇ、光開始剤と
してジメチル安息香酸エチル４．７ｇ、ジエチルチオキ
サント２．４ｇ、トリメチロ−ルプロパントリアクリレ
−ト９．７ｇを添加し、３本ロ−ルにて混練りしてイン
キ：感光性ポリイミドシロキサン溶液組成物を得た。

【００４４】この感光性ポリイミドシロキサン溶液組成
物の物性を別途測定した。露光・後加熱膜の機械的物性
は、引張強度が２．６ｋｇ／ｍｍ² 、伸びが８．２％、
初期弾性率が１０２．９ｋｇ／ｍｍ² であった。また、
露光・後加熱膜の電気物性測定結果は体積抵抗値が２．
２×１０¹⁵Ω・ｃｍであった。

【００４５】参考例２ （ポリイミドシロキサン合成工程）２，３，３’，４’
−ビフェニルテトラカルボン酸二無水（ａ−ＢＰＤＡ）
１７．１３９ｇをＮ−メチル−２−ピロリドン５４．０
ｇに溶解し、ジアミノポリシロキサン（前記と同じ）３
６．５４０ｇを加え１８０℃で２時間反応した。引き続
き５，５’−メチレンビス〔２−アミノ安息香酸〕（Ｍ
ＢＡＡ）４．５９３ｇを加え２時間反応した。次いで温
度１００℃にて、グリシジルメタクリレ−ト９．８９４
ｇを０．５時間反応させて感光性ポリイミドシロキサン
溶液を得た。 （インキ化工程）上記の感光性ポリイミドシロキサンか
ら参考例１と同様にして感光性ポリイミドシロキサン溶
液組成物を調製した。

【００４６】また、露光・後加熱膜の機械的物性は、引
張強度が１．６２ｋｇ／ｍｍ² 、伸びが７．７％、初期
弾性率が５５．５ｋｇ／ｍｍ² であった。また、露光・
後加熱膜の電気物性測定結果は体積抵抗値が２．８×１
０¹⁵Ω・ｃｍであった。

【００４７】参考例３ （ポリイミドシロキサン合成工程）３，３’，４，４’
−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物（ＢＴＤ
Ａ）１８．８７６ｇをＮ−メチル−２−ピロリドン５
４．０ｇに溶解し、ジアミノポリシロキサン（前記と同
じ）３６．５４０ｇを加え１８０℃で２時間反応した。
引き続き３，３’−ジヒドロキシ−４，４’−ジアミノ
ビフェニル（ＨＡＢ）３．７６５ｇを加え２時間反応し
た。次いで温度１００℃にて、グリシジルメタクリレ−
ト９．８９４ｇを加え０．５時間反応させて感光性ポリ
イミドシロキサン溶液を得た。

【００４８】（インキ化工程）上記の感光性ポリイミド
シロキサンから実施例１と同様にして感光性ポリイミド
シロキサン溶液組成物を調製した。

【００４９】また、露光・後加熱膜の機械的物性は、引
張強度が１．１２ｋｇ／ｍｍ² 、伸びが６．５％、初期
弾性率が７５．５ｋｇ／ｍｍ² であった。また、露光・
後加熱膜の電気物性測定結果は体積抵抗値が１．８×１
０¹⁵Ω・ｃｍであった。

【００５０】実施例１〜３ 各実施例で得られた感光性ポリイミドシロキサン溶液組
成物を使用し、以下の方法で転写プリント配線板を作製
した。 (1) 鏡面仕上げした厚さ５０μｍのステンレス基板に５
０μｍライン＆スペ−スのメッキレジストを設け、(2)
この基板に回路パタ−ン形状の電気銅メッキを施し銅パ
タ−ンを形成し、(3) その上に各参考例で得た感光性ポ
リイミドシロキサンの溶液をスクリ−ン印刷法により、
１５０μｍメッシュのスクリ−ンを用いて塗布、７０℃
で３０分の条件で乾燥して厚さ２０μｍの感光性ポリイ
ミドシロキサン層を形成し、(4) 回路パタ−ン形状のネ
ガマスクを置き、ミカサ製のミカサマスクアライメント
露光装置（ＭＡ−１０型）を用いて、１．０Ｊ／ｃｍ²
の露光量を露光し、(5) 現像液として、１％のホウ酸ナ
トリウムとジエチレングリコ−ルモノブチルエ−テルの
２０％水溶液を用いて、アルカリ現像液で現像して光硬
化パタ−ンを形成し、(6) １６０℃で３０分間加熱して
ポストベ−クし、(7) 形成されたパタ−ン化した光硬化
ポリイミドシロキサンの上に厚さ２０μｍのステンレス
基板をのせて２００℃、１５ｋｇ／ｃｍ² で１分間熱圧
着し、（光硬化ポリイミドシロキサンは初期弾性率が１
０３ｋｇ／ｍｍ² ）(8) 最後に、鏡面仕上げしたステン
レス基板からメッキ銅を剥離して転写プリント配線板を
形成。得られた転写プリント配線板は、５０μｍライン
＆スペ−スの精細線配線基板であった。

【００５１】

【発明の効果】この発明は以上説明したように構成され
ているので、以下に記載のような効果を奏する。この発
明によれば、パタ−ン化された光硬化ポリイミドシロキ
サンと不銹性金属基板とを組み合わせて使用するため、
高絶縁性および微細パタ−ンのプリント配線板を得るこ
とができる。

【００５２】また、この発明の製造方法によれば、不銹
性金属基板を使用して、高絶縁性および微細パタ−ンの
プリント配線板を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は、この発明の一実施例のプリント配線板
の断面概略図である。

【図２】図２は、この発明の製造方法の一実施例の鏡面
仕上げしたステンレス基板にメッキレジストを設ける工
程の断面概略図である。

【図３】図３は、この基板に電気銅メッキを施して銅パ
タ−ンを形成する工程の断面概略図である。

【図４】図４は、その上に感光性ポリイミドシロキサン
の溶液を塗布、乾燥して感光性ポリイミドシロキサン層
を形成する工程の断面概略図である。

【図５】図５は、ネガマスクを用いて露光する工程の断
面概略図である。

【図６】図６は、アルカリ現像液で現像して光硬化パタ
−ンを形成し、加熱してポストベ−クする工程の断面概
略図である。

【図７】図７は、形成されたパタ−ン化した光硬化ポリ
イミドシロキサンの上に不銹性金属基板をのせて熱圧着
する工程の断面概略図である。

【図８】図８は、最後に、鏡面仕上げしたステンレス基
板からメッキ銅を剥離して転写プリント配線板を形成す
る工程の断面概略図である。 １ 転写プリント配線板 ２ 銅パタ−ン ３ 不銹性金属基板 ４ パタ−ン化した光硬化ポリイミドシロキサン ５ 鏡面仕上げしたステンレス基板 ６ メッキレジスト ７ 感光性ポリイミドシロキサン層 ８ ネガマスク ９ 光硬化パタ−ン

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 ＦＩ Ｈ０５Ｋ 3/20 Ｈ０５Ｋ 3/20 Ａ

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 銅パタ−ンと不銹性金属基板とがパタ−
   ン化した光硬化ポリイミドシロキサンによって接合され
   てなる積層体であって、該光硬化ポリイミドシロキサン
   は５〜１５０ｋｇ／ｍｍ² の初期弾性率を有し、積層体
   が転写法によって形成されてなるプリント配線板。
2. 【請求項２】 光硬化ポリイミドシロキサンが、下記一
   般式で表される芳香族テトラカルボン酸二無水物と、 【化１】 （ただし、式中、ＸはＯ、ＣＯまたは直接結合を示
   す。） 下記一般式で表される芳香族ジアミン 【化２】 （ただし、式中、ＹはＯ、ＣＨ₂ 、ＳＯ₂ またはＯ−Ｂ
   ｚ−Ｃ（ＣＨ₃ ）₂ −Ｂｚ−Ｏまたは直接結合を示し、
   Ｚはエポキシ基との反応性を有するＯＨ、ＣＯＯＨ、Ｎ
   Ｈ₂ 又はＳＨを示し、ｍ₁ およびｍ₂ は０または１で、
   これらのうち少なくとも１つは１である。） および下記一般式で示されるジアミノポリシロキサン 【化３】 （ただし、式中、Ｒ₁ は２価の炭化水素残基を示し、Ｒ
   ₂ は独立に炭素数１〜３のアルキル基またはフェニル基
   を示し、ｎは３〜５０の整数を示す。）からなるジアミ
   ンとの実質的に等モル量を重合およびイミド化して得ら
   れるポリイミドシロキサンに、エポキシ基を有する（メ
   タ）アクリロイル化合物を反応させてなる有機溶媒可溶
   性の感光性ポリイミドシロキサンの光硬化物である請求
   項１記載のプリント配線板。
3. 【請求項３】 積層体の形成が、下記の工程 (1) 鏡面仕上げしたステンレス基板にメッキレジストを
   設け、 (2) この基板に電気銅メッキを施して銅パタ−ンを形成
   し、 (3) その上に感光性ポリイミドシロキサンの溶液を塗
   布、乾燥して感光性ポリイミドシロキサン層を形成し、 (4) ネガマスクを用いて露光し、 (5) アルカリ現像液で現像して光硬化パタ−ンを形成
   し、 (6) 加熱してポストベ−クし、 (7) 形成されたパタ−ン化した光硬化ポリイミドシロキ
   サンの上に不銹性金属基板をのせて熱圧着し、 該光硬化ポリイミドシロキサンは５〜１５０ｋｇ／ｍｍ
   ² の初期弾性率を有し、 (8) 最後に、鏡面仕上げしたステンレス基板からメッキ
   銅を剥離して転写プリント配線板を形成する。 からなる転写法によるプリント配線板の製法。