JPH1179709A - オゾン発生装置 - Google Patents

オゾン発生装置

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JPH1179709A
JPH1179709A JP23289597A JP23289597A JPH1179709A JP H1179709 A JPH1179709 A JP H1179709A JP 23289597 A JP23289597 A JP 23289597A JP 23289597 A JP23289597 A JP 23289597A JP H1179709 A JPH1179709 A JP H1179709A
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JP
Japan
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electrode
ozone
discharge
electrodes
ozone generator
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Withdrawn
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JP23289597A
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English (en)
Inventor
Kenichi Yanagi
謙一 柳
Toshiyuki Ota
利行 大田
Koichi Kurita
耕一 栗田
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Mitsubishi Heavy Industries Ltd
Original Assignee
Mitsubishi Heavy Industries Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】電極単位面積あたりの放電中柱の数が増加する
とともに、電極の表面積が増加し、放電部ガス冷却効率
が向上する。 【解決手段】平板金属電極2に誘電体3を密着した第1
の電極1と、この第1の電極1の誘電体3面に近接して
設けられた微小突起電極4とを有し、第1・第2の電極
間の空隙部で無声放電を発生させてオゾン発生を行うオ
ゾン発生装置において、前記微小突起電極4の放電発生
部側の主面に直径1mm以下の微小突起5を設けたこと
を特徴とするオゾン発生装置。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はオゾン発生装置に関
し、特に水処理技術に利用されるオゾン発生装置に関す
る。
【0002】
【従来の技術】無声放電法によるオゾン発生の原理は、
以下のとうりである。これを、例えば図6を例に説明す
る。まず、一主面にガラスなどの誘電体61が形成された
金属製の平行平板電極62と、別な金属製の平行平板電極
63とを、両者間に空隙部が形成されるように配置する。
そして、平行平板電極62、63間に高周波電源64で電圧を
印加することにより、空隙部でパルス状の放電が多数発
生する。この放電は、直径約200μm程度の多数の放
電柱により形成されている。この放電柱の放電形態はパ
ルス放電であり、立ち上がりが極めて早く、パルス幅も
10ナノ秒以下と短い。このため、電極空隙中を通過す
る原料ガスは放電中の電子と衝突し、原料ガス中の酸素
分子を解離させて酸素原子を生成し、この酸素原子が酸
素分子と結合してオゾンを生成する。
【0003】また、従来、図7に示すように、ガラス製
の二重円筒管71の内周面に金属蒸着電極72を配置すると
ともに、二重円筒管71の外側に金属電極73を配置し、前
記金属蒸着電極72、金属電極73に高周波電源74を配置し
た構成の放電管も知られている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来法
の無声放電を利用したオゾン発生装置は、消費電力に対
するオゾンの生成効率が理論値より低く、電力の多くが
変化しているの現状である。このため、オゾン生成のた
めのランニングコストの上昇を引き起こし、オゾンによ
る水処理技術普及のための障害となっている。
【0005】このオゾン生成効率を向上させるには、電
極形状や誘電体の種類、放電間隔、冷却方法等多数の因
子が存在するが、本発明では放電電極形状に着目した。
また、従来の無声放電発生法では、放電発生部の金属電
極と誘電体の表面状態は通常なめらかで表面粗さは極め
て少ない。このような電極で放電を発生させると、無声
放電を形成する放電柱の数は、電極の単位面積あたり約
4〜12(本/cm)程度であることが知られている。
しかるに、オゾンの生成効率を向上させるには、無声放
電を形成する放電柱の数を増加させる必要がある。
【0006】本発明はこうした事情を考慮してなされた
もので、電極単位面積あたりの放電中柱の数が増加する
とともに、電極の表面積が増加し、放電部ガス冷却効率
が向上するオゾン発生装置を提供することを目的とす
る。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は、平板金属電極
に誘電体を密着した第1の電極と、この第1の電極の誘
電体面に近接して設けられた第2の電極とを有し、第1
・第2の電極間の空隙部で無声放電を発生させてオゾン
発生を行うオゾン発生装置において、前記第2の電極の
放電発生部側の主面に直径1mm以下の微小突起を設け
たことを特徴とするオゾン発生装置である。
【0008】本発明において、前記微小突起は、例え
ば、突起形成予定部に対応する平板電極に選択的に複数
の穴を開け、これらの穴に金属微粒子を埋込んだ後、金
属微粒子が形成された平板電極表面をメッキ処理により
加工して前記金属微粒子をメッキ層で埋込み、さらに金
属微粒子を埋込んだ反対側の面をエッチングすることに
より得られる。
【0009】また、上述した方法の他に、より簡便な方
法として、以下に述べる方法で電極に微小突起を形成す
ることが可能である。即ち、粒径の揃った金属製の微粒
子を液中に分散させ、電極基板上にランダムに付着させ
る。このとき、微粒子が固まらないよう、分散させる微
粒子の濃度を十分低く設定する。そして、電極上に微粒
子が付着した段階でメッキを施すと、金属電極上に突起
の位置はランダムだが突起高さが一定の微小突起を形成
することができる。
【0010】こうした手法により微小突起を形成するこ
とにより、微小突起の高さの精度を±0.1μm以下に
抑えることができ、高精度な微小突起電極の作成が可能
となる。なお、前記微小突起の密度は任意に設定可能だ
が、通常は、単位面積あたり約300(個/cm)程度
に設定する。本発明において、前記微小突起の高さは1
〜1000μm(ミクロン)で、各突起の高さは±10
μm(ミクロン)の範囲にあることが好ましい
【0011】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施例に係るオ
ゾン発生装置について図1及び図2(A),(B)を参
照して説明する。ここで、図1は本実施例に係るオゾン
発生装置の全体図、図2(A)は同装置の一構成である
微小突起電極の斜視図、図2(B)は図2(A)のX−
X線に沿う部分断面図である。
【0012】図中の符番1は、平板金属電極2に誘電体
3を密着した第1の電極である。この第1の電極1の誘
電体面側には、第2の電極としての微小突起電極4が第
1の電極1との間に空隙部を有するように近接して設け
られている。ここで、微小突起電極4の放電発生部側の
主面には、図2(A),(B)に示すように直径1mm
以下の多数の微小突起5が等間隔で設けられている。前
記第1の電極1には、高周波高電圧電源6が接続されて
いる。前記第1の電極1と微小突起電極4の空隙部に
は、原料ガス7が供給されるようになっている。
【0013】前記微小突起電極4は、図3(A)〜
(D)に示すような工程で作成される。 (1) まず、例えばアルミニウムからなる基板41上に、ア
クリル系ポリマーで厚さ15μmのレジストパターン42
を形成する(図3(A)参照)。ここで、レジストパタ
ーン42は、図4に示す如く、間隔がピッチ(L)0.5
mmの等間隔で直径約0.08mmの穴43が正方格子状
に配置されている。
【0014】(2) 次に、基板41のレジストパターン42を
施していない部分をゴムで保護した後、電解エッチング
を施す。このプロセスで、エッチングによりレジストパ
ターン42の穴が開いた部分のアルミニウムの腐食が促進
し、基板41に穴44が形成される(図3(B)参照)。
【0015】(3) 次に、前記レジストパターン42をアル
カリで溶解する。この段階で、タングステンやSUSか
らなる粒径の揃った金属微粒子45を基板41の穴44に埋め
込み配置する。つづいて、金属微粒子45を埋め込んだ基
板41上に無電界メッキでNiとかAu,Ag,Ag,P
tなどの金属メッキを施し、メッキ層46を形成する(図
3(C)参照)。
【0016】(4) 次に、電解エッチングにより金属微粒
子45を埋込んだ反対側の基板41面をエッチングし、埋め
込まれた金属微粒子45を露出させる(図3(D)参
照)。このようなプロセスを経てエッチングによる加工
を施すことにより、図2に示すように微小突起5ががほ
ぼ一定の高さの高精度な微小突起電極4が得られる。
【0017】上述した構成のオゾン発生装置において
は、第1の電極1に高周波高電圧電源6から高周波の高
電圧を用いて印加する。これにより、微小突起電極4と
誘電体3の空隙で無声放電が発生し、原料ガス7がこの
空隙を通過する際に、電子衝突により酸素分子が解離し
酸素原子が生成し、これが酸素分子と結合してオゾンが
発生する。
【0018】こうした構成のオゾン発生装置のように、
微小突起電極4を用いてオゾン発生試験を実施すると、
従来の放電と比べ微小突起電極を採用したことによる以
下の作用が生じる。
【0019】1)微小突起電極4が電極単位面積あたり約
300(個/cm)程度あり、これらの突起の高さが略
一定であることから、電極単位面積あたりの放電中柱の
数が増加する。
【0020】2)微小突起電極4の表面に微小突起5を多
数設けたため、電極の表面積が増加し、放電部ガス冷却
効率が向上する。図5は、本発明のオゾン発生装置に用
いた微小突起電極と従来の平板電極を用いた場合の夫々
のオゾン発生収率を示す特性図を示す。図5より、本発
明に係る微小突起電極はオゾン発生収率の向上に有効で
あることが分かる。
【0021】なお、上記実施例では、エッチングにより
微小突起電極を形成する場合について述べたが、これに
限らず、若干微小突起の高さの精度が落ちるが、以下の
ような手法により行なってもよい。即ち、まず、金属微
粒子の粒径を揃えておき、金属微粒子をメッキ液中に均
質に分散させる。次に、この状態で金属基板を液中に設
置し、金属微粒子を基板に沈殿させる。ここで、金属微
粒子が金属基板に付着したことを確認し、基板を移動さ
せずにメッキを施す。このようなプロセスを経て、粒径
の揃った金属微粒子がランダムに多数付着した微小突起
電極を製作する。この電極を用いて、図2で示した電極
と同様に、図1に示すオゾン発生装置の微小突起電極と
して使用することができる。
【0022】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、微
小突起を多数設けた微小突起電極を用いてオゾン発生試
験を実施した結果、従来法に比べ以下に示す効果が得ら
れた。まず、無声放電を形成する放電柱が電極表面の微
小突起部で発生するため、従来の放電方式に比べ放電柱
の数を増加させることができ、オゾン生成効率が向上し
た。また、多数の微小突起が設けられているため、従来
電極に比べ電極の表面積が広くなり、放電部のガス冷却
効率が向上し、オゾン消滅反応が抑制されることにより
オゾン生成効率が向上した。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例に係るオゾン発生装置の説明
図。
【図2】図1のオゾン発生装置の一構成である微小突起
電極の説明図で、図2(A)は斜視図、図2(B)は図
2(A)のX−X線に沿う部分断面図。
【図3】図2の微小突起電極の製造方法を工程順に示す
断面図。
【図4】図3(A)のレジストパターンのパターン形状
を示す平面図。
【図5】本発明のオゾン発生装置に用いた微小突起電極
と従来の平板電極を用いた場合の夫々のオゾン発生収率
を示す特性図。
【図6】従来の平行平板電極を用いた放電管の説明図。
【図7】従来の2重円筒型の内外に電極と取り付けた放
電管の説明図。
【符号の説明】
1…第1の電極、 2…平板金属電極、 3…誘電体、 4…微小突起電極、 5…微小突起、 6…高圧高周波電源、 7…原料ガス、 41…基板、 42…レジストパターン、 44…穴、 45…金属微粒子。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 平板金属電極に誘電体を密着した第1の
    電極と、この第1の電極の誘電体面に近接して設けられ
    た第2の電極とを有し、第1・第2の電極間の空隙部で
    無声放電を発生させてオゾン発生を行うオゾン発生装置
    において、 前記第2の電極の放電発生部側の主面に直径1mm以下
    の微小突起を設けたことを特徴とするオゾン発生装置。
  2. 【請求項2】 前記微小突起は、突起形成予定部に対応
    する平板電極に選択的に複数の穴を開け、これらの穴に
    金属微粒子を埋込んだ後、金属微粒子が形成された平板
    電極表面をメッキ処理により加工して前記金属微粒子を
    メッキ層で埋込み、さらに金属微粒子を埋込んだ反対側
    の面をエッチングすることにより得られることを特徴と
    する請求項1記載のオゾン発生装置。
  3. 【請求項3】 前記微小突起の高さは1〜1000μm
    で、各突起の高さは±10μmの範囲にあることを特徴
    とする請求項1記載のオゾン発生装置。
JP23289597A 1997-08-28 1997-08-28 オゾン発生装置 Withdrawn JPH1179709A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008308372A (ja) * 2007-06-15 2008-12-25 Ooensu:Kk オゾン発生装置。
JP2010260786A (ja) * 2009-05-08 2010-11-18 Qinghua Univ オゾン発生装置
JP2011088821A (ja) * 2004-02-25 2011-05-06 Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial System Corp オゾン発生装置およびオゾン発生方法

Cited By (3)

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JP2008308372A (ja) * 2007-06-15 2008-12-25 Ooensu:Kk オゾン発生装置。
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Effective date: 20041102