JPH1177359A - レーザ加工装置及びその加工方法 - Google Patents
レーザ加工装置及びその加工方法Info
- Publication number
- JPH1177359A JPH1177359A JP9245920A JP24592097A JPH1177359A JP H1177359 A JPH1177359 A JP H1177359A JP 9245920 A JP9245920 A JP 9245920A JP 24592097 A JP24592097 A JP 24592097A JP H1177359 A JPH1177359 A JP H1177359A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- stage
- processing
- laser
- laser beam
- semiconductor wafer
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/36—Removing material
- B23K26/362—Laser etching
- B23K26/364—Laser etching for making a groove or trench, e.g. for scribing a break initiation groove
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ステージの駆動機構の負担を増やすことなく
被加工物の加工点間の移動速度を上げることが可能なレ
ーザ加工装置及びその加工方法を提供する。 【解決手段】 レーザ加工装置は、半導体ウェハ１１を
加工レーザ光によって加工するもので、ウェハ１１を載
置するＸＹステージ１３と、ＸＹステージ１３をＸ、Ｙ
それぞれの方向に同時に移動させる移動手段と、を具備
する。レーザ加工方法は、ウェハ１１上のスクライブラ
イン２３と平行に並んでいる複数の加工点２５をレーザ
加工装置によって連続的に加工する方法で、ステージ１
３上にウェハ１１をそのスクライブライン２３がＸ軸又
はＹ軸に対して４５度近辺の角度を有するように固定
し、ステージ１３をＸ、Ｙそれぞれの方向に同時に移動
させることにより加工点２５間を移動させることを特徴
とする。
被加工物の加工点間の移動速度を上げることが可能なレ
ーザ加工装置及びその加工方法を提供する。 【解決手段】 レーザ加工装置は、半導体ウェハ１１を
加工レーザ光によって加工するもので、ウェハ１１を載
置するＸＹステージ１３と、ＸＹステージ１３をＸ、Ｙ
それぞれの方向に同時に移動させる移動手段と、を具備
する。レーザ加工方法は、ウェハ１１上のスクライブラ
イン２３と平行に並んでいる複数の加工点２５をレーザ
加工装置によって連続的に加工する方法で、ステージ１
３上にウェハ１１をそのスクライブライン２３がＸ軸又
はＹ軸に対して４５度近辺の角度を有するように固定
し、ステージ１３をＸ、Ｙそれぞれの方向に同時に移動
させることにより加工点２５間を移動させることを特徴
とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザ加工装置及
びその加工方法に係わり、特に、ステージの駆動機構の
負担を増やすことなく被加工物の加工点間の移動速度を
上げることが可能なレーザ加工装置及びその加工方法に
関する。
びその加工方法に係わり、特に、ステージの駆動機構の
負担を増やすことなく被加工物の加工点間の移動速度を
上げることが可能なレーザ加工装置及びその加工方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】レーザ加工装置は、レーザ光源から放射
されたレーザビームを照射光学系を介してステージ上の
被加工物（例えばウェハ）に照射し、加工処理を行うも
のである。
されたレーザビームを照射光学系を介してステージ上の
被加工物（例えばウェハ）に照射し、加工処理を行うも
のである。
【０００３】従来のレーザ加工装置ではウェハ上のスク
ライブラインとＸＹステージの移動方向とを一致させて
いた。つまり、ウェハ上のスクライブラインがＸＹステ
ージのＸ方向又はＹ方向に平行となるように、ＸＹステ
ージ上にウェハを載置し、このウェハ上の複数の加工点
が例えば図２（ｂ）に示すようにスクライブラインと平
行に存在していた場合、Ｘステージ又はＹステージのい
ずれか一方をＸ方向又はＹ方向に速度Ｖで加工点間を移
動させ、加工処理を行っていた。
ライブラインとＸＹステージの移動方向とを一致させて
いた。つまり、ウェハ上のスクライブラインがＸＹステ
ージのＸ方向又はＹ方向に平行となるように、ＸＹステ
ージ上にウェハを載置し、このウェハ上の複数の加工点
が例えば図２（ｂ）に示すようにスクライブラインと平
行に存在していた場合、Ｘステージ又はＹステージのい
ずれか一方をＸ方向又はＹ方向に速度Ｖで加工点間を移
動させ、加工処理を行っていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記従来のレーザ加工
装置において処理速度を向上させる方法としてはステー
ジの移動速度Ｖを上げることが考えられる。即ち、ステ
ージ上のウェハの加工点をレーザビームの光軸上に移動
させる速度Ｖをより速くすることが考えられる。
装置において処理速度を向上させる方法としてはステー
ジの移動速度Ｖを上げることが考えられる。即ち、ステ
ージ上のウェハの加工点をレーザビームの光軸上に移動
させる速度Ｖをより速くすることが考えられる。
【０００５】しかしながら、Ｘステージ又はＹステージ
それぞれの移動速度を上げると、ステージを駆動するモ
ータ及びステージ案内機構の負担が増大するため、ステ
ージの駆動機構（モータ等）の寿命が短くなるなどの問
題が生じる。
それぞれの移動速度を上げると、ステージを駆動するモ
ータ及びステージ案内機構の負担が増大するため、ステ
ージの駆動機構（モータ等）の寿命が短くなるなどの問
題が生じる。
【０００６】本発明は上記のような事情を考慮してなさ
れたものであり、その目的は、ステージの駆動機構の負
担を増やすことなく被加工物の加工点間の移動速度を上
げることが可能なレーザ加工装置及びその加工方法を提
供することにある。
れたものであり、その目的は、ステージの駆動機構の負
担を増やすことなく被加工物の加工点間の移動速度を上
げることが可能なレーザ加工装置及びその加工方法を提
供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明に係るレーザ加工装置は、被加工物を加工レ
ーザ光によって加工するレーザ加工装置であって、該被
加工物を載置するＸＹステージと、該ＸＹステージを
Ｘ、Ｙそれぞれの方向に同時に移動させる移動手段と、
を具備することを特徴とする。
め、本発明に係るレーザ加工装置は、被加工物を加工レ
ーザ光によって加工するレーザ加工装置であって、該被
加工物を載置するＸＹステージと、該ＸＹステージを
Ｘ、Ｙそれぞれの方向に同時に移動させる移動手段と、
を具備することを特徴とする。
【０００８】上記レーザ加工装置では、移動手段により
ＸＹステージをＸ、Ｙそれぞれの方向に同時に移動させ
た場合、それらの移動を合成した速度はＸ、Ｙそれぞれ
のステージの移動速度より速くなる。従って、ステージ
の駆動機構の負担を増やすことなく被加工物の加工点間
の移動速度を上げることができる。
ＸＹステージをＸ、Ｙそれぞれの方向に同時に移動させ
た場合、それらの移動を合成した速度はＸ、Ｙそれぞれ
のステージの移動速度より速くなる。従って、ステージ
の駆動機構の負担を増やすことなく被加工物の加工点間
の移動速度を上げることができる。
【０００９】また、本発明に係るレーザ加工方法は、半
導体ウェハ上のスクライブラインと平行又は垂直に並ん
でいる複数の加工点をレーザ加工装置によって連続的に
加工するレーザ加工方法であって、ＸＹステージ上に該
半導体ウェハをそのスクライブラインがＸ軸又はＹ軸に
対して４５度近辺の角度を有するように固定し、該ＸＹ
ステージをＸ、Ｙそれぞれの方向に同時に移動させるこ
とにより該加工点間を移動させることを特徴とする。
導体ウェハ上のスクライブラインと平行又は垂直に並ん
でいる複数の加工点をレーザ加工装置によって連続的に
加工するレーザ加工方法であって、ＸＹステージ上に該
半導体ウェハをそのスクライブラインがＸ軸又はＹ軸に
対して４５度近辺の角度を有するように固定し、該ＸＹ
ステージをＸ、Ｙそれぞれの方向に同時に移動させるこ
とにより該加工点間を移動させることを特徴とする。
【００１０】上記レーザ加工方法では、ＸＹステージを
Ｘ、Ｙそれぞれの方向に同時に移動させることにより、
それらの移動を合成した速度はＸ、Ｙそれぞれのステー
ジの移動速度より速くなる。つまり、半導体ウェハを縦
又は横のスクライブラインと平行又は垂直方向にＸ、Ｙ
それぞれのステージの移動速度より速い速度で移動させ
ることができる。従って、半導体ウェハ上の複数の加工
点がスクライブラインと平行に並んでいる場合、ＸＹス
テージ上に半導体ウェハをスクライブラインがＸ軸又は
Ｙ軸と平行になるように固定してＸステージ又はＹステ
ージのいずれか一方をＸ方向又はＹ方向に移動させた場
合に比べて、加工点間の移動速度を上げることができ
る。
Ｘ、Ｙそれぞれの方向に同時に移動させることにより、
それらの移動を合成した速度はＸ、Ｙそれぞれのステー
ジの移動速度より速くなる。つまり、半導体ウェハを縦
又は横のスクライブラインと平行又は垂直方向にＸ、Ｙ
それぞれのステージの移動速度より速い速度で移動させ
ることができる。従って、半導体ウェハ上の複数の加工
点がスクライブラインと平行に並んでいる場合、ＸＹス
テージ上に半導体ウェハをスクライブラインがＸ軸又は
Ｙ軸と平行になるように固定してＸステージ又はＹステ
ージのいずれか一方をＸ方向又はＹ方向に移動させた場
合に比べて、加工点間の移動速度を上げることができ
る。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の一
実施の形態について説明する。図１は、本発明の実施の
形態によるレーザ加工装置を示す構成図である。
実施の形態について説明する。図１は、本発明の実施の
形態によるレーザ加工装置を示す構成図である。
【００１２】レーザ加工装置２０は加工用のレーザ光源
１を有し、レーザ光源１は制御回路２の制御に応じて加
工レーザ光を放出し、このレーザ光は光減衰器３に入射
される。光減衰器３は、加工レーザ光のビーム径及びエ
ネルギー値を設定するものであって、制御回路２により
制御される。光減衰器３から出されたレーザ光は、レン
ズ４を透過し、反射鏡５で反射され、スリット６、ハー
フミラー７ａ、ハーフミラー７ｂ、対物レンズ９を順に
通り、被加工物（半導体ウェハ）１１に照射される。こ
の被加工物１１は、ＸＹステージ１３上に設けられた吸
着ホルダ１２によって固定されている。これにより、ウ
ェハ１１が加工される。
１を有し、レーザ光源１は制御回路２の制御に応じて加
工レーザ光を放出し、このレーザ光は光減衰器３に入射
される。光減衰器３は、加工レーザ光のビーム径及びエ
ネルギー値を設定するものであって、制御回路２により
制御される。光減衰器３から出されたレーザ光は、レン
ズ４を透過し、反射鏡５で反射され、スリット６、ハー
フミラー７ａ、ハーフミラー７ｂ、対物レンズ９を順に
通り、被加工物（半導体ウェハ）１１に照射される。こ
の被加工物１１は、ＸＹステージ１３上に設けられた吸
着ホルダ１２によって固定されている。これにより、ウ
ェハ１１が加工される。
【００１３】ＸＹステージ１３は被加工物の半導体ウェ
ハ１１を所定の位置に移動させるものである。ＸＹステ
ージ１３の移動は駆動部１４によって行われ、駆動部１
４は制御回路２によって制御される。ＸＹステージ１３
は、駆動部１４によってＸ方向又はＹ方向それぞれに速
度Ｖで移動可能となっている。
ハ１１を所定の位置に移動させるものである。ＸＹステ
ージ１３の移動は駆動部１４によって行われ、駆動部１
４は制御回路２によって制御される。ＸＹステージ１３
は、駆動部１４によってＸ方向又はＹ方向それぞれに速
度Ｖで移動可能となっている。
【００１４】また、ＸＹステージの位置は、位置検出部
１５によってモニターされ、そのデータは制御回路２に
送られる。
１５によってモニターされ、そのデータは制御回路２に
送られる。
【００１５】また、レーザ加工装置２０はアライメント
レーザ８を有し、このアライメントレーザ８から出され
るレーザ光は、ハーフミラー７ａで反射された後、ハー
フミラー７ｂ、対物レンズ９を順に通り、ウェハ１１上
に照射される。ウェハ１１からの反射光は、再び対物レ
ンズ９を通って、ハーフミラー７ｂで反射され、アライ
メント用光検出器１０に入射される。そして、アライメ
ント用光検出器１０で得られるデータは制御回路２に送
られる。
レーザ８を有し、このアライメントレーザ８から出され
るレーザ光は、ハーフミラー７ａで反射された後、ハー
フミラー７ｂ、対物レンズ９を順に通り、ウェハ１１上
に照射される。ウェハ１１からの反射光は、再び対物レ
ンズ９を通って、ハーフミラー７ｂで反射され、アライ
メント用光検出器１０に入射される。そして、アライメ
ント用光検出器１０で得られるデータは制御回路２に送
られる。
【００１６】図２（ａ）は、図１に示すレーザ加工装置
のＸＹステージに被加工物である半導体ウェハを固定し
た状態を示す平面図であり、図２（ｂ）は、図２（ａ）
に示す半導体ウェハの一部を拡大した平面図である。
のＸＹステージに被加工物である半導体ウェハを固定し
た状態を示す平面図であり、図２（ｂ）は、図２（ａ）
に示す半導体ウェハの一部を拡大した平面図である。
【００１７】図２（ａ）に示すように、図１のレーザ加
工装置２０のＸＹステージ１３の上には、半導体ウェハ
１１のスクライブライン２３がＸＹステージ１３のＸ軸
又はＹ軸に対して４５度の角度を有するように半導体ウ
ェハ１１が固定される。また、図２（ｂ）に示すよう
に、半導体ウェハ１１上には複数の加工点２５があり、
この加工点２５はスクライブライン２３に平行又は垂直
に存在している。
工装置２０のＸＹステージ１３の上には、半導体ウェハ
１１のスクライブライン２３がＸＹステージ１３のＸ軸
又はＹ軸に対して４５度の角度を有するように半導体ウ
ェハ１１が固定される。また、図２（ｂ）に示すよう
に、半導体ウェハ１１上には複数の加工点２５があり、
この加工点２５はスクライブライン２３に平行又は垂直
に存在している。
【００１８】上記レーザ加工装置２０において、半導体
ウェハ１１上の複数の加工点２５を連続的にレーザ加工
する際、制御回路２によって駆動部１４を制御すること
により、ＸＹステージ１３を以下のように移動させる。
ウェハ１１上の複数の加工点２５を連続的にレーザ加工
する際、制御回路２によって駆動部１４を制御すること
により、ＸＹステージ１３を以下のように移動させる。
【００１９】先ず、レーザ光源１から発せられた加工レ
ーザ光が一つ目の加工点２５に照射されレーザ加工が行
われる。次に、二つ目の加工点２５を加工するため、こ
の加工点２５がレーザ光の光軸に位置するようにＸＹス
テージ１３を移動させる。この際、Ｘ、Ｙそれぞれのス
テージ１１が同一速度Ｖで同時に移動するように制御回
路２によって駆動部１４が制御される。Ｘ、Ｙそれぞれ
のステージ１１を速度Ｖで移動させると、半導体ウェハ
１１は縦又は横のスクライブライン２３と平行方向に移
動することとなる。次に、二つ目の加工点２５がレーザ
光の光軸に位置するところでＸＹステージ１３の移動が
停止され、この加工点２５の加工を行う。
ーザ光が一つ目の加工点２５に照射されレーザ加工が行
われる。次に、二つ目の加工点２５を加工するため、こ
の加工点２５がレーザ光の光軸に位置するようにＸＹス
テージ１３を移動させる。この際、Ｘ、Ｙそれぞれのス
テージ１１が同一速度Ｖで同時に移動するように制御回
路２によって駆動部１４が制御される。Ｘ、Ｙそれぞれ
のステージ１１を速度Ｖで移動させると、半導体ウェハ
１１は縦又は横のスクライブライン２３と平行方向に移
動することとなる。次に、二つ目の加工点２５がレーザ
光の光軸に位置するところでＸＹステージ１３の移動が
停止され、この加工点２５の加工を行う。
【００２０】上記実施の形態によれば、半導体ウェハ１
１のスクライブライン２３がＸＹステージ１３のＸ軸又
はＹ軸に対して４５度の角度を有するように半導体ウェ
ハ１１をＸＹステージ１３上に固定し、制御回路２で駆
動部１４を制御してＸ、Ｙそれぞれのステージ１１を速
度Ｖで移動させている。このため、半導体ウェハ１１を
縦又は横のスクライブライン２３と平行方向に図２
（ｂ）に示すように√２Ｖの一定速度で移動させること
ができる。即ち、Ｘ、Ｙそれぞれのステージ１１を速度
Ｖで移動させた場合、合成ベクトルＶXYは√２Ｖの速度
で移動することとなる。一方、従来の装置では、Ｘステ
ージ又はＹステージのいずれか一方をＸ方向又はＹ方向
に速度Ｖで加工点間を移動させているので半導体ウェハ
の移動速度がＶである。また、Ｘ、Ｙそれぞれのステー
ジ１３の移動速度は従来の装置と同じである。したがっ
て、従来の装置に比べてステージ１３の駆動機構１４の
負担を増やすことなく半導体ウェハ１１上の加工点２５
間の移動速度を上げることができる。この結果、レーザ
加工装置２０の処理速度を向上させることができる。な
お、スクライブラインとステージのＸ軸、Ｙ軸の角度
は、４５度の場合が最も速度の合成ベクトルが大きくな
るが、その近辺（例えば４０度）でも一定の速度上昇の
効果は得られる。
１のスクライブライン２３がＸＹステージ１３のＸ軸又
はＹ軸に対して４５度の角度を有するように半導体ウェ
ハ１１をＸＹステージ１３上に固定し、制御回路２で駆
動部１４を制御してＸ、Ｙそれぞれのステージ１１を速
度Ｖで移動させている。このため、半導体ウェハ１１を
縦又は横のスクライブライン２３と平行方向に図２
（ｂ）に示すように√２Ｖの一定速度で移動させること
ができる。即ち、Ｘ、Ｙそれぞれのステージ１１を速度
Ｖで移動させた場合、合成ベクトルＶXYは√２Ｖの速度
で移動することとなる。一方、従来の装置では、Ｘステ
ージ又はＹステージのいずれか一方をＸ方向又はＹ方向
に速度Ｖで加工点間を移動させているので半導体ウェハ
の移動速度がＶである。また、Ｘ、Ｙそれぞれのステー
ジ１３の移動速度は従来の装置と同じである。したがっ
て、従来の装置に比べてステージ１３の駆動機構１４の
負担を増やすことなく半導体ウェハ１１上の加工点２５
間の移動速度を上げることができる。この結果、レーザ
加工装置２０の処理速度を向上させることができる。な
お、スクライブラインとステージのＸ軸、Ｙ軸の角度
は、４５度の場合が最も速度の合成ベクトルが大きくな
るが、その近辺（例えば４０度）でも一定の速度上昇の
効果は得られる。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、Ｘ
ＹステージをＸ、Ｙそれぞれの方向に同時に移動させる
移動手段を具備している。したがって、ステージの駆動
機構の負担を増やすことなく被加工物の加工点間の移動
速度を上げることが可能なレーザ加工装置及びその加工
方法を提供することができる。
ＹステージをＸ、Ｙそれぞれの方向に同時に移動させる
移動手段を具備している。したがって、ステージの駆動
機構の負担を増やすことなく被加工物の加工点間の移動
速度を上げることが可能なレーザ加工装置及びその加工
方法を提供することができる。
【図１】本発明の実施の形態によるレーザ加工装置を示
す構成図である。
す構成図である。
【図２】図２（ａ）は、図１に示すレーザ加工装置のＸ
Ｙステージに被加工物である半導体ウェハを固定した状
態を示す平面図であり、図２（ｂ）は、図２（ａ）に示
す半導体ウェハの一部を拡大した平面図である。
Ｙステージに被加工物である半導体ウェハを固定した状
態を示す平面図であり、図２（ｂ）は、図２（ａ）に示
す半導体ウェハの一部を拡大した平面図である。
【図３】Ｘ、Ｙそれぞれのステージが速度Ｖで移動した
場合、合成ベクトルＶXYは√２Ｖで移動することを説明
する図である。
場合、合成ベクトルＶXYは√２Ｖで移動することを説明
する図である。
１ レーザ光源 ２ 制御回路 ３ 光減衰器 ４ レンズ ５ 反射鏡 ６ スリット ７ａ ハーフミラー ７ｂ ハーフミ
ラー ８ アライメント用レーザ ９ 対物レンズ １０ アライメント用光検出器 １１ 被加工物
（半導体ウェハ） １２ 吸着ホルダ １３ ＸＹステ
ージ １４ 駆動部 １５ 位置検出
器 ２０ レーザ加工装置 ２３ スクライ
ブライン ２５ 加工点
ラー ８ アライメント用レーザ ９ 対物レンズ １０ アライメント用光検出器 １１ 被加工物
（半導体ウェハ） １２ 吸着ホルダ １３ ＸＹステ
ージ １４ 駆動部 １５ 位置検出
器 ２０ レーザ加工装置 ２３ スクライ
ブライン ２５ 加工点
Claims (2)
- 【請求項１】 被加工物を加工レーザ光によって加工す
るレーザ加工装置であって；該被加工物を載置するＸＹ
ステージと、 該ＸＹステージをＸ、Ｙそれぞれの方向に同時に移動さ
せる移動手段と、 を具備することを特徴とするレーザ加工装置。 - 【請求項２】 半導体ウェハ上のスクライブラインと平
行又は垂直に並んでいる複数の加工点をレーザ加工装置
によって連続的に加工するレーザ加工方法であって；Ｘ
Ｙステージ上に該半導体ウェハをそのスクライブライン
がＸ軸又はＹ軸に対して４５度近辺の角度を有するよう
に固定し、該ＸＹステージをＸ、Ｙそれぞれの方向に同
時に移動させることにより該加工点間を移動させること
を特徴とするレーザ加工方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9245920A JPH1177359A (ja) | 1997-08-28 | 1997-08-28 | レーザ加工装置及びその加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9245920A JPH1177359A (ja) | 1997-08-28 | 1997-08-28 | レーザ加工装置及びその加工方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1177359A true JPH1177359A (ja) | 1999-03-23 |
Family
ID=17140817
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9245920A Pending JPH1177359A (ja) | 1997-08-28 | 1997-08-28 | レーザ加工装置及びその加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1177359A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008042032A (ja) * | 2006-08-08 | 2008-02-21 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | ステージ駆動方法及び該方法を用いたレーザ加工装置 |
-
1997
- 1997-08-28 JP JP9245920A patent/JPH1177359A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008042032A (ja) * | 2006-08-08 | 2008-02-21 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | ステージ駆動方法及び該方法を用いたレーザ加工装置 |
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