JPH1184343A - 画像表示装置 - Google Patents
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- JPH1184343A JPH1184343A JP23631797A JP23631797A JPH1184343A JP H1184343 A JPH1184343 A JP H1184343A JP 23631797 A JP23631797 A JP 23631797A JP 23631797 A JP23631797 A JP 23631797A JP H1184343 A JPH1184343 A JP H1184343A
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- pulse
- image
- scanning
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- Liquid Crystal (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 画像の明るさを均一にすることのできる画像
表示装置を提供する。 【解決手段】 表示制御手段２Ａにより、空間光変調素
子１の光導電層側に配された書き込み光照射手段２から
照射された書き込み光Ｌｗとしての電磁波ビームをラス
タースキャンさせるスキャン手段３を制御し、ラスター
スキャンのスキャン方向を１又は複数フレーム毎に逆転
させると共に、駆動電圧印加手段４を制御し、ラスター
スキャンに同期して透明電極に消去パルス及び書き込み
パルスを印加させる。
表示装置を提供する。 【解決手段】 表示制御手段２Ａにより、空間光変調素
子１の光導電層側に配された書き込み光照射手段２から
照射された書き込み光Ｌｗとしての電磁波ビームをラス
タースキャンさせるスキャン手段３を制御し、ラスター
スキャンのスキャン方向を１又は複数フレーム毎に逆転
させると共に、駆動電圧印加手段４を制御し、ラスター
スキャンに同期して透明電極に消去パルス及び書き込み
パルスを印加させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、投射型ディスプレ
イ、光演算装置等の画像表示装置に関し、特に画像表示
装置に用いられる空間光変調素子に対する情報書き込み
に関する。
イ、光演算装置等の画像表示装置に関し、特に画像表示
装置に用いられる空間光変調素子に対する情報書き込み
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、投射型ディスプレイや光演算装置
等の画像表示装置において、透明電極を備えた２枚の対
向する基板間にメモリー性を有する液晶層と光導電層と
を挟む込む構造の空間光変調素子（以下ＳＬＭという）
にレーザービームを用いて画像を書き込むように構成さ
れたものがある。なお、メモリー性を有する液晶として
強誘電性液晶（以下ＦＬＣという）を用いたＳＬＭとし
ては、例えば特公平５−２５０９５号公報等で開示され
ている。
等の画像表示装置において、透明電極を備えた２枚の対
向する基板間にメモリー性を有する液晶層と光導電層と
を挟む込む構造の空間光変調素子（以下ＳＬＭという）
にレーザービームを用いて画像を書き込むように構成さ
れたものがある。なお、メモリー性を有する液晶として
強誘電性液晶（以下ＦＬＣという）を用いたＳＬＭとし
ては、例えば特公平５−２５０９５号公報等で開示され
ている。
【０００３】ところで、ＦＬＣのようなメモリー性のあ
る液晶を用いた場合、一度書き込んだ画像情報は電界が
なくても保持されるため、大容量、高密度の表示が可能
となるが、その駆動法において、画面を書き換える毎に
前の画像を消去する過程が必要とされる。以下、この点
について具体的に説明する。
る液晶を用いた場合、一度書き込んだ画像情報は電界が
なくても保持されるため、大容量、高密度の表示が可能
となるが、その駆動法において、画面を書き換える毎に
前の画像を消去する過程が必要とされる。以下、この点
について具体的に説明する。
【０００４】図７は、例えば、図８のように書き込み光
であるレーザービームで画面の左上から右下に向かって
走査した場合の、画面上の所定場所におけるレーザービ
ームの入力と印加パルスのタイミングを示すタイミング
チャートである。
であるレーザービームで画面の左上から右下に向かって
走査した場合の、画面上の所定場所におけるレーザービ
ームの入力と印加パルスのタイミングを示すタイミング
チャートである。
【０００５】ここで、図７（ａ）はレーザービームの入
力のタイミングを表わしており、ビーム強度が画像情報
に対応する。また、（ｂ）はＳＬＭに印加する駆動信号
を表わしており、同図において、２１は前の画像を消去
するための消去パルス、２２は画像の書き込みを制御す
る書き込みパルスを示している。２３は１フレームに相
当する期間である。
力のタイミングを表わしており、ビーム強度が画像情報
に対応する。また、（ｂ）はＳＬＭに印加する駆動信号
を表わしており、同図において、２１は前の画像を消去
するための消去パルス、２２は画像の書き込みを制御す
る書き込みパルスを示している。２３は１フレームに相
当する期間である。
【０００６】なお、消去パルス２１は、ＦＬＣが双安定
な状態間をスイッチングするのに十分な大きさのパルス
であり、このような消去パルス２１を印加することによ
り、ＦＬＣが一方の安定状態（ＯＦＦ状態）に揃えら
れ、ＳＬＭの画面全体が消去される。
な状態間をスイッチングするのに十分な大きさのパルス
であり、このような消去パルス２１を印加することによ
り、ＦＬＣが一方の安定状態（ＯＦＦ状態）に揃えら
れ、ＳＬＭの画面全体が消去される。
【０００７】一方、書き込みパルス２２は、（ａ）に示
すレーザービームである書き込み光がないとき（ＯＦＦ
信号）には、ＦＬＣに印加される電圧がＦＬＣのスイッ
チングの閾値Ｖthを超えず、所定の強度の書き込み光が
入力されたとき（ＯＮ信号）には閾値Ｖthを超えるよう
に設定されている。
すレーザービームである書き込み光がないとき（ＯＦＦ
信号）には、ＦＬＣに印加される電圧がＦＬＣのスイッ
チングの閾値Ｖthを超えず、所定の強度の書き込み光が
入力されたとき（ＯＮ信号）には閾値Ｖthを超えるよう
に設定されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うにしてＳＬＭを駆動する従来の画像表示装置において
は、書き込み光の走査時間に対応して、１フレームにお
ける画像の表示時間が、画面の左上と右下では異なり、
その結果画面の明るさが一様でなくなるという問題点を
有していた。すなわち、消去過程という、メモリー性液
晶特有の駆動要件を必要とすることにより、画面の左上
から右下にむかって表示画像の表示時間がリニアに減少
するという問題点を有していた。
うにしてＳＬＭを駆動する従来の画像表示装置において
は、書き込み光の走査時間に対応して、１フレームにお
ける画像の表示時間が、画面の左上と右下では異なり、
その結果画面の明るさが一様でなくなるという問題点を
有していた。すなわち、消去過程という、メモリー性液
晶特有の駆動要件を必要とすることにより、画面の左上
から右下にむかって表示画像の表示時間がリニアに減少
するという問題点を有していた。
【０００９】そこで本発明は、このような従来の問題点
を解決するためになされたものであり、画像の明るさを
均一にすることのできる画像表示装置を提供することを
目的とするものである。
を解決するためになされたものであり、画像の明るさを
均一にすることのできる画像表示装置を提供することを
目的とするものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、透明電極を備
えた２枚の対向する基板間にメモリー性を有する液晶層
と光導電層とを挟む込む構造の空間光変調素子に書き込
み光を照射して表示情報を書き込む画像表示装置におい
て、前記空間光変調素子の前記光導電層側に配されると
共に、前記書き込み光として電磁波ビームを照射する書
き込み光照射手段と、前記書き込み光照射手段から照射
される書き込み光をラスタースキャンさせるスキャン手
段と、前記透明電極に消去パルス及び書き込みパルスを
フレーム毎に印加する駆動電圧印加手段と、前記ラスタ
ースキャンのスキャン方向を１又は複数フレーム毎に逆
転させるよう前記スキャン手段を制御すると共に、前記
ラスタースキャンに同期して前記透明電極に消去パルス
及び書き込みパルスを印加するよう前記駆動電圧印加手
段を制御する表示制御手段と、を有することを特徴とす
るものである。
えた２枚の対向する基板間にメモリー性を有する液晶層
と光導電層とを挟む込む構造の空間光変調素子に書き込
み光を照射して表示情報を書き込む画像表示装置におい
て、前記空間光変調素子の前記光導電層側に配されると
共に、前記書き込み光として電磁波ビームを照射する書
き込み光照射手段と、前記書き込み光照射手段から照射
される書き込み光をラスタースキャンさせるスキャン手
段と、前記透明電極に消去パルス及び書き込みパルスを
フレーム毎に印加する駆動電圧印加手段と、前記ラスタ
ースキャンのスキャン方向を１又は複数フレーム毎に逆
転させるよう前記スキャン手段を制御すると共に、前記
ラスタースキャンに同期して前記透明電極に消去パルス
及び書き込みパルスを印加するよう前記駆動電圧印加手
段を制御する表示制御手段と、を有することを特徴とす
るものである。
【００１１】また本発明は、前記メモリー性を有する液
晶が強誘電性液晶または反強誘電性液晶であることを特
徴とするものである。
晶が強誘電性液晶または反強誘電性液晶であることを特
徴とするものである。
【００１２】また本発明は、前記メモリー性を有する液
晶が双安定型ネマチック液晶であることを特徴とするも
のである。
晶が双安定型ネマチック液晶であることを特徴とするも
のである。
【００１３】また本発明は、前記電磁波ビームがレーザ
ービームであることを特徴とする特徴とするものであ
る。
ービームであることを特徴とする特徴とするものであ
る。
【００１４】また本発明のように、表示制御手段によ
り、空間光変調素子の光導電層側に配された書き込み光
照射手段から照射された書き込み光としての電磁波ビー
ムをラスタースキャンさせるスキャン手段を制御し、ラ
スタースキャンのスキャン方向を１又は複数フレーム毎
に逆転させると共に、駆動電圧印加手段を制御し、ラス
タースキャンに同期して透明電極に消去パルス及び書き
込みパルスを印加させる。
り、空間光変調素子の光導電層側に配された書き込み光
照射手段から照射された書き込み光としての電磁波ビー
ムをラスタースキャンさせるスキャン手段を制御し、ラ
スタースキャンのスキャン方向を１又は複数フレーム毎
に逆転させると共に、駆動電圧印加手段を制御し、ラス
タースキャンに同期して透明電極に消去パルス及び書き
込みパルスを印加させる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を用いて説明する。
を用いて説明する。
【００１６】図１は、本発明の実施の形態に係る画像表
示装置の構成を表したものであり、同図において、１は
ＳＬＭ、２は書き込み光照射手段であるレーザビーム発
生装置、２Ａは、このレーザビーム発生装置２に設けら
れた表示制御手段である制御装置である。
示装置の構成を表したものであり、同図において、１は
ＳＬＭ、２は書き込み光照射手段であるレーザビーム発
生装置、２Ａは、このレーザビーム発生装置２に設けら
れた表示制御手段である制御装置である。
【００１７】そして、このレーザビーム発生装置２か
ら、例えばホストコンピュータ（不図示）から出力され
る画像データＤに対応して出力された書き込み光Ｌｗが
スキャン手段であるポリゴンミラー３及びポリゴンミラ
ー制御装置（不図示）によりスキャンされ、表示情報と
しての表示画像がＳＬＭ１の光導電層側１ａから書き込
まれるようになっている。
ら、例えばホストコンピュータ（不図示）から出力され
る画像データＤに対応して出力された書き込み光Ｌｗが
スキャン手段であるポリゴンミラー３及びポリゴンミラ
ー制御装置（不図示）によりスキャンされ、表示情報と
しての表示画像がＳＬＭ１の光導電層側１ａから書き込
まれるようになっている。
【００１８】なお、このスキャンの際、この制御装置２
Ａは、ポリゴンミラー３及びポリゴンミラー制御装置を
制御してラスタースキャンのスキャン方向を１フレーム
毎に逆転させるようにしている。さらに、この制御装置
２Ａは、表示画像書き込みの際、このラスタースキャン
に同期してＳＬＭ１の後ほど図示する透明電極に消去パ
ルス及び書き込みパルスを印加するよう駆動電圧印加手
段４を制御するようにしている。
Ａは、ポリゴンミラー３及びポリゴンミラー制御装置を
制御してラスタースキャンのスキャン方向を１フレーム
毎に逆転させるようにしている。さらに、この制御装置
２Ａは、表示画像書き込みの際、このラスタースキャン
に同期してＳＬＭ１の後ほど図示する透明電極に消去パ
ルス及び書き込みパルスを印加するよう駆動電圧印加手
段４を制御するようにしている。
【００１９】一方、書き込まれた表示画像は偏光子５及
びビームスプリッタ６を通って入力される読み出し光Ｌ
ｒにより読み出されるようになっている。なお、同図に
おいて、７は検光子であり、この検光子７は、偏光子５
と偏光軸が互いに直交するように配置されている。ま
た、ＳＬＭ１はＦＬＣのＯＦＦ状態で消光位置になるよ
うに配置されている。
びビームスプリッタ６を通って入力される読み出し光Ｌ
ｒにより読み出されるようになっている。なお、同図に
おいて、７は検光子であり、この検光子７は、偏光子５
と偏光軸が互いに直交するように配置されている。ま
た、ＳＬＭ１はＦＬＣのＯＦＦ状態で消光位置になるよ
うに配置されている。
【００２０】ところで、図２は、ＳＬＭ１の構造を模式
的に表わしたものであり、ＳＬＭ１はガラス基板１２上
に形成された透明電極１３と、光導電層１４と、その上
に形成された誘電反射膜または微少領域に分割された金
属反射膜１５と、配向膜１６と、もう一方のガラス基板
１２ａ上に形成された透明電極１３ａと、その上に形成
された配向膜１６ａと、配向膜１６，１６ａの間に注入
されたＦＬＣからなる液晶層１７とを有している。
的に表わしたものであり、ＳＬＭ１はガラス基板１２上
に形成された透明電極１３と、光導電層１４と、その上
に形成された誘電反射膜または微少領域に分割された金
属反射膜１５と、配向膜１６と、もう一方のガラス基板
１２ａ上に形成された透明電極１３ａと、その上に形成
された配向膜１６ａと、配向膜１６，１６ａの間に注入
されたＦＬＣからなる液晶層１７とを有している。
【００２１】なお、配向膜１６，１６ａは高分子ポリマ
ー（たとえば、ポリイミド）を互いに平行かつ同一方向
にラビング処理されたものを用いている。
ー（たとえば、ポリイミド）を互いに平行かつ同一方向
にラビング処理されたものを用いている。
【００２２】また光導電層１４は、例えばＣｄＳ、Ｃｄ
Ｔｅ、ＣｄＳｅ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＧａＡｓ、Ｇａ
Ｎ、ＧａＰ、ＧａＡｌＡｓ、ＩｎＰ等の化合物半導体、
Ｓｅ、ｓｅＴｅ、ＡｓＳｅ等の非晶質半導体、Ｓｉ、Ｇ
ｅ、Ｓｉｌ−ｘＣｘ、Ｓｉｌ−ｘＧｅｘ、Ｇｅｌ−ｘＣ
ｘ、（０＜ｘ＜ｌ）の多結晶または非晶質半導体、ま
た、フタロシアニン顔料、モノアゾ色素、ジスアゾ色素
などのアゾ系色素、ペニレン酸無水化物及びペニレン酸
イミドなどのペニレン系顔料、インジゴイド染料、キナ
クリドン顔料、アントラキノン類、ピレンキノン類など
の多環キノン類、シアニン色素、キサンテン染料、ＰＶ
Ｋ／ＴＮＦなどの電荷移動錯体、ビリリウム塩染料とポ
リカーボネイト樹脂から形成される共晶錯体、アズレニ
ウム塩化合物等の有機半導体を用いて形成している。
Ｔｅ、ＣｄＳｅ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＧａＡｓ、Ｇａ
Ｎ、ＧａＰ、ＧａＡｌＡｓ、ＩｎＰ等の化合物半導体、
Ｓｅ、ｓｅＴｅ、ＡｓＳｅ等の非晶質半導体、Ｓｉ、Ｇ
ｅ、Ｓｉｌ−ｘＣｘ、Ｓｉｌ−ｘＧｅｘ、Ｇｅｌ−ｘＣ
ｘ、（０＜ｘ＜ｌ）の多結晶または非晶質半導体、ま
た、フタロシアニン顔料、モノアゾ色素、ジスアゾ色素
などのアゾ系色素、ペニレン酸無水化物及びペニレン酸
イミドなどのペニレン系顔料、インジゴイド染料、キナ
クリドン顔料、アントラキノン類、ピレンキノン類など
の多環キノン類、シアニン色素、キサンテン染料、ＰＶ
Ｋ／ＴＮＦなどの電荷移動錯体、ビリリウム塩染料とポ
リカーボネイト樹脂から形成される共晶錯体、アズレニ
ウム塩化合物等の有機半導体を用いて形成している。
【００２３】なお、本実施の形態においては、ｐｉｎ構
造のアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）をプラズマＣＶ
Ｄ法により、約２ｕｍの厚さに堆積させて形成してい
る。
造のアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）をプラズマＣＶ
Ｄ法により、約２ｕｍの厚さに堆積させて形成してい
る。
【００２４】また、ＦＬＣ層１７の層厚は約１ｕｍであ
る。なお、ＳＬＭ１の本実施の形態の第１実施例とし
て、ＦＬＣとして、以下の特性を示す組成物を用いた。
る。なお、ＳＬＭ１の本実施の形態の第１実施例とし
て、ＦＬＣとして、以下の特性を示す組成物を用いた。
【００２５】 相系列 Ｉｓｏ → Ｃｈ → ＳＡ → Ｓ＊ｃ → Ｃｒｙｓｔ （℃） ９２ ８５ ６７ −１７ 自発分極 Ｐｓ＝６ｎＣ／ｃｍ2 （３０℃） チルト角 Θ＝１５ｄｅｇ （３０℃） 誘電異方性△ε＝−０．２ （３０℃） ところで、本実施の形態において、書き込み光の走査方
法としては、図３に示すように奇数フレームではスキャ
ン方向１としてＳＬＭ１の表示面の上から下に向かって
レーザビームを走査し、偶数フレームではスキャン方向
２として表示面の下から上に向かって走査するようにし
ている。
法としては、図３に示すように奇数フレームではスキャ
ン方向１としてＳＬＭ１の表示面の上から下に向かって
レーザビームを走査し、偶数フレームではスキャン方向
２として表示面の下から上に向かって走査するようにし
ている。
【００２６】一方、図４は各走査線の画像表示時間を模
式的に表したグラフであり、（ａ）は奇数フレームにお
ける各走査線上の画素の画像表示時間を、（ｂ）は偶数
フレームにおける各走査線上の画素の画像表示時間を、
（ｃ）は２フレームでの平均の画像表示時間をそれぞれ
示している。そして、（ｃ）から明らかなようにフレー
ム毎に書き込み光の走査方向を反転させることにより、
ＳＬＭ１の表示面上での平均的な画像表示時間を均一化
することができる。
式的に表したグラフであり、（ａ）は奇数フレームにお
ける各走査線上の画素の画像表示時間を、（ｂ）は偶数
フレームにおける各走査線上の画素の画像表示時間を、
（ｃ）は２フレームでの平均の画像表示時間をそれぞれ
示している。そして、（ｃ）から明らかなようにフレー
ム毎に書き込み光の走査方向を反転させることにより、
ＳＬＭ１の表示面上での平均的な画像表示時間を均一化
することができる。
【００２７】次に、このように構成された画像表示装置
の表示動作について説明する。
の表示動作について説明する。
【００２８】ＦＬＣの駆動は消去パルス２１と書き込み
パルス２２の繰り返しにより行われる（図７（ｂ）参
照）。ここで、整流性をもつ光導電層１４とＦＬＣ層１
７が直列に接続されたＳＬＭ１に、最初に消去パルス２
１が印加されると、光導電層１４には順方向電圧が加わ
って低抵抗状態となり、ＦＬＣは強制的にＯＦＦ状態に
なる。
パルス２２の繰り返しにより行われる（図７（ｂ）参
照）。ここで、整流性をもつ光導電層１４とＦＬＣ層１
７が直列に接続されたＳＬＭ１に、最初に消去パルス２
１が印加されると、光導電層１４には順方向電圧が加わ
って低抵抗状態となり、ＦＬＣは強制的にＯＦＦ状態に
なる。
【００２９】次に、書き込みパルス２２が印加される
と、光導電層１４は逆方向状態になり、書き込み光Ｌｗ
の強度に概ね比例した光電流が発生する。その結果、Ｆ
ＬＣ層１７と光導電層１４とで抵抗分割された電界がＦ
ＬＣ層１７に印加され、ＦＬＣがＯＮ状態となる。な
お、この書き込み光Ｌｗの強度に対応した面積の分極反
転ドメインが形成されることにより、中間調表示も可能
となる。
と、光導電層１４は逆方向状態になり、書き込み光Ｌｗ
の強度に概ね比例した光電流が発生する。その結果、Ｆ
ＬＣ層１７と光導電層１４とで抵抗分割された電界がＦ
ＬＣ層１７に印加され、ＦＬＣがＯＮ状態となる。な
お、この書き込み光Ｌｗの強度に対応した面積の分極反
転ドメインが形成されることにより、中間調表示も可能
となる。
【００３０】ここで、本実施の形態においては、消去パ
ルス２１は幅０．１ｍｓ、電圧＋１０Ｖ、書き込みパル
ス２２は電圧−１．０Ｖ、１フレームは３３ｍｓとし
た。
ルス２１は幅０．１ｍｓ、電圧＋１０Ｖ、書き込みパル
ス２２は電圧−１．０Ｖ、１フレームは３３ｍｓとし
た。
【００３１】そして、ＳＬＭ１からの出力光Ｌｏ（図１
参照）はビームスプリッタ６を介して直接観察者により
観察される。ここで、第１実施例に係る液晶層１７を有
するＳＬＭ１の場合、入力画像がＳＬＭの出力面全体に
わたって均一に再現されており、コントラストは約５０
であった。
参照）はビームスプリッタ６を介して直接観察者により
観察される。ここで、第１実施例に係る液晶層１７を有
するＳＬＭ１の場合、入力画像がＳＬＭの出力面全体に
わたって均一に再現されており、コントラストは約５０
であった。
【００３２】このように、フレーム毎に書き込み光の走
査方向を反転させてＳＬＭ１の表示面上での平均的な画
像表示時間を均一化することにより、コントラストの高
い画像表示を行うことができる。なお、このコントラス
トは、ＳＬＭ１からの出力光Ｌｏの輝度を輝度計（トプ
コン社製、ＢＭ−５）により、ＦＬＣ層１７のＯＮ状態
と、ＯＦＦ状態のそれぞれについて測定し、これらの比
をとって求めた。
査方向を反転させてＳＬＭ１の表示面上での平均的な画
像表示時間を均一化することにより、コントラストの高
い画像表示を行うことができる。なお、このコントラス
トは、ＳＬＭ１からの出力光Ｌｏの輝度を輝度計（トプ
コン社製、ＢＭ−５）により、ＦＬＣ層１７のＯＮ状態
と、ＯＦＦ状態のそれぞれについて測定し、これらの比
をとって求めた。
【００３３】なお、本実施の形態では、書き込み光の走
査方向を１フレーム毎に反転させるものとしたが、複数
フレーム毎に反転させてもよい。また、書き込みパルス
２２は図７（ｃ）のように交流波形としてもよい。
査方向を１フレーム毎に反転させるものとしたが、複数
フレーム毎に反転させてもよい。また、書き込みパルス
２２は図７（ｃ）のように交流波形としてもよい。
【００３４】次に、本実施の形態の第２実施例について
説明する。
説明する。
【００３５】本実施例においては、ＳＬＭ１として次の
構成のものを用いた。即ち、一方の基板、例えば図２に
示す一方の基板１２にはポリイミド膜（約１０ｎｍ厚）
を形成したのち、その表面をナイロン製の布を用い一方
向にラビング処理した。また、他方の基板１２ａにはシ
ランカップリング剤（０ＤＳ−Ｅ）をスピン塗布するこ
とによって垂直配向処理した。その後、平均粒径２．０
ｕｍのシリカビーズを介して、両基板１２，１２ａを貼
り合わせ、シール剤で接着した。
構成のものを用いた。即ち、一方の基板、例えば図２に
示す一方の基板１２にはポリイミド膜（約１０ｎｍ厚）
を形成したのち、その表面をナイロン製の布を用い一方
向にラビング処理した。また、他方の基板１２ａにはシ
ランカップリング剤（０ＤＳ−Ｅ）をスピン塗布するこ
とによって垂直配向処理した。その後、平均粒径２．０
ｕｍのシリカビーズを介して、両基板１２，１２ａを貼
り合わせ、シール剤で接着した。
【００３６】その間隙に以下の物性を示すＦＬＣを封入
した。この液晶はセルに封入された非螺旋状態におい
て、そのスメクチック層がシェブロン構造をとらず、屈
曲部をもたない、所謂ブックシェルフ構造をとるもので
ある。
した。この液晶はセルに封入された非螺旋状態におい
て、そのスメクチック層がシェブロン構造をとらず、屈
曲部をもたない、所謂ブックシェルフ構造をとるもので
ある。
【００３７】 相系列 Ｉｓｏ → ＳＡ → Ｓ＊ｃ → Ｃｒｙｓｔ （℃） ７９ ５３ −１４ 自発分極 Ｐｓ＝３ｎＣ／ｃｍ2 （３０℃） チルト角 Θ＝１２ｄｅｇ （３０℃） 誘電異方性 △ε＝０ （３０℃） そして、第１実施例と同様に、ＳＬＭ表示面の画像を観
察したところ、第１実施例よりもさらにコントラストの
高い画像が再現された。
察したところ、第１実施例よりもさらにコントラストの
高い画像が再現された。
【００３８】次に、本実施の形態の第３実施例について
説明する。
説明する。
【００３９】本実施例においては、以下の物性を示す反
強誘電性液晶（チッソ（株）製「ＣＳ４０００」）を用
いてＳＬＭ１を形成した。
強誘電性液晶（チッソ（株）製「ＣＳ４０００」）を用
いてＳＬＭ１を形成した。
【００４０】 相系列 Ｉｓｏ → ＳＡ → Ｓ＊ｃ → Ｓ＊ＣＡ → Ｃｒｙｓｔ （℃） １０１ ８４ ８２ −１０℃ （Ｓ＊ＣＡは反強誘電相）。
【００４１】ただし、ＳＬＭ１における両基板１２，１
２ａの間隔（セル厚）は約２ｕｍとし、図１における偏
光子５の偏光軸は反強誘電状態の平均分子軸に実質的に
一致している。また、このようなＡＦＬＣを用いたＳＬ
Ｍにおいて、光導電層１４として両極性光導電層１４
（例えば、ａ−Ｓｉ）を用いた。
２ａの間隔（セル厚）は約２ｕｍとし、図１における偏
光子５の偏光軸は反強誘電状態の平均分子軸に実質的に
一致している。また、このようなＡＦＬＣを用いたＳＬ
Ｍにおいて、光導電層１４として両極性光導電層１４
（例えば、ａ−Ｓｉ）を用いた。
【００４２】図５は、このような反強誘電性液晶（ＡＦ
ＬＣ）を用いた場合の印加パルスのタイミングをあらわ
したものである。同図において、（ａ）は、図７（ａ）
同様、レーザビームの入力のタイミングを表している。
また（ｂ）はＳＬＭ１に印加する駆動信号を表してお
り、この駆動信号は消去パルス７１と、書き込みパルス
７２とからなる。なお、７３は１フレーム期間を表して
いる。
ＬＣ）を用いた場合の印加パルスのタイミングをあらわ
したものである。同図において、（ａ）は、図７（ａ）
同様、レーザビームの入力のタイミングを表している。
また（ｂ）はＳＬＭ１に印加する駆動信号を表してお
り、この駆動信号は消去パルス７１と、書き込みパルス
７２とからなる。なお、７３は１フレーム期間を表して
いる。
【００４３】そして、消去パルス７１により全画面が反
強誘電状態にリセットされ、書き込みパルス７２（パル
ス幅：５００ｕｓ、電圧：４０Ｖ）により画像情報に応
じて、強誘電状態または反強誘電状態が選択される。な
お、非選択期間では強誘電状態または反強誘電状態を保
持するためのオフセット電圧が印加される。
強誘電状態にリセットされ、書き込みパルス７２（パル
ス幅：５００ｕｓ、電圧：４０Ｖ）により画像情報に応
じて、強誘電状態または反強誘電状態が選択される。な
お、非選択期間では強誘電状態または反強誘電状態を保
持するためのオフセット電圧が印加される。
【００４４】なお、この駆動信号はフレーム毎に極性を
反転することができる。さらに、消去パルス７１には書
き込みパルス７２と逆極性で電圧値の小さいパルスを印
加してもよい。
反転することができる。さらに、消去パルス７１には書
き込みパルス７２と逆極性で電圧値の小さいパルスを印
加してもよい。
【００４５】次に、本実施の形態の第４実施例について
説明する。
説明する。
【００４６】本実施例におけるＳＬＭ１を以下のように
変更し、双安定性を有するねじれネマチックモード（Ｂ
ＴＮ）とした。このモードの原理的な内容は特公平１−
５１８１８０に、また駆動法については特開平６−２３
０７５１にそれぞれ詳述されている。
変更し、双安定性を有するねじれネマチックモード（Ｂ
ＴＮ）とした。このモードの原理的な内容は特公平１−
５１８１８０に、また駆動法については特開平６−２３
０７５１にそれぞれ詳述されている。
【００４７】本実施例においては、ネマチック液晶組成
物（チッソ社製：ＫＮ−４０００）に光学活性剤（メル
ク社製：Ｓ−８１１）を添加してヘリカルピッチＰ＝
３．４μｍのカイラルネマチック液晶を得た。液晶セル
部は、ポリイミド配向膜を形成した後、ラビング処理を
施し、各ガラス基板はスペーサビーズを介して、ラビン
グの方向が反平行方向となるように貼り合わされた。
物（チッソ社製：ＫＮ−４０００）に光学活性剤（メル
ク社製：Ｓ−８１１）を添加してヘリカルピッチＰ＝
３．４μｍのカイラルネマチック液晶を得た。液晶セル
部は、ポリイミド配向膜を形成した後、ラビング処理を
施し、各ガラス基板はスペーサビーズを介して、ラビン
グの方向が反平行方向となるように貼り合わされた。
【００４８】ここで、セル厚はｄ＝２．０μｍとし、こ
の液晶セルに前記液晶組成物を注入した。このときのプ
レティルト角はα＝４であり、初期配向はπツイスト配
向であった。
の液晶セルに前記液晶組成物を注入した。このときのプ
レティルト角はα＝４であり、初期配向はπツイスト配
向であった。
【００４９】図６は、ＢＴＮを用いた場合の印加パルス
のタイミングをあらわしたものである。同図の（ａ）
は、図５（ａ）同様、レーザビームの入力のタイミング
を表している。（ｂ）はＳＬＭに印加する駆動信号を表
しており、この駆動信号は、消去パルス８１、書き込み
パルス８２からなる。なお８３は、１フレーム期間を表
さしている。
のタイミングをあらわしたものである。同図の（ａ）
は、図５（ａ）同様、レーザビームの入力のタイミング
を表している。（ｂ）はＳＬＭに印加する駆動信号を表
しており、この駆動信号は、消去パルス８１、書き込み
パルス８２からなる。なお８３は、１フレーム期間を表
さしている。
【００５０】そして、消去パルス８１（パルス幅：２ｍ
ｓ、電圧：±３０Ｖ）で全画面がホメオトロピック状態
にリセットされ、書き込みパルス８２（パルス幅：３０
０ｕｓ、電圧：±５Ｖ）で画像情報に応じて、ユニフォ
ーム配向または２πツイスト配向が選択される。
ｓ、電圧：±３０Ｖ）で全画面がホメオトロピック状態
にリセットされ、書き込みパルス８２（パルス幅：３０
０ｕｓ、電圧：±５Ｖ）で画像情報に応じて、ユニフォ
ーム配向または２πツイスト配向が選択される。
【００５１】そして、偏光子５及び検光子７により、０
ツイストのユニフォーム配向で”明”表示、２πツイス
ト配向で”暗”表示となり、このときのコントラストは
約５０であった。
ツイストのユニフォーム配向で”明”表示、２πツイス
ト配向で”暗”表示となり、このときのコントラストは
約５０であった。
【００５２】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、電
磁波ビームのラスタースキャンのスキャン方向を１又は
複数フレーム毎に逆転させると共に、ラスタースキャン
に同期してＳＬＭに消去パルス及び書き込みパルスを印
加させることにより、高い輝度で輝度ムラの少ない投射
型ディスプレイ装置等に最適な画像表示装置を提供する
ことができる。
磁波ビームのラスタースキャンのスキャン方向を１又は
複数フレーム毎に逆転させると共に、ラスタースキャン
に同期してＳＬＭに消去パルス及び書き込みパルスを印
加させることにより、高い輝度で輝度ムラの少ない投射
型ディスプレイ装置等に最適な画像表示装置を提供する
ことができる。
【図１】本発明の実施の形態に係る画像表示装置の構成
を表わした図。
を表わした図。
【図２】上記画像表示装置のＳＬＭの構造を模式的に表
わした図。
わした図。
【図３】上記画像表示装置における書き込み光の走査方
法を示す図。
法を示す図。
【図４】上記ＳＬＭの各走査線の画像表示時間を模式的
に表した図。
に表した図。
【図５】（ａ）はレーザービームの入力のタイミングを
示す図、（ｂ）は上記実施の形態の第３実施例に係るＳ
ＬＭに印加する駆動信号を表わした図。
示す図、（ｂ）は上記実施の形態の第３実施例に係るＳ
ＬＭに印加する駆動信号を表わした図。
【図６】（ａ）はレーザービームの入力のタイミングを
示す図、（ｂ）は上記実施の形態の第４実施例に係るＳ
ＬＭに印加する駆動信号を表わした図。
示す図、（ｂ）は上記実施の形態の第４実施例に係るＳ
ＬＭに印加する駆動信号を表わした図。
【図７】（ａ）はレーザービームの入力のタイミングを
示す図、（ｂ）は従来のＳＬＭに印加する駆動信号を表
わした図。
示す図、（ｂ）は従来のＳＬＭに印加する駆動信号を表
わした図。
【図８】従来の画像表示装置における書き込み光の走査
方法を示す図。
方法を示す図。
１ ＳＬＭ ２ レーザビーム発生装置 ２Ａ 制御装置 ３ ポリゴンミラー ４ 駆動電圧印加手段 １２，１２ａ ガラス基板 １３，１３ａ 透明電極 １４ 光導電層 １７ 液晶層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ // Ｇ０９Ｇ 3/02 Ｇ０９Ｇ 3/02
Claims (4)
- 【請求項１】 透明電極を備えた２枚の対向する基板間
にメモリー性を有する液晶層と光導電層とを挟む込む構
造の空間光変調素子に書き込み光を照射して表示情報を
書き込む画像表示装置において、 前記空間光変調素子の前記光導電層側に配されると共
に、前記書き込み光として電磁波ビームを照射する書き
込み光照射手段と、 前記書き込み光照射手段から照射される書き込み光をラ
スタースキャンさせるスキャン手段と、 前記透明電極に消去パルス及び書き込みパルスをフレー
ム毎に印加する駆動電圧印加手段と、 前記ラスタースキャンのスキャン方向を１又は複数フレ
ーム毎に逆転させるよう前記スキャン手段を制御すると
共に、前記ラスタースキャンに同期して前記透明電極に
消去パルス及び書き込みパルスを印加するよう前記駆動
電圧印加手段を制御する表示制御手段と、 を有することを特徴とする画像表示装置。 - 【請求項２】 前記メモリー性を有する液晶が強誘電性
液晶または反強誘電性液晶であることを特徴とする請求
項１記載の画像形成装置。 - 【請求項３】 前記メモリー性を有する液晶が双安定型
ネマチック液晶であることを特徴とする請求項１記載の
画像形成装置。 - 【請求項４】 前記電磁波ビームがレーザービームであ
ることを特徴とする請求項１記載の画像形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23631797A JPH1184343A (ja) | 1997-09-01 | 1997-09-01 | 画像表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23631797A JPH1184343A (ja) | 1997-09-01 | 1997-09-01 | 画像表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1184343A true JPH1184343A (ja) | 1999-03-26 |
Family
ID=16999014
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23631797A Pending JPH1184343A (ja) | 1997-09-01 | 1997-09-01 | 画像表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1184343A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6927766B2 (en) | 2000-08-08 | 2005-08-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Image display apparatus |
| JP2006216052A (ja) * | 2005-02-04 | 2006-08-17 | Thomson Licensing | 時間リカレンスを表す画像のシーケンスにおけるピクセルをスキャンする方法及び装置及び参照フレームに関して現在のフレームの動きを推定するための方法及び装置 |
| WO2009085556A1 (en) * | 2007-12-29 | 2009-07-09 | Microvision, Inc. | Input device for a scanned beam display |
-
1997
- 1997-09-01 JP JP23631797A patent/JPH1184343A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6927766B2 (en) | 2000-08-08 | 2005-08-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Image display apparatus |
| JP2006216052A (ja) * | 2005-02-04 | 2006-08-17 | Thomson Licensing | 時間リカレンスを表す画像のシーケンスにおけるピクセルをスキャンする方法及び装置及び参照フレームに関して現在のフレームの動きを推定するための方法及び装置 |
| WO2009085556A1 (en) * | 2007-12-29 | 2009-07-09 | Microvision, Inc. | Input device for a scanned beam display |
| US8519983B2 (en) | 2007-12-29 | 2013-08-27 | Microvision, Inc. | Input device for a scanned beam display |
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