JPH1179898A - 窒化物単結晶薄膜の形成方法 - Google Patents
窒化物単結晶薄膜の形成方法Info
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- JPH1179898A JPH1179898A JP23364097A JP23364097A JPH1179898A JP H1179898 A JPH1179898 A JP H1179898A JP 23364097 A JP23364097 A JP 23364097A JP 23364097 A JP23364097 A JP 23364097A JP H1179898 A JPH1179898 A JP H1179898A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高品質な受発光素子や電子デバイスを作製で
きる（Ｉｎ，Ａｌ，Ｇａ）Ｎ窒化物単結晶薄膜を低温で
形成する。 【解決手段】 ガリウム砒素結晶基板上に立方晶のIII-
V族窒化物単結晶薄膜を形成する際に、この基板が立方
晶のガリウム砒素単結晶の基板であって、この基板に
は、砒素圧制御ＣＺ法（ＰＣＺ法）又は横型ブリッジマ
ン法（ＨＢ法）により作られた単結晶の基板を用いる。
上記III-V族窒化物のうちIII族元素はＩｎ，Ａｌ及びＧ
ａからなる群より選ばれた１種又は２種以上の元素であ
って、上記III-V族窒化物単結晶薄膜は分子線エピタキ
シャル成長法（ＭＢＥ法）により形成される。
きる（Ｉｎ，Ａｌ，Ｇａ）Ｎ窒化物単結晶薄膜を低温で
形成する。 【解決手段】 ガリウム砒素結晶基板上に立方晶のIII-
V族窒化物単結晶薄膜を形成する際に、この基板が立方
晶のガリウム砒素単結晶の基板であって、この基板に
は、砒素圧制御ＣＺ法（ＰＣＺ法）又は横型ブリッジマ
ン法（ＨＢ法）により作られた単結晶の基板を用いる。
上記III-V族窒化物のうちIII族元素はＩｎ，Ａｌ及びＧ
ａからなる群より選ばれた１種又は２種以上の元素であ
って、上記III-V族窒化物単結晶薄膜は分子線エピタキ
シャル成長法（ＭＢＥ法）により形成される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ガリウム砒素結晶
基板（以下、ＧａＡｓ基板という）上にIII-V族窒化物
単結晶薄膜を形成する方法に関する。更に詳しくは、発
光ダイオード（以下、ＬＥＤという）、レーザダイオー
ド（以下、ＬＤという）などの受発光素子や、トランジ
スタなどの電子デバイスに用いられる窒化物単結晶薄膜
の形成方法に関するものである。
基板（以下、ＧａＡｓ基板という）上にIII-V族窒化物
単結晶薄膜を形成する方法に関する。更に詳しくは、発
光ダイオード（以下、ＬＥＤという）、レーザダイオー
ド（以下、ＬＤという）などの受発光素子や、トランジ
スタなどの電子デバイスに用いられる窒化物単結晶薄膜
の形成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、六方晶のこの種の窒化物単結晶薄
膜は、六方晶のサファイア基板を使ってこの基板のｃ面
上に８００〜１１００℃程度の温度で成長させて形成さ
れる。一方、立方晶のこの種の窒化物単結晶薄膜は、立
方晶のＧａＡｓ基板や立方晶のＳｉＣ基板を使ってこれ
らの（００１）面上に６００〜８００℃程度の温度で成
長させて形成される。ここでＧａＡｓ基板は、液体封止
チョクラルスキー法（以下、ＬＥＣ法という）や縦型ブ
リッジマン法（ＶＢ法という）により作られたＧａＡｓ
単結晶を加工して作られる。このＬＥＣ法やＶＢ法で作
られた立方晶のＧａＡｓ基板を用いて窒化物薄膜を形成
するときに、低い温度で基板上に窒化物薄膜を成長させ
ると、薄膜がアモルファスもしくは多結晶になってしま
うため、６００〜８００℃の高温で窒化物薄膜を成長す
る必要がある。
膜は、六方晶のサファイア基板を使ってこの基板のｃ面
上に８００〜１１００℃程度の温度で成長させて形成さ
れる。一方、立方晶のこの種の窒化物単結晶薄膜は、立
方晶のＧａＡｓ基板や立方晶のＳｉＣ基板を使ってこれ
らの（００１）面上に６００〜８００℃程度の温度で成
長させて形成される。ここでＧａＡｓ基板は、液体封止
チョクラルスキー法（以下、ＬＥＣ法という）や縦型ブ
リッジマン法（ＶＢ法という）により作られたＧａＡｓ
単結晶を加工して作られる。このＬＥＣ法やＶＢ法で作
られた立方晶のＧａＡｓ基板を用いて窒化物薄膜を形成
するときに、低い温度で基板上に窒化物薄膜を成長させ
ると、薄膜がアモルファスもしくは多結晶になってしま
うため、６００〜８００℃の高温で窒化物薄膜を成長す
る必要がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記六方晶の
窒化物単結晶は、六方晶のサファイア上で３０度回転し
て成長するため、基板と単結晶薄膜の結晶方位が互いに
相違し、ＬＥＤ、ＬＤ、電子デバイス等に加工するとき
に、基板と薄膜の界面にきれいな劈開面を作ることが困
難な問題点があった。またＬＥＣ法やＶＢ法で作られた
立方晶のＧａＡｓ基板を用いて高温で窒化物単結晶薄膜
を形成した場合には、デバイス作製時に拡散を生じやす
い。例えばｐｎ接合を作製した場合にはこの拡散により
ｐｎ接合の逆方向の耐圧が低下する不具合があった。本
発明の目的は、高品質な受発光素子や電子デバイスを作
製できる（Ｉｎ，Ａｌ，Ｇａ）Ｎ窒化物単結晶薄膜を低
温で形成する方法を提供することにある。
窒化物単結晶は、六方晶のサファイア上で３０度回転し
て成長するため、基板と単結晶薄膜の結晶方位が互いに
相違し、ＬＥＤ、ＬＤ、電子デバイス等に加工するとき
に、基板と薄膜の界面にきれいな劈開面を作ることが困
難な問題点があった。またＬＥＣ法やＶＢ法で作られた
立方晶のＧａＡｓ基板を用いて高温で窒化物単結晶薄膜
を形成した場合には、デバイス作製時に拡散を生じやす
い。例えばｐｎ接合を作製した場合にはこの拡散により
ｐｎ接合の逆方向の耐圧が低下する不具合があった。本
発明の目的は、高品質な受発光素子や電子デバイスを作
製できる（Ｉｎ，Ａｌ，Ｇａ）Ｎ窒化物単結晶薄膜を低
温で形成する方法を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】請求項１に係る発明は、
ガリウム砒素結晶基板の（００１）面上に立方晶のIII-
V族窒化物単結晶薄膜を形成する方法において、この基
板が立方晶のガリウム砒素単結晶の基板であって、この
基板が砒素のリザーバーの温度を制御することによって
炉内の砒素の蒸気圧を制御しながらガリウム砒素融液か
ら引上げたガリウム砒素単結晶を加工することにより形
成され、上記III-V族窒化物のうちIII族元素がＩｎ，Ａ
ｌ及びＧａからなる群より選ばれた１種又は２種以上の
元素であって、また上記III-V族窒化物単結晶薄膜が分
子線でエピタキシャル成長した単結晶薄膜であることを
特徴とする窒化物単結晶薄膜の形成方法である。この方
法では、砒素のリザーバーの温度を制御することによっ
て炉内の砒素の蒸気圧を制御しながらガリウム砒素融液
から引上げてガリウム砒素単結晶を育成する、砒素圧制
御チョクラルスキー法（砒素圧制御ＣＺ法、以下ＰＣＺ
法という）により作られた単結晶の基板を用いる。この
単結晶基板上に（Ｉｎ，Ａｌ，Ｇａ）Ｎ単結晶薄膜を分
子線エピタキシャル成長法（ＭＢＥ法）により３５０〜
４００℃程度で形成するため、比較的低温で基板及び薄
膜を形成できる。
ガリウム砒素結晶基板の（００１）面上に立方晶のIII-
V族窒化物単結晶薄膜を形成する方法において、この基
板が立方晶のガリウム砒素単結晶の基板であって、この
基板が砒素のリザーバーの温度を制御することによって
炉内の砒素の蒸気圧を制御しながらガリウム砒素融液か
ら引上げたガリウム砒素単結晶を加工することにより形
成され、上記III-V族窒化物のうちIII族元素がＩｎ，Ａ
ｌ及びＧａからなる群より選ばれた１種又は２種以上の
元素であって、また上記III-V族窒化物単結晶薄膜が分
子線でエピタキシャル成長した単結晶薄膜であることを
特徴とする窒化物単結晶薄膜の形成方法である。この方
法では、砒素のリザーバーの温度を制御することによっ
て炉内の砒素の蒸気圧を制御しながらガリウム砒素融液
から引上げてガリウム砒素単結晶を育成する、砒素圧制
御チョクラルスキー法（砒素圧制御ＣＺ法、以下ＰＣＺ
法という）により作られた単結晶の基板を用いる。この
単結晶基板上に（Ｉｎ，Ａｌ，Ｇａ）Ｎ単結晶薄膜を分
子線エピタキシャル成長法（ＭＢＥ法）により３５０〜
４００℃程度で形成するため、比較的低温で基板及び薄
膜を形成できる。
【０００５】請求項２に係る発明は、ガリウム砒素結晶
基板の（００１）面上に立方晶のIII-V族窒化物単結晶
薄膜を形成する方法において、この基板が立方晶のガリ
ウム砒素単結晶の基板であって、この基板がボート中の
ガリウム砒素融液を水平炉内で溶融した後、炉内を水平
移動させながら冷却してボートの一端から結晶させて作
られたガリウム砒素単結晶を加工することにより形成さ
れ、上記III-V族窒化物のうちIII族元素がＩｎ，Ａｌ及
びＧａからなる群より選ばれた１種又は２種以上の元素
であって、また上記III-V族窒化物単結晶薄膜が分子線
でエピタキシャル成長した単結晶薄膜であることを特徴
とする窒化物単結晶薄膜の形成方法である。この方法で
は、ボート中のガリウム砒素融液を水平炉内で溶融した
後、炉内を水平移動させながら冷却してボートの一端か
ら結晶させてガリウム砒素単結晶を育成する、横型ブリ
ッジマン法（以下、ＨＢ法という）により作られた単結
晶の基板を用いる。この単結晶基板上に（Ｉｎ，Ａｌ，
Ｇａ）Ｎ単結晶薄膜を分子線エピタキシャル成長法（Ｍ
ＢＥ法）により３５０〜４００℃程度で形成するため、
比較的低温で基板及び薄膜を形成できる。
基板の（００１）面上に立方晶のIII-V族窒化物単結晶
薄膜を形成する方法において、この基板が立方晶のガリ
ウム砒素単結晶の基板であって、この基板がボート中の
ガリウム砒素融液を水平炉内で溶融した後、炉内を水平
移動させながら冷却してボートの一端から結晶させて作
られたガリウム砒素単結晶を加工することにより形成さ
れ、上記III-V族窒化物のうちIII族元素がＩｎ，Ａｌ及
びＧａからなる群より選ばれた１種又は２種以上の元素
であって、また上記III-V族窒化物単結晶薄膜が分子線
でエピタキシャル成長した単結晶薄膜であることを特徴
とする窒化物単結晶薄膜の形成方法である。この方法で
は、ボート中のガリウム砒素融液を水平炉内で溶融した
後、炉内を水平移動させながら冷却してボートの一端か
ら結晶させてガリウム砒素単結晶を育成する、横型ブリ
ッジマン法（以下、ＨＢ法という）により作られた単結
晶の基板を用いる。この単結晶基板上に（Ｉｎ，Ａｌ，
Ｇａ）Ｎ単結晶薄膜を分子線エピタキシャル成長法（Ｍ
ＢＥ法）により３５０〜４００℃程度で形成するため、
比較的低温で基板及び薄膜を形成できる。
【０００６】請求項３に係る発明は、請求項１又は２に
係る発明であって、III-V族窒化物単結晶薄膜がＩｎxＡ
ｌ1-xＮ（但し、０≦ｘ≦１）、ＩｎxＧａ1-xＮ（但
し、０≦ｘ≦１）又はＩｎxＡｌyＧａ1-x-yＮ（但し、
０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０≦ｘ＋ｙ≦１）の単結晶薄
膜である窒化物単結晶薄膜の形成方法である。請求項１
又は２に係る発明の方法によれば、インジウムリッチの
窒化物単結晶薄膜を相分離させることなく、又は結晶性
を低下させることなく形成できる。
係る発明であって、III-V族窒化物単結晶薄膜がＩｎxＡ
ｌ1-xＮ（但し、０≦ｘ≦１）、ＩｎxＧａ1-xＮ（但
し、０≦ｘ≦１）又はＩｎxＡｌyＧａ1-x-yＮ（但し、
０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０≦ｘ＋ｙ≦１）の単結晶薄
膜である窒化物単結晶薄膜の形成方法である。請求項１
又は２に係る発明の方法によれば、インジウムリッチの
窒化物単結晶薄膜を相分離させることなく、又は結晶性
を低下させることなく形成できる。
【０００７】
【発明の実施の形態】請求項１に係る発明は、ＰＣＺ法
で作られた立方晶のガリウム砒素結晶基板を用い、この
基板の（００１）面上に立方晶の（Ｉｎ，Ａｌ，Ｇａ）
Ｎ単結晶薄膜をＭＢＥ法で形成するものである。また請
求項２に係る発明は、ＨＢ法で作られた立方晶のガリウ
ム砒素結晶基板を用い、この基板の（００１）面上に立
方晶の（Ｉｎ，Ａｌ，Ｇａ）Ｎ単結晶薄膜をＭＢＥ法で
形成するものである。立方晶の結晶基板に立方晶の単結
晶薄膜を形成するため、その界面での結晶方位は一致
し、デバイス作製時にきれいな劈開面が得られる。また
（Ｉｎ，Ａｌ，Ｇａ）Ｎ単結晶とは、ＩｎＮ、ＡｌＮ、
ＧａＮ、ＩｎxＡｌ1-xＮ（但し、０≦ｘ≦１）、Ｉｎx
Ｇａ1-xＮ（但し、０≦ｘ≦１）、ＡｌzＧａ1-zＮ（但
し、０≦ｚ≦１）、ＩｎxＡｌyＧａ1-x-y（但し、０≦
ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０≦ｘ＋ｙ≦１）である。ＭＢＥ
法で（Ｉｎ，Ａｌ，Ｇａ）Ｎ単結晶薄膜を形成する前
に、電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）プラズマを発生
させて、ガリウム砒素結晶基板にＮ2ビームを照射して
基板表面を窒化させておくことが好ましい。
で作られた立方晶のガリウム砒素結晶基板を用い、この
基板の（００１）面上に立方晶の（Ｉｎ，Ａｌ，Ｇａ）
Ｎ単結晶薄膜をＭＢＥ法で形成するものである。また請
求項２に係る発明は、ＨＢ法で作られた立方晶のガリウ
ム砒素結晶基板を用い、この基板の（００１）面上に立
方晶の（Ｉｎ，Ａｌ，Ｇａ）Ｎ単結晶薄膜をＭＢＥ法で
形成するものである。立方晶の結晶基板に立方晶の単結
晶薄膜を形成するため、その界面での結晶方位は一致
し、デバイス作製時にきれいな劈開面が得られる。また
（Ｉｎ，Ａｌ，Ｇａ）Ｎ単結晶とは、ＩｎＮ、ＡｌＮ、
ＧａＮ、ＩｎxＡｌ1-xＮ（但し、０≦ｘ≦１）、Ｉｎx
Ｇａ1-xＮ（但し、０≦ｘ≦１）、ＡｌzＧａ1-zＮ（但
し、０≦ｚ≦１）、ＩｎxＡｌyＧａ1-x-y（但し、０≦
ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０≦ｘ＋ｙ≦１）である。ＭＢＥ
法で（Ｉｎ，Ａｌ，Ｇａ）Ｎ単結晶薄膜を形成する前
に、電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）プラズマを発生
させて、ガリウム砒素結晶基板にＮ2ビームを照射して
基板表面を窒化させておくことが好ましい。
【０００８】
【実施例】次に本発明の実施例を比較例とともに説明す
る。 ＜実施例１＞基板としてＰＣＺ法で育成された単結晶を
加工した直径２インチ、厚さ３５０μｍのＧａＡｓ結晶
基板を用いた。ＭＢＥで単結晶薄膜を形成する前に、こ
の基板を１０％塩酸に５分間浸漬した後、超純水で１分
間リンスした。ＥＣＲ−ＭＢＥ装置により、単結晶薄膜
を形成した。この装置ではＩｎ源、Ａｌ源及びＧａ源と
して純度９９．９９％以上の金属を用い、またＮ源とし
て純度９９．９９９％以上のＮ2ガスをＥＣＲ励起によ
りプラズマ化して用いた。
る。 ＜実施例１＞基板としてＰＣＺ法で育成された単結晶を
加工した直径２インチ、厚さ３５０μｍのＧａＡｓ結晶
基板を用いた。ＭＢＥで単結晶薄膜を形成する前に、こ
の基板を１０％塩酸に５分間浸漬した後、超純水で１分
間リンスした。ＥＣＲ−ＭＢＥ装置により、単結晶薄膜
を形成した。この装置ではＩｎ源、Ａｌ源及びＧａ源と
して純度９９．９９％以上の金属を用い、またＮ源とし
て純度９９．９９９％以上のＮ2ガスをＥＣＲ励起によ
りプラズマ化して用いた。
【０００９】上記ＧａＡｓ結晶基板を（００１）面を分
子線成膜面となるように装置の基板ホルダに装着し、次
の条件で基板表面を窒化した。 基板温度： ４００℃ Ｎビーム強度： ３．０×１０-4Ｔｏｒｒ 窒化時間： ３０分 この窒化により基板の砒素が叩き出され、厚さ数１０オ
ングストロームのＧａＮ層が形成された。
子線成膜面となるように装置の基板ホルダに装着し、次
の条件で基板表面を窒化した。 基板温度： ４００℃ Ｎビーム強度： ３．０×１０-4Ｔｏｒｒ 窒化時間： ３０分 この窒化により基板の砒素が叩き出され、厚さ数１０オ
ングストロームのＧａＮ層が形成された。
【００１０】次いで次の条件でＧａＮ単結晶薄膜を成長
させた。 基板温度： ４００℃ Ｎビーム強度： ３．０×１０-4Ｔｏｒｒ Ｇａビーム強度： １．０×１０-7Ｔｏｒｒ 成長時間： ７時間 上記窒化とＧａＮの成長により、基板上に厚さ０．４μ
ｍのＧａＮ単結晶薄膜を形成した。
させた。 基板温度： ４００℃ Ｎビーム強度： ３．０×１０-4Ｔｏｒｒ Ｇａビーム強度： １．０×１０-7Ｔｏｒｒ 成長時間： ７時間 上記窒化とＧａＮの成長により、基板上に厚さ０．４μ
ｍのＧａＮ単結晶薄膜を形成した。
【００１１】＜実施例２＞基板としてＨＢ法で育成され
た単結晶を加工した直径２インチ、厚さ３５０μｍ、Ｇ
ａＡｓ結晶基板を用いた。それ以外は実施例１と同様に
して基板上に厚さ０．４μｍのＧａＮ単結晶薄膜を形成
した。 ＜比較例１＞基板としてＬＥＣ法で育成された単結晶を
加工した直径２インチ、厚さ３５０μｍ、ＧａＡｓ結晶
基板を用いた。それ以外は実施例１と同様にして基板上
に厚さ０．４μｍのＧａＮ単結晶薄膜を形成した。 ＜評価＞実施例１、実施例２及び比較例１の形成された
薄膜の各表面を反射型電子線回折装置（ＲＨＥＥＤ）に
より観察した。実施例１については図１に、実施例２に
ついては図２に、比較例１については図３にそれぞれ示
す。図３から明らかなように、比較例１の回折パターン
がリング状に現れたことから、この薄膜はＧａＮが島状
に成長した多結晶であることが伺えた。これに対して実
施例１及び実施例２の回折パターンはストリーク状に現
れたことから、これらの薄膜はＧａＮが二次元に成長し
て、その結晶面がオングストロームサイズで平坦である
ことが伺えた。
た単結晶を加工した直径２インチ、厚さ３５０μｍ、Ｇ
ａＡｓ結晶基板を用いた。それ以外は実施例１と同様に
して基板上に厚さ０．４μｍのＧａＮ単結晶薄膜を形成
した。 ＜比較例１＞基板としてＬＥＣ法で育成された単結晶を
加工した直径２インチ、厚さ３５０μｍ、ＧａＡｓ結晶
基板を用いた。それ以外は実施例１と同様にして基板上
に厚さ０．４μｍのＧａＮ単結晶薄膜を形成した。 ＜評価＞実施例１、実施例２及び比較例１の形成された
薄膜の各表面を反射型電子線回折装置（ＲＨＥＥＤ）に
より観察した。実施例１については図１に、実施例２に
ついては図２に、比較例１については図３にそれぞれ示
す。図３から明らかなように、比較例１の回折パターン
がリング状に現れたことから、この薄膜はＧａＮが島状
に成長した多結晶であることが伺えた。これに対して実
施例１及び実施例２の回折パターンはストリーク状に現
れたことから、これらの薄膜はＧａＮが二次元に成長し
て、その結晶面がオングストロームサイズで平坦である
ことが伺えた。
【００１２】
【発明の効果】以上述べたように、ＬＥＣ法やＶＢ法で
作られたＧａＡｓ基板を用いて高温で窒化物単結晶薄膜
を形成した場合と異なり、本発明によれば、ＧａＡｓ単
結晶の成長温度が比較的低温で済むＰＣＺ法又はＨＢ法
で作られた単結晶を加工したＧａＡｓ結晶基板を用い、
ＭＢＥ法により低温でこの基板上に（Ｉｎ，Ａｌ，Ｇ
ａ）Ｎ単結晶薄膜を形成するので、デバイス作製時に拡
散を生じにくく、ｐｎ接合を作製した場合にもこの拡散
によりｐｎ接合の逆方向の耐圧が低下しない。また立方
晶の基板に立方晶の単結晶薄膜を形成するため、基板と
薄膜の界面にきれいな劈開面を作ることできる。この結
果、高品質な受発光素子や電子デバイスを作製できる
（Ｉｎ，Ａｌ，Ｇａ）Ｎ窒化物単結晶薄膜が得られる。
作られたＧａＡｓ基板を用いて高温で窒化物単結晶薄膜
を形成した場合と異なり、本発明によれば、ＧａＡｓ単
結晶の成長温度が比較的低温で済むＰＣＺ法又はＨＢ法
で作られた単結晶を加工したＧａＡｓ結晶基板を用い、
ＭＢＥ法により低温でこの基板上に（Ｉｎ，Ａｌ，Ｇ
ａ）Ｎ単結晶薄膜を形成するので、デバイス作製時に拡
散を生じにくく、ｐｎ接合を作製した場合にもこの拡散
によりｐｎ接合の逆方向の耐圧が低下しない。また立方
晶の基板に立方晶の単結晶薄膜を形成するため、基板と
薄膜の界面にきれいな劈開面を作ることできる。この結
果、高品質な受発光素子や電子デバイスを作製できる
（Ｉｎ，Ａｌ，Ｇａ）Ｎ窒化物単結晶薄膜が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例１のＧａＮ単結晶薄膜表面の結晶構造を
示す反射型電子線回折写真図。
示す反射型電子線回折写真図。
【図２】実施例２のＧａＮ単結晶薄膜表面の結晶構造を
示す反射型電子線回折写真図。
示す反射型電子線回折写真図。
【図３】比較例１のＧａＮ単結晶薄膜表面の結晶構造を
示す反射型電子線回折写真図。
示す反射型電子線回折写真図。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成９年８月２９日
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１】
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正内容】
【図２】
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正内容】
【図３】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田村 佳子 埼玉県大宮市北袋町１丁目297番地 三菱 マテリアル株式会社総合研究所内
Claims (3)
- 【請求項１】 ガリウム砒素結晶基板の（００１）面上
に立方晶のIII-V族窒化物単結晶薄膜を形成する方法に
おいて、 前記基板が立方晶のガリウム砒素単結晶の基板であっ
て、この基板が砒素のリザーバーの温度を制御すること
によって炉内の砒素の蒸気圧を制御しながらガリウム砒
素融液から引上げたガリウム砒素単結晶を加工すること
により形成され、 前記III-V族窒化物のうちIII族元素がＩｎ，Ａｌ及びＧ
ａからなる群より選ばれた１種又は２種以上の元素であ
って、前記III-V族窒化物単結晶薄膜が分子線でエピタ
キシャル成長した単結晶薄膜であることを特徴とする窒
化物単結晶薄膜の形成方法。 - 【請求項２】 ガリウム砒素結晶基板の（００１）面上
に立方晶のIII-V族窒化物単結晶薄膜を形成する方法に
おいて、 前記基板が立方晶のガリウム砒素単結晶の基板であっ
て、この基板がボート中のガリウム砒素融液を水平炉内
で溶融した後、炉内を水平移動させながら冷却してボー
トの一端から結晶させて作られたガリウム砒素単結晶を
加工することにより形成され、 前記III-V族窒化物のうちIII族元素がＩｎ，Ａｌ及びＧ
ａからなる群より選ばれた１種又は２種以上の元素であ
って、前記III-V族窒化物単結晶薄膜が分子線でエピタ
キシャル成長した単結晶薄膜であることを特徴とする窒
化物単結晶薄膜の形成方法。 - 【請求項３】 III-V族窒化物単結晶薄膜がＩｎxＡｌ
1-xＮ（但し、０≦ｘ≦１）、ＩｎxＧａ1-xＮ（但し、
０≦ｘ≦１）又はＩｎxＡｌyＧａ1-x-yＮ（但し、０≦
ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０≦ｘ＋ｙ≦１）の単結晶薄膜で
ある請求項１又は２記載の窒化物単結晶薄膜の形成方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23364097A JPH1179898A (ja) | 1997-08-29 | 1997-08-29 | 窒化物単結晶薄膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23364097A JPH1179898A (ja) | 1997-08-29 | 1997-08-29 | 窒化物単結晶薄膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1179898A true JPH1179898A (ja) | 1999-03-23 |
Family
ID=16958217
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23364097A Pending JPH1179898A (ja) | 1997-08-29 | 1997-08-29 | 窒化物単結晶薄膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1179898A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997026498A1 (en) * | 1996-01-16 | 1997-07-24 | Smart Parts, Inc. | Pneumatically operated projectile launching device |
| US9658027B2 (en) | 2013-06-21 | 2017-05-23 | Gi Sportz Direct Llc | Compressed gas gun having built-in, internal projectile feed mechanism |
| USD992671S1 (en) | 2020-10-08 | 2023-07-18 | Canadian Imperial Bank Of Commerce, As Agent | Projectile launcher and loader |
| US11796280B2 (en) | 2019-11-26 | 2023-10-24 | Kore Outdoor (Us), Inc. | Projectile loader having streamlined external body and internal opening mechanism |
-
1997
- 1997-08-29 JP JP23364097A patent/JPH1179898A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997026498A1 (en) * | 1996-01-16 | 1997-07-24 | Smart Parts, Inc. | Pneumatically operated projectile launching device |
| US9658027B2 (en) | 2013-06-21 | 2017-05-23 | Gi Sportz Direct Llc | Compressed gas gun having built-in, internal projectile feed mechanism |
| US11796280B2 (en) | 2019-11-26 | 2023-10-24 | Kore Outdoor (Us), Inc. | Projectile loader having streamlined external body and internal opening mechanism |
| USD992671S1 (en) | 2020-10-08 | 2023-07-18 | Canadian Imperial Bank Of Commerce, As Agent | Projectile launcher and loader |
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