JPH1175209A

JPH1175209A - オートキャンセラ

Info

Publication number: JPH1175209A
Application number: JP9235284A
Authority: JP
Inventors: Takao Mizushima; 隆夫水嶋; Teruhiro Makino; 彰宏牧野; Yoshihiro Sudou; 能啓須藤; Shinichi Sasagawa; 新一笹川; Yuichi Ubunai; 雄一生内; Akihisa Inoue; 明久井上
Original assignee: Alps Electric Co Ltd
Current assignee: Alps Alpine Co Ltd
Priority date: 1997-08-29
Filing date: 1997-08-29
Publication date: 1999-03-16

Abstract

(57)【要約】【課題】小型にすることが可能であり、かつ地磁気に
よる磁力線の方位を精密に測定できる磁気センサを備え
たオートキャンセラを提供する。【解決手段】外部磁界の磁力線と逆向きで大きさが等
しいキャンセル磁界をブラウン管４に印加するキャンセ
ルコイル５と、磁気センサ２によって検出された前記外
部磁界による磁力線の方位に基づいてキャンセル磁界の
大きさを制御する制御部３とを具備してなり、磁気セン
サ２は、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉのうちの１種または２種以上
を主成分とし、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｍｏ、Ｔｉ、
Ｖのうちの１種または２種以上の元素とＢを含み、ΔＴ
ｘ＝Ｔｘ−Ｔｇ（式中、Ｔｘは結晶化開始温度、Ｔｇは
ガラス遷移温度を示す）の式で表される過冷却液体の温
度間隔ΔＴｘが２０Ｋ以上である軟磁性金属ガラス合金
からなる磁気インピーダンス効果素子を備えてなること
を特徴とするオートキャンセラ１を採用する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ブラウン管を備え
たディスプレイ等に備えられる磁気センサを具備してな
るオートキャンセラに関するものであり、特に、Ｆｅ基
軟磁性金属ガラス合金からなる磁気インピーダンス効果
素子を備えた磁気センサを具備してなるオートキャンセ
ラに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、ＣＡＤ画像情報の緻密化に伴っ
て、ブラウン管を備えたディスプレイ（以下、ＣＲＴデ
ィスプレイと略す。）のシャドウマスク孔のピッチの緻
密化が進んでいる。例えば、画面サイズが１４インチの
ＣＲＴディスプレイにおいては、０．２８ｍｍ／ピッチ
となっている。このような高緻密画面では、ブラウン管
内の電子ビームが地磁気等の外部磁界の影響を受け、本
来通過すべき軌跡から外れて、画像の移動、色純度劣化
による色むらの発生といった画質低下が生じるという課
題がある。そこで、最近のＣＲＴディスプレイには、地
磁気の影響を打ち消すために、地磁気による磁力線と逆
向きで等しい大きさの磁界（キャンセル磁界）をブラウ
ン管に印加するキャンセルコイルと、キャンセル磁界の
大きさを制御するための制御部を備えたオートキャンセ
ラが具備されているのが一般的である。制御部には、地
磁気の方位を検出するための磁気センサが備えられてい
る。

【０００３】従来のオートキャンセラの制御部には、磁
気センサとして、その動作原理上安定性に優れ、磁界の
検出感度も１０^-7〜１０^-6Ｇ程度と高いフラックスゲー
トセンサーが備えられている。しかし、このフラックス
ゲートセンサーは、環状の磁心と、この磁心に巻回して
磁場を印加する励磁巻線と、磁心の磁束密度を検出する
検出巻線とからなる構造であるため、形状が塊状とな
り、オートキャンセラの小型化が図れないという課題が
ある。

【０００４】一方、別の磁気センサとして、磁気抵抗素
子（以下、ＭＲ素子と略す）を用いた磁気センサは、２
つのＭＲ素子をそれぞれに印加される電流の電流路が互
いに直交するように同一平面内に配置し、これら２つの
ＭＲ素子をブリッジ等に接続することにより外部磁界に
よる磁力線の方位を検出するもので、形状が平面状であ
り、オートキャンセラの小型化を図ることが可能であ
る。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のＭＲ素
子を用いた磁気センサは、外部磁界の強度の変化による
ＭＲ素子自身の固有抵抗に対する抵抗変化率が３〜６％
程度と小さく、抵抗変化が鋭敏ではないので、地磁気等
の外部磁界による磁力線の精密な方位測定を行うことが
困難であり、キャンセルコイルよって発生させるキャン
セル磁界の大きさを最適化できないために、オートキャ
ンセラを正常に作動させることができないという課題が
あった。

【０００６】本発明は上述の課題を解決するためになさ
れたものであって、その形状を小型にすることが可能で
あり、かつ地磁気による磁力線の方位を精密に測定でき
る磁気センサを備えたオートキャンセラを提供すること
を目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明は以下の構成を採用した。本発明のオート
キャンセラは、外部磁界の磁力線と逆向きで大きさが等
しいキャンセル磁界をブラウン管に印加するキャンセル
コイルと、磁気センサによって検出された前記外部磁界
による磁力線の方位に基づいてキャンセル磁界の大きさ
を制御する制御部とを具備してなるオートキャンセラに
おいて、前記磁気センサは、外部磁界の検出手段とし
て、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉのうちの１種または２種以上の元
素を主成分とし、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｍｏ、Ｔ
ｉ、Ｖのうちの１種または２種以上の元素とＢを含み、
ΔＴｘ＝Ｔｘ−Ｔｇ（式中、Ｔｘは結晶化開始温度、Ｔ
ｇはガラス遷移温度を示す）の式で表される過冷却液体
の温度間隔ΔＴｘが２０Ｋ以上である軟磁性金属ガラス
合金からなる磁気インピーダンス効果素子を備えてなる
ことを特徴とする。また、本発明において、前記組成に
対してＺｒまたはＨｆを必ず含み、ΔＴｘが２５Ｋ以上
であることを特徴とするものであっても良い。

【０００８】本発明のオートキャンセラは、先に記載の
オートキャンセラであって、前記磁気センサは、前記外
部磁界による磁力線のＸ軸方向の成分の検出手段である
第１の磁気インピーダンス効果素子と、前記外部磁界に
よる磁力線のＹ軸方向の成分の検出手段である第２の磁
気インピーダンス効果素子とを備えてなることを特徴と
する。また、本発明のオートキャンセラは、先に記載の
オートキャンセラであって、前記第１、２の磁気インピ
ーダンス効果素子が、それぞれに印加される交流電流の
電流路が互いに直交するように同一平面内に配置された
ことを特徴とする。更に、本発明のオートキャンセラ
は、先に記載のオートキャンセラであって、前記第１、
２の磁気インピーダンス効果素子には、それぞれに印加
される交流電流の電流路に沿ってバイアス磁化を印加す
るための巻線が巻回されたことを特徴とする。

【０００９】更に、本発明のオートキャンセラは、先に
記載のオートキャンセラであって、前記軟磁性金属ガラ
ス合金は、ΔＴｘが６０Ｋ以上であり、下記の組成で表
されるものであることを特徴とすることを特徴とする。（Ｆｅ_1-a-bＣｏ_aＮｉ_b）_100-x-yＭ_xＢ_y 但し、０≦ａ≦０．２９、０≦ｂ≦０．４３、５原子％
≦ｘ≦２０原子％、１０原子％≦ｙ≦２２原子％であ
り、ＭはＺｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｖのう
ちの１種または２種以上からなる元素である。また、本
発明は、前記（Ｆｅ_1-a-bＣｏ_aＮｉ_b）_100-x-yＭ_xＢ_yな
る組成式において０.０４２≦ａ≦０.２９、０.０４２
≦ｂ≦０.４３の関係にされてなることを特徴とするも
のでも良い。

【００１０】更に、本発明のオートキャンセラは、先に
記載のオートキャンセラであって、前記軟磁性金属ガラ
ス合金は、ΔＴｘが６０Ｋ以上であり、下記の組成で表
されるものであることを特徴とすることを特徴とする。（Ｆｅ_1-a-bＣｏ_aＮｉ_b）_100-x-y-zＭ_xＢ_yＴ_z 但し、０≦ａ≦０．２９、０≦ｂ≦０．４３、５原子％
≦ｘ≦２０原子％、１０原子％≦ｙ≦２２原子％、０原
子％≦ｚ≦５原子％であり、ＭはＺｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｈ
ｆ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｖのうちの１種または２種以上からな
る元素、ＴはＣｒ、Ｗ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉ
ｒ、Ｐｔ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｃ、Ｐのうちの１種また
は２種以上からなる元素である。また、本発明は、前記
（Ｆｅ_1-a-bＣｏ_aＮｉ_b）_100-x-y-zＭ_xＢ_yＴ_zなる組成
式において０.０４２≦ａ≦０.２９、０.０４２≦ｂ≦
０.４３の関係にされてなるものでも良い。

【００１１】次に、本発明のオートキャンセラにおいて
は、前記元素Ｍが（Ｍ'_1-cＭ"_c）で表され、Ｍ'はＺｒ
またはＨｆのうちの１種または２種であり、Ｍ"はＮ
ｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｖのうちの１種または２種以上
からなる元素であり、０≦ｃ≦０.６であることを特徴
とするものでも良い。更に、前記軟磁性金属ガラス合金
の前記組成において、ｃが０.２≦ｃ≦０.４の範囲であ
ることを特徴とするものでも良く、前記ｃが０≦ｃ≦
０.２の範囲であることを特徴としても良い。更に、本
発明のオートキャンセラは、前記軟磁性金属ガラス合金
の前記組成において、ａが０.０４２≦ａ≦０.２５、ｂ
が０.０４２≦ｂ≦０.１であることを特徴としても良
い。本発明のオートキャンセラは、前記軟磁性金属ガラ
ス合金に４２７〜６２７℃で熱処理が施されてなること
を特徴とするものでも良い。更に、前記軟磁性金属ガラ
ス合金の前記組成において元素Ｂの５０％以下をＣで置
換しても良い。

【００１２】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。図１及び図２において、オートキ
ャンセラ１には、外部磁界の磁力線と逆向きで大きさが
等しいキャンセル磁界をブラウン管４に印加するため
に、ブラウン管４のフェイス（画面）６の周囲に巻回さ
れた導線からなるキャンセルコイル５と、磁気センサ２
によって検出された前記外部磁界による磁力線の方位に
基づいてキャンセル磁界の大きさを制御する制御部３と
が備えられている。キャンセルコイル５の両端５ａは、
制御部３に接続されている。

【００１３】また、図２において、磁気センサ２には、
外部磁界のＸ軸方向の成分の検出手段である第１の磁気
インピーダンス効果素子（以下、ＭＩ素子と略す）１２
と、Ｘ軸方向に垂直なＹ軸方向の外部磁界の成分の検出
手段である第２のＭＩ素子１３とが備えられている。磁
気インピーダンス効果素子（ＭＩ素子）とは、磁気イン
ピーダンス効果（Magneto-Impedance Effect）を有する
素子である。磁気インピーダンス効果とは、ワイヤ状ま
たはリボン状の磁性体に電源からＭＨｚ帯域の交流電流
を印加し、この状態で磁性体の長手方向から外部磁界を
印加すると、外部磁界が数ガウス程度の微弱磁界であっ
ても、磁性体の両端に素材固有のインピーダンスによる
電圧が発生し、その振幅が外部磁界の強度に対応して数
十％の範囲で変化する、すなわちインピーダンス変化を
起こす現象をいう。第１、２のＭＩ素子１２、１３は、
Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉのうちの１種または２種以上を主成分
とする軟磁性金属ガラス合金からなり、その形状は平面
視略矩形で所定の厚みを有するものである。第１、２の
ＭＩ素子１２、１３は、それぞれに印加される交流電流
の電流路の方向が互いに直交するように平面１４に配置
されている。即ち、第１、２のＭＩ素子１２、１３は、
それぞれの長手方向の向きが互いに直交するように配置
されている。第１、２のＭＩ素子１２、１３の形状は、
図２においては板状であるが、これに限られることはな
く、棒状、薄帯（リボン）状、ワイヤ状、線状、線状の
成形体の複数本を撚り合わせたもの等であっても良い。

【００１４】第１、２のＭＩ素子１２、１３には、第
１、２のＭＩ素子１２、１３に印加される交流電流の電
流路の方向に沿って、即ち、第１、２のＭＩ素子１２、
１３の長手方向に沿ってバイアス磁化を印加するための
巻線１５、１６が巻回されている。巻線１５、１６の両
端は、巻線端子１５ａ、１６ａを介して、外部巻線用導
線１５ｂ、１６ｂに接続されている。第１、２のＭＩ素
子１２、１３の長手方向の両端１２ａ、１３ａには、出
力電流を取り出すための出力導線１７、１８、１９が接
続されている。導線１７、１９は、出力端子１７ａ、１
９ａを介して、出力用外部導線１７ｂ、１９ｂに接続さ
れている。また、導線１８の両端は、第１のＭＩ素子１
２の端部１２ａと第２のＭＩ素子１３の端部１３ａとに
接続されている。また、導線１８は、出力端子１８ａを
介して、出力用外部導線１８ｂに接続されている。更
に、第１、２のＭＩ素子１２、１３のそれぞれの長手方
向の両端１２ａ、１３ａには、図示しない交流電流を印
加するための導線が接続されている。

【００１５】上述のオートキャンセラ１の動作は次の通
りである。図２において、磁気センサ２の第１、２のＭ
Ｉ素子１２、１３には、図示しない導線からＭＨｚ帯域
の交流電流が印加されている。このとき、第１、２のＭ
Ｉ素子１２、１３のそれぞれの両端１２ａ、１３ａに
は、それぞれの素子に固有のインピーダンスによる電圧
が発生している。図２に示すように、地磁気等の外部磁
界による磁力線の方向を任意とし、この磁力線が第１の
ＭＩ素子１２に印加されると、第１のＭＩ素子１２の両
端に発生するインピーダンスは、この磁力線の第１のＭ
Ｉ素子１２の長手方向に対して平行な成分（Ｘ軸方向の
成分）の大きさに対応したものとなる。同様に、この磁
力線が第２のＭＩ素子１３に印加されると、第２のＭＩ
素子１３の両端に発生するインピーダンスは、この磁力
線の第２のＭＩ素子１３の長手方向に対して平行な成分
（Ｙ軸方向の成分）の大きさに対応したものとなる。即
ち、第１、２のＭＩ素子１２、１３に対して、地磁気に
よる磁力線の方向が変化すると、これに対応して第１、
２のＭＩ素子１２、１３のインピーダンスが変化し、第
１、２のＭＩ素子１２、１３から出力される電圧値が変
化することになる。このようにして、磁気センサ２にお
いては、出力端子１７ａ、１８ａから、地磁気のＸ軸方
向の成分の大きさに対応した電圧値を示す出力電流が取
り出され、出力端子１９ａ、１８ａから、地磁気のＹ軸
方向の成分の大きさに対応した電圧値を示す出力電流が
取り出される。これらの出力電流は、外部出力導線１７
ｂ、１８ｂ、１９ｂを介して制御部３内の図示しない処
理部に送られる。処理部では、得られた出力電流に基づ
いて地磁気による磁力線の方位が測定される。

【００１６】更に、制御部３においては、地磁気の大き
さが地球上でほぼ一定であることから、磁気センサ２に
よって検出された地磁気の磁力線の方位に基づいて、ブ
ラウン管４のフェイス（画面）６の鉛直方向に対する地
磁気の磁力線の成分の大きさが測定される。この大きさ
に対応した電流を制御部３からキャンセルコイル５に印
加して、地磁気の磁力線と逆向きで大きさが等しいキャ
ンセル磁界を発生させることにより、地磁気による磁力
線が打ち消されてブラウン管４の電子ビームへの影響が
取り除かれ、画像の移動、色純度劣化による色むらを修
正する。

【００１７】従来のＭＲ素子の磁気検出感度が０．１
Ｏｅ程度であるのに対し、磁気インピーダンス効果を有
する素子（ＭＩ素子）は、１０^-5 Ｏｅ程度の磁気を検
出することが可能である。特に、本発明の第１、２のＭ
Ｉ素子１２、１３に、コルピッツ発振回路などの自己発
振回路等を接続して数〜数十ＭＨｚの交流電流を印加し
た場合には、分解能が約１０^-6 Ｏｅの高感度で外部磁
界を安定に検出できるので、微弱な外部磁界の検出が可
能になる。従って、第１、２のＭＩ素子１２、１３の形
状を、長手方向の長さを短くしてＭＩ素子固有のインピ
ーダンスを小さくするような形状とした場合においても
良好な磁気検出感度が得られるので、オートキャンセラ
１の小型化を図ることが可能となる。

【００１８】また、上述したように、本発明のオートキ
ャンセラ１の磁気センサ２には、第１、２のＭＩ素子１
２、１３にバイアス磁化を印加するための巻線１５、１
６が備えられている。本発明に係る第１、２のＭＩ素子
１２、１３は、図３（ａ）に示すように、外部磁界ゼロ
を中心に外部磁界の絶対値に依存して正負方向にほぼ対
称的に出力電圧の変化（インピーダンス変化）を示す。

【００１９】磁気センサ２の第１、２のＭＩ素子１２、
１３にバイアス磁化を印加しない場合には、図３（ｂ）
に示すように、外部磁界による磁力線の方向を第１のＭ
Ｉ素子１２の長手方向に対して０〜９０゜に変化させる
と、第１のＭＩ素子１２からの出力電圧が低下する。ま
た、外部磁界による磁力線の方向を９０〜１８０゜に変
化させると、第１のＭＩ素子１２からの出力電圧が上昇
する。このとき、０゜と１８０゜における出力電圧の電
圧値は同一となり、磁力線の方向を正確に測定すること
ができない。

【００２０】第１、２のＭＩ素子１２、１３にバイアス
磁化を印加した場合には、図３（ｃ）に示すように、外
部磁界に対するインピーダンスが直線的に変化する領域
を使用することになり、外部磁界による磁力線の方向を
０〜１８０゜に変化した場合でも、ＭＩ素子からの出力
電圧の変化が線形的であり、外部磁界の方向を正確に測
定できる。

【００２１】第１、２のＭＩ素子１２、１３に印加する
バイアス磁化の大きさは、絶対値で０．１〜２Ｏｅの
範囲であることが好ましい。バイアス磁化の大きさが、
０．１Ｏｅ以下若しくは２Ｏｅ以上の範囲では、外部
磁界に対するインピーダンス変化が線形変化でないので
好ましくない。従って、バイアス磁化を印加するための
巻線１５、１６に印加するバイアス電流は、数ｍＡの直
流電流で十分である。

【００２２】第１、２のＭＩ素子１２、１３を構成する
軟磁性金属ガラス合金は、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉのうちの１
種または２種以上を主成分とし、ΔＴｘ＝Ｔｘ−Ｔｇ
（式中、Ｔｘは結晶化開始温度、Ｔｇはガラス遷移温度
を示す）の式で表される過冷却液体領域の温度幅ΔＴｘ
が２０Ｋ以上、組成によっては４０〜６０Ｋ以上という
顕著な温度間隔を示すので、徐冷による成形が可能とな
り、比較的肉厚のリボン状や線状の成形体を作成するこ
とが可能となる。

【００２３】高い磁気インピーダンス効果を有しなが
ら、しかも２０Ｋ以上のΔＴｘを有する軟磁性金属ガラ
ス合金を得るために、この軟磁性金属ガラス合金に、Ｚ
ｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｖのうちの１種ま
たは２種以上とＢとを含有させる。より具体的に例示す
ると、本発明では、その組成が、（Ｆｅ_1-a-bＣｏ_aＮｉ_b）_100-x-yＭ_xＢ_y の一般式で表記することができ、この一般式において、
０≦ａ≦０.２９、０≦ｂ≦０.４３、５原子％≦x≦２
０原子％、１０原子％≦y≦２２原子％なる関係が好ま
しく、ＭはＺｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｖの
うちの１種又は２種以上からなる元素である。前記の組
成において、ＺｒまたはＨｆを必ず含み、ΔＴxが２５
Ｋ以上であることが好ましい。また、前記の組成におい
て、ΔＴxが６０Ｋ以上であることがより好ましい。更
に、前記（Ｆｅ_1-a-bＣｏ_aＮｉ_b）_100-x-yＭ_xＢ_yなる一
般式において０.０４２≦ａ≦０.２９、０.０４２≦ｂ
≦０.４３の関係にされてなることが好ましい。

【００２４】次に、本発明に係る他の軟磁性金属ガラス
合金は、その組成が、（Ｆｅ_1-a-bＣｏ_aＮｉ_b）
_100-x-y-zＭ_xＢ_yＴ_zの一般式で表記することができ、こ
の一般式において、０≦ａ≦０.２９、０≦ｂ≦０.４
３、５原子％≦x≦２０原子％、１０原子％≦y≦２２原
子％、０原子％≦z≦５原子％であり、ＭはＺｒ、Ｎ
ｂ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｖのうちの１種又は２種
以上からなる元素、ＴはＣｒ、Ｗ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、
Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｃ、Ｐのうちの
１種又は２種以上の元素である。また、本発明は、前記
（Ｆｅ_1-a-bＣｏ_aＮｉ_b）_100-x-y-zＭ_xＢ_yＴ_zなる一般
式において０.０４２≦ａ≦０.２９、０.０４２≦ｂ≦
０.４３の関係にされてなるものでも良い。次に、前記
元素Ｍが（Ｍ'_1-cＭ"_c）で表され、Ｍ'はＺｒまたはＨ
ｆのうちの１種または２種であり、Ｍ"はＮｂ、Ｔａ、
Ｍｏ、Ｔｉ、Ｖのうちの１種または２種以上からなる元
素であり、０≦ｃ≦０.６であることを特徴とするもの
でも良い。更に、前記組成においてｃが０.２≦ｃ≦０.
４の範囲であることを特徴とするものでも良く、前記ｃ
が０≦ｃ≦０.２の範囲であることを特徴としても良
い。更に本発明において、０.０４２≦ａ≦０.２５、
０.０４２≦ｂ≦０.１であることを特徴としても良い。

【００２５】本発明において、軟磁性金属ガラス合金に
４２７℃（７００Ｋ）〜６２７℃（９００Ｋ）で熱処理
が施されてなることを特徴とするものでも良い。この範
囲の温度で熱処理がなされたものは、高い透磁率を示
す。なお、加熱後の冷却時に急冷すると、結晶相が析出
してアモルファス化できないので、熱処理後の冷却速度
はできるだけ遅いものとする必要があり、加熱後に徐冷
するか焼き鈍しするなどの処理が好ましい。また、前記
の組成において原子Ｂの５０％以下をＣで置換しても良
い。

【００２６】「組成限定理由」本発明の軟磁性金属ガラ
ス合金においては、主成分であるＦｅを多く含む成分系
においてΔＴxが大きくなり易く、Ｆｅを多く含む成分
系においてＣｏ含有量とＮｉ含有量を適正な値とするこ
とで、ΔＴxの値を６０Ｋ以上にすることができる。具
体的には、５０Ｋ〜６０ＫのΔＴxを確実に得るために
は、Ｃｏの組成比を示すａの値を０≦ａ≦０.２９、Ｎ
ｉの組成比を示すｂの値を０≦ｂ≦０.４３の範囲、６
０Ｋ以上のΔＴxを確実に得るためには、Ｃｏの組成比
を示すａの値を０.０４２≦ａ≦０.２９、Ｎｉの組成比
を示すｂの値を０.０４２≦ｂ≦０.４３の範囲とするこ
とが好ましい。また、前記の範囲内において、良好な磁
気インピーダンス効果を得るためには、Ｃｏの組成比を
示すａの値を０.０４２≦ａ≦０.２５の範囲とすること
が好ましく、Ｎｉの組成比を示すｂの値を０.０４２≦
ｂ≦０.１の範囲とすることがより好ましい。

【００２７】ＭはＺｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｍｏ、Ｔ
ｉ、Ｖのうちの１種又は２種以上からなる元素である。
これらはアモルファスを生成させるために有効な元素で
あり、５原子％以上、２０原子％以下の範囲が好まし
く、５原子％以上、１５原子％以下の範囲がより好まし
い。これら元素Ｍのうち、特にＺｒまたはＨｆが有効で
ある。ＺｒまたはＨｆは、その一部をＮｂ等の元素と置
換することができるが、置換する場合の組成比ｃは、０
≦ｃ≦０.６の範囲であると、高いΔＴxを得ることがで
きるが、特にΔＴxを８０以上とするには０.２≦ｃ≦
０.４の範囲が好ましい。

【００２８】Ｂは、高いアモルファス形成能があり、本
発明では１０原子％以上、２２原子％以下の範囲で添加
する。この範囲を外れると、Ｂが１０原子％未満である
と、ΔＴx が消滅するために好ましくなく、２２原子％
よりも大きくなるとアモルファスが形成できなくなるた
めに好ましくない。より高いアモルファス形成能と良好
な磁気インピーダンス効果を得るためには、１６原子％
以上、２０原子％以下とすることがより好ましい。

【００２９】前記の組成系に更に、Ｔで示される、Ｃ
ｒ、Ｗ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｌ、
Ｓｉ、Ｇｅ、Ｃ、Ｐのうちの１種又は２種以上の元素を
添加することもできる。本発明ではこれらの元素を０原
子％以上、５原子％以下の範囲で添加することができ
る。これらの元素は主に耐食性を向上させる目的で添加
するもので、この範囲を外れると、アモルファス形成能
が劣化するために好ましくない。

【００３０】本発明に係る軟磁性金属ガラス合金からな
る第１、２のＭＩ素子１２、１３は、溶製してから鋳造
法により、或いは単ロールもしくは双ロールによる急冷
法によって、更には液中紡糸法や溶液抽出法によって、
バルク状、薄帯（リボン）状、線状体等の種々の形状と
して製造される。これらの製造法によって、従来の非晶
質合金によるリボン状のＭＩ素子に比べての１０倍以上
の厚さと形の大きさの第１、２のＭＩ素子１２、１３を
得ることができるので、オートキャンセラ１に用いる場
合においても、第１、２のＭＩ素子１２、１３の形状の
自由度が高い故に、磁気センサ２の設計、製造が容易に
なる。

【００３１】これらの方法により得られた前記の組成の
軟磁性金属ガラス合金は、室温において軟磁気特性（So
ft magnetism）を有している。この軟磁気特性は４２７
℃〜６２７℃の範囲内の熱処理を施すことによって更に
改善される。このため、オートキャンセラ１への応用に
有用なものとなる。

【００３２】上述のオートキャンセラ１の磁気センサ２
には、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉのうちの１種または２種以上を
主成分とし、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｖ
のうちの１種または２種以上の元素とＢを含み、ΔＴｘ
＝Ｔｘ−Ｔｇ（式中、Ｔｘは結晶化開始温度、Ｔｇはガ
ラス遷移温度を示す）の式で表される過冷却液体の温度
間隔ΔＴｘが２０Ｋ以上である軟磁性金属ガラス合金か
らなるＭＩ素子を備えており、外部磁界の変化に対する
インピーダンスの変化が大きいので、地磁気のような微
弱な外部磁界を検出することができる。また、本発明に
係る第１、２のＭＩ素子１２、１３は、外部磁界の検出
感度が高いので、第１、２のＭＩ素子１２、１３の大き
さを小さくすることが可能となり、オートキャンセラ１
を小型化できる。更に、本発明に係る第１、２のＭＩ素
子１２、１３は、鋳造法、単ロール法、双ロール法等に
より、従来の非晶質合金に比べて板厚が大きい成形体を
容易に得られるので、オートキャンセラ１に用いる場合
においても、第１、２のＭＩ素子１２、１３の形状の自
由度が高い故に、磁気センサ２の設計が容易になり、更
に第１、２のＭＩ素子１２、１３の加工等が容易であ
り、オートキャンセラ１の製造が容易になると共に、製
造コストを低減できる。

【００３３】上述のオートキャンセラ１の磁気センサ２
には、外部磁界のＸ軸方向の成分の検出手段である第１
のＭＩ素子１２と、Ｙ軸方向の外部磁界の成分の検出手
段である第２のＭＩ素子１３とを備え、第１、２のＭＩ
素子１２、１３は、それぞれに印加される交流電流の電
流路が互いに直交するように同一平面１４内に配置さ
れ、第１、２のＭＩ素子１２、１３に印加される交流電
流の電流路に沿ってバイアス磁化を印加する巻線１５、
１６が巻回されたものであるので、地磁気による磁力線
の方位を正確に測定することが可能となり、キャンセル
コイル５により発生させるキャンセル磁界の大きさを最
適にすることができる。

【００３４】また、上述の第１、２のＭＩ素子１２、１
３は、外部磁界が−２Ｏｅ〜＋２Ｏｅ程度の微弱磁界
の範囲において、出力電圧の値の変化が穏やかであると
共に出力電圧の値の変化が線形的で定量性が良好である
ので、方位センサ１の外部磁界による磁力線の方位測定
の精度をより高くすることが可能となり、キャンセル磁
界の大きさを最適にすることができる。また、外部磁界
の方位を測定するための出力電圧を処理する回路構成が
比較的簡単になり、オートキャンセラ１の製造コストを
下げることができる。更に、第１、２のＭＩ素子１２、
１３に印加するバイアス磁化は最大でも２Ｏｅ程度と小
さくて済むので、バイアス磁化を印加するための回路構
成を簡単にすることができる。

【００３５】上述のオートキャンセラ１は、軟磁性金属
ガラス合金である第１、２のＭＩ素子１２、１３に、４
２７℃〜６２７℃の範囲内の熱処理が施されたものであ
り、良好な軟磁気特性を示し、磁気インピーダンス効果
を向上させることができるので、地磁気のような微弱な
外部磁界を検出することが容易に行える。

【００３６】

【実施例】以下、実施例によって詳細に説明する。（実施例１）Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｒ、Ｎｂの単体純金
属と純ボロン結晶をＡｒガス雰囲気中において混合しア
ーク溶解して母合金を製造した。次に、この母合金をル
ツボで溶解し、アルゴンガス雰囲気中において４０ｍ／
Ｓで回転している銅ロールにルツボ下端の０.４ｍｍ径
のノズルから射出圧力０.３９×１０⁵Ｐａで吹き出して
急冷する単ロール法を実施することにより、幅０.４〜
１ｍｍ、厚さ１３〜２２μｍの金属ガラス合金薄帯の試
料を製造した。得られた試料は、示差走査熱量測定（Ｄ
ＳＣ）により分析した。

【００３７】図４は、各々Ｆｅ₆₀Ｃｏ₃Ｎｉ₇Ｚｒ
₁₀Ｂ₂₀、Ｆｅ₅₆Ｃｏ₇Ｎｉ₇Ｚｒ₁₀Ｂ₂₀、Ｆｅ₄₉Ｃｏ₁₄Ｎ
ｉ₇Ｚｒ₁₀Ｂ₂₀、Ｆｅ₄₆Ｃｏ₁₇Ｎｉ₇Ｚｒ₁₀Ｂ₂₀なる組成
の金属ガラス合金薄帯試料のＤＳＣ曲線を示す。また、
図５には、Ｆｅ₅₆Ｃｏ₇Ｎｉ₇Ｚｒ₈Ｎｂ₂Ｂ₂₀なる組成の
金属ガラス合金薄帯試料のＤＳＣ曲線を示す。これらの
いずれの試料においても、温度を上昇させてゆくことで
広い過冷却液体領域が存在することを確認でき、その過
冷却液体領域を超えて加熱することで結晶化することが
明らかになった。過冷却液体領域の温度間隔ΔＴxは、
ΔＴx＝Ｔx−Ｔgの式で表されるが、図４に示すＴx−Ｔ
gの値はいずれの試料でも６０Ｋを超え、６４〜６８Ｋ
の範囲になっている。過冷却液体領域を示す実質的な平
衡状態は、発熱ピークによる結晶化を示す温度より少し
低い５９６℃（８６９Ｋ）〜６３２℃（９０５Ｋ）の広
い範囲で得られた。

【００３８】図６は、（Ｆｅ_1-a-bＣｏ_aＮｉ_b）₇₀Ｚｒ
₁₀Ｂ₂₀なる組成系におけるΔＴx（＝Ｔx−Ｔg）の値に
対するＦｅとＣｏとＮｉのそれぞれの含有量依存性を示
す三角組成図である。図６に示す結果から明らかなよう
に、（Ｆｅ_1-a-bＣｏ_aＮｉ_b）₇₀Ｚｒ₁₀Ｂ₂₀なる組成系
の全ての範囲においてΔＴxの値は２５Ｋを超えてい
る。一方、ΔＴxに関しては、Ｆｅを多く含む組成系に
おいて大きな値になっていることがわかり、ΔＴxを６
０Ｋ以上にするには、Ｃｏ含有量を３原子％以上、２０
原子％以下、Ｎｉ含有量を３原子％以上、３０原子％以
下にすることが好ましいことがわかる。なお、（Ｆｅ
_1-a-bＣｏ_aＮｉ_b）₇₀Ｚｒ₁₀Ｂ₂₀なる組成式においてＣ
ｏ含有量を３原子％以上にするには、（Ｆｅ_1-a-bＣｏ_a
Ｎｉ_b）を７０原子％とするので、Ｃｏの組成比ａが０.
０４２以上、Ｃｏ含有量を２０原子％以下にするには、
Ｃｏの組成比ａが０.２９以下となる。また、同様にＮ
ｉ含有量を３原子％以上にするにはＮｉの組成比ｂが
０.０４２以上、３０原子％以下にするには、Ｎｉの組
成比ｂが０.４３以下となる。

【００３９】（実施例２）実施例１と同様にして、厚さ
が２０〜１９５μｍのＦｅ₅₆Ｃｏ₇Ｎｉ₇Ｚｒ₄Ｎｂ₆Ｂ₂₀
なる組成の急冷薄帯を作製した。急冷薄帯の厚みは、単
ロール法において、るつぼ内の合金溶湯をノズルからロ
ールに吹き付ける際に、るつぼのノズル径、ノズル先端
とロール表面との距離（ギャップ）、ロールの回転数、
射出圧力及び雰囲気圧力等を適当に調整することによっ
て調整した。得られた急冷薄帯をＸ線回折により分析し
た。結果を図７に示す。図７から、板厚２０〜１９５μ
ｍの薄帯にあっては、いずれも２θ＝３８〜５２゜にハ
ローなパターンを有しており、アモルファス単相組織を
有していることがわかる。

【００４０】（実施例３）実施例１と同様にして、Ｆｅ
₅₆Ｃｏ₇Ｎｉ₇Ｚｒ_10-xＮｂ_xＢ₂₀（x＝０,２,４,６,８,
１０原子％）なる組成の急冷薄帯を作製した。得られた
急冷薄帯について、急冷のままの状態の試料および５２
７℃（８００Ｋ）の温度で５分間熱処理した試料の飽和
磁束密度（Ｂｓ）、保磁力（Ｈｃ）、１ｋＨｚにおける
透磁率（μe）、磁歪（λｓ）のＮｂ含有量依存性を図
８示す。飽和磁束密度（Ｂｓ）は、急冷状態および熱
処理後の試料ともに、Ｎｂを添加するに従い低下し、Ｎ
ｂを含まない試料が０.９（Ｔ）以上、Ｎｂを２原子％
含む試料では約０.７５（Ｔ）であった。透磁率（μe）
の値は、急冷状態の試料にあっては、Ｎｂを含まない試
料が５０３１、Ｎｂを２原子％含む試料が２２２８であ
り、Ｎｂを１０原子％含む試料においては９０６に低下
した。しかし、熱処理を施すことにより透磁率（μe）
は格段に向上し、特にＮｂを２原子％含む試料において
は、２５０００程度の透磁率（μe）を得ることができ
る。保磁力（Ｈｃ）に関し、急冷状態の試料にあって
は、Ｎｂを含まない試料とＮｂを２原子％含む試料はい
ずれも５０Ａ／ｍ（＝０.６２５Ｏｅ）と低い値であっ
た。特にＮｂが２原子％以下の試料は、５Ａ／ｍ（＝
０.０６２５Ｏｅ）と非常に良好な値を示している。熱
処理を施すと、Ｎｂを４原子％以上含む試料においても
優れた保磁力（Ｈｃ）を得ることが可能となる。以上の
ように、この系の合金試料にあっては、良好な軟磁気特
性を得るためには、Ｎｂは０以上、２原子％以下の範囲
がより好ましいことがわかる。このようにして、飽和磁
束密度が大きく、保磁力が小さく、更に透磁率が高いと
いう軟磁気特性に優れた金属ガラス合金を得ることが可
能となり、この合金からなるＭＩ素子を用いてオートキ
ャンセラを作製した場合には、微弱な地磁気の検出が可
能となり、方位測定の精度をより高くできると予想され
る。

【００４１】（実施例４）次に、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚ
ｒ、ＮｂおよびＢのそれぞれ所定量を秤量混合し、減圧
Ａｒ雰囲気下においてこれらの原料を高周波誘導加熱炉
で溶融し、原子組成比がＦｅ₅₆Ｃｏ₇Ｎｉ₇Ｚｒ₆Ｎｂ₄Ｂ
₂₀となる組成物のインゴットを製造した。このインゴッ
トをルツボ内に入れて溶融し、ノズルの先端から回転し
ているロールに溶湯を吹き出して急冷する単ロール法に
よって、減圧Ａｒ雰囲気下で厚さ２０μｍの急冷リボン
を得た。このリボンから、長さ６ｍｍ、幅０．１ｍｍ〜
０．２ｍｍ、厚さ２０μｍの試料を切り出してＭＩ素子
とした。

【００４２】上記のＭＩ素子を図９に示す磁界検知回路
に挿入し、３ＭＨｚの交流電流を印加した状態で、ＭＩ
素子の長さ方向に外部磁界Ｈexを印加し、外部磁界Ｈex
（Ｏｅ）と発生した出力電圧（ｍＶ）との関係を調べ
た。増幅率は１０倍に設定した。測定結果を図１０に示
す。更に、図１１は、実施例４のＭＩ素子と、従来のＦ
ｅ₇₈Ｓｉ₁₉Ｂ₁₃および（Ｆｅ₆Ｃｏ₉₄）_72.5Ｓｉ_12.5Ｂ
₁₅ の組成のＭＩ素子とを比較するために、外部磁界Ｈe
x（Ｏｅ）と発生した出力電圧（ｍＶ）との関係をそれ
ぞれ調べた結果を示す。

【００４３】図９に示す磁界検知回路は、ブロックＡ，
ＢおよびＣからなり、それぞれ、高周波電源部、外部磁
界（Ｈｅｘ）検知部および増幅出力部である。ＭＩ素子
（Ｍｉ）は外部磁界検知部（Ｂ）に挿入されている。高
周波電源部（Ａ）は、高周波交流電流を発生し外部磁界
検知部（Ｂ）に供給するための回路であってその方式は
特に限定されない。ここでは一例として、安定化コルビ
ッツ発振回路を採用したものを掲げる。自己発振方式で
はこの他に磁気変調を利用した振幅変調（ＡＭ）、周波
数変調（ＦＭ）、または位相変調（ＰＭ）をかけて磁界
感知作動をさせることもできる。外部磁界検知部（Ｂ）
はＭＩ素子（Ｍｉ）と復調回路とからなり、高周波電源
部（Ａ）から供給された高周波交流電流により待機状態
とされたＭＩ素子が外部磁界（Ｈｅｘ）に感応して発生
したインピーダンス変化を、復調回路により復調し、増
幅出力部（Ｃ）に伝送する。増幅出力部（Ｃ）は差動増
幅回路と出力端子とを有する。この出力端子からＭＩ素
子からの出力電圧（ｍＶ）を得る。

【００４４】図１０において、実施例４のＭＩ素子は、
−４Ｏｅ〜＋４Ｏｅ程度の微弱磁界帯域において、出
力電圧の値が高く、かつ線形性に優れる領域があるため
に良好な定量性を示す。従って、このようなＭＩ素子を
オートキャンセラに使用した場合には、地磁気のような
微弱な外部磁界の検出が可能となり、外部磁界によるＭ
Ｉ素子からの出力電圧を処理して外部磁界の方位を測定
するための回路構成を簡単にできる。また、バイアス磁
化は、絶対値で２Ｏｅ程度の磁化をかければよいの
で、バイアス磁化を印加するための回路構成も簡単にで
きる。

【００４５】また、図１１において、実施例４のＭＩ素
子は、従来のＦｅ₇₈Ｓｉ₁₉Ｂ₁₃の組成のＭＩ素子よりも
出力電圧の電圧値が高く、外部磁界の検出感度が高いこ
とがわかる。更に、実施例４のＭＩ素子は、微弱磁界の
範囲内（−２Ｏｅ〜＋２Ｏｅ）で従来の（Ｆｅ₆Ｃｏ
₉₄）_72.5Ｓｉ_12.5Ｂ₁₅ の組成のＭＩ素子よりも出力電
圧の立ち上がりが緩やかであるので、定量性が良好とな
り、これを用いた磁気センサの回路構成が容易となる。

【００４６】

【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明の
オートキャンセラは、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉのうちの１種ま
たは２種以上を主成分とし、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｈｆ、
Ｍｏ、Ｔｉ、Ｖのうちの１種または２種以上の元素とＢ
を含み、ΔＴｘ＝Ｔｘ−Ｔｇ（式中、Ｔｘは結晶化開始
温度、Ｔｇはガラス遷移温度を示す）の式で表される過
冷却液体の温度間隔ΔＴｘが２０Ｋ以上である軟磁性金
属ガラス合金からなるＭＩ素子を備えており、外部磁界
の変化に対する検出感度が高いので、微弱な地磁気を検
出することができると共に、ＭＩ素子の大きさを小さく
することが可能となり、オートキャンセラを小型化でき
る。更に、本発明に係るＭＩ素子は、加工性に優れるリ
ボン状または線状のＭＩ素子を容易に得ることができる
ので、オートキャンセラの設計、製造を容易にすると共
に、製造コストを低減できる。

【００４７】また、本発明のオートキャンセラは、外部
磁界のＸ軸方向の成分の検出手段である第１のＭＩ素子
と、Ｙ軸方向の外部磁界の成分の検出手段である第２の
ＭＩ素子とを備え、第１、２のＭＩ素子は、それぞれに
印加される交流電流の電流路が互いに直交するように同
一平面内に配置され、ＭＩ素子に印加される交流電流の
電流路に沿ってバイアス磁化を印加する巻線が巻回され
たものでありバイアス磁化を印加できるので、地磁気の
ような外部磁界による磁力線の方位を正確に測定するこ
とが可能となり、キャンセルコイルにより発生させるキ
ャンセル磁界の大きさを最適にすることにより、オート
キャンセラを正常に動作させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態であるオートキャンセラ
を示す斜視図である。

【図２】本発明の実施の形態であるオートキャンセラ
の磁気センサを示す平面図である。

【図３】本発明の実施の形態であるＭＩ素子の外部磁
界と出力電圧との関係を示す図であって、（ａ）はＭＩ
素子の外部磁化と出力電圧との関係を示すグラフであ
り、（ｂ）は外部磁界の磁力線の方向をＭＩ素子の長手
方向に対して０〜１８０゜の範囲で変化させたときの外
部磁界と出力電圧との関係を示すグラフであり、（ｃ）
はＭＩ素子のバイアス磁化をかけて（ｂ）と同様にの外
部磁界の磁力線の方向を変化させたときの外部磁界と出
力電圧との関係を示すグラフである。

【図４】実施例１におけるＦｅ₆₀Ｃｏ₃Ｎｉ₇Ｚｒ₁₀Ｂ
₂₀、Ｆｅ₅₆Ｃｏ₇Ｎｉ₇Ｚｒ₁₀Ｂ₂₀、Ｆｅ₄₉Ｃｏ₁₄Ｎｉ₇
Ｚｒ₁₀Ｂ₂₀、Ｆｅ₄₆Ｃｏ₁₇Ｎｉ₇Ｚｒ₁₀Ｂ₂₀なる各組成
の金属ガラス合金薄帯試料のＤＳＣ曲線を示す図であ
る。

【図５】実施例１におけるＦｅ₅₆Ｃｏ₇Ｎｉ₇Ｚｒ₈Ｎ
ｂ₂Ｂ₂₀なる組成の金属ガラス合金薄帯試料のＤＳＣ曲
線を示す図である。

【図６】実施例１における（Ｆｅ_1-a-bＣｏ_aＮｉ_b）
₇₀Ｚｒ₁₀Ｂ₂₀なる組成系におけるΔＴx（＝Ｔx−Ｔg）
の値に対するＦｅとＣｏとＮｉのそれぞれの含有量依存
性を示す三角組成図である。

【図７】Ｆｅ₅₆Ｃｏ₇Ｎｉ₇Ｚｒ₄Ｎｂ₆Ｂ₂₀なる組成の
急冷薄帯の種々の板厚におけるＸ線回折パターンを示す
図である。

【図８】Ｆｅ₅₆Ｃｏ₇Ｎｉ₇Ｚｒ_10-xＮｂ_xＢ₂₀（x＝
０,２,４,６,８,１０原子％）なる組成の試料の飽和磁
束密度（Ｂｓ）、保磁力（Ｈｃ）、１ｋＨｚにおける透
磁率（μe）、磁歪（λｓ）のＮｂ含有量依存性を示す
図である。

【図９】実施例４のＭＩ素子を用いた磁気検知回路を
示す回路図である。

【図１０】実施例４のＭＩ素子の外部磁化と出力電圧
との関係を示すグラフである。

【図１１】実施例４および従来のＭＩ素子の外部磁化
と出力電圧との関係を示すグラフである。

【符号の説明】

１オートキャンセラ２磁気センサ３制御部４ブラウン管５キャンセルコイル６フェイス（画面）１２第１のＭＩ素子１３第２のＭＩ素子１４平面１５バイアス磁化を印加するための巻線１６バイアス磁化を印加するための巻線１７出力導線１８出力導線１９出力導線

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者牧野彰宏東京都大田区雪谷大塚町１番７号アルプス電気株式会社内 (72)発明者須藤能啓東京都大田区雪谷大塚町１番７号アルプス電気株式会社内 (72)発明者笹川新一東京都大田区雪谷大塚町１番７号アルプス電気株式会社内 (72)発明者生内雄一東京都大田区雪谷大塚町１番７号アルプス電気株式会社内 (72)発明者井上明久宮城県仙台市青葉区川内元支倉35番地川内住宅11−806

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】外部磁界の磁力線と逆向きで大きさが等
しいキャンセル磁界をブラウン管に印加するキャンセル
コイルと、磁気センサによって検出された前記外部磁界による磁力
線の方位に基づいてキャンセル磁界の大きさを制御する
制御部とを具備してなるオートキャンセラにおいて、前記磁気センサは、外部磁界の検出手段として、Ｆｅ、
Ｃｏ、Ｎｉのうちの１種または２種以上の元素を主成分
とし、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｖのうち
の１種または２種以上の元素とＢを含み、ΔＴｘ＝Ｔｘ
−Ｔｇ（式中、Ｔｘは結晶化開始温度、Ｔｇはガラス遷
移温度を示す）の式で表される過冷却液体の温度間隔Δ
Ｔｘが２０Ｋ以上である軟磁性金属ガラス合金からなる
磁気インピーダンス効果素子を備えてなることを特徴と
するオートキャンセラ。
【請求項２】請求項１に記載のオートキャンセラであ
って、前記磁気センサは、前記外部磁界による磁力線のＸ軸方
向の成分の検出手段である第１の磁気インピーダンス効
果素子と、前記外部磁界による磁力線のＹ軸方向の成分の検出手段
である第２の磁気インピーダンス効果素子とを備えてな
ることを特徴とするオートキャンセラ。
【請求項３】請求項２に記載のオートキャンセラであ
って、前記第１、２の磁気インピーダンス効果素子が、それぞ
れに印加される交流電流の電流路が互いに直交するよう
に同一平面内に配置されたことを特徴とするオートキャ
ンセラ。
【請求項４】請求項３に記載のオートキャンセラであ
って、前記第１、２の磁気インピーダンス効果素子には、それ
ぞれに印加される交流電流の電流路に沿ってバイアス磁
化を印加するための巻線が巻回されたことを特徴とする
オートキャンセラ。
【請求項５】請求項１に記載のオートキャンセラであ
って、前記軟磁性金属ガラス合金は、ΔＴｘが６０Ｋ以
上であり、下記の組成で表されるものであることを特徴
とするオートキャンセラ。（Ｆｅ_1-a-bＣｏ_aＮｉ_b）_100-x-yＭ_xＢ_y 但し、０≦ａ≦０．２９、０≦ｂ≦０．４３、５原子％
≦ｘ≦２０原子％、１０原子％≦ｙ≦２２原子％であ
り、ＭはＺｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｖのう
ちの１種または２種以上からなる元素である。
【請求項６】請求項１に記載のオートキャンセラであ
って、前記軟磁性金属ガラス合金は、ΔＴｘが６０Ｋ以
上であり、下記の組成で表されるものであることを特徴
とするオートキャンセラ。（Ｆｅ_1-a-bＣｏ_aＮｉ_b）_100-x-y-zＭ_xＢ_yＴ_z 但し、０≦ａ≦０．２９、０≦ｂ≦０．４３、５原子％
≦ｘ≦２０原子％、１０原子％≦ｙ≦２２原子％、０原
子％≦ｚ≦５原子％であり、ＭはＺｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｈ
ｆ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｖのうちの１種または２種以上からな
る元素、ＴはＣｒ、Ｗ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉ
ｒ、Ｐｔ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｃ、Ｐのうちの１種また
は２種以上からなる元素である。